刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • COTS器件的空间辐射效应与对策分析

    贾文远;安军社;

    空间辐射环境是影响COTS(Commercial-off-the-shelf)器件的主要空间环境要素之一。通过分析空间辐射环境的主要来源,研究了空间辐射环境诱发的辐射效应,主要包括单粒子效应、总剂量效应、位移损伤效应等,提出了针对关键COTS器件的抗辐照的防护措施。

    2015年11期 v.34;No.285 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 89K]
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  • 随机振动下板级组件焊点可靠性研究进展

    刘培生;刘亚鸿;杨龙龙;卢颖;王浩;

    针对板级组件焊点在随机振动下的可靠性问题,对与之相关的实验研究成果和仿真结果进行了综述。首先介绍了球栅阵列(BGA)封装芯片焊点失效的位置,BGA焊点的材料以及BGA参数和印制电路板(PCB)参数对焊点可靠性的分析,并介绍了疲劳寿命预测方法和子模型法、特殊结构的随机振动分析。最后,提出了随机振动情况下的BGA结构的优化方法。

    2015年11期 v.34;No.285 5-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 399K]
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编读通信

  • 《电子元件与材料》征稿简则

    <正>《电子元件与材料》是中国电子学会、中国电子元件行业协会和国营715厂共同主办的科技期刊,国内外公开发行。本刊报道国、内外有关电子陶瓷及器件、新型阻容元件、敏感元件与传感器、混合微电子及封装技术、磁性材料及器件、薄膜技术及材料、纳米电子材料及元器件、绿色能源及相关电子材料等领域,在科研、生产及应用开发方面的最新科研成果论文、技术简报和专题综述。本刊为中文核心期刊,中国科技核心期刊,系美国《化学文摘》(CA)、《英国科学文摘》(IEE INSPEC)等检索系统收录源,目前正积极迎接《美国工程索引》(Ei)的遴选。

    2015年11期 v.34;No.285 7页 [查看摘要][在线阅读][下载 260K]
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  • 本刊信息

    <正>随着网络数字化普及,并深入人们生活的各个领域,也改变着人们的生活方式,它具有快捷,携带方便,信息量大,更新快等特点,本刊应读者的要求特在2015年继续推出加入《电子元件与材料》期刊读者会员,享受期刊12期全电子文档服务。加入《电子元件与材料》的读者会员,会员费全年为200元/年,本刊将2015年全年12期的每期论文的

    2015年11期 v.34;No.285 18页 [查看摘要][在线阅读][下载 76K]
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  • 中国电子元件行业协会电容器分会瓷介专业委员会——2015年年会会议纪要

    陈丰;

    <正>中国电子元件行业协会电容器分会瓷介专业委员会2015年会于2015年10月21日至10月24日在成都市青城山召开。本次会议由中电元协电容器分会瓷介专委会和成都宏明电子股份有限公司主办,成都宏明电子科大新材料有限公司承办,汕头松田实业有限公司、昆山万丰电子有限公司、昆山长丰电子材料有限公司、西安恒通电子陶瓷公司共同协办。来自全国电容器行业产业链的150多名代

    2015年11期 v.34;No.285 100页 [查看摘要][在线阅读][下载 20K]
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研究与试制

  • 基于背景材料磁导率各向异性实现全介质双曲线超材料

    邱瑞云;兰楚文;李勃;周济;

    提出一种基于Mie谐振实现全介质双曲线超材料的新方法。首先设计了由介质颗粒组成的背景材料磁导率各向异性双曲线超材料,通过模拟计算出有效磁导率和有效介电常数张量的主对角分量,表明该材料具有双曲性质。最后,通过点源平面透镜聚焦成像现象直观地验证其双曲色散特性。

    2015年11期 v.34;No.285 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 386K]
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  • Ca_3Co_(3.9)Cu_(0.1)O_9/Bi_2Ca_2Co_2O_y复合热电材料的制备与性能

    龚鹏;金应荣;贺毅;鲁云;刘旭冉;

    采用助熔剂法合成Ca3Co3.9Cu0.1O9粉体。添加Bi2O3作为助烧剂,通过直流快速热压获得块体,熔融的Bi2O3能够促进Ca3Co3.9Cu0.1O9片流动以完成致密化过程,再通过液相反应烧结制备出了Ca3Co3.9Cu0.1O9/Bi2Ca2Co2Oy复合热电材料,对其物相组成、微观结构和热电性能进行了表征。结果表明,添加Bi2O3提高了样品的密度,降低了材料的电阻率,复合材料的功率因子在973 K时达到4.12×10–4 W·m–1·K–2。

