刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 固体铝电容专用阳极铝箔的研究现状与发展方向

    王文宝;秦力;董连军;陈宇峰;谭惠忠;

    介绍了固体铝电容专用阳极铝箔的主要性能特征、发展及现状;探讨了阳极铝箔微观腐蚀孔结构对固体铝电容性能的影响,阳极铝箔不同介质氧化膜的性能和未来固体铝电容专用阳极铝箔的发展方向。

    2016年07期 v.35;No.293 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 950K]
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研究与试制

  • Nb掺杂对BaTi_(0.96)Al_(0.04)O_3陶瓷介电性能的影响

    刘杨琼;丁士华;宋天秀;张瑶;蒋旭峰;

    为探究Al-Nb共掺对BaTiO_3介电性能的影响及其掺杂机制,以Ba Ti_(0.96)Al_(0.04)O_3为基础配方,通过传统的固相反应法制得BaAl_(0.04)Ti_(0.96-x)Nb_xO_3(0≤x≤0.08)陶瓷样品,并通过XRD、LCR分析仪和Gulp软件来对样品的结构、介电性能进行分析。结果表明:当x≥0.03时陶瓷样品中出现第二相;随着Nb~(5+)含量的增加,陶瓷从传统的铁电体转变成弛豫铁电体,介电峰值温度(Tm)向低温方向移动,且当x≤0.01时介电常数增大,当x≥0.02时介电常数减小;通过Gulp模拟分析得出晶体中钡空位补偿机制优先发生,可能伴有少量钛空位补偿,主要存在的缺陷簇是[2Nb_(Ti)~·-V_(Ba)~"]。

    2016年07期 v.35;No.293 7-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 444K]
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  • Fe_2O_3对Bi_2O_3-B_2O_3-ZnO系统封接玻璃结构及性能的影响

    王丽莎;田中青;童超;袁伟伟;

    采用熔融冷却的方法制备了(40–x)Bi_2O_3-30B_2O_3-30Zn O-x Fe_2O_3(0≤x≤10)系统玻璃。研究了Fe_2O_3取代Bi_2O_3对Bi_2O_3-B_2O_3-Zn O系统玻璃结构、玻璃化转变温度(t_g)、初始析晶温度(t_c)、热稳定性、热膨胀系数(α)及化学稳定性的影响。红外光谱(FTIR)结果表明,Fe2O3以网络修饰体存在于玻璃结构间隙,增强了玻璃结构,玻璃密度减小。随着Fe_2O_3含量的增加,t_g、t_c逐渐升高,玻璃的热稳定性有所降低。α从8.2×10~(–6)℃~(–1)减小至7.4×10~(–6)℃~(–1),玻璃的软化点(t_s)逐渐从439℃升高到486℃。引入Fe_2O_3后,玻璃的化学稳定性提高。

    2016年07期 v.35;No.293 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 162K]
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  • 草酸对KLa(WO_4)_2:Eu~(3+)纳米晶形貌及发光性能影响

    潘婷婷;刘连利;姜国庆;王莉丽;

    采用水热法,以K_2WO_4·2H_2O和La_2O_3为原料,以草酸为沉淀-模板剂,在pH=7,180℃下,通过调控草酸的添加量制备出了纯四方相结构的球形KLa(WO_4)_2:5%Eu~(3+)纳米晶。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及荧光光谱(PL)对不同条件下制备出的产物物相、形貌以及荧光性质进行表征,探讨了草酸添加量对产物形貌及发光性能的影响。结果表明,在初始溶液的pH值为7,摩尔比n(C_2O_4~(2-))/n(La~(3+))=0.3~0.5时,得到表面光滑直径为6~7μm的"足球形"KLa(WO_4)_2:5%Eu~(3+)纳米晶,在393 nm激发下在614 nm处发光性强,草酸起到控制游离La~(3+)浓度和模板剂的作用,草酸添加量对产物的形貌及发光性能起到重要作用。

    2016年07期 v.35;No.293 16-18+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 655K]
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  • 基于YAG陶瓷封装的大功率车用LED的发光性能

    张晔明;芶立;时佳男;高江东;

