- 杨君;殷华湘;贾云丛;李贞杰;
柱电极垂直穿通硅片衬底的3D探测器和传统平面硅基探测器相比,具有耐辐射性、快速响应、低耗尽电压等优势,然而其器件结构、制备工艺以及系统集成上与传统结构不同,面临众多的技术挑战。近年许多机构对3D探测器开展了一系列的研究以简化其制备工艺实现工业化,本文系统性总结了3D硅基探测器的器件种类及特点、标准制备工艺等关键技术方法与路线,并对相关器件的性能与关键影响因素作出了总结,最后简要指出了3D硅基探测器的技术改进方向。
2015年09期 v.34;No.283 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 318K] [下载次数：171 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：112 ] - 许颖;卜修明;王朋朋;王丁;王现英;
二硫化钼(MoS2)是一种类石墨烯过渡金属二硫化物。单层MoS2凭借其超薄的层状结构和适宜的禁带宽度(1.9eV),在纳米电子学,光电子学和微纳器件等领域备受关注。此外,凭借丰富的边缘结构、巨大的比表面积、良好的化学稳定性和可调控禁带宽度,二维MoS2逐渐成为新型光催化材料的研究热点。综合近年来国内外关于二维MoS2在光催化领域的研究成果,详细归纳并梳理了二维MoS2的结构、性能及制备方法。特别关注了二维MoS2与其他半导体材料结合形成二元或三元光催化复合体系在光催化水解制氢和光催化降解有机污染物两方面的最新研究进展。最后,对二维MoS2在光催化领域的研究前景进行了展望。
2015年09期 v.34;No.283 7-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 429K] [下载次数：2747 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：23 ] |[阅读次数：238 ] - 刘培生;杨龙龙;刘亚鸿;卢颖;
介绍了导电胶的基本分类以及导电胶的渗透理论;讨论了各向异性导电胶(ACA)、各向同性导电胶(ICA)、绝缘粘合剂(NCA)在倒装芯片互连结构中的应用;分析了导电胶互连的可靠性。最后展望了导电胶的发展趋势。
2015年09期 v.34;No.283 13-17+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 431K] [下载次数：485 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：161 ] - 王二萍;高景霞;张金平;蔡艳艳;张洋洋;
压电俘能器以其微型、环保、自供能的特点在微电子设备应用领域得到广泛关注。从压电俘能器常用的压电材料出发,简单总结了目前应用最广泛的压电陶瓷PZT、压电复合材料PVDF、1-3型压电纤维复合材料的性能和制备方法;阐述了压电俘能器的结构设计,在此基础上从提高压电能量俘获的效率和功率的角度重点介绍了接口电路的类型和俘获能量的效果,总结了压电俘能技术未来的研究趋势和方向。
2015年09期 v.34;No.283 18-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 247K] [下载次数：1009 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：21 ] |[阅读次数：93 ] - 李志刚;张亚玲;曹博;王美茹;邹策策;
通过对近年来国内外IGBT热阻测量技术进行分析,根据各方法测量原理不同归类为四种方法:热敏参数法、数学物理法、实测结温法、红外扫描法。描述了近年来热阻测量的不断改进之处,并总结了各测量方法的优缺点。最后分析了热阻测量的发展趋势和所需解决的关键问题。
2015年09期 v.34;No.283 25-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 304K] [下载次数：764 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：97 ] - 思芳;王俊勃;刘松涛;杨敏鸽;杨尔慧;
结合当前银基触头材料制备的研究现状,介绍了Ag-SnO2触头材料的传统制备方法——合金内氧化法和粉末冶金法,分析了各种新技术在传统制备工艺中的应用。综述了近年来国内外Ag-SnO2触头材料的新型制备工艺,对比讨论了各种制备方法的优缺点,并在现有制备技术的基础上,展望了Ag-SnO2触头材料制备的发展趋势。
2015年09期 v.34;No.283 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 205K] [下载次数：400 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：133 ]