    2015年11期 v.34;No.285 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 205K]
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  • 水热法制备Al_2O_3@ZnO颗粒微观形貌及其对环氧树脂基复合材料导热性能的影响

    曹冰;傅仁利;张鹏飞;汤晔;刘超;

    采用水热法在Al2O3颗粒表面包覆ZnO制备Al2O3@ZnO颗粒,并通过控制合成条件在Al2O3颗粒表面制备出了具有不同微观形貌的ZnO包覆层。还探讨了水热合成中生长液的pH值对ZnO的包覆层生长过程以及对ZnO包覆层生长形貌的影响,研究了Al2O3@ZnO颗粒填充环氧树脂对环氧基复合材料导热性能的影响。研究结果表明:随着pH的升高,ZnO包覆层的均匀性和致密性越好,即包覆的效果越好。Al2O3@ZnO颗粒表面ZnO的形态从颗粒状到星状最后到刺球状转变,随之填充Al2O3@ZnO颗粒的环氧基复合材料的热导率也逐渐提高。采用pH=10时所制备的Al2O3@ZnO颗粒填充环氧树脂,其热导率相对于未处理Al2O3填充的环氧树脂提高了10.3%。

    2015年11期 v.34;No.285 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 233K]
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  • Sm_(1–x)Mg_xFeO_3纳米材料的制备及气敏性能研究

    郝红霞;米红宇;柴琳琳;陆奔奔;蒋侦;

    采用溶胶-凝胶法制备了Sm1–xMgxFeO3(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6)系列纳米粉体。利用XRD、TEM手段对产物进行表征,并对其酒敏性能进行了测试研究。结果表明:在800℃下热处理3 h所得的Sm1–xMgxFeO3粉体均为单一钙钛矿结构,粉体的晶胞体积和晶粒尺寸均随Mg2+含量的增大而减小。另外,在同等条件下,元件Sm0.7Mg0.3FeO3对乙醇的气敏性能最优,在工作温度为240℃时对体积分数为100×106的乙醇的灵敏度达到22.14,是Sm FeO3元件的6.05倍。同时还具有较好的选择性、响应-恢复特性与稳定性,响应时间和恢复时间分别为31 s和50 s。

    2015年11期 v.34;No.285 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 234K]
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  • 弱有机酸在聚吡咯铝电解电容器中的应用研究

    陈巧琳;

    采用化学聚合和电化学聚合相结合的方法制备聚吡咯铝电解电容器,通过SEM表征、电性能测试和可靠性实验,研究了在电化学聚合溶液中添加弱有机酸对聚吡咯铝电解电容器性能的影响。结果表明,弱有机酸能够使聚合溶液的pH值稳定在2,改善聚吡咯层的均匀性与致密度,增大其在氧化铝表面的覆盖度,使得聚吡咯铝电解电容器的容量增大,ESR降低,并且高温下可靠性能改善。

    2015年11期 v.34;No.285 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 429K]
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  • RCa_2Mg_2(VO_4)_3(R=Li,K,Na)荧光粉的制备及发光性能研究

    张文涛;田学敏;王玉龙;龙剑平;

    采用高温固相法合成了RCa2Mg2(VO4)3(R=Li,K,Na)自激活系列荧光粉,并用X射线衍射仪和荧光分光光度计对合成样品的结构和发光性能进行了表征。结果表明:在750℃下煅烧得到的RCa2Mg2(VO4)3荧光粉具有较好的晶体结构。在331 nm的紫外光激发下,RCa2Mg2(VO4)3荧光粉在491 nm处具有较强的宽峰发射,其中Na Ca2Mg2(VO4)3的发光强度最好。Li Ca2Mg2(VO4)3、KCa2Mg2(VO4)3、Na Ca2Mg2(VO4)3的色坐标分别为(0.245,0.392)、(0.265,0.425)、(0.211,0.326),位于蓝绿光区。Eu3+掺杂后,Na Ca2Mg2(VO4)3:Eu3+样品光谱图中620 nm处出现Eu3+的发射峰,有效促使Na Ca2Mg2(VO4)3色坐标从蓝绿区(0.211,0.326)移到近白光区(0.260,0.322)。