    不同掺杂量的Ce:YAG陶瓷与5 W蓝光芯片封装后得到发光二极管(LED)灯珠并表征了其发光性能。这种陶瓷灯珠的电致发光光谱结果表明,Ce:YAG陶瓷是一种更加紧凑高效的荧光材料,在较低的Ce~(3+)掺杂量和较小体积下可容纳更多的激活中心。采用Ce~(3+)掺杂量为x=0.03(Ce_x:Y_(3-x)Al_5O_(12)),厚度为0.4 mm的YAG陶瓷封装的LED灯珠发光效率可以达到88.2 lm/W,此种陶瓷灯珠在LED车大灯应用领域有很大潜力。

    2016年07期 v.35;No.293 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 1297K]
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  • 一种用于LED背光驱动的带隙基准源

    何晓宇;

    依据带隙基准源的基本原理设计了一种用于LED背光驱动芯片的带隙基准源,与传统带隙基准源相比,设计的带隙基准源采用了无运放电路结构。该电路在基于0.5mm BCD工艺下完成设计,通过Hspice仿真表明,当温度在–40~+125℃变化时,基准源输出电压在1.227 5~1.229 8 V之间变化,温漂系数仅为11.36×10~(–6),基准源供电电压在6~8 V之间变化时,基准源输出电压相对变化量为0.85%,满足了设计要求。

    2016年07期 v.35;No.293 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 162K]
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  • 聚光背结背接触太阳电池衬底电阻率和光强的优化研究

    周涛;陆晓东;吴元庆;李媛;

    利用TCAD半导体器件仿真软件对中低倍聚光光伏系统中应用的N型插指背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)单晶硅太阳电池的电学性能进行了仿真研究,全面系统地分析了不同衬底电阻率和光强对电池短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。结果表明:IBC太阳电池的电学性能受到衬底电阻率和光强的显著影响。当光强较小(0.1 W/cm~2)时,随着衬底电阻率的增大,IBC太阳电池转换效率随之降低,最优的衬底电阻率为0.5?·cm。当光强较高(0.5~5 W/cm~2)时,随着衬底电阻率的增大,IBC太阳电池转换效率随之增大,最优的衬底电阻率为3?·cm。当光强进一步增大(10~50 W/cm~2)时,随着衬底电阻率的增大,IBC太阳电池转换效率呈现出先增大后减小的变化特点,最优的衬底电阻率为2?·cm。

    2016年07期 v.35;No.293 27-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 232K]
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  • 多晶硅片表面缺陷的研究与定向凝固多晶硅锭热场模拟

    陆晓东;张鹏;吴元庆;赵洋;王泽来;周涛;边玉强;

    结合实际工艺模拟多晶硅铸锭生产过程中的热场分布情况,研究了该热场对所生产多晶硅片缺陷分布的影响。同时采用对多晶硅片化学腐蚀抛光处理和位错刻蚀液处理之后的表面缺陷形貌表征的方法,以及观察扫描电镜(SEM)视角下其表面微结构,研究了采用定向凝固多晶硅锭工艺所得的多晶硅片表面缺陷情况。结果显示模拟该生产过程中热场分布情况对多晶硅片缺陷的影响和实验所得的结果相吻合。

    2016年07期 v.35;No.293 32-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 808K]
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  • Zr添加对V_(2.1)TiNi_(0.3)贮氢合金结构和电化学性能的影响

    宋茂成;张荣华;张雪峰;赵朝勇;同艳维;

    利用电弧熔炼法制备了V_(2.1)TiNi_(0.3)Zr_x(x=0~0.12)贮氢合金,系统研究了该系列合金的相结构和电化学性能。显微组织及X射线衍射(XRD)分析表明:无Zr合金由体心立方结构的V基固溶体主相和Ti Ni基第二相组成,当加入Zr后,合金第二相变为具有六方结构的C14型Laves相而主相不变,所有第二相均呈网状分布于主相晶界附近。随着Zr添加量的增加,合金主相的晶胞参数和晶胞体积呈增大趋势。电化学测试表明:添加一定量的Zr既能提高其活化性能,又能提高其最大放电比容量;同时,随着Zr添加量的增加,合金电极的高倍率放电能力及交换电流密度均有所提高。通过比较发现,V_(2.1)TiNi_(0.3)Zr_(0.06)合金电极具有较好的综合性能。

