刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 3D硅基探测器研究现状

    杨君;殷华湘;贾云丛;李贞杰;

    柱电极垂直穿通硅片衬底的3D探测器和传统平面硅基探测器相比,具有耐辐射性、快速响应、低耗尽电压等优势,然而其器件结构、制备工艺以及系统集成上与传统结构不同,面临众多的技术挑战。近年许多机构对3D探测器开展了一系列的研究以简化其制备工艺实现工业化,本文系统性总结了3D硅基探测器的器件种类及特点、标准制备工艺等关键技术方法与路线,并对相关器件的性能与关键影响因素作出了总结,最后简要指出了3D硅基探测器的技术改进方向。

    2015年09期 v.34;No.283 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 318K]
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  • 3D硅基探测器研究现状

    杨君;殷华湘;贾云丛;李贞杰;

    柱电极垂直穿通硅片衬底的3D探测器和传统平面硅基探测器相比,具有耐辐射性、快速响应、低耗尽电压等优势,然而其器件结构、制备工艺以及系统集成上与传统结构不同,面临众多的技术挑战。近年许多机构对3D探测器开展了一系列的研究以简化其制备工艺实现工业化,本文系统性总结了3D硅基探测器的器件种类及特点、标准制备工艺等关键技术方法与路线,并对相关器件的性能与关键影响因素作出了总结,最后简要指出了3D硅基探测器的技术改进方向。

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  • 二维MoS_2纳米材料的制备及在光催化中的应用进展

    许颖;卜修明;王朋朋;王丁;王现英;

    二硫化钼(MoS2)是一种类石墨烯过渡金属二硫化物。单层MoS2凭借其超薄的层状结构和适宜的禁带宽度(1.9eV),在纳米电子学,光电子学和微纳器件等领域备受关注。此外,凭借丰富的边缘结构、巨大的比表面积、良好的化学稳定性和可调控禁带宽度,二维MoS2逐渐成为新型光催化材料的研究热点。综合近年来国内外关于二维MoS2在光催化领域的研究成果,详细归纳并梳理了二维MoS2的结构、性能及制备方法。特别关注了二维MoS2与其他半导体材料结合形成二元或三元光催化复合体系在光催化水解制氢和光催化降解有机污染物两方面的最新研究进展。最后,对二维MoS2在光催化领域的研究前景进行了展望。

    2015年09期 v.34;No.283 7-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 429K]
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  • 二维MoS_2纳米材料的制备及在光催化中的应用进展

    许颖;卜修明;王朋朋;王丁;王现英;

    二硫化钼(MoS2)是一种类石墨烯过渡金属二硫化物。单层MoS2凭借其超薄的层状结构和适宜的禁带宽度(1.9eV),在纳米电子学,光电子学和微纳器件等领域备受关注。此外,凭借丰富的边缘结构、巨大的比表面积、良好的化学稳定性和可调控禁带宽度,二维MoS2逐渐成为新型光催化材料的研究热点。综合近年来国内外关于二维MoS2在光催化领域的研究成果,详细归纳并梳理了二维MoS2的结构、性能及制备方法。特别关注了二维MoS2与其他半导体材料结合形成二元或三元光催化复合体系在光催化水解制氢和光催化降解有机污染物两方面的最新研究进展。最后,对二维MoS2在光催化领域的研究前景进行了展望。

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  • 导电胶在倒装芯片互连结构中的应用进展

    刘培生;杨龙龙;刘亚鸿;卢颖;

    介绍了导电胶的基本分类以及导电胶的渗透理论;讨论了各向异性导电胶(ACA)、各向同性导电胶(ICA)、绝缘粘合剂(NCA)在倒装芯片互连结构中的应用;分析了导电胶互连的可靠性。最后展望了导电胶的发展趋势。

    2015年09期 v.34;No.283 13-17+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 431K]
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  • 导电胶在倒装芯片互连结构中的应用进展

    刘培生;杨龙龙;刘亚鸿;卢颖;

    介绍了导电胶的基本分类以及导电胶的渗透理论;讨论了各向异性导电胶(ACA)、各向同性导电胶(ICA)、绝缘粘合剂(NCA)在倒装芯片互连结构中的应用;分析了导电胶互连的可靠性。最后展望了导电胶的发展趋势。

