刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • TiO_2/Ag/PAA纳米复合结构的制备及其光吸收性能

    程伟杰;陈群;杨春艳;殷敏;朱绪飞;

    采用循环阳极氧化-腐蚀法制备了V型多孔阳极氧化铝(PAA)模板,在PAA上热蒸发沉积Ag薄膜后,再原子层沉积TiO_2薄膜,制备了TiO_2/Ag/PAA三维纳米复合结构。紫外-可见吸收光谱的结果表明,TiO_2/Ag/PAA复合结构在可见光区域的吸收率显著提高。当Ag薄膜沉积厚度为30 nm,TiO_2的原子层沉积厚度为20 nm时,所得TiO_2/Ag/PAA复合结构的吸收率为94.5%~99.0%。

    2016年02期 v.35;No.288 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 565K]
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  • 纳米LaFeO_3的微波辅助液相合成及其甲醛敏感性研究

    王焕新;郑先君;桂阳海;

    以分析纯La(NO_3)_3、K_3[Fe(CN)_6]为原料,利用微波辅助液相法合成纳米LaFeO_3,并与配合物热分解法进行对比。X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)分析结果表明,两种方法合成的产物均为正交钙钛矿结构纳米LaFeO_3,但微波辅助有利于减小纳米LaFeO_3的粒径。气敏测试结果表明,微波合成纳米LaFeO_3对所测试气体的响应均显著高于配合物热分解法,在最佳工作温度225℃时对甲醛具有高灵敏度和良好选择性,对100μL/L甲醛的灵敏度高达346.7,即使对10μL/L甲醛也有一定响应。

    2016年02期 v.35;No.288 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 302K]
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  • 低温氧等离子体处理对单层石墨烯微观结构影响的研究

    邓海君;王权;

    运用低温氧等离子体对化学气相沉积法生长的单层石墨烯进行处理,通过拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪来表征处理前后的变化,重点探讨了低温氧等离子体处理对单层石墨烯微观结构的影响。在拉曼光谱中,处理后的石墨烯出现了明显的D峰和D′峰,同时G峰和2D峰也出现了明显的退化,而G峰峰位右移,2D峰峰位左移。通过X射线光电子能谱表征,表明处理后向石墨烯中引入了较多的官能团。利用原子力显微镜研究了处理前后SiO_2/Si基底上石墨烯的表面形貌,发现低温氧等离子体处理后石墨烯表面高度明显增加,同时褶皱减少。

    2016年02期 v.35;No.288 9-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 529K]
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  • Cu掺杂对CoFe_2O_4结构与磁性能的影响

    王伟;向萍萍;俱海浪;程鹏;李宝河;

    为了系统地研究Cu掺杂对于CoFe_2O_4结构与磁性能的影响及其影响机制,采用柠檬酸-溶胶凝胶法制备了Co_(1–x)Cu_xFe_2O_4(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)磁性纳米颗粒。分别用X射线衍射仪,透射电子显微镜,振动样品磁强计对样品的晶体结构、形貌、磁学性质进行了表征和测试。结果发现所制备的钴铜铁氧体的纳米颗粒直径在50~60 nm,适量的Cu~(2+)掺杂,铜钴铁氧体依然保持面心立方结构,且可以有效降低其饱和磁感应强度和居里温度。但是掺杂量达到x=0.8后,会引起Jahn Teller效应,铜钴铁氧体发生晶格畸变,由面心立方相转变为面心四方相,饱和磁感应强度、居里温度随之增加。

    2016年02期 v.35;No.288 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 274K]
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  • Fe_3Si纳米颗粒低温固相制备及磁学性能研究

    蔡鑫奇;王林;何健;李林;李岳彬;

    以乙酰丙酮铁(C_(15)H_(21)FeO_6)和二氧化硅纳米颗粒(SiO_2)分别作为铁和硅的前驱体,280℃低温固相法合成Fe_3Si纳米颗粒,同时加入钠盐(NaCl)调控颗粒的尺寸。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射和超导量子磁强计对所制备的Fe_3Si纳米颗粒进行表征分析。研究发现该法可以高效制备稳定的DO_3型Fe_3Si纳米颗粒,加入的NaCl能有效调控颗粒粒径。随着Fe_3Si纳米颗粒尺寸的减小,Fe_3Si纳米颗粒的居里温度、截止温度均有明显降低,饱和磁化强度也有所减小。