    2016年07期 v.35;No.293 37-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 851K]
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  • 衬底温度对CuAlO_2薄膜的结构与光学性能的影响

    徐继承;谢致薇;杨元政;

    通过磁控溅射的方法,在不同温度的石英衬底上制备了CuAlO_2薄膜,研究经过退火处理后,CuAlO_2薄膜的表面形貌、物相结构以及光学性能。实验结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜的晶粒逐渐形成和长大,表面组织越来越均匀致密,透光性也随之增强。通过综合比较,可发现:当衬底温度为400℃时,薄膜的整体性能达到最优,XRD谱中的(101)衍射峰最强,晶粒大小均匀,可见光透射率为76.6%,光学带隙宽度为3.69 eV。

    2016年07期 v.35;No.293 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 624K]
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  • 高性能LTCC双工器的研究与设计

    乔冬春;戴永胜;

    提出一种基于LTCC技术的双工器的设计与实现方法。根据指标设计出相应频段的分支滤波器,再利用T型结将两滤波器的输入端相连接,构成双工器的输入端,最后将它们一体封装。该设计具有结构简单、尺寸小、隔离度高等优点。根据项目需要,设计了一款通带分别为3.45~3.85 GHz和4.9~5.9 GHz的双工器,并利用LTCC技术加工制造,通带的插入损耗小于2 dB,回波损耗优于–15 dB,尺寸仅为4 mm×10 mm×2 mm。

    2016年07期 v.35;No.293 46-48+59页 [查看摘要][在线阅读][下载 744K]
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  • 一种低损耗LTCC威尔金森功分器设计

    蔡壮;叶强;

    设计了一种低损耗LTCC威尔金森功分器。采用低温共烧陶瓷技术,达到器件小型化设计的目的。利用交叉叠层的方法,减小了两路电路自身的寄生电容从而减小了功分器的插入损耗。为了验证该设计的可行性,采用这种结构设计制作通带为1 425~1 900 MHz的威尔金森功分器,加工后测得其插入损耗小于–3.25 d B,尺寸仅为3.2mm×1.6 mm×0.9 mm。

    2016年07期 v.35;No.293 49-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 381K]
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  • 一种新型的太阳能无人机分布式相控阵天线

    陈军全;

    由于远距离传输、小口径安装、精确波束指向等诸多因素,传统的相控阵天线无法满足临近空间长航时太阳能无人机的通信需求。针对此问题,提出了一种新型的太阳能无人机分布式相控阵天线,以实现高数据率远距离传输;基于分布式阵列方法解决天线安装问题;采用基于应变测量元件的波束校正方法实现精确波束指向。设计了一种Ka频率的分布式相控阵天线,通过仿真,验证了本文提出方法的正确性。

    2016年07期 v.35;No.293 53-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 732K]
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  • L波段一维低RCS阵列天线设计方法

    任志刚;

    L波段阵列天线是隐身平台的强散射源之一,其主要散射源包括结构项散射、模式项散射及散射栅瓣三类。对上述三类强散射源进行机理分析,提出相应的缩减方法,完成了天线的RCS(Radar Cross Section雷达散射截面)缩减设计,并针对L波段一维低RCS阵列天线的特点,对结构项散射缩减等方法给出了数值仿真验证。针对所示算例,仿真结果表明,采用矩形平板偏置15°的方法,3 GHz频率下可以将结构项散射由3.5 d Bsm降低到–26 d Bsm。

    2016年07期 v.35;No.293 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 458K]
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  • 具有两个传输零点的六阶SIR耦合谐振带通滤波器

    郭绪跃;邢孟江;王维;代传相;

    采用LTCC工艺,研制出一种具有简单传输零点的六阶SIR耦合谐振带通滤波器。对陶瓷介质材料厚度、金属微带线宽度、金属微带线厚度等工艺可调参数进行了容差仿真分析,并对器件进行了加工测试。结果表明,该带通滤波器带内插入损耗小、带外抑制度高、体积小,且设计与调试方法简单有效。该带通滤波器插入损耗小于3 d B,电压驻波比小于1.3,整体尺寸为6.8 mm×4.2 mm×1.5 mm。

    2016年07期 v.35;No.293 64-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 390K]
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  • 一种频率可调低温漂振荡器的设计

    付鑫;冯全源;