    2015年11期 v.34;No.285 31-34+43页 [查看摘要][在线阅读][下载 280K]
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  • 衬底和退火温度对多晶硅薄膜结构及光学性质影响

    路晓翠;周炳卿;张林睿;张娜;

    通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术与退火处理制备多晶硅薄膜,研究了衬底和退火温度对所制薄膜的结构及光学性质的影响。本次试验最大的晶粒尺寸是在衬底温度为250℃获得,考虑薄膜表面的质量,最佳的退火温度为635℃,衬底温度为225℃,在玻璃衬底形成的晶粒大于50 nm,光学带隙为1.5 e V。结果表明:衬底温度影响着薄膜中氢含量以及相关的缺陷。随着退火温度的升高,晶化率的提高,光学带隙先减小后增大。

    2015年11期 v.34;No.285 35-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 333K]
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  • 光通信用石墨烯基纳米复合材料的光电性能研究

    杜章永;程万里;

    采用湿化学法制备了性能良好的石墨烯(G)/氧化锌(ZnO)纳米复合材料,利用X射线衍射分析仪、扫描电镜及透射电镜对其物理结构和形貌分析可知成功地合成了石墨烯/氧化锌的纳米颗粒,氧化锌纳米颗粒大小约为50 nm。分别将石墨烯/氧化锌纳米复合材料、石墨烯和氧化锌均匀地分散到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中通过浇铸法合成G/ZnO/PMMA有机玻璃、ZnO/PMMA和G/PMMA有机玻璃,对比可得,G/ZnO/PMMA的非线性光学散射特性、非线性光学吸收特性及紫外-可见光吸收特性较ZnO/PMMA和G/PMMA有机玻璃有了明显提高。

    2015年11期 v.34;No.285 40-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 155K]
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  • 一维铌酸钠纳米杆的合成及光催化性能

    程俊业;郑广平;赵斌;

    以Nb2O5、NaOH为起始物,NaOH为矿化剂,通过传统水热法并结合后期热处理,成功制备了高结晶度、生长完善的一维正交相NaNbO3纳米结构。采用TG-DSC、XRD和SEM对不同阶段产物的组成、结晶结构、形貌进行了表征。将所制备的Na2Nb2O6·1.4H2O前驱样品在不同温度下热处理,当温度高于400℃时可以转变为一维的正交相NaNbO3纳米杆。随着热处理温度的升高,产物的结晶性保持良好,但其形貌开始发生扭曲甚至出现裂纹。另外,对不同后处理的样品进行光催化产氢测试,结果表明随着热处理温度的增大,一维铌酸钠纳米材料的光催化活性先增大后降低,当后热处理温度为400℃时,平均的产氢率可达104.5μmol·h–1。

    2015年11期 v.34;No.285 44-47+56页 [查看摘要][在线阅读][下载 603K]
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  • 电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究

    陈婷婷;顾牡;于怀娜;刘小林;黄世明;

    采用电化学刻蚀法在P型硅中制备多孔阵列结构。通过实验研究和理论分析,分别讨论硅片电阻率、电流密度、电解液组分对多孔硅形貌的影响。结果表明,在P型硅中电阻率决定了孔洞能否形成;改变电流密度,可以有效调控孔径大小;在电阻率30~50?·cm、电流密度20×10–3 A/cm2的条件下,可以得到最优化多孔硅结构。通过模板引导法制备了高度有序的多孔硅阵列,孔径2.5μm,周期4μm。在电解液中添加十六烷基三甲基氯化铵(CTAC),反应生成的气泡更容易逸出,有利于改善多孔硅阵列形貌。研究成果为基于硅孔洞填充的像素化X射线闪烁转换屏的研制提供了必要的基础。

    2015年11期 v.34;No.285 48-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 780K]
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  • 偏置靶材离子束沉积法制备硅锗薄膜的表面粗糙度研究

    倪大成;侯晓伟;

