刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 超级电容器用碳基电极材料研究进展

    郭慰彬;陈嘉炼;刘金玲;白欣;陈登龙;

    超级电容器作为一种绿色储能体系,在新型能量存储和转化系统发展过程中扮演着重要的角色。综述了超级电容器商业化应用的发展历史,介绍了超级电容器的分类、储能原理和两种电化学性能测试体系,重点阐述了三种改善碳基电极材料性能的思路:结构多孔化、尺度纳米化和材料复合化,展望了碳基电极材料的发展方向。

    2019年01期 v.38;No.323 1-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 1491K]
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  • 电调微波带通滤波器的研究进展

    曹良足;王莉雅;殷丽霞;

    电调滤波器是当前微波滤波器的研究热点,它们取代滤波器组可减小整机体积和降低设计复杂度。本文从电调滤波器的分类着手,分别综述变容管电调滤波器、铁电薄膜电调滤波器、微机电系统(MEMS)电调滤波器和压电换能器电调滤波器的结构和性能,并分析各自的特点。最后,提出电调滤波器的发展趋势。

    2019年01期 v.38;No.323 9-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 2194K]
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热点与关注

  • 介孔NiO纳米片/泡沫镍复合电极的构建及其在超级电容中的应用

    周恩民;程正富;田亮亮;查小婷;李召红;

    随着世界的快速发展,能源储存器件的发展显得尤为重要,具有长的循环寿命、较高的功率密度以及快的充放电速率的超级电容器是最有前途的储能器件之一,过渡金属氧化物及氢氧化物具有较高的理论比电容,但较低的导电性限制其在实际中的应用。本文采用简单的水热法和热处理工艺将多孔NiO纳米片生长在泡沫镍(NF)基底上,利用NF提高了其导电性和电化学稳定性。结果表明,该电极在1 A/g的电流密度下,比电容达到728. 0 F/g,在5 A/g条件下循环2000次仍保留原有比电容的76%。组装的对称电容工作电压达0. 45 V,在功率密度为224. 9 W/kg能量密度达到最大为11. 3 Wh/kg,在能量密度为5 Wh/kg功率密度达到最大为4500 W/kg。

    2019年01期 v.38;No.323 16-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 4127K]
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研究与试制

  • 不同溅射功率制备的Zn_(0.97)Co_(0.03)O薄膜的结构和光学性质研究

    阳生红;蒋志洁;张曰理;

    采用磁控溅射法在不同射频功率下制备了Zn_(0. 97)Co_(0. 03)O薄膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、紫外-可见光谱和室温光致发光谱对薄膜进行了表征。XRD和Raman结果表明,Zn_(0. 97)Co_(0. 03)O薄膜为六方纤锌矿结构,沿(002)晶面择优取向。随着溅射功率的增大,薄膜的(002)晶面择优取向增强,晶化程度提高,晶粒尺寸增大。不同溅射功率制备的Zn_(0. 97)Co_(0. 03)O薄膜均具有较高的可见光透过率。随溅射功率增加,光学带隙减小,光吸收边红移。光致发光谱表明不同溅射功率制备的Zn_(0. 97)Co_(0. 03)O薄膜均具有较强的带边紫外发光峰。随着溅射功率的增加,该发光峰的峰位发生红移,且峰强度增强。以上研究结果表明,溅射功率对Zn_(0. 97)Co_(0. 03)O薄膜的生长速率、结晶质量及光学性能有明显影响,但不会影响薄膜的成分。

    2019年01期 v.38;No.323 23-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 927K]
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  • 以PI为基底的金薄膜导热导电性能研究

    程健;董华;张建伦;林欢;张敬奎;