    设计了一种频率可调,低温漂、结构简单的张弛振荡器。该振荡器利用基准电压和负反馈的钳位作用,通过改变外部电阻的阻值来线性改变振荡周期。利用电容两端电压不能突变的原理,使得每次充放电电容电压跳变后都远离反相器的阈值,这样便忽略阈值对振荡器的影响,并且省去了常规结构中的迟滞比较器,简化了电路结构,减小了振荡器的复位延时。基于0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺模型,采用Cadence和Hspice进行仿真。在典型应用下,振荡器的频率范围为500 k Hz~2 MHz,温度在–20~+120℃变化时,振荡器的频率随温度变化的偏移量在±2.76%以内。

    2016年07期 v.35;No.293 68-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 183K]
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  • 一种“L-2L”传输线去嵌入方法的优化分析

    贠明辉;王晓磊;秦臻;陈文彬;蔡苗;杨道国;

    介绍了一种基于硅基微波共面波导传输线的"L-2L"去嵌入技术的改进方法。该方法可更加精确地剥离在片器件S参数中探针焊盘寄生效应的影响。利用ADS软件对无焊盘的理想传输线结构进行了电磁仿真,确立了去嵌入结果精确度的判定标准。使用GSG微波探针提取了测试样品的S参数,推导了π型寄生参量等效电路模型中并联导纳Y不同位置(m=0,0.5,1)下左、右探针焊盘的ABCD矩阵,得到了去嵌入后在片器件的本征传输特性S参数,并结合电磁仿真对比。结果表明:m=1时,其S参数曲线与仿真结果最为接近(平均偏差量ΔS_(11)=18.431,ΔS_(21)=4.405,ΔS=11.418)。对于不同在片测试器件需要着重考虑m的取值。

    2016年07期 v.35;No.293 72-76页 [查看摘要][在线阅读][下载 791K]
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  • 低相噪低杂散650MHz点频源的设计

    赵亚妮;

    提出了一种锁相环内倍频的设计方法用于低相噪低杂散650 MHz的点频源。采用晶体滤波器将10 MHz源的倍频信号提取出来,然后再利用锁相环倍频至需要的650 MHz,最后放大滤波输出。测试结果表明,该点频源的相位噪声为–77 d Bc@1 Hz,–95.4 d Bc@10 Hz,–107.5 d Bc@100 Hz,–116.2 d Bc@1 k Hz,–114.3 d Bc@10 k Hz,–121.8d Bc@100 k Hz,–137.9 d Bc@1 MHz;输出功率9.8 d Bm;谐波抑制–78 d Bc;幅度稳定度±0.5 d B/24 h。该点频源具有低相位噪声、低杂散、高频率稳定度等性能,且结构简单实用。

    2016年07期 v.35;No.293 77-79页 [查看摘要][在线阅读][下载 160K]
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  • 润湿性对AgSnO_2TiO_2触头材料性能的影响

    王海涛;文攀龙;梁磊;朱艳彩;王幸伟;

    选取TiO_2作为AgSnO_2触头材料的添加剂,采用粉末冶金法制备了七种不同配比的AgSnO_2触头材料,测量其润湿性及电导率、硬度、接触电阻等性能。结果表明,TiO_2对AgSnO_2触头材料润湿性的改善效果明显,且随着TiO_2含量的增加,AgSnO_2触头材料的润湿角呈现出先增大后减小的变化规律。当润湿角较小时,电导率较大,硬度也较大。接触电阻的变化趋势与润湿性的变化规律基本吻合;然而燃弧能量变化并不明显。

    2016年07期 v.35;No.293 80-83页 [查看摘要][在线阅读][下载 249K]
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  • 厚膜HIC镀金引线柱直接采用锡基焊料研究

    刘俊夫;郑静;

    电装行业中对镀金界面采用锡基焊料软钎焊之前进行搪锡去金的标准一直存在争议。采用SEM、体视显微镜等设备对厚膜混合集成电路(HIC)组装过程中镀金引线柱采用锡基焊料钎焊(不进行搪锡去金处理)工艺进行了研究。结果发现,典型金层厚度(1.3~2.5μm)引线柱钎焊后能够通过环境试验应力考核和高温-长期储存试验;内引线柱局部镀薄金(0.5~1μm)的样品在高温-长期储存试验过程中抑制Ni-Au-Sn化合物生长的效果更加明显,可以作为一种高可靠HIC镀金引线柱不去金焊接的优选封装结构。

