刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • Mg_xZn_(1-x)O纳米材料的研究进展

    王浩;刘培生;顾俊;

    近年来,镁掺杂氧化锌半导体纳米材料在透明电子元件、气体传感、光催化等领域有着广泛的应用。主要总结概括了MgxZn1–xO纳米材料的制备方法,并探究了其制备过程中可能存在的问题和解决方法。最后展望了MgxZn1–xO纳米材料在紫外光电探测方面的应用前景。

    2015年10期 v.34;No.284 1-5+13页 [查看摘要][在线阅读][下载 263K]
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研究与试制

  • Li_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃掺杂对BZN陶瓷介电性能的影响

    龚雨庭;钟朝位;

    采用传统的固相反应法制备了Li2O-B2O3-Si O2(LBS)玻璃掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷,研究了LBS作为烧结助剂对BNZ陶瓷的烧结特性、晶相组成、微观结构以及介电性能的影响。结果表明,添加少量LBS玻璃后的陶瓷试样中没有出现第二相,主晶相仍为立方焦绿石结构。烧结助剂能有效降低BZN陶瓷的烧结温度,当LBS质量分数为0.6%时,陶瓷试样的烧结温度降到900℃,制备的试样具有良好的介电性能:相对介电常数为159,介质损耗为8×10–4(1 MHz)。

    2015年10期 v.34;No.284 6-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 417K]
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  • 预烧温度对NiCuZn铁氧体材料显微组织及直流偏置特性的影响

    高永毅;欧阳辰鑫;朱建华;王海;

    采用激光粒度分析仪、XRD、SEM等分析手段,测试研究了预烧温度对Ni Cu Zn铁氧体物相组织、烧结显微组织和直流偏置特性的影响。结果表明:当预烧温度较低时,固相反应不完全,致使铁氧体中残留Cu O,晶粒生长不均匀;提高预烧温度能够细化Ni Cu Zn铁氧体的晶粒,并改善其直流偏置特性;当预烧温度在850℃时,能够获得较高的初始磁导率和较好的直流偏置特性。

    2015年10期 v.34;No.284 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 217K]
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  • CuO纳米线对挥发性有机化合物的气敏性能

    闫会影;田先清;马凤国;孙杰;

    通过简单经济的水溶液法并配合后续煅烧制备出了一维Cu O纳米线。利用SEM、XRD、XPS等手段对所得纳米线的形貌、组成和晶体结构进行了表征,同时还测试了其在200℃下对常见挥发性有机物(VOC)的气敏响应状况。结果显示,Cu O纳米线气敏传感器对(10~1 000)×10–6(体积分数,以下同)的乙醇、甲醇、丙酮体现出优良的气敏响应特性,在(10~100)×10–6范围内,灵敏度随气体浓度增加呈线性增长,超过100×10–6后增长趋于平缓;响应时间均在10 s以内;浓度累加实验和多次重复实验显示出材料良好的稳定性和重复性;对所测11种VOC中的乙醇、甲醇、丙酮有一定的选择性;响应恢复基线无明显漂移;在300℃下,Cu O纳米线气敏传感器对(10~1 000)×10–6乙醇的灵敏度始终高于商用Sn O2气敏传感器。

    2015年10期 v.34;No.284 14-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 434K]
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  • 基于单根酞菁铜纳米线的FET式H_2S气体传感器

    塔力哈尔·夏依木拉提;尚志勇;李文亮;彭敏;孟军霞;谢宁;

    结合FET和一维微纳材料的优势,构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现,在室温条件下,器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H2S具有良好的灵敏度和低检测极限(5×10–6)。相比于薄膜FET传感器,检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示:引起器件对H2S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。

    2015年10期 v.34;No.284 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 451K]
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  • MgTiO_3掺杂对BST基电容器陶瓷介电性能的影响

    林榕;黄瑞南;胡勇;谢冬桔;彭龙;梁嘉宝;黄新友;

    采用固相法制备了MgTiO3掺杂的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)陶瓷,研究了MgTiO3掺杂量对(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:随着MgTiO3掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)、介质损耗(tanδ)和耐压强度(Eb)均先增大后减小。当MgTiO3掺杂量为质量分数0.8%时,BST陶瓷的综合介电性能较好:εr为4350,tanδ为0.0055,Eb为5.7×103V/mm(AC),容温特性符合Y5U特性。