    实验利用瞬态电热技术测量出镀在聚酰亚胺(PI)基底表面的6. 4 nm金薄膜面内方向的导热系数、导电系数和洛伦兹数,并研究了PI薄膜基底的热处理温度与时间对金薄膜导热、导电性能的影响。研究结果表明,PI基底可以促进金薄膜面内方向的热传导与电传导。PI薄膜基底表面金薄膜导热、导电性能最强,适合应用在柔性电子领域中。当对PI薄膜基底的热处理时间为1 h时,随着热处理温度从50℃升到200℃,金薄膜的导热、导电系数呈下降趋势。当热处理温度为200℃时,随着热处理时间从0 h升到6 h,金薄膜的导热、导电性能先下降后上升,并在6 h后趋于稳定。

    2019年01期 v.38;No.323 28-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 2178K]
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  • 铁掺杂TiO_2粉末的制备及其光催化性能

    张一兵;阿娜尔古丽·约麦尔;

    用水热法制备了铁掺杂TiO_2粉末,以FT-IR、XRD和SEM对其表征,考察了铁掺杂TiO_2粉末对茜素红溶液的光催化性能。结果表明:1637 cm~(-1)和3420~3450 cm~(-1)处分别是吸附水中—OH弯曲振动和伸缩振动峰,说明试样中含有大量—OH,有好的光催化性能;产物为锐钛型TiO_2,在其三种晶型中光催化性能最好;产物为三维花状晶体,花状结构的直径2~3μm,由细小的纳米晶定向聚集而成。铁掺杂有助于提高TiO_2光催化性能,当掺铁量为5%(摩尔分数)时其光催化性能最好,与纯TiO_2相比茜素红的光催化降解效率提高了40. 2%。在最佳条件下:茜素红初始浓度1. 5 g/L、pH值为4、A-TiO_2的掺铁量5%(摩尔分数)和投入量0. 502 g/L、室温14℃、紫外光(λ=254 nm)照射45 min,茜素红降解率88. 07%。

    2019年01期 v.38;No.323 36-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1412K]
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  • ZBS玻璃对0.6Li_2ZnTi_3O_8-0.4Li_2TiO_3陶瓷微波介电性能及烧结特性的影响

    张梦迪;吕学鹏;郑勇;

    采用固相烧结法制备0. 6Li_2ZnTi_3O_8-0. 4Li_2TiO_3陶瓷,并研究了ZBS (ZnO-B2O3-SiO2)掺杂对0. 6Li_2ZnTi_3O_8-0. 4Li_2TiO_3陶瓷的相组成、致密度、微观形貌及微波介电性能的影响。结果表明,0. 6Li_2ZnTi_3O_8-0. 4Li_2TiO_3+xZBS陶瓷中仅存在Li_2ZnTi_3O_8和Li_2TiO_3相。随着x的增加,其致密化温度逐渐降低,相对介电常数εr和品质因子Q·f均先增加后减小,谐振频率温度系数τ_f基本不变。当x为1%(质量分数)时,0. 6Li_2ZnTi_3O_8-0. 4Li_2TiO_3+1%ZBS陶瓷在900℃烧结4 h后具有良好的微波介电性能:εr=25. 4,Q·f=88640 GHz,τ_f=-1×10~(-6)℃~(-1),且与Ag具有良好的化学相容性。

    2019年01期 v.38;No.323 42-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2308K]
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  • 氧化锌压敏陶瓷的微波烧结工艺研究

    朱思宇;熊政伟;曹林洪;高志鹏;

    微波烧结技术因能改善被烧结材料的微观结构和性能,已经成为材料制备领域里新的研究热点。本文以氧化锌压敏陶瓷为研究对象,以Bi_2O_3含量、升温速率、烧结温度、保温时间为四要素对陶瓷的微波烧结工艺设计了正交实验。研究发现,微波烧结所得样品与传统烧结样品相比,其漏电流和非线性系数均得到了优化。通过对正交实验数据的分析,得出了针对每个性能的最优工艺参数及各要素对各性能影响的主次顺序,最后经综合考虑确定了微波烧结氧化锌压敏陶瓷的最优工艺参数,得到了压敏电位梯度为362. 3 V/mm,非线性系数为50. 24,漏电流密度为1. 55×10~(-6)A/cm~2,密度为5. 603 g/cm~3的氧化锌压敏陶瓷。缩短了烧结时间,优化了陶瓷的性能。

