刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 喷雾冷却临界热流密度模型及其影响因素研究进展

    张雨薇;刘妮;王可;

    喷雾冷却是解决电子元器件等高热流密度散热问题的关键技术。CHF(临界热流密度)对应着喷雾冷却换热曲线的最高点,代表了喷雾冷却的最大换热能力,对指导喷雾冷却的实际应用和偏小冷却系统体积均具有重要意义。本文综述了国内外现有的CHF理论模型和经验模型,分析了喷嘴特性、喷雾倾角、热源表面结构和循环工质类型对CHF的影响,指出了今后的研究方向。

    2016年08期 v.35;No.294 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 235K]
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  • 压电式可穿戴集能器的研究现状及发展趋势

    曹文英;聂芳辉;黄巍;谷秋瑾;于伟东;

    给出了压电能量收集的基本工作原理,分析了机电耦合工作模式的应用场合,并列出了部分压电式集能器的现有设计。从人体生物力学角度介绍了足底受力情况以及鞋样对足底受力的影响。详细介绍了压电式足部动能集能器的常用材料及现有收集方法,并分别阐述了不同收集方法的研究现状。最后,指出了今后主要需解决的问题,总结了压电式可穿戴集能器的发展趋势。

    2016年08期 v.35;No.294 6-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 94K]
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研究与试制

  • Y_2O_3掺杂对BCZT无铅压电陶瓷性能影响

    张静;郑德一;程程;张浩;

    采用传统氧化粉末固相反应法制备出了稀土氧化钇Y_2O_3掺杂(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3[简称BCZT-xY]无铅压电陶瓷。通过X射线衍射仪(XRD)及扫描电镜(SEM)研究了不同Y_2O_3掺杂量(x=0.2%~0.8%,质量分数)对BCZT的相结构、显微组织的影响。结果表明,适量掺杂BCZT陶瓷均可获得单一的钙钛矿结构陶瓷,当x为0.6%时获得样品的衍射强度较大;所制陶瓷的电学性能随着Y_2O_3掺杂量的变化显著变化,在烧结温度为1 480℃时,当Y_2O_3掺杂量x为0.2%时,陶瓷电学性能最优,在1 k Hz频率下室温测得各项参数为:压电常数d_(33)=208 pC/N,介电损耗tanδ=0.0182,相对介电常数ε_r=5 172.97。适量Y_2O_3掺杂能够改善BCZT压电陶瓷的电学性能。

    2016年08期 v.35;No.294 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 308K]
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  • Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3/SrRuO_3铁电隧穿结的制备与性能研究

    刘小辉;朱俊;郑林辉;房丽彬;

    采用脉冲激光沉积法(PLD)在(001)SrTiO_3基片上制备了基于Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3/SrRuO_3/SrRuO_3(PZT/SRO)的铁电隧穿结。利用多种表征手段测试并分析薄膜微观结构及电性能。结果表明:PZT和SRO薄膜具有良好的取向结晶性,实现了薄膜的外延生长。8 nm PZT薄膜具有稳定的铁电性能,在外电场为7 500×10~3 V·cm~(–1)时,其剩余极化(2P_r)为3.79×10~(–6)C·cm~(–2),矫顽场(2Ec)为4 300×10~3 V·cm~(–1)。室温条件下,隧穿结经±7 500×10~3 V·cm~(–1)电场极化后具有明显的隧穿电阻(TER)效应,室温下TER最高可达约126。

    2016年08期 v.35;No.294 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 192K]
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  • 制备工艺对Ca_3Co_4O_9/Bi_2Ca_2Co_2O_y复合热电材料组织和性能的影响

    刘旭冉;金应荣;贺毅;龚鹏;李树艳;

    采用助熔剂法和固相反应法分别合成了Ca_3Co_4O_9和Bi_2Ca_2Co_2O_y粉体。配比后分别通过冷压、冷等静压、热压三种制备工艺制得组织取向和致密度不同Ca_3Co_4O_9/Bi_2Ca_2Co_2O_y块体复合材料,测量表征了其热电性能和物相形貌。结果表明,冷等静压工艺减弱了材料中颗粒的取向,降低了热导率,973 K时为1.35 W·K~(–1)·m~(–1);热压工艺提高了样品的致密度,降低了电阻率,973 K时功率因子达到了4.0×10~(–4) W·m~(–1)·K~(–2)。