    2015年10期 v.34;No.284 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 250K]
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  • 分段退火工艺对PZT薄膜结晶和铁电性能的影响

    万静;杨成韬;

    快速退火(RTA,rapid thermal annealing)工艺的升温速率高,可以在很短的时间(1 min)内升到PZT薄膜的晶化温度,缩短薄膜的晶化时间,有利于降低升温过程中氧化铅的挥发损失,减少过渡层Ti原子的扩散。但是因为热处理时间太短,RTA在控制薄膜残余应力和薄膜的取向生长方面存在着不足。设计分段RTA工艺来控制薄膜生长的结晶取向,采用XRD和SEM对PZT薄膜微观结构进行分析,结果表明:分段RTA工艺能够获得结晶性能和铁电性能良好的(111)择优取向的PZT薄膜,650℃是形核阶段最佳退火温度,600℃是晶粒生长阶段最佳温度,二次退火工艺可以促进薄膜晶化完全。

    2015年10期 v.34;No.284 27-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 494K]
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  • Pt/PZT铁电薄膜结晶性能与界面结构研究

    万静;杨成韬;

    锆钛酸铅[Pb(ZrxTi1-x)O3,PZT]薄膜具有优异的铁电性能,其中以(111)取向的PZT薄膜铁电性能更优异。目前对影响PZT薄膜取向生长的因素还未完全研究清楚,而PZT薄膜制备中,薄膜的择优取向生长控制是薄膜制备工艺的难点。采用TEM观察界面微观结构,利用高斯软件在TPSS/def2-TZVP水平下计算优化出PbxPt团簇分子的结构,发现界面层上形成的这类分子属于量子点范畴,结构上与PZT薄膜(111)晶面取向相似。提出高温退火生成的大量PbxPt团簇分子是(111)晶面取向生长的"诱导剂",控制界面层这种物质的生成和扩散可以控制PZT薄膜(111)取向生长。

    2015年10期 v.34;No.284 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 332K]
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  • 压电体表面电极圆形脱层屈曲仿真研究

    梅卫进;杨昌锦;

    由压电材料层与金属电极组合的层状结构功能器件应用很广,但在工程应用时因受荷载作用此类层合结构很容易在层间界面出现脱层屈曲现象。为了研究脱层屈曲时的临界荷载、力电耦合效应对屈曲临界载荷的影响,为此类层状器件的设计提供参考,本文用ABAQUS对压电层表面金属层圆形脱层的屈曲问题进行有限元研究,并将有限元解与利用弹性稳定理论将圆形脱层简化成薄圆板在考虑简支和固支边界时的结果进行对比分析,用以说明有限元结果的正确性。

    2015年10期 v.34;No.284 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 295K]
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  • 相变存储器失效时间分析

    魏宏阳;蔡道林;陈一峰;霍如如;宋志棠;

    从保持力失效时间的角度出发,对相变存储器实施了保持力加速寿命实验。实验过程中发现,在比较高的温度下,随着测试时间的增长,存储器单元的RESET阻值会逐渐变小。这个现象符合Arrhenius模型。而且,温度越高,失效时间越短。不同初始RESET阻值条件下的阻值分布曲线也验证了通过增加非晶区域的有效体积可以改善保持力可靠性。不同存储器单元的失效时间分布也验证了一个假设:若在非晶区域中本来就存在晶粒,则晶粒生长重组会缩短失效时间;若是晶化过程发生在非晶区域和结晶区域的边界处,失效时间会明显增长。

    2015年10期 v.34;No.284 40-42+63页 [查看摘要][在线阅读][下载 353K]
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  • 前结背接触晶硅太阳电池发射区研究

    周涛;陆晓东;吴元庆;刘兴辉;吴春瑜;