    2016年07期 v.35;No.293 84-90页 [查看摘要][在线阅读][下载 1117K]
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  • 含两个荷控忆阻器的五阶混沌电路研究

    王维;陈争;李鑫;曾以成;

    忆阻器作为一种具有记忆功能的新型非线性元件,被广泛应用于非线性电路系统设计中。利用两个基于荷控光滑模型的忆阻器以及采用常见的线性电子元件电感、电容、负电阻等设计了一种新的五阶混沌振荡电路。采用常规的系统动力学分析方法,分析了系统平衡点稳定性、相图、李雅普诺夫指数谱和分叉图,研究了系统随电路参数和荷控忆阻器初始状态变量变化的非线性动力学特性。Matlab数值仿真结果验证了理论分析的正确性。

    2016年07期 v.35;No.293 91-97页 [查看摘要][在线阅读][下载 859K]
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  • 一种荷控忆容器的电路模拟器设计及其基本特性分析

    杨凌;胡丙萌;苏婧;石莹;

    直接从荷控忆容器的数学模型出发,首先采用通用有源电路芯片设计了忆容器"浮地"电路模拟器,之后结合Matlab和Multisim混合仿真的方法,研究了其二端口的基本电特性,给出了在不同交变信号激励以及不同参数下忆容器电路模拟器的系统级仿真实验,最后完成了其硬件电路的实现及性能测试。结果表明:所设计的荷控忆容器具有电荷-电压之间的自收缩磁滞回线特性,是一种具有记忆特性的非线性电容,这与理论概念上的忆容器特性相吻合,可为忆容器在电子学领域产生新的应用电路提供器件模拟实体。

    2016年07期 v.35;No.293 98-104页 [查看摘要][在线阅读][下载 1129K]
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编读通信

  • 本刊信息

    <正>网络数字化日益普及,并深入人们生活的各个领域,也改变着人们的生活方式,它具有快捷、携带方便、信息量大、更新快等特点。本刊应读者要求,特在2016年继续推出加入《电子元件与材料》期刊读者会员服务,会员将享受期刊12期全电子文档。加入《电子元件与材料》的读者会员,会员费全年为200元/年,本刊将2016年全年12期的论文电子文档,以PDF格式,在出刊后发至会员的电子邮箱。并将本刊的最新资料、最新活动第一时间通知会员,

    2016年07期 v.35;No.293 104页 [查看摘要][在线阅读][下载 284K]
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  • 《电子元件与材料》征稿简则

    <正>《电子元件与材料》是由中国电子学会、中国电子元件行业协会和国营715厂共同主办的科技期刊,国内外公开发行。本刊报道国、内外有关电子陶瓷及器件、新型阻容元件、敏感元件与传感器、混合微电子及封装技术、磁性材料及器件、薄膜技术及材料、纳米电子材料及元器件、绿色能源及相关电子材料等领域,在科研、生产及应用开发方面的最新科研成果论文、技术简报和专题综述。本刊为中国科技核心期刊,系美国《化学文摘》(CA)、《英国科学文摘》(IEE INSPEC)等检索系统收录源,目前正积极迎接《美国工程索引》(Ei)的遴选。

    2016年07期 v.35;No.293 107页 [查看摘要][在线阅读][下载 260K]
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理事论坛

  • 高频大电流滤波电容器“耐久性试验”的条件和判据讨论

    王凯平;

    <正>耐久性试验是电容器型式试验的重要内容。对于无功率损耗的直流电容器,依据《电子设备用固定电容器第1部分:总规范》(简称《总规范》),耐久性试验通常是在"额定温度"即"可以连续施加额定电压的最高环境温度"条件下,施加"系数倍额定电压(d.c)"进行(注:《总规范》GB/T 2693——2001 idt IEC60384——1:1999 4.23.4 a),在试验1 000 h(或更多)后参照判据判定试验的合格与否。但对用于新能源汽车电机控制器以及其他各种功率变频器的直流滤波电容器(简称"电容器"),由于其具有应用中必须承受额定高频

    2016年07期 v.35;No.293 105页 [查看摘要][在线阅读][下载 416K]
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