    2016年08期 v.35;No.294 18-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 541K]
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  • Sb掺杂对SnO_2薄膜光电性能的影响研究

    周传仓;张飞鹏;张忻;张静文;杨新宇;

    以乙醇为溶剂采用溶胶-凝胶法制备出了Sb掺杂的SnO_2复合透明导电薄膜,并利用XRD,SEM,紫外-可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Sb掺杂的SnO_2复合薄膜的结构和物性进行了研究。结果表明,当Sb掺杂量小于摩尔分数7%时,SnO_2复合薄膜均呈四方金红石型晶体结构;随着Sb掺杂量的增加,薄膜电阻率先降低后增大,当Sb掺杂量为摩尔分数5%时,薄膜电阻率达到最小值1.4×10~(–3)?·cm。在350~700 nm波长范围内,当Sb掺杂量小于摩尔分数7%时,SnO_2复合薄膜的透过率均在80%以上。

    2016年08期 v.35;No.294 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 361K]
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  • 能量密度和重复频率对PLD法制备ZnS薄膜性质的影响

    李学留;刘丹丹;李琳;马明杰;文亚南;梁齐;

    利用脉冲激光沉积法在玻璃基片上、以不同的能量密度和重复频率制备了一系列ZnS薄膜。利用X射线衍射、X射线能量色散谱、紫外-可见-近红外分光光度计,对ZnS薄膜的晶体结构、化学组分、光学特性等进行表征。结果表明:所制备ZnS薄膜为富硫贫锌,结晶质量良好,为(002)晶面择优取向生长。能量密度为7.5 J/cm~2、重复频率为2 Hz是生长高质量ZnS薄膜的条件,其所制备的ZnS薄膜为纤锌矿结构,结晶程度最高,择优取向度最高(189.2),Zn/S摩尔比值接近化学计量比,堆积密度最大(0.967),可见光透过率高,禁带宽度为3.55 eV。

    2016年08期 v.35;No.294 27-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 425K]
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  • 退火温度对La_(1–x)Sr_xCo_(1–y)Fe_yO_3系薄膜NTC阻温特性的影响

    沓世我;朱佩;李振昕;付振晓;

    利用La_(1–x)Sr_xCo_(1–y)Fe_yO_3(x=0.2,y=0.3)陶瓷靶材,通过真空射频磁控溅射在Al_2O_3基片上制备La_(0.8)Sr_(0.2)Co_(0.7)Fe_(0.3)O_3(LSCF)薄膜,然后在此基础上制备NTC热敏电阻。采用X射线衍射(XRD)分析了材料相的组成,扫描电子显微镜(SEM)分析观察薄膜材料的微观结构,电阻测试仪和四探针仪器测试薄膜的阻温特性,研究不同退火温度对LSCF薄膜室温电阻和材料常数(B值)的影响。结果表明,随着退火温度升高,LSCF薄膜方阻和B值都存在先减小后增大现象,具有显著的NTC阻温特性,其lnR-T~(–1)曲线具有良好的线性度。

    2016年08期 v.35;No.294 33-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 753K]
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  • TiO_2环形压敏电阻及其材料的主要电参数设计

    朱道云;牟中飞;

    为了对元件性能进行优化设计,根据TiO_2压敏电阻的几何尺寸及元件与材料之间电性能参数的函数关系,分析计算了极间电压V_(10mA)不大于30 V,非线性系数α_1为3~5,1 k Hz下极间电容C不小于10 nF的环形元件所需材料的参数分别为:相对介电常数不小于1.22×10~5,电流强度分别为10 mA和1 mA时所对应的电流密度J_(10)大于10×10~(–3)A·cm~(–2)及J_1大于1×10~(–3)A·cm~(–2),在材料的J-E非线性曲线上,电场强度E_(10)大于E_(10mA),E_1大于E_(1mA),且E_(10)与E_1的比值大于1而小于E_(10mA)与E_(1mA)的比值。

    2016年08期 v.35;No.294 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 114K]
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  • Fe掺杂TiO_2纳米线阵列的制备及光催化性能研究

    彭淑静;唐立丹;王冰;