    2016年02期 v.35;No.288 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 670K]
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  • Nd_2O_3掺杂对BCZT无铅压电陶瓷性能和结构的影响

    殷佳;黄新友;岳振星;高春华;

    采用固相法,研究了不同Nd_2O_3掺杂量对(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3(BCZT)无铅压电陶瓷的物相组成、显微结构及介电性能和压电性能的影响。结果表明:Nd_2O_3掺杂的BCZT陶瓷的主晶相为单一的钙钛矿结构相,并没有明显的第二相。随着Nd_2O_3掺杂量的增大,BCZT陶瓷的压电常数(d_(33))、机电耦合系数(K_P)和介电损耗(tanδ)先增大然后减小,BCZT陶瓷的相对介电常数(ε_r)和体积密度(ρ)先减小然后增大。当Nd_2O_3的质量分数为0.2%时,在1 420℃烧结的BCZT无铅压电陶瓷综合性能较好:d_(33)为228 pC/N,K_P为38.9%,ε_r为2 846,tanδ为0.018,ρ为4.805 g/cm~3。

    2016年02期 v.35;No.288 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 196K]
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  • 超级电容器用LiBOB电解质电化学性能的研究

    刘慧;郑文芝;陈姚;于欣伟;张庆;

    以草酸、硼酸及氢氧化锂为原料,通过水相中发生酯化反应和在乙腈中进行中和反应结合的方法合成LiBOB(双草酸硼酸锂)。通过电导率、循环伏安、恒电流充放电、交流阻抗等电化学性能测试方法,探索溶剂组成、LiBOB浓度及商业主流电解质盐Et_4NBF_4添加量对LiBOB电解液电化学性能的影响。以LiBOB电解质盐不同溶剂组成的电解液组装的模拟碳超级电容器,工作电压范围在0~2.7 V,循环伏安曲线出现了类矩形的特征;充放电可逆性及电化学循环稳定性良好。LiBOB-Et_4NBF_4工作电解液的电导率最优可达12.5×10~(–3) S/cm。

    2016年02期 v.35;No.288 26-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 246K]
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  • 具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究

    李明达;陈涛;李普生;薛兵;

    对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P~-/P~+/P/P~+型硅外延层。通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性<3%、电阻率不均匀性<3%、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求。

    2016年02期 v.35;No.288 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 236K]
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  • 低噪声快速建立的全片内LDO设计

    陈远龙;张涛;王影;张国俊;

    提出了一种集成于射频芯片的低噪声、快速建立的低压差线性稳压器(LDO)。分析了传统LDO的主要噪声源,在综合考虑芯片的噪声、静态电流和面积后,采用超低频低通滤波器,对LDO的输出噪声进行优化。基于SMIC 0.18μm工艺,采用Cadence软件对电路进行仿真。结果表明,10 Hz到100 k Hz之间的输出积分噪声电压为17μV,建立时间小于18μs,总静态电流为24μA,满足LDO的应用要求。

    2016年02期 v.35;No.288 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 165K]
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  • 一种基于缺陷地结构的超宽阻带低通滤波器

    王斌;郭佳;黄文;荆麟;

    提出了一种在微带线下的新型缺陷地结构(DGS),并对其性能进行了分析。将传统的DGS结构单元与新型DGS结构单元结合,采用低阻抗微带线,设计了一种超宽阻带低通滤波器。传统哑铃型DGS结构在较宽的阻带内提供衰减,新型DGS结构提供陡峭的阻带衰减响应,得到陡峭的阻带衰减和良好的阻带宽度。模拟仿真和实物测试表明,该滤波器的3 d B截止频率为1.8 GHz,插损小于1 d B,通带内S_(11)均低于–20 d B,阻带在–20 d B以下的频段为2.92~19.59 GHz。与传统DGS低通滤波器相比,其尺寸减少了32%,实现了低通滤波器的宽阻带和小型化。

    2016年02期 v.35;No.288 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 432K]
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  • 基于人工表面等离子体激元带通滤波器的设计

    肖丙刚;陈静;孔胜;