    利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了发射区表面浓度(cE)、结深(xj)及发射区覆盖比率(EF)对P型前结背接触晶硅太阳电池输出特性的影响。结果表明:基于常规低成本P型晶硅衬底(利用直拉法生长,电阻率为1.5?·cm,少子寿命为10μs)的前结背接触太阳电池,其上表面发射区表面浓度及结深对太阳电池的输出特性产生显著影响。上表面发射区表面浓度和结深越大,短波入射光外量子效率越小。当上表面发射区表面浓度为1×1019 cm–3,结深为0.2μm时,电池效率高达20.72%。侧面和下表面发射区表面浓度及结深对太阳电池输出特性的影响较小。但侧面和下表面发射区覆盖比率对太阳电池的输出特性产生显著影响。侧面和下表面发射区覆盖比率越大,太阳电池外量子效率和转换效率越高。

    2015年10期 v.34;No.284 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 282K]
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  • 基于并联枝节蜿蜒线的小型化微波六端口结设计

    曹煜;唐小宏;

    首次提出了一种并联枝节蜿蜒线。利用周期性结构传输线理论,首先对并联枝节蜿蜒线进行了结构与理论分析,提出了具体设计方法,并利用该方法成功设计实现了一个中心频率为2.4 GHz的小型化微波六端口结。该六端口结的电路尺寸仅为传统结构的25.3%,并且不以损失电性能为代价,具有与传统结构相近的频率响应特性。

    2015年10期 v.34;No.284 48-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 254K]
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  • 基于频变耦合结构的波导滤波器设计方法

    李刚;

    针对传统波导滤波器设计中没有考虑耦合结构频率特性导致带宽设计较窄问题,提出了一种基于频变耦合结构的波导滤波器设计方法,该方法将耦合结构等效为一个频变的阻抗变换器,通过等效电路变换将变换器频变特性的影响转换为对谐振腔电抗斜率参数的影响。最后,通过一个宽带波导滤波器的设计实例验证了该方法的有效性。

    2015年10期 v.34;No.284 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 157K]
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  • 具有陷波特性的UWB带通滤波器设计

    张华全;潘武;马媛波;戴鹏;张玉;

    基于复合左右手传输线理论,设计了一款新型超宽带(UWB)带通滤波器。该滤波器结构简单且尺寸只有0.288λg×0.105λg(4.58 mm×12.62 mm)。通带为2.9~10.75 GHz,3 d B,10 d B分数带宽分别为115%,153.8%,通带内插入损耗小于0.5 d B,回波损耗小于–16.5 d B,边带抑制能力为–31.5 d B。为了抑制WLAN信号对超宽带通信系统的干扰,利用加载短截线谐振器的方法对该滤波器进行了陷波处理,陷波深度大于20 d B。滤波器实物测试与仿真结果相吻合,能应用于超宽带通信系统中。

    2015年10期 v.34;No.284 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 268K]
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  • 基于LTCC技术的北斗带通滤波器的研究与设计

    朱友杰;邢孟江;

    设计了一款应用于北斗导航系统的带通滤波器。该滤波器采用新型阶跃阻抗谐振器(SIR)结构,通过在谐振器间引入交叉反馈产生传输零点,能够有效地对GSM和WIFI频段形成抑制。使用Ansoft HFSS软件仿真并运用低温共烧陶瓷(LTCC)技术生产滤波器,样品的实际测试结果与仿真结果吻合较好。滤波器中心频率为1 561 MHz,带宽为250 MHz,通带内插入损耗小于2.5 d B,带外抑制在GSM的900 MHz频段大于50 d B,在GSM的1 800 MHz频段大于30 d B,在WIFI频段优于30 d B。设计出的滤波器结构紧凑,尺寸仅为4.5 mm×3.2 mm×1.6 mm。

    2015年10期 v.34;No.284 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 230K]
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  • 微型热导检测器的结构设计研究

    冉莹玲;靳斌;

    基于MEMS技术设计了一种新型结构的微型热导检测器。选择了高电阻率、高温度系数的热敏元件,以四臂直通式作为结构模型,并对结构器件材料的热耗散性能进行仿真分析,采用热损耗最小的聚酰亚胺作为绝热层,以微加工工艺为基础完成了微型热导检测器的制作。实验结果表明,该新型热导检测器测量体积分数85%的标准气体时最大误差为0.068%,相比传统的热导检测器灵敏度提高约25%。

    2015年10期 v.34;No.284 64-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 187K]
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  • 层叠复合材料宽带换能器设计

    李汶洁;谷传欣;仲超;秦雷;王丽坤;