    用脉冲电磁场辅助水热合成法制备了Fe掺杂TiO_2纳米线阵列,利用SEM和XRD对其形貌和物相结构进行了分析,考察了Fe掺杂TiO_2纳米线阵列对甲基橙溶液的光催化性能。结果表明:所制备的TiO_2纳米线阵列生长完好,大小均匀,结构为金红石型,但衍射峰强度低而宽,晶格发生畸变,这样会提高光催化性能。当脉冲电压为500 V,脉冲时间为60 s,脉冲频率为3 Hz时,9%(质量分数)Fe掺杂的TiO_2纳米线阵列有最强的光催化降解能力,在紫外光下照射2 h,其对浓度为0.02 g·L~(–1)的甲基橙溶液的降解率可达50.28%。

    2016年08期 v.35;No.294 41-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 793K]
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  • 表面效应对压电纳米梁弯曲行为的影响

    杨帆;

    基于Euler-Bernouli模型,分析了表面效应对压电纳米梁弯曲行为的影响。基于表面弹性理论和"核壳"模型,采用表面能模型引入表面效应的影响。通过最小势能原理建立起包含表面效应及压电效应的压电纳米梁弯曲行为的控制方程和边界条件。讨论了表面效应对氧化锌悬臂梁结构的压电纳米梁弯曲变形及其产生的感应电荷的影响。结果表明,表面效应使得压电纳米梁的弯曲变形变小,感应电荷量减少。这些结论对设计、校正和测量压电纳米梁及其为基础的纳米器件具有重要的指导意义。

    2016年08期 v.35;No.294 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 272K]
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  • 采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计

    慈朋亮;

    研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构。该类型器件对击穿电压BV和导通电阻R_(DSon)等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的RESURF结构。通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压BV的同时,降低了其导通电阻R_(DSon)。最终仿真得到的击穿电压BV为118 V,导通电阻R_(DSon)为23?·mm。

    2016年08期 v.35;No.294 50-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 323K]
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  • 基于声体波延迟线的雷达抗地杂波改善因子测试方法

    周文佳;慕德俊;

    提出了一种基于声体波微波延迟线和上下变频技术模拟固定地物回波信号的雷达抗地杂波改善因子测试方法,以其设计并制作了用于雷达抗地杂波改善因子测试的目标模拟器。给出了传统抗地杂波改善因子测试方法和目标模拟器测试方法在两个典型雷达上进行的静、动态抗地杂波改善因子对比测试实例。结果表明使用目标模拟器的测试方法可以满足测试精度要求,且与传统测试方法相比,具有适用范围广,对测试场地、设备要求低,操作简便等优点。

    2016年08期 v.35;No.294 55-59+64页 [查看摘要][在线阅读][下载 187K]
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  • 74GHz毫米波透镜喇叭天线的设计与仿真

    马伟平;刘峰;侯卫国;戴琪琳;

    设计了一种应用于毫米波段的透镜喇叭天线,基于几何光学的原理建立透镜和喇叭之间的几何关系,减少了独立的设计变量,并对天线进行了仿真。结果表明:当天线的中心频率为74 GHz时,天线的口径为38.63 mm;在72.5~76 GHz频带范围内,带内电压驻波比VSWR均小于1.5,天线增益大于28 d B,并且E面和H面中的半功率波束宽度分别小于6.5o和8.5o。喇叭天线在加载介质透镜前后三维方向图的仿真结果表明介质透镜可以减小喇叭口面相位误差。所设计的天线具有良好的方向性和增益。

    2016年08期 v.35;No.294 60-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 397K]
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  • 应用于WLAN/WiMAX的CPW馈电双频天线设计

    汤雪彬;

    提出并制作了一种新颖的应用于WLAN和WiMAX的CPW(共面波导)馈电双频天线。该天线由L形缝隙和T型谐振器构成。仿真和实测结果表明,该天线S_(11)≤–10 d B的阻抗带宽分别为2.38~3.38 GHz以及5.17~5.9GHz,覆盖了WLAN和WiMAX的所有工作带宽。此外,该天线在所有工作频段都具有适度的增益,并且结构紧凑,尺寸只有30 mm×35 mm×1.6 mm。天线的实测结果与仿真结果具有较好的吻合性。