    设计了基于人工表面等离子体激元(spoof surface plasmon polaritons,spoof SPPs)的带通滤波器,在介质基板上覆上一层超薄金属铜,并将金属表面刻为周期波纹状金属条,同时结合马赫曾德尔干涉仪(Mach–Zehnder interferometer,MZI),将金属条设计为MZI结构,并对MZI的干涉臂设计了两个取向相反的金属条结构,构成滤波器耦合部分,分析了耦合间距以及耦合单元个数对带通滤波器带宽的影响并进行了仿真。结果表明,该滤波器具有–3 d B从4.8 GHz到8.3 GHz的带宽。基于人工等离子体激元的带通滤波器的设计为今后人工表面等离子体在微波行业的应用提供了思路。

    2016年02期 v.35;No.288 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 151K]
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  • 一种UHF频段弯折偶极子RFID天线的设计

    董健;余夏苹;任华斌;李冬林;

    针对目前射频识别(RFID)天线小型化要求,设计了一种超高频(UHF)弯折偶极子RFID标签天线。天线的构型采用了经典的电感耦合环匹配模型,结构简单且易实现阻抗匹配;在天线宽度上进行二次弯折降低长宽比例,具有小型化优势。利用HFSS仿真软件对该天线进行仿真分析,结果表明该天线具有较宽的阻抗带宽,能够覆盖920~925 MHz超高频频段,并且其回波损耗值及方向性均良好,能够满足RFID的实际生产和应用的要求。

    2016年02期 v.35;No.288 47-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 196K]
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  • 水性导电油墨的制备及导电性能研究

    孙金梅;陶业立;张林;

    以水性丙烯酸树脂为粘结剂,以水性石墨烯浆料、导电炭黑为导电剂,制备了一种新型水性导电油墨。分析了其导电机理,研究了不同影响因素对水性导电油墨导电性的变化规律。结果表明:当石墨烯和导电炭黑单独作为导电剂时,随着石墨烯含量或者导电炭黑含量的增加,体积电阻率减小;当石墨烯含量或者导电炭黑含量大于一定值后,体积电阻率有所回升。当石墨烯与导电炭黑的混合物作为导电剂时,制备的水性导电油墨比其单独作为导电剂的导电性更为优异。同时,水性导电油墨的体积电阻率随着丙烯酸树脂含量的增加而增大。

    2016年02期 v.35;No.288 52-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 238K]
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  • 无铅低熔点耐酸玻璃粉的研制

    张志旭;李宏杰;曲海霞;冀亮君;武巧莉;

    采用高温熔融水淬的方法,制备了无铅低熔点耐酸玻璃粉,研究了化学组分及其含量对无铅玻璃耐酸性的影响。结果表明:当质量分数w(Bi_2O_3)为50%~60%,w(B_2O_3)为10%~12%,w(SiO_2)为20%~30%,w(Al_2O_3)为3%~5%,w(Li_2O)为1%~3%时,可获得膨胀系数在(65~75)×10~(–7)/℃,软化点在480~490℃,玻化温度在(600±10)℃,附着力优良,在质量分数5%的H_2SO_4中浸泡48 h,玻璃的光泽基本不变的无铅玻璃粉。

    2016年02期 v.35;No.288 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 87K]
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  • Sn0.3Ag0.7Cu焊锡膏的储存稳定性研究

    韩帅;赵麦群;宋娜;

    针对焊锡膏在储存过程中的发干、发粘、无法焊接等失效问题,通过研究不同有机酸活性剂与焊锡粉末的室温共存稳定性,对焊锡膏进行了失效分析,并对有机酸活性剂进行了研究。结果表明,不同有机酸室温下的活性有很大差异,水杨酸、丁二酸、戊二酸室温下活性较大,能对焊锡粉造成腐蚀,这是焊锡膏失效的主要原因。苹果酸、己二酸、壬二酸、癸二酸室温下活性较弱,不会对焊锡粉造成腐蚀。用己二酸、壬二酸复配作为活性剂配制的焊锡膏具有优异的焊接性能,高的室温储存稳定性,焊后残留少且无腐蚀性。

    2016年02期 v.35;No.288 60-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 1190K]
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  • 基板稀土微合金化对Sn3Ag0.5Cu/Cu钎焊界面反应的影响

    徐涛;胡小武;江雄心;