- 桂阳海;王伟民;刘贝贝;苗赵阳;田俊峰;赵建波;
用过硫酸铵作为氧化剂,通过界面聚合法制备纳米聚苯胺,并进一步通过水热法制备了纳米WO3/聚苯胺复合材料。通过XRD、FTIR、TG-DTA、SEM等手段对不同聚苯胺掺杂(质量分数为1%,5%,10%)的WO3/聚苯胺复合材料进行了表征,并进行了气敏性能研究。结果显示,合成的球状纳米WO3包覆棒状聚苯胺核-壳结构复合材料主晶相为正交晶系,晶粒大小约为20 nm;掺杂质量分数10%的聚苯胺后,主晶相变为六方晶系,晶粒大小为15 nm左右。复合材料的分解温度提高到262℃左右。气敏性能研究表明,复合材料在室温对三甲胺显示出较好的气敏性能,对体积分数200×10–6的三甲胺的灵敏度达到4.8。
2015年09期 v.34;No.283 35-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 829K] [下载次数：238 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：110 ] - 田野;曹全喜;赵方舟;
采用固相法制备了掺杂(K0.5Bi0.5)TiO3(KBT)的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料(K0.5Bi0.5)xBa(1–x)TiO3。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电阻-温度测试对材料的微观组织和热敏特性进行了表征,研究了晶界处应力对所制陶瓷材料居里温度(tC)的影响,发现通过构建更多的氧八面体结构来减小晶界应力有助于提高居里温度,并制出了居里温度为137℃的无铅PTC元件。
2015年09期 v.34;No.283 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 779K] [下载次数：215 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：97 ] - 何茗;
以CuBi2(V2O5)(简称为CBV)低熔点氧化物为烧结助剂,采用传统的固相烧结工艺制备了CBV掺杂的Li2O-ZnO-TiO2系微波陶瓷。并利用XRD、SEM等研究了Li2O-ZnO-TiO2系陶瓷的烧结行为、物相组成、显微结构及微波介电性能等。结果表明:当CBV掺杂量为质量分数3.25%时,875℃烧结的Li2O-ZnO-TiO2陶瓷微波具有良好的微波介电性能:εr=25.63,Q·f=53400GHz,τf=–5.27×10–6/℃。
2015年09期 v.34;No.283 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 427K] [下载次数：69 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：135 ] - 董丽荣;宋健;于万秋;华中;
采用单辊快淬法制备合金薄带Fe74CoxY6-xB20(粒子数分数x=2,3,4)合金系,取不同的温度对合金进行热处理,用X射线衍射(XRD),差热分析仪(DSC),振动样品磁强计(VSM)等测试手段对样品的晶化过程、热性能和磁性能进行研究。结果表明:制备的Fe74CoxY6–xB20均为非晶合金,Fe74CoxY6-xB20(x=2,3,4)非晶合金的晶化激活能分别为473.7,583.0和570.1kJ/mol,Fe74Co3Y3B20非晶合金热稳定性最好。非晶合金Fe74CoxY6-xB20(x=2,3,4)的饱和磁化强度MS分别为110,105和109A·m2·kg–1,矫顽力都较低,适量地添加Co提高了合金的非晶形成能力和磁性能。
2015年09期 v.34;No.283 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 640K] [下载次数：75 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：98 ] - 吴新宇;余小霞;王海风;
采用熔融淬冷法制备了铁系氧化物(Fe_2O_3、Co_2O_3、Ni_2O_3)掺杂Bi_2O_3-ZnO-B_2O_3(BiZnB)系玻璃。分别采用差热分析法(DTA)、X射线衍射分析(XRD)、热膨胀仪等测试手段,研究各铁系氧化物对基础玻璃体系结构与性能的影响。结果表明,掺杂铁系氧化物后,BiZnB系玻璃的特征温度有所下降。玻璃转变温度(t_g)从416℃降低至406℃,软化温度(t_f)从464℃降至456℃,开始析晶温度(t_x)从633℃最低降至609℃,其中Ni_2O_3的降低作用最为显著。铁系氧化物的掺杂使玻璃的线膨胀系数(α)从99×10~(-7)/℃~(-1)增大至108×10~(-7)/℃~(-1)。BiZnB系玻璃掺杂铁系氧化物后,仍具有良好的化学稳定性。