    采用偏置靶材离子束沉积工艺,在相同的沉积参数条件下,在硅、玻璃以及蓝宝石三种不同的衬底上分别制备了相同厚度的纯硅和纯锗薄膜。利用原子力显微镜,研究了两种非晶薄膜在不同衬底上的二维、三维表面形貌和表面粗糙度。结果表明:纯锗薄膜具有较大的均方根粗糙度,均达到了8 nm以上,其中沉积在硅衬底上的纯锗薄膜的均方根粗糙度最大,达到了11.16 nm;而纯硅薄膜的均方根粗糙度较小,均在3 nm以下,其中沉积在硅衬底上的纯硅薄膜的均方根粗糙度最小,仅有0.47 nm。

    2015年11期 v.34;No.285 53-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 972K]
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  • 基于Abaqus的PDMS基底有限元分析

    李东泽;郭笑楠;颜卓程;林媛;

    为了准确计算聚二甲基硅氧烷(PDMS)基底的可拉伸性,采用有限元的基本思想,利用Abaqus 6.14软件,对PDMS薄板在水平位移载荷下的应变模态进行仿真,得到其不同配比时的应力-应变变化关系。结果表明,在施加水平位移载荷的情况下,PDMS薄板的应变极大值点位于四个顶点和中间位置处;且减小柔性材料的弹性模量和泊松比,可以改良基底的大应变性能,使其变得更加柔软。

    2015年11期 v.34;No.285 57-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 153K]
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  • 二氧化锰/二氧化钛/介孔碳复合材料制备及其电化学性能

    李双杰;龙剑平;舒朝著;卢琦;

    采用水热合成法制备了二氧化锰/二氧化钛/介孔碳复合材料,利用该复合材料制备了空气电极。通过X射线衍射仪(XRD)分析了复合材料的物相,用扫描电子显微镜(SEM)观察了复合材料的表面形貌,采用循环伏安法研究了空气电极的电化学性能。结果表明:在160℃条件下制备的复合材料结晶度更高,循环伏安测试表明空气电极可逆性较好。利用复合材料组装了锂空气电池,对其进行充放电测试,发现锂空气电池首次放电容量最高可达1 331 m Ah/g。

    2015年11期 v.34;No.285 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 692K]
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  • 溶胶凝胶自蔓延燃烧法制备NiZnCoCu铁氧体粉体

    李乐中;蒲志勇;贾洋;龙宫頔;刘林;

    以金属硝酸盐和柠檬酸等为原料,利用溶胶凝胶自蔓延燃烧法制备了Ni0.5–xZn0.5Co0.1CuxFe1.9O4(x=0,0.10,0.15,0.20)粉体,将粉体在800℃下热处理2 h,通过FT-IR、XRD、SEM和VSM对粉体的物相结构和磁性能进行分析。结果表明,自蔓延燃烧粉体以Ni Zn Co铁氧体为主晶相,其中含有Fe2O3杂相,煅烧后杂相消失。煅烧有效推动了晶界移动,实现晶粒的长大。煅烧前后两类粉体的饱和磁化强度都随着Cu的含量增加而逐渐减小,同时矫顽力也都先减小后增加,其中煅烧粉体的磁性能较自蔓延粉体均得到提升。

    2015年11期 v.34;No.285 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 564K]
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  • 一种X频段RF MEMS开关的设计与仿真

    苏锐;刘斌;

    设计了一种可用于X频段的射频微机电系统(RF-MEMS)的开关。它通过上电极中心以及两端的螺旋结构提高了等效电感值,减小了谐振频率,从而在较低的频段下实现了较好的隔离度。采用阻抗匹配改善开关结构的射频性能。利用Ansoft HFSS软件仿真分析了开关关键结构参数对电磁性能的影响,包括绝缘介质层厚度k,上电极与下电极之间空气层厚度o、上电极宽度w和上电极间距m,总结了各参数对电磁性能的影响趋势,确定了各参数的最优取值。在整个X频段,开关开态时的插入损耗小于0.83 d B(绝对值,下同);关态时的隔离度大于18.5d B。在中心频率10 GHz的插入损耗为0.57 d B,隔离度为30.65 d B。

    2015年11期 v.34;No.285 69-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 350K]
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  • 一种月牙形缝隙多频微带天线分析与设计

    缪洁;徐文龙;徐冰俏;尤佳迪;