    利用多模耦合原理,将两片不同厚度的1-3型复合材料叠堆,制作宽带压电振子。用串并联理论与等效参数理论,计算不同厚度复合材料的谐振频率,得出构成层叠压电振子的两片复合材料的谐振频率差,并通过实验加以验证。结果显示,实验值与计算值吻合较好。将上述压电振子灌封,制作水声换能器并进行测试。结果表明,四只换能器的–3 d B带宽最大可达80 k Hz,最大发送电压响应均在163 d B以上。

    2015年10期 v.34;No.284 68-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 272K]
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  • 应用于WLAN/WiMAX的三频段微带缝隙天线设计

    汤雪彬;金舒萍;

    提出了一款新型平面三频段微带缝隙天线。首先设计了一个由阶梯阻抗辐射贴片构成的宽带天线,然后通过在贴片上开C型和U型缝隙,引入了两个陷波,实现了三频段天线。所设计三频段微带天线的三个频段的中心频率分别为2.54,3.56以及5.06 GHz。其中,第一频段电压驻波比(VSWR)≤2的阻抗带宽范围为2.32~2.76 GHz,第二频段VSWR≤2的阻抗带宽范围为3.34~3.78 GHz,第三频段VSWR≤2的阻抗带宽范围为3.96~6.16 GHz,天线的尺寸为52 mm×56 mm×0.813 mm。该天线的频带范围包含了无线局域网(WLAN)和全球微波互联接入(Wi MAX)的所有频段。

    2015年10期 v.34;No.284 72-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 353K]
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  • 一种双指数型梳状超宽带Vivaldi天线的设计与实现

    鲁文芳;陈振华;葛俊祥;

    在常规Vivaldi天线的基础上提出一种双指数渐变加梳状槽结构的新型Vivaldi天线,该天线通过在辐射面引入梳状开缝结构,可以实现对天线表面电流的调整。该天线在2.4~10.6 GHz常用无线通信频率范围内驻波比小于2,天线增益达到6 d Bi以上且在频带内保持较好的平坦度,实测结果与其仿真结果相吻合。在同等天线长度及张角条件下,该天线具有较常规Vivaldi天线更宽的工作带宽和更高的天线增益,且实测方向性良好,可用于各类无线通信系统。

    2015年10期 v.34;No.284 76-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 1273K]
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  • 单点背馈圆极化正方形环微带贴片天线设计

    杨放;卫铭斐;王民;王纯;周军妮;

    提出了一种单点背馈的圆极化正方形环微带贴片天线。该天线的辐射贴片由一个正方形环和对角线上的一个L形枝节构成,介质基板为空气层或由FR4环氧树脂板和空气层组合而成的双层介质。通过调节枝节的宽度及枝节上馈电点位置可实现天线的圆极化辐射。结果表明:介质厚度为0.049λ0(λ0为中心波长)时,天线的阻抗带宽大于6%,圆极化带宽为1.8%,最大增益可达8.7 d B,最小轴比小于0.5 d B。与普通的空气介质贴片天线相比,天线的贴片面积缩小了47%。

    2015年10期 v.34;No.284 81-83页 [查看摘要][在线阅读][下载 144K]
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  • 一种新型的开弧形槽超宽带印刷天线的设计

    向东红;徐自强;张海力;杨邦朝;

    设计了一种新型的开弧形槽超宽带印刷天线。该天线采用对称结构的"眼睛"形状作为辐射面,在矩形面开两个对称的1/4圆弧槽和一个半圆槽作为大地面,并且引入四节微带馈线进行阻抗匹配。通过对该天线的参数仿真和优化并进行实物制作和性能测试。结果表明,此天线的频带宽度为2.3~3.9 GHz(S11<–10 d B),相对阻抗带宽达到51.6%。该天线具有良好的方向图,满足超宽带天线的性能要求。

    2015年10期 v.34;No.284 84-87页 [查看摘要][在线阅读][下载 305K]
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  • 基于纳米压痕法的SnBi-xNi钎料的塑性比较

    杨淼森;孔祥霞;