    2016年08期 v.35;No.294 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 243K]
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  • DC~6GHz厚膜温度补偿衰减器的设计与制备

    张青;罗彦军;朱雪婷;陈庆红;夏丹;

    基于π型衰减网络结构,使用软件HFSS设计了工作频率在DC~6 GHz的温度补偿衰减器,并采用厚膜丝网印刷技术,在质量分数96%氧化铝基板上制备出衰减量为(3±0.5)d B和温度系数为N5(–0.005 d B/d B/℃)的温度补偿衰减器,其体积小(3.68 mm×3.12 mm×0.5 mm),采用SMT安装方式,工作温度范围为–55~+125℃,补偿精度高,每摄氏度补偿–0.005 d B/d B。

    2016年08期 v.35;No.294 69-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 208K]
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  • 小型化宽阻带LTCC微波低通滤波器的设计与研制

    罗洪梁;林亚梅;朱建华;刘季超;胡志明;

    先根据滤波器衰减量要求,理论分析确定滤波器的阶数及电路原理图,再用ADS软件优化仿真获得电路元件初始值,然后采用微波电磁场仿真软件HFSS对滤波器物理模型优化仿真,成功设计了一款3 d B截止频率为1 750 MHz、宽阻带频率2 035~6 700 MHz范围内衰减量大于20 dB的LTCC微波低通滤波器,并采用LTCC工艺制备该微波低通滤波器,尺寸为3.2 mm×1.6 mm×0.9 mm。制备样品实测结果与仿真吻合,说明采用该方法设计、研制小型化宽阻带LTCC微波低通滤波器是可行的。

    2016年08期 v.35;No.294 72-75+85页 [查看摘要][在线阅读][下载 389K]
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  • 大功率LED封装界面层裂对界面传热性能的影响分析

    杨道国;莫月珠;聂要要;蔡苗;刘东静;

    对大功率LED封装器件进行了封装界面层裂的热仿真分析,在芯片粘结(DA)层上构建了不同的界面层裂模型,探究了不同层裂形状、位置及分布时界面层裂对芯片热传递的影响规律。结果表明:随着界面层裂面积的增加,LED芯片结温以14℃/mm~2以上的速率增大,层裂面积达到36%时,芯片最高温度为68.68℃,相比无层裂时升高了9.8%;并且界面层裂处于DA层的下界面比上界面对芯片温度分布影响更大;此外,针对同一界面的层裂缺陷,相对于边缘位置和中心位置,封装边角位置的层裂对整体LED封装热传输能力的阻碍作用更明显。

    2016年08期 v.35;No.294 76-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 202K]
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  • 封装与PCB复杂互连结构的传输特性研究

    高振斌;李雅菲;

    鉴于晶片电子封装结构的一些精细电磁现象如复杂互连结构的不连续性、寄生效应带来的信号完整性等问题,采用电磁分析软件CST微波工作室,建立了封装与PCB复杂互连结构的物理模型,对信号传输性能进行仿真分析,并对简单等效电路模型进行改进。结果表明:增大焊球半径,采用低介电常数基板材料,可提高互连结构的信号传输效率。采用软件ADS模拟电路模型,其结果与软件CST的结果趋势基本吻合。

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  • 《厚膜电子浆料论文集》内容简介

    <正>《厚膜电子浆料论文集》收录了原昆明贵金属研究所研究员、厚膜电子浆料专家谭富彬先生的已发表论文23篇、未发表论文9篇、国家发明专利说明书10项(已授权9项)。共计265页,大约四十多万字。本论文集是作者从参加工作至今致力于贵金属和贱金属电子浆料研发工作的总结,多种贵金属粉末不同规格的制各,含铅玻璃无铅玻璃的熔制,热塑性有机载体及热固性有机载体的配制与合成,无论室温烘干(或固化),直至950℃高温烧结浆料,都收入论文集中。还有各种金属粉末、电子浆料及在电子元件中应用性能考核、测试方法,都一一有叙述。作者对电子浆料的

    2016年08期 v.35;No.294 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 211K]
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理事论坛