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  • 压电俘能器研究现状及新发展

    王二萍;高景霞;张金平;蔡艳艳;张洋洋;

    压电俘能器以其微型、环保、自供能的特点在微电子设备应用领域得到广泛关注。从压电俘能器常用的压电材料出发,简单总结了目前应用最广泛的压电陶瓷PZT、压电复合材料PVDF、1-3型压电纤维复合材料的性能和制备方法;阐述了压电俘能器的结构设计,在此基础上从提高压电能量俘获的效率和功率的角度重点介绍了接口电路的类型和俘获能量的效果,总结了压电俘能技术未来的研究趋势和方向。

    2015年09期 v.34;No.283 18-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 247K]
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  • 压电俘能器研究现状及新发展

    王二萍;高景霞;张金平;蔡艳艳;张洋洋;

    压电俘能器以其微型、环保、自供能的特点在微电子设备应用领域得到广泛关注。从压电俘能器常用的压电材料出发,简单总结了目前应用最广泛的压电陶瓷PZT、压电复合材料PVDF、1-3型压电纤维复合材料的性能和制备方法;阐述了压电俘能器的结构设计,在此基础上从提高压电能量俘获的效率和功率的角度重点介绍了接口电路的类型和俘获能量的效果,总结了压电俘能技术未来的研究趋势和方向。

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  • IGBT热阻测量方法的综述

    李志刚;张亚玲;曹博;王美茹;邹策策;

    通过对近年来国内外IGBT热阻测量技术进行分析,根据各方法测量原理不同归类为四种方法:热敏参数法、数学物理法、实测结温法、红外扫描法。描述了近年来热阻测量的不断改进之处,并总结了各测量方法的优缺点。最后分析了热阻测量的发展趋势和所需解决的关键问题。

    2015年09期 v.34;No.283 25-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 304K]
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  • IGBT热阻测量方法的综述

    李志刚;张亚玲;曹博;王美茹;邹策策;

    通过对近年来国内外IGBT热阻测量技术进行分析,根据各方法测量原理不同归类为四种方法:热敏参数法、数学物理法、实测结温法、红外扫描法。描述了近年来热阻测量的不断改进之处,并总结了各测量方法的优缺点。最后分析了热阻测量的发展趋势和所需解决的关键问题。

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  • Ag-SnO_2触头材料制备工艺的研究现状与发展趋势

    思芳;王俊勃;刘松涛;杨敏鸽;杨尔慧;

    结合当前银基触头材料制备的研究现状,介绍了Ag-SnO2触头材料的传统制备方法——合金内氧化法和粉末冶金法,分析了各种新技术在传统制备工艺中的应用。综述了近年来国内外Ag-SnO2触头材料的新型制备工艺,对比讨论了各种制备方法的优缺点,并在现有制备技术的基础上,展望了Ag-SnO2触头材料制备的发展趋势。

    2015年09期 v.34;No.283 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 205K]
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  • Ag-SnO_2触头材料制备工艺的研究现状与发展趋势

    思芳;王俊勃;刘松涛;杨敏鸽;杨尔慧;

    结合当前银基触头材料制备的研究现状,介绍了Ag-SnO2触头材料的传统制备方法——合金内氧化法和粉末冶金法,分析了各种新技术在传统制备工艺中的应用。综述了近年来国内外Ag-SnO2触头材料的新型制备工艺,对比讨论了各种制备方法的优缺点,并在现有制备技术的基础上,展望了Ag-SnO2触头材料制备的发展趋势。

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编读通信

  • 欢迎自荐审稿专家

    <正>本刊对审稿专家的基本要求如下:1.有足够精力、并热心支持本刊工作。2.从事电子元件与材料及其相关学科的院士、博士生导师、教授、研究员、中青年学术带头人,以及在国内外本研究领域有较深学术造诣的博士后人员。3.本着对作者负责、对科学负责的态度,客观、公平、公正、细致地评审稿件,并能如期对稿件给出评审结论,提出具体的意见和建议等。4.所在单位需是国家211工程院校或省部级以上研究院所。

    2015年09期 v.34;No.283 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 68K]
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  • 欢迎自荐审稿专家