    研究了在Cu基板中加入质量分数1%的稀土元素Ce、Er后,与Sn3Ag0.5Cu(SAC305)无铅钎料进行钎焊并时效处理后的界面反应及其化合物(IMC)生长行为。结果表明:钎焊完成后,在SAC305/Cu钎焊界面只观察到Cu_6Sn_5,而SAC305/Cu-1Ce及SAC305/Cu-1Er界面还有Cu_3Sn形成;在时效处理过程中,纯Cu基板上的金属间化合物生长速率最快,Cu-1Ce基板次之,Cu-1Er基板最慢,且形成的IMC厚度也是依次递减;加入质量分数1%的Ce、Er元素对IMC生长均有抑制作用,且Er的抑制作用较Ce强。

    2016年02期 v.35;No.288 65-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 1371K]
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  • 回流焊接温度曲线对焊点形状影响的实验研究

    杨雪霞;张宇;树学峰;

    通过表面贴装实验研究了实际工况下焊点的形状,并分析回流焊接曲线对Sn37Pb和Sn3.0Ag0.5Cu焊点形状的影响。实验设定锡铅回流焊接曲线三条和无铅回流焊接曲线两条,对PCB板-焊料球-PCB板组成的简易封装器件进行了回流焊接,并对焊接得到的焊点高度、直径等形状参数进行了统计分析。结果表明:回流焊接得到的焊点并非为大多数文献中假设的规则形状,由于重力和表面张力的影响,焊点的最大直径处于焊点中部偏下的位置;回流曲线不同,焊接得到的焊点形状也存在着较大的差异;回流曲线的加热因子越小,焊接得到的焊点的高度越高,直径越小。

    2016年02期 v.35;No.288 70-72+78页 [查看摘要][在线阅读][下载 301K]
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编读通信_读者天地

  • 十大未来最具潜力的新材料

    <正>(上接2016年1期第32页)世界的一切活动皆基于材料,未来绚丽多彩的世界更需要魅力无限的材料。看看有哪些材料让我们的未来的世界变得那么神奇?国外媒体预测了十种未来最具潜力的新材料。4块体钻石制造厚膜钻石的CVD设备已经开始规划,可以预测不远的将来制造块体钻石的设备将是一个发展的趋势。钻石是一种完美的建筑材料,它异常坚固,但是又轻;由常见的碳元素合成,几乎完全地导热,拥有几平在所有材料中最高的熔

    2016年02期 v.35;No.288 13页 [查看摘要][在线阅读][下载 71K]
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编读通信_版权声明

  • 《电子元件与材料》版权声明

    <正>本刊已许可中国学术期刊(光盘版)电子杂志社在中国知网及其系列数据库产品中,以数字化方式复制、汇编、发行、信息网络传播本刊全文。该著作权使用费与本刊稿酬一并支付。作者向本刊提交文章发表的行为即视为同意我社上述声明。

    2016年02期 v.35;No.288 17页 [查看摘要][在线阅读][下载 53K]
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可靠性

  • 直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究

    周涛;陆晓东;吴元庆;夏婷婷;

    集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三重扩散工艺的双极型高反压大功率开关晶体管的结构设计,然后全面系统地分析了高阻单晶硅电阻率和器件集电区厚度对I_(CM)、V_(CEO)、P_(CM)及V_(SB)影响。仿真结果表明:由器件仿真得到的电学性能满足大功率晶体管电参数指标要求,器件结构参数的选择及工艺条件的设计较合理。增大单晶硅电阻率,虽然有利于提高集-射击穿电压和器件抗二次击穿能力,但不利于集电极峰值电流和最大耗散功率的提高。增大器件集电区厚度只对集-射击穿电压的提高有利,而对集电极峰值电流、最大耗散功率及抗二次击穿能力均产生不利的影响。

    2016年02期 v.35;No.288 73-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 309K]
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  • 基于数据驱动的功率MOSFET剩余寿命预测

    吴立锋;殷翠香;郑宇;关永;

    为了预测电子系统的重要器件——功率MOSFET剩余使用寿命,基于NASA实验数据,提出了一种MOSFET剩余寿命预测方法。首先利用相关向量机对劣化数据进行回归拟合,得到相关向量,并使用相关向量与回归拟合结果结合获取代表性向量。然后,基于退化模型,利用最小二乘法实现参数辨识确定劣化模型的参数。最后,将劣化模型外推到失效阈值,得到功率器件可能失效的时间,从而获得MOSFET的剩余使用寿命。实验结果表明,该方法简单有效。