    借助纳米压痕的方法,采用压痕形成过程中塑性应变与总应变的比值来表征钎料塑性。对Sn Bi-x Ni(x=0,0.05,0.1,0.15和0.2)成分钎料的硬度、弹性模量及塑性进行了对比。结果表明:Sn58Bi钎料合金加入Ni元素后,钎料硬度和弹性模量升高。当Sn58Bi-x Ni钎料中Ni含量的质量分数为0.1%时,其硬度及弹性模量最大。当Ni质量分数超过0.1%时,钎料的硬度与弹性模量有所下降。当添加Ni元素质量分数为0.05%~0.1%时,钎料合金的组织得到了细化,钎料合金的塑性提高;当Ni质量分数大于0.15%时,钎料的塑性降低。

    2015年10期 v.34;No.284 88-90+94页 [查看摘要][在线阅读][下载 396K]
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  • FA/O碱性清洗液对GLSI多层Cu布线粗糙度的优化

    邓海文;檀柏梅;张燕;顾张冰;

    采用自主研发的FA/O碱性清洗液对多层Cu布线表面粗糙度进行优化。通过改变清洗液中螯合剂与活性剂的体积分数,做单因素实验,得到最佳配比。利用原子力显微镜观察布线片表面清洗前后粗糙度的变化,电化学测试仪测试各种清洗液对晶圆表面的腐蚀情况。通过对比实验得出当FA/O碱性清洗液中FA/O II螯合剂体积分数为0.015%,O-20活性剂体积分数为0.15%时,表面粗糙度值最小为1.39 nm,而且表面和界面均没有腐蚀。

    2015年10期 v.34;No.284 91-94页 [查看摘要][在线阅读][下载 180K]
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编读通信

  • 电子元件与材料月刊

    <正>国家百种重点期刊国家一级电子精品期刊中国科技核心期刊·美国CA收录英国IEE INSPEC收录全国中文核心期刊您想找到世界新技术,优性能的电子元件、电子材料吗?想掌握本行业发展动态,了解国内外同行在做什么吗?想知道新的国际市场信息,寻求好的合作伙伴吗?——请关注本刊相关栏目。本刊集权威性、前瞻性和实用性为一体,贴近市场,贴近企业,是本行业中从事管理、决策、科研、设计、制造、使用、销售、采购部门和大专院校不可缺少的读物。

    2015年10期 v.34;No.284 22页 [查看摘要][在线阅读][下载 240K]
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  • 本刊信息

    <正>随着网络数字化普及,并深入人们生活的各个领域,也改变着人们的生活方式,它具有快捷,携带方便,信息量大,更新快等特点,本刊应读者的要求,特在2015年继续推出加入《电子元件与材料》期刊读者会员,享受期刊12期全电子文档服务。加入《电子元件与材料》的读者会员,会员费全年为200元/年,本刊将2015年全年12期的每期论文的电子文档,以PDF格式,在出刊后发至会员的电子邮箱中。并将本刊的最新资料,最新活动将第一时间通知会员,让会员时刻掌握本刊的发展

    2015年10期 v.34;No.284 87页 [查看摘要][在线阅读][下载 62K]
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  • 《电子元件与材料》读者免费索阅卡

    <正>尊敬的读者,为使本刊真正成为您工作中的好帮手,请您在百忙中抽时间填妥此卡,传真电邮回本部,以便您的申请能被受理(本刊将免费赠阅《电子元件与材料》已出版期数任意一期1本和本刊书讯资料您阅读本刊的目的(请选定打"√")□解决技术问题□了解行业动态□寻求合作伙伴□采购产品您曾通过以下何种渠道阅读或了解本刊(请选定打"√"):□个人订阅□单位订阅□图书馆借阅□赠送样刊□其他_____

    2015年10期 v.34;No.284 100页 [查看摘要][在线阅读][下载 104K]
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可靠性

  • 热-电耦合下倒装芯片封装焊点的电迁移失效研究

    刘培生;杨龙龙;刘亚鸿;

    热电交互作用下产生的电迁移现象成为倒装芯片封装关键的可靠性问题。建立了FCBGA(倒装芯片球栅陈列封装)三维封装模型,研究了热-电交互作用下倒装芯片互连结构中的温度分布、电流密度分布以及焦耳热分布;发现焊料凸点中存在严重的焦耳热和电流聚集现象;分析了焊料凸点中热点出现的原因,并发现热点在焊料凸点空洞形成过程中起到了关键作用。