    <正>本刊对审稿专家的基本要求如下:1.有足够精力、并热心支持本刊工作。2.从事电子元件与材料及其相关学科的院士、博士生导师、教授、研究员、中青年学术带头人,以及在国内外本研究领域有较深学术造诣的博士后人员。3.本着对作者负责、对科学负责的态度,客观、公平、公正、细致地评审稿件,并能如期对稿件给出评审结论,提出具体的意见和建议等。4.所在单位需是国家211工程院校或省部级以上研究院所。

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  • 《电子元件与材料》杂志社郑重声明

    <正>近来发现,网上有一些不法分子假借《电子元件与材料》杂志社的名义进行征文组稿,通过个人银行账户转账等方式骗取作者高额版面费。其行为不仅侵犯了作者的合法权益,也严重影响了杂志社的声誉。在此,《电子元件与材料》杂志社郑重声明:本杂志社自创刊至今从未委托任何代理机构为《电子元件与材料》征稿,也从不通过任何个人账户名义收款,任何中介或个人以委托或有关系代收论文、高额版面费、代审代修稿件,收取作者定金等行为均属诈

    2015年09期 v.34;No.283 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 124K]
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  • 《电子元件与材料》杂志社郑重声明

    <正>近来发现,网上有一些不法分子假借《电子元件与材料》杂志社的名义进行征文组稿,通过个人银行账户转账等方式骗取作者高额版面费。其行为不仅侵犯了作者的合法权益,也严重影响了杂志社的声誉。在此,《电子元件与材料》杂志社郑重声明:本杂志社自创刊至今从未委托任何代理机构为《电子元件与材料》征稿,也从不通过任何个人账户名义收款,任何中介或个人以委托或有关系代收论文、高额版面费、代审代修稿件,收取作者定金等行为均属诈

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  • 电子元件与材料月刊

    <正>国家百种重点期刊国家一级电子精品期刊中国科技核心期刊美国CA收录英国IEE INSPEC收录全国中文核心期刊您想找到世界新技术,优性能的电子元件、电子材料吗?想掌握本行业发展动态,了解国内外同行在做什么吗?想知道新的国际市场信息,寻求好的合作伙伴吗?——请关注本刊相关栏目。本刊集权威性、前瞻性和实用性为一体,贴近市场,贴近企业,本行业中从事管理、决策、科研、设计、制造、使用、销售、采购部门和大专院校不可缺少的读物。

    2015年09期 v.34;No.283 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 424K]
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  • 本刊书讯

    <正>~~

    2015年09期 v.34;No.283 96页 [查看摘要][在线阅读][下载 185K]
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  • 《电子元件与材料》读者免费索阅卡

    <正>~~

    2015年09期 v.34;No.283 112页 [查看摘要][在线阅读][下载 110K]
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研究与试制

  • 纳米WO_3/聚苯胺复合材料的制备及气敏性能

    桂阳海;王伟民;刘贝贝;苗赵阳;田俊峰;赵建波;

    用过硫酸铵作为氧化剂,通过界面聚合法制备纳米聚苯胺,并进一步通过水热法制备了纳米WO3/聚苯胺复合材料。通过XRD、FTIR、TG-DTA、SEM等手段对不同聚苯胺掺杂(质量分数为1%,5%,10%)的WO3/聚苯胺复合材料进行了表征,并进行了气敏性能研究。结果显示,合成的球状纳米WO3包覆棒状聚苯胺核-壳结构复合材料主晶相为正交晶系,晶粒大小约为20 nm;掺杂质量分数10%的聚苯胺后,主晶相变为六方晶系,晶粒大小为15 nm左右。复合材料的分解温度提高到262℃左右。气敏性能研究表明,复合材料在室温对三甲胺显示出较好的气敏性能,对体积分数200×10–6的三甲胺的灵敏度达到4.8。

    2015年09期 v.34;No.283 35-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 829K]
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  • 纳米WO_3/聚苯胺复合材料的制备及气敏性能

    桂阳海;王伟民;刘贝贝;苗赵阳;田俊峰;赵建波;

    用过硫酸铵作为氧化剂,通过界面聚合法制备纳米聚苯胺,并进一步通过水热法制备了纳米WO3/聚苯胺复合材料。通过XRD、FTIR、