2015年09期 v.34;No.283 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 2706K] [下载次数：221 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：97 ] - 刘培生;卢颖;杨龙龙;刘亚鸿;
针对一款LQFP塑封器件,利用ANSYS有限软件建立了三维模型,根据断裂参数——J积分,讨论分析了芯片/塑封料界面的三种分层区域模型,得到了分层的主要扩展模型,即凸形分层区域,同时提出了一种分层扩展趋势的新模型,进而对凸形分层模型探讨了温度和裂纹半径对器件分层的影响。仿真数据表明,在极端低温或高温下,器件的分层区域容易扩展;而在一定的应力条件下,裂纹扩展的趋势会受到裂纹半径大小的影响。
2015年09期 v.34;No.283 54-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 667K] [下载次数：314 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：90 ] - 王月;张经慧;
以无机盐作为金属源(InCl3、CuCl以及CS2),采用溶剂热法制备CuInS2纳米粒子。利用XRD和TEM等检测技术对产物的结构、尺寸和形貌进行表征。分析结果表明,实验得到的样品为分散性良好的黄铜矿结构CuInS2纳米粒子。随后以易热解的铜铟硫金属有机前体作为成膜交联剂,采用旋涂法制备了CuInS2薄膜(厚度约为1.5μm)。进一步分析样品光电性能表明,制备的CuInS2薄膜适合作为薄膜太阳能电池的吸收层。
2015年09期 v.34;No.283 59-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 417K] [下载次数：118 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：98 ] - 唐重樾;严敢;高存博;赵振生;吕玉祥;
全钒电池的传热参数优化和电堆温度分布的研究,对提高全钒电池的性能和可靠性起着重要的推进作用。基于对流传热的原理,提出了一个关于全钒液流电池系统的热模型,通过对不同流量和传热系数下全钒液流电池温度分布的研究,得到全钒电池电解液罐温度和电堆温度之间的关系。利用Fluent模拟仿真不同流量下电堆中电解液的温度分布。仿真结果表明,系统的对流换热参数和电解液流量是影响温度分布的重要因素,在该电池配置下电解液流量为90 cm3·s–1时,电堆的温度分布均匀,此时的电池性能较好。
2015年09期 v.34;No.283 62-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 227K] [下载次数：437 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：83 ] - 江宾;宋国华;张广庚;缪建文;余鹏飞;
针对现有远程荧光封装光源空间色温分布不均匀的问题,提出了一种间隙型荧光粉涂敷方法。通过在透明基板的不同位置上预留环状间隙,以及控制环状间隙的宽度来调节空间色温分布。理论分析和仿真都表明了这种方法能够改善空间色温分布均匀性,实验结果显示,在56 mm直径的透明基板上,随着环形间隙直径或者间隙宽度的增大,最小的色温差异先减小后增大。当环形间隙直径为44 mm,间隙宽度为1 mm时,白光LED的最小色温差异达到752 K。
2015年09期 v.34;No.283 67-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 589K] [下载次数：119 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：100 ] - 刘加凯;
温度载荷能够引起MEMS多层薄膜结构发生翘曲和分层等失效模式,而界面应力则是引起这些失效的直接原因。根据Suhir.E的双金属带热应力分布理论,对温度载荷作用下MEMS界面中的剪应力和剥离应力的分析表明,这两种应力随着与界面中心距离的增大呈指数增加,在界面端处达到最大值。界面应力与材料热膨胀系数和所加载温度呈线性相关,另外还与两材料层的厚度密切相关。以铜/铬组成的双层结构为例,利用Matlab数值仿真研究了界面应力与材料层厚度的关系,结果表明,界面应力与两材料层厚度比有关,当铜层和铬层厚度比为1.5时,层间剪应力和剥离应力均较小,可有效提高MEMS结构的可靠性,降低分层失效的概率。
2015年09期 v.34;No.283 71-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 326K] [下载次数：326 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：90 ] - 李震;朱记;