    提出了一种微带馈电式圆形微带天线设计方案,通过在辐射贴片表面加载月牙型缝隙,改变电流有效路径,实现多频特性。通过HFSS仿真分析缝隙形状对天线性能的影响。结果表明,天线工作的三个频段相对带宽分别为4.1%(2.39~2.49 GHz),3.98%(3.92~4.08 GHz)和3.75%(5.51~5.72 GHz)。其中低频和中频段的最高增益达到6.58d B和5.01 d B。天线尺寸为35 mm×52 mm,具有小体积、高增益、全向性良好的特点,能够应用于无线通信系统中,并且这种结构简单、参数少、多频段的设计方法为天线设计提供了新的途径。

    2015年11期 v.34;No.285 73-77页 [查看摘要][在线阅读][下载 348K]
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  • 相控阵天线裸阵面涂层的电磁性能研究

    仝晓刚;

    为了优选出适用于某相控阵天线裸阵面表面的防护涂层,分别测试了氟聚氨酯磁漆、丙烯酸聚氨酯漆、氟聚氨酯磁漆底漆及原子灰四种材料在2~18 GHz的相对介电常数和磁损耗。测试结果表明,氟聚氨酯磁漆、丙烯酸聚氨酯漆的相对介电常数值及稳定性明显优于氟聚氨酯磁漆底漆及原子灰;丙烯酸聚氨酯漆、原子灰的磁损耗及稳定性明显优于氟聚氨酯磁漆及氟聚氨酯磁漆底漆涂层。因而,丙烯酸聚氨酯漆最适用于作为某相控阵天线裸阵面表面的防护涂层。

    2015年11期 v.34;No.285 78-80+88页 [查看摘要][在线阅读][下载 194K]
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  • 一种适用于BUCK型DC-DC芯片振荡器电路设计

    范建功;冯全源;

    基于0.5μm UMC工艺库,设计了一款高性能振荡器,在电路的设计中加入延迟电路以改变输出频率的占空比,同时加入分频电路使得频率的输出更加多样化以满足不同的频率需求。利用Cadence和Hspice软件进行电路设计与仿真。结果显示,在系统典型应用环境下该振荡器内同步振荡频率为1.1 MHz;当温度在–40~+125℃变化时,输出频率随温度的变化率仅为4.5%;当电源电压在3.0~5.5 V变化时,输出频率的变化率仅为3.6%。该振荡器的性能良好,已成功应用于一款DC/DC降压电源管理芯片之中。

    2015年11期 v.34;No.285 81-84页 [查看摘要][在线阅读][下载 158K]
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  • 曲率补偿低温漂带隙基准电压源设计

    张东亮;曾以成;陈星燕;邓玉斌;

    设计了一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,在电路中加入两种不同的分段曲率补偿电路,低温阶段,设计节点电流相减产生一段负温度系数补偿电流,高温阶段,控制晶体三极管导通产生一段正温度系数补偿电流,实现了对基准电压曲率补偿,同时采用共源共栅结构以提高电路的电源抑制比。在0.18μm的TSMC工艺下,使用Cadence Spectre对电路进行仿真,仿真结果表明,在3.3 V的电源电压下,基准输出电压为1.241 V,在–40~+125℃范围内,基准电压的温度系数为3.02×10–6/℃,低频时电源抑制比(PSRR)低于–57 d B。

    2015年11期 v.34;No.285 85-88页 [查看摘要][在线阅读][下载 96K]
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  • 抑弧层结构对高压熔断器熔断效果的影响

    李程峰;谢强;彭昌文;杨建;庞锦标;

    将不同结构的抑弧层使用在相同熔断器基片上,研究了不同结构对熔断器高压电弧猝灭效果的影响。结果表明:熔断器动作时高压电弧的猝灭与抑弧层结构密切相关,多孔的抑弧层结构更有利于电弧的及时猝灭,对抑弧层中孔洞结构进行优化后熔断器电弧猝灭时间能够缩短至3 ms以内,电弧猝灭后的绝缘电阻大于500 M?,能达到较好的切断电流的目的。

    2015年11期 v.34;No.285 89-91页 [查看摘要][在线阅读][下载 227K]
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  • 低压成套设备中铜铝复合母线温升的研究

    白志胜;陈建兵;忻尚芝;夏鲲;