    2019年01期 v.38;No.323 49-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 1945K]
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  • 可打印硼硅酸盐玻璃陶瓷浆料的制备及其流变性能研究

    王士强;伍权;彭昭勇;杨晓婷;舒启佳;

    通过讨论粉末粒径、分散剂、固含量、粘结剂、增塑剂对陶瓷浆料流变性能及打印效果的影响规律,研究了高浓度、良好分散的可打印硼硅酸盐玻璃陶瓷浆料的制备方法,并采用3D打印直写技术实现了硼硅酸盐玻璃陶瓷基板的成型。研究结果表明:当分散剂为质量分数3%,粘结剂为质量分数4%,增塑剂与粘结剂质量比为0. 4,固含量为质量分数46%时,浆料可打印性较好,粘度约为2660 mPa·s。采用所制备浆料打印的基板表面平整,经过烧结后内部结构致密,相对介电常数为5. 4,介电损耗为0. 0017,满足电路基板的使用需求。

    2019年01期 v.38;No.323 56-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 1205K]
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  • 热循环载荷下LTCC基板焊接组件结构仿真分析与试验对比研究

    张怡;王习武;邓超;王天石;仇原鹰;

    低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,简称LTCC)技术是实现电子设备小型化、集成化的主流技术。在LTCC封装时,由于封装金属与LTCC的热膨胀系数很难匹配,导致组件在焊接以及交变温度载荷下产生位移,进而产生热应力,严重时甚至导致LTCC基板产生裂纹,丧失其工作性能。在高、低温环境下,通过对LTCC基板焊接组件表面位移进行试验测量与软件仿真,并将二者进行对比,验证了仿真结果的合理性与准确性。本文工作为今后提升LTCC基板焊接组件的力学性能提供了一种便捷、经济、可靠的有限元软件仿真分析技术手段。

    2019年01期 v.38;No.323 61-66+77页 [查看摘要][在线阅读][下载 3073K]
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  • 一种高速低抖动四相位时钟电路的设计

    崔伟;张铁良;杨松;

    超高速A/D转换器对精准的时钟电路提出严格要求,时钟抖动是影响其精度的重要因素。文章在分析时钟抖动对A/D转换器的影响后,介绍了一种适用于GHz的低抖动四相位时钟电路。电路采用时钟恢复电路、四相位分布网络和相位校正电路,得到占空比稳定、相位误差小的四相位时钟。采用0. 18μm CMOS工艺实现,电路仿真表明,四相位输出时钟抖动102 fs,占空比调整范围30%~70%,功耗277 mW@1. 8 V。

    2019年01期 v.38;No.323 67-71+77页 [查看摘要][在线阅读][下载 1530K]
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  • 毫米波单片平衡放大器

    贾晨阳;韩方彬;彭龙新;

    研制了一款毫米波(26~40 GHz)平衡式单片放大器芯片。放大器基于0. 15μm GaAs pHEMT工艺,实现了毫米波全频段(26~40 GHz)增益放大。采用Lange桥平衡结构,使放大器较于单边放大器有更好的输入输出驻波比,更大的1 dB增益压缩输出功率。设计时结合pHEM T晶体管小信号和大信号模型,采用自偏和RLC并联负反馈结构,在减小芯片面积的同时提高了电路的稳定性。放大器芯片尺寸仅1. 6 mm×1. 6 mm,在工作频率26~40 GHz内,测试结果表明:输入、输出驻波比小于1. 5,增益在11 dB附近,平坦度在±0. 5 dB,1 dB增益压缩输出功率大于11 dBm。测试结果验证了设计的正确性。