    2015年10期 v.34;No.284 95-98页 [查看摘要][在线阅读][下载 679K]
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广告索引

  • 中国科大等成功研制一维三元多节点鞘硫化物异质纳米棒

    <正>有效操控电荷流动是研究半导体体系中物理和化学性质的核心内容。异质纳米结构能够集成不同组分的优势,而且常常可以获得优于单一组分的协同性质。如何设计合理的合成方法制备新颖独特的异质纳米结构,并且精确调控材料的组分、分布和形貌,仍然是目前尚待解决的关键科学问题。最近,中国科学技术大学俞书宏课题组与江俊课题组、福州大学王心晨课题组合作,基于液相化学转换

    2015年10期 v.34;No.284 9页 [查看摘要][在线阅读][下载 48K]
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  • 合肥研究院有机单晶PTCDA纳米线制备及其物性研究获进展

    <正>近期,中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心科研人员在有机单晶纳米材料制备及光、电特性研究方面取得了新进展。9月21日英国皇家化学会出版期刊Nanoscale以《苝四甲酸二酐(PTCDA)纳米结构的制备、光学以及电学特性》(Preparation,Optical and Electrical Properties of PTCDA Nanostructures)为题在线发表该研究成果。

    2015年10期 v.34;No.284 35页 [查看摘要][在线阅读][下载 46K]
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  • 中国科大等在多层石墨烯压电效应研究中取得进展

    <正>中国科学技术大学教授乔振华课题组与南京大学教授缪峰、王伯根合作,在多层石墨烯的压电效应的研究方面取得新进展,首次在实验上观察到石墨烯材料体系中正的压电效应,并在理论上揭示了多层结构内层间相互作用对该效应的显著贡献。研究成果于9月11日在线发表在《自然·通讯》上,乔振华课题组的博士研究生王科为共同第一作者。

    2015年10期 v.34;No.284 52页 [查看摘要][在线阅读][下载 34K]
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  • 青岛能源所等新型石墨炔储能材料研究获进展

    <正>石墨炔,是继富勒烯、碳纳米管、石墨烯之后,一种新的全碳纳米结构材料。它是由sp和sp2杂化形成的一种新型碳的同素异形体,是由1,3-二炔键将苯环共轭连接形成的具有二维平面网络结构的全碳材料。理论研究表明石墨炔是一种非常理想的储锂材料,理论容量达744 mA h·g–1,多层石墨炔理论容量可达1 117mA h·g–1(1 589 mA h·cm–3),且其独特的结构更有利于锂离子在面内和面外的扩散和传输,这样赋予其非常好的倍率性能。

    2015年10期 v.34;No.284 67页 [查看摘要][在线阅读][下载 55K]
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  • 欢迎订阅2016年《人工晶体学报》——EI核心期刊(物理学类,化学类,材料科学类)

    <正>《人工晶体学报》(ISSN 1000-985X,CN11-2637/O7)是由中材人工晶体研究院有限公司主办,是国内唯一一本专门刊登人工晶体材料这一高新技术领域研究热点的国际性刊物。《人工晶体学报》以论文和简报等形式报道我国在晶体材料:半导体材料、超导材料、红外材料、发光材料、新能源材料(太阳能电池材料、锂离子电池材料、固体氧化物燃料电池材料)、纳米材料、超硬材料和和高技术陶瓷在理论研究、生长技术、性能表征、加工以及生长设备等方面的最新科研成果,已成为世界了解我国人工晶体材料研究

    2015年10期 v.34;No.284 75页 [查看摘要][在线阅读][下载 249K]
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  • 电子与封装月刊

    <正>中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊中国半导体行业协会封装分会会刊CNKI中国期刊全文数据库收录期刊·《中国核心期刊(遴选)数据库》收录期刊《电子与封装》杂志是国内唯一一本专精于电子封装领域、兼顾半导体器件和IC设计与制造、电子元器件以及产品应用的专业性期刊。《电子与封装》从我国电子行业的特点出发,全面刊登电子与微电子及其封装测试领域的前沿技术、科研成果、生产技术、工作经验和发展战略、方向方面的文章,突出封装、组装与测试重点,全面覆盖微电子领域、辐射整个电子行业,已成为国

    2015年10期 v.34;No.284 80页 [查看摘要][在线阅读][下载 254K]
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