    2016年02期 v.35;No.288 79-83页 [查看摘要][在线阅读][下载 132K]
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编读通信_本刊信息

  • 本刊信息

    <正>网络数字化日益普及,并深入人们生活的各个领域,也改变着人们的生活方式,它具有快捷、携带方便、信息量大、更新快等特点。本刊应读者要求,特在2016年继续推出加入《电子元件与材料》期刊读者会员服务,会员将享受期刊12期全电子文档。加入《电子元件与材料》的读者会员,会员费全年为200元/年,本刊将2016年全年12期的论文电子文档,以PDF格式,在出刊后发至会员的电子邮箱。并将本刊的最新资料、最新活动第一时间通知会员,

    2016年02期 v.35;No.288 83页 [查看摘要][在线阅读][下载 52K]
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理事会专题

  • 高频大电流滤波电容器不宜使用“隔离金属化设计”薄膜制造

    王凯平;

    <正>《电力电子电容器》的国家标准GB/T 17702-2013/IEC 61071:2007和前一版本相比,对于制造电容器使用的金属化薄膜,在"安全器件"条目(标准3.13)下,明确提出了"隔离金属化设计"和"特殊非隔离金属化设计"这两个新的术语,并对它们进行了必要的定义(标准3.13.3和3.13.4)。标准所定义的"隔离金属化设计"薄膜,就是介质薄膜在金属化时,按照设计要求,把蒸镀在介质薄膜

    2016年02期 v.35;No.288 84-85页 [查看摘要][在线阅读][下载 164K]
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编读通信

  • 第十四届全国敏感元件与传感器学术会议(STC2016)

    <正>会议介绍[STC学术会议介绍]全国敏感元件与传感器学术会议(Sensors and Transducers Conference of China,以下简称"STC学术会议")是由我国敏感元件与传感器技术领域内全国性的学术组织、国家重点研究单位联合主办的大型专业会议,两年一届,至今已成功举办了十三届,得到国内同行的高度认可。STC学术会议的历次成功举办,不但全面展示了

    2016年02期 v.35;No.288 87页 [查看摘要][在线阅读][下载 154K]
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  • 《电子元件与材料》读者免费索阅卡

    <正>尊敬的读者,为使本刊真正成为您工作中的好帮手,请您在百忙中抽时间填妥此卡,传真或电邮回本部,以便您的申请能被受理(本刊将免费赠阅《电子元件与材料》已出版期数任意一期1本和本刊书讯资料1份)您阅读本刊的目的(请选定打"√")□解决技术问题□了解行业动态□寻求合作伙伴□采购产品

    2016年02期 v.35;No.288 88页 [查看摘要][在线阅读][下载 115K]
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  • 中国科大在石墨烯分子条带中实现自旋量子通道转换

    <正>近日,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室崔萍与曾长淦研究组通过理论与实验互动性合作,证明在锯齿型石墨烯分子条带间引入碳四元环,可以有效地打破边缘自旋量子通道的简并度,并以100%的可靠率翻转边缘态的自旋取向,以电荷掺杂的形式选择与控制所需要的单一自旋通道,从而多方位地展示了未来自旋电子学中不可或缺的自旋开关功能,同时实验上也制备出碳四元环连接的石墨烯分子条带。

    2016年02期 v.35;No.288 8页 [查看摘要][在线阅读][下载 40K]
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  • 碳纳米材料薄膜超级电容器问世 厚度约30μm可嵌入服装当电源

    <正>天津大学赵乃勤教授课题组与天津工业大学康建立教授合作,近期研发成功了迄今最薄的碳纳米材料薄膜超级电容器,其厚度约30μm,仅为A4纸的1/3。轻质超薄是这款超电容的显著特点。为获得高的器件综合性能,该研究团队从器件结构优化设计出发,使其兼具超高能量密度和功率密度。他们先采用化学气相沉积法一步制备了一种柔韧多孔碳纳米纤维/超薄石

    2016年02期 v.35;No.288 25页 [查看摘要][在线阅读][下载 60K]
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  • 金属所高能量密度锂离子超级电容器研究取得系列进展