    2019年01期 v.38;No.323 72-77页 [查看摘要][在线阅读][下载 2326K]
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  • 可调控太赫兹吸收器调制方法

    刘伟;杨其利;闫昕;杨茂生;梁兰菊;

    设计了一种窗棂夕阳图案太赫兹超材料吸收器。利用这种图形,从超材料太赫兹吸收器结构出发,分别通过改变顶层图案几何尺寸、中间层电介质厚度、顶层图案开口处的硅电导变化率等,设计可调控太赫兹波双频、三频、四频吸收器。重点分析了顶层图案开口处的硅电导率变化的可调控太赫兹波双频吸收器机理,其低频吸收峰吸收率由68. 7%增至99. 9%,同时低频吸收峰频率1. 043 THz红移至1. 005 THz,产生38 GHz偏移,可以实现连续频率调谐。并提出进一步深入研究本课题的建议。

    2019年01期 v.38;No.323 78-82页 [查看摘要][在线阅读][下载 2006K]
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  • 行波管金刚石输能窗片金属化影响因素分析

    薛辽豫;刘林;张平伟;安晓明;刘青伦;

    为制备行波管用金刚石输能窗片,分析金刚石金属化影响因素。采用粗糙度、拉曼光谱评估金刚石材料性能。采用酸洗、离子束刻蚀清洗金刚石表面。采用冲压掩膜、光刻掩膜防护非金属化区域。通过物理气相沉积制备Ti/Mo/Ni金属化层,并通过真空热处理方法制备TiC过渡层。结果表明:当金刚石内石墨的质量分数低于1%时,离子束刻蚀方法一方面去除金刚石表面杂质,另一方面将表面粗糙度从0. 256μm提升至0. 343μm;相比冲压掩模,光刻掩模降低界面孔隙率,减少了金属离子对掩模底层的污染,过渡区域宽度从200μm减少至10μm; 700℃保温过程促进了TiC的形成,提升了金属化层结合强度,促进了抗热冲击性能。

    2019年01期 v.38;No.323 83-88页 [查看摘要][在线阅读][下载 1917K]
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  • 热循环与随机振动加载下电路板的寿命预测

    宜紫薇;

    随着电子封装业的快速发展,产品可靠性成为重要研究课题之一,寿命作为可靠性的衡量指标具有参考价值。利用ANSYS,结合有限元理论与寿命预测模型,在热循环与随机振动加载下对装配有典型封装结构的电路板进行响应分析和寿命预测。采用Anand统一本构模型,根据体积加权平均法,选择基于能量的Darveaux模型预测热疲劳寿命。根据Manson经验高周疲劳关系式,结合Miner准则,选择基于高斯分布的Steinberg模型预测振动疲劳寿命。采用线性损伤叠加法得到热与振动同时加载下结构的寿命。结果表明:焊点与Cu引线的连接层易发生破坏。焊点易出现热疲劳失效,Cu引线易出现振动疲劳失效。

    2019年01期 v.38;No.323 89-96页 [查看摘要][在线阅读][下载 3028K]
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技术与应用

  • 软基片高质量点压焊接工艺方法研究

    李颖凡;阎德劲;

    软基片微带电路板焊接是混合电路微组装中的关键技术之一,针对传统工装夹具压合焊接方法存在的夹具不通用、易污染电路、焊透率低等不足,本文提出了一种新颖的软基片焊接工艺方法,即采用软基片扰曲修正、馈电绝缘子自定位共焊、焊接过程局部点压等技术,实现了软基片无夹具高效、高质量焊接。本文介绍了软基片点压焊接工艺流程,并且应用试验数据对工艺参数进行优化。焊接实验结果表明,该方法可显著缩短软基片焊接时间,如某复杂组件单套组装时间缩减55%,焊透率从70%提高到95%左右,有效提高了混合电路微组装生产效率和焊接质量,同时降低了生产成本。

    2019年01期 v.38;No.323 97-102页 [查看摘要][在线阅读][下载 785K]
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