忆阻器被认为是除电阻、电容、电感元件之外的第四个基本的无源元件,由于它具有非易失记忆在众多领域里有广泛的应用前景。采用溶胶凝胶法在玻璃衬底上制备出TiO2薄膜,用探针法和半导体参数分析仪表征它的I-V特性,用原子力显微镜表征它的表面形貌,用台阶仪测量它的厚度。结果表明在两个电极之间的TiO2薄膜具有忆阻器特性,阈值电压约为0.8V,两态电阻分别是53?和5?。
2015年09期 v.34;No.283 75-77页 [查看摘要][在线阅读][下载 187K] [下载次数：403 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：94 ] - 龙国宁;杜作娟;黄小忠;周丁;
为分析泡沫吸波材料的隐身性能,建立了硬质聚氨酯基泡沫夹层吸波材料制作的三角面角反射器(TTCR)、圆柱体、三棱柱的模型,利用CST软件求解其在不同频率、不同入射角度的情况下的雷达散射截面(RCS),制作相应的实体构件对模型实测校验。计算结果与实际测量结果对比,RCS的主、副瓣位置基本相同,峰值误差在5 d Bsm以内。使用该方法对某型电大尺寸车辆目标单站RCS进行预估,结果表明,计算电大尺寸目标时得到的结果与理论相符。
2015年09期 v.34;No.283 78-82页 [查看摘要][在线阅读][下载 745K] [下载次数：499 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：78 ] - 杨放;卫铭斐;王民;王纯;周军妮;
提出并设计了一种改进的宽带圆极化三角形口径耦合微带贴片天线。该天线由L形微带线、三角形缝隙和三角形贴片组成。通过L形微带线形成圆极化,三角形缝隙和三角形贴片形成单向辐射,缝隙和贴片印刷在不同的介质基片上以提高天线增益并缩减口径尺寸,同时在三角形贴片上切去一个角改善天线的圆极化特性。用HFSS设计了一款L波段的口径耦合贴片天线。仿真结果表明,天线的阻抗带宽26.5%,圆极化带宽22.5%,平均增益7.7 d B。
2015年09期 v.34;No.283 83-85+91页 [查看摘要][在线阅读][下载 267K] [下载次数：189 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：73 ] - 卢瑛;沈亮;沈亚;蒋鹏;卢燕;
介绍了一种共面波导(CBCPW)与基片集成波导(SIW)的转换结构。区别于广泛采用的馈电点在共面的转换结构,该结构采用异面的馈电形式。一种变异的电流探针实现了两种传输线间的能量耦合,在CBCPW中的准TEM模通过它转换成SIW中的TE模。计算机辅助设计优化了该结构。实际制作并测试了一组背靠背的转换结构。测试结果显示在整个有效带宽达36%的频带内转换结构插损小于0.35dB。在同类结构中插损较小。
2015年09期 v.34;No.283 86-91页 [查看摘要][在线阅读][下载 705K] [下载次数：274 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：95 ] - 李立群;唐寿根;赵辉;
通过分析高k栅介质SOI LDMOS管沟道与埋氧层的关系,建立了SOI LDMOS管的阈特性模型。研究了器件主要结构参数对阈特性及小尺寸效应的影响,分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系。通过软件ISE TCAD进行模拟仿真。结果表明,在不同的tSi和NA条件下,阈值电压的模型计算与数值模拟值吻合率为94.8%,最大差值为0.012 V,不同沟道长度SOI LDMOS的阈值电压漂移率为3.52%,最大漂移电压为0.008 V,模型计算值与数值模拟结果基本吻合。
2015年09期 v.34;No.283 92-96页 [查看摘要][在线阅读][下载 312K] [下载次数：104 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：68 ] - 王经纬;冯全源;
设计了一种用于原边反馈反激变换器的电压采样电路,该电路利用一个具有正温度系数的电流去补偿输出整流二极管正向压降的负温度系数,以消除由二极管正向压降的温度系数导致的误差和系统的误操作,电路具有过零检测功能,能够检测次边二极管电流的过零位置,减小由二极管正向压降引起的误差。本电路采用0.5μm BiCMOS工艺,利用Hspice对电路进行仿真。结果表明,本电路能够有效抵消整流二极管80%的温度系数值并准确检测次边电流零点,提高采样精度。
2015年09期 v.34;No.283 97-100+110页 [查看摘要][在线阅读][下载 172K] [下载次数：207 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：76 ]