    <正>超级电容器又称电化学电容器,是目前最重要的电能储存装置之一,其数秒内的快速充放电、上万次的循环寿命、百分之百的充放电效率及高的安全性是锂离子电池等二次电池所无法比拟的。但低的能量密度限制了超级电容器在消费电子、电动汽车、智能电网、清洁能源等领域的进一步应用。如何在保持超级电容器高功率、长寿命的前提下提高其能量密度是当前亟待解决的问题。

    2016年02期 v.35;No.288 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 50K]
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  • 宁波材料所在硬磁纳米颗粒的绿色和宏量制备方面取得进展

    <正>磁性纳米颗粒在催化、生物医用、磁记录以及高性能永磁体等领域都具有重要的应用前景。在这些应用以及相关研究中,纳米颗粒的尺寸、形貌对磁性及其相关性能影响至关重要,因此如何探索出一种简便的纳米颗粒的合成方法具有重要意义。在各种磁性纳米材料中,化学有序的L1_0结构的Co(Fe)Pt纳米颗粒由于具

    2016年02期 v.35;No.288 42页 [查看摘要][在线阅读][下载 40K]
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  • 新方法能在几飞秒内操控电子有助研制高效太阳能电池和能量采集设备

    <正>当硅或石墨烯表面受光照后,其内一些电子会激发到高能态,在几飞秒(千万亿分之一秒)内快速完成一连串反应。而美国麻省理工学院(MIT)的科研人员找到一种新方法,能在光激发电子的前几飞秒内操控石墨烯中的电子。这种超快电子控制技术能在高能电子互相碰撞之前改变它们的方向,最终有望研制出更高效的光伏装置和能量采集设备。

    2016年02期 v.35;No.288 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 40K]
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  • 新方法用二维材料控制电子

    <正>新加坡国立大学研究团队研发了一种控制电子的新方法,能把电子封闭在由原子厚度的材料制成的设备中。这项由该校理学院先进二维材料中心教授安东尼奥·卡斯托·尼托领导的研究成果发表在《自然》杂志上。几乎所有现代技术比如电机、灯泡和半导体芯片要通过设备控制电流,电子不仅小而且运动快,还相互排斥,人们很难直接控制电子的运动。若要控制电子的行为,很多半导体材料需要掺杂化学物质,掺杂物在

    2016年02期 v.35;No.288 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 37K]
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  • 单原子厚度硼墨烯“出生”

    <正>美国能源部阿贡国家实验室、西北大学和纽约州立大学石溪分校的科学家首次创造出二维的硼,这种材料只有单个原子厚度,被称为"硼墨烯"。相关研究发表在12月18日出版的《科学》杂志上。科学家一直感兴趣这种单层二维材料的独特属性,特别是其电子性质。硼墨烯是一种不同寻常的材料,因为它在纳米尺度表现出很多金属特性,而三维硼或者散状硼都只是非金属半导体。因为硼墨烯同时具有金

    2016年02期 v.35;No.288 55页 [查看摘要][在线阅读][下载 36K]
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  • 新型锂离子电池可在0℃下高效运行

    <正>美国宾夕法尼亚州立大学的研究小组开发出一种具有快速自发热功能的锂离子电池。这一新型电池的出现有望弥补传统锂离子电池在0℃以下低温环境中性能下降、掉电快的短板,让电子产品在低温环境中高效运行成为可能。锂离子电池但一旦置身0℃以下的低温环境,电池性能就会大幅下降,使用设备相应的待机时间也会显

    2016年02期 v.35;No.288 59页 [查看摘要][在线阅读][下载 39K]
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  • 用光处理信息的光电子芯片问 世数据处理速度比普通电子微处理器快10~50倍

    <正>美国科学家称近日研发出世界上首个用光处理信息的光电子芯片。它依旧使用电子来计算,但是可以直接使用光来处理信息。这一成果或将打开超高速、低能耗数据处理的大门。据加州大学伯克利分校官网报道,这一芯片由该校及麻省理工学院、科罗拉多大学的科研人员合作研发。芯片宽3毫米,长6毫米,每平方毫米的数据处理速度可以达到300吉比特每秒(Gbps),比普通电子微处理器快10~50倍。这种芯片处理数据

    2016年02期 v.35;No.288 78页 [查看摘要][在线阅读][下载 53K]
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