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    <正>在《电子元件与材料》主办单位中国电子元件行业协会以及成都宏明电子股份有限公司的大力支持下,杂志社派员全程参加了2016中国电子元件产业峰会(CECIS 2016),会上正式发布了《中国电子元件行业"十三五"发展规划》。相比以往的五年规划,"十三五"规划更加注重以市场为导向,更加紧密地将电子元件行业的发展与下游市场、尤其是新兴重点市场领域的发展相结合。更加注重规划有实质的内容,不说空话套话,充分体现量

    2016年08期 v.35;No.294 86页 [查看摘要][在线阅读][下载 706K]
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  • 下期要目

    <正>~~

    2016年08期 v.35;No.294 22页 [查看摘要][在线阅读][下载 351K]
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  • 本刊信息

    <正>网络数字化日益普及,并深入人们生活的各个领域,也改变着人们的生活方式,它具有快捷、携带方便、信息量大、更新快等特点。本刊应读者要求,特在2016年继续推出加入《电子元件与材料》期刊读者会员服务,会员将享受期刊12期全电子文档。加入《电子元件与材料》的读者会员,会员费全年为200元/年,本刊将2016年全年12期的论文电子文档,以PDF格式,在出刊后发至会员的电子邮箱。并将本刊的最新资料、最新活动第一时间通知会员,

    2016年08期 v.35;No.294 32页 [查看摘要][在线阅读][下载 173K]
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  • 电子元件与材料 月刊

    <正>·国家百种重点期刊·国家一级电子精品期刊·中国科技核心期刊·美国CA收录·英国IEE INSPEC收录·Electr Electron Abstr收录邮发代号:62-36您想找到世界新技术,优性能的电子元件、电子材料吗?想掌握本行业发展动态,了解国内外同行在做什么吗?想知道新的国际市场信息,寻求好的合作伙伴吗?——请关注本刊相关栏目。

    2016年08期 v.35;No.294 36页 [查看摘要][在线阅读][下载 215K]
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  • 《电子元件与材料》读者免费索阅卡

    <正>~~

    2016年08期 v.35;No.294 88页 [查看摘要][在线阅读][下载 593K]
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  • 本刊2016年参会信息

    <正>~~

    2016年08期 v.35;No.294 90页 [查看摘要][在线阅读][下载 341K]
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  • 八核驱动 大数据加持 2016中国(成都)电子展圆满落幕

    <正>为期三天的2016中国(成都)电子展在成都世纪城新国际会展中心圆满落幕,本届展览以"推进智能制造促进军民融合"为主题,推出了智能制造、军民融合、电子元器件、测试测量、微波射频、大数据、智能硬件,创新创业等八大核心展区,有超过400家的电子信息产业上下游领军企业,在22000平方米的展览空间内,全方位展示了智能硬件、无人机、VR/AR、智能终端等领域的前沿新品,吸引了超过20,000余人次的专业观众到场参观、洽谈。

    2016年08期 v.35;No.294 91-92页 [查看摘要][在线阅读][下载 874K]
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  • 广东百圳君耀电子有限公司

    <正>广东百圳君耀电子有限公司于7月14日--16日参加了在四川成都举办的2016年中国(成都)电子展,展位号:A124-A125。展会期间贵公司取得了预期的满意效果。广东百圳君耀电子有限公司历经十数年的耕耘与发展,已成长为全方位的电路保护元器件供应商。目前在大陆建有两个工厂,一个是在广东惠州的联顺电子(惠阳)有限公司,主要生产压敏电阻。另一个是位于东莞松山湖高新技术产业开发区的广东百圳君耀电子有限公司.主要生产压敏电阻(MOV),陶瓷气体放电管

    2016年08期 v.35;No.294 92页 [查看摘要][在线阅读][下载 420K]
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  • 深圳市美丽微半导体有限公司

    <正>深圳市美丽微半导体有限公司是一家台资企业,主要生产各类二、三极体晶片和各类插件及贴片整流二极管产品之封装制造,在台湾及大陆分别有3家工厂。公司秉承"诚信、专业、共赢"的经营理念,坚持用户至上、质量第一,以科技服务客户,坚持技术进步、不断创新、不断超越,已经成为一家在电子元器件行业颇具实力和规模的企业。该公司(展位

    2016年08期 v.35;No.294 92页 [查看摘要][在线阅读][下载 420K]
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