    铜铝复合母线(TLF bus bar)是一种新型铜包铝结构的复合导体材料,此材料既保持了铜母线(copper bus bar)表面抗氧化能力强的特点,又具有铝资源多,质量轻,价格低的优点,是替代铜母线的极佳材料。本文实验研究了相同电流规格下的铜母线及铜铝复合母线温升与截面积的关系,分析了低压成套设备中铜铝复合母线替换铜母线的技术参数。结果表明:铜铝复合母线宽度增加20%或厚度增加33%即可有效取代铜母线。

    2015年11期 v.34;No.285 92-95页 [查看摘要][在线阅读][下载 132K]
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  • 采用叠层焊点的PBGA组件温度场模拟分析

    韦何耕;黄春跃;李天明;

    运用有限元软件ANSYS建立了采用叠层焊点的塑料球栅阵列(Plastic Ball Grid Array,PBGA)结构有限元分析模型,基于该模型对PBGA结构在典型工作环境下的稳态温度场分布进行了模拟,对比传统单层焊点与叠层焊点对PBGA结构温度场的影响,并分析了焊点高度和PBGA结构各部分材料导热系数对内部温度的影响。结果表明:焊点结构形式(单层和叠层)和焊点高度对PBGA组件温度场影响不大;PCB的导热系数对PBGA组件温度场影响最大,其次是塑封和基板,粘结剂对PBGA组件温度场影响很小。

    2015年11期 v.34;No.285 96-99页 [查看摘要][在线阅读][下载 478K]
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  • 国内承烧板行业规模最大的生产企业——专业生产各种规格氧化锆、氧化铝承烧板

    <正>临沂临虹无机材料有限公司主要用户有清华同方、风华高科、江佳电子、嘉康电子、金科电子、顺络电子等大型企业,并出口销售到TDK、京瓷公司、美国KEMET、英国GE等,质量获得国际认可。主要产品:氧化锆承烧板、氧化铝承烧板、氧化锆支柱、氧化铝支柱、匣钵、坩埚、MLCC(片式电容)专用定位涂层板、氧化锆箱体波纹板、氧化锆球、氧化锆粉、氧化锆造粒粉、电真空陶瓷管壳、陶瓷金属化、北斗导航用微波介质陶瓷天线基板及电子标签用陶瓷天线基板、泡沫陶瓷、LED陶瓷散热基板、氧化锆搅拌棒等。我公司可根据用户

    2015年11期 v.34;No.285 3页 [查看摘要][在线阅读][下载 617K]
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  • 《铝电解电容器专辑(七)》

    <正>该专辑收入《电子元件与材料》2009年第1期至2011年第12期有关铝电解电容器的工艺技术、原辅材料、应用技术及发展趋势方面的重要论文共30篇,104页,约20多万字。是铝电解电容器及其相关行业中,从事科研、生产、教学及应用人员收藏、查阅的重要参考资料。定价:80元,邮资费:6元(包括挂号费)。另《铝电解电容器专辑(七)》特推出电子文档,包括《铝电解电容器专辑(七)》全部30篇论

    2015年11期 v.34;No.285 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 112K]
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  • 2015中国国际石墨烯创新大会在青岛国际会展中心隆重举行

    <正>石墨烯产品正在进入我们的生产、生活中,石墨烯离我们越来越近。2015年10月28日~30日,2015中国国际石墨烯创新大会在青岛国际会展中心隆重举行。作为全球石墨烯两个重要会议之一,中国国际石墨烯创新大会也称为全球石墨烯秋季大会。有别于全球石墨烯春季大会,本次大会主要侧重于产业化,它带来的不只是惊喜,更是对中国石墨烯产业发展的一次检阅,作为本届大会的特色论坛——"新产品发布会"为企业

    2015年11期 v.34;No.285 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 39K]
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  • 《电子元件与材料》读者免费索阅卡

    <正>尊敬的读者,为使本刊真正成为您工作中的好帮手,请您在百忙中抽时间填妥此卡,传真或电邮回本部,以便您的申请能被受理(本刊将免费赠阅《电子元件与材料》已出版期数任意一期1本和本刊书讯资料1份)您阅读本刊的目的(请选定打"√")□解决技术问题□了解行业动态□寻求合作伙伴□采购产品

    2015年11期 v.34;No.285 102页 [查看摘要][在线阅读][下载 594K]
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  • 本刊2015年参会信息

    <正>~~

    2015年11期 v.34;No.285 104页 [查看摘要][在线阅读][下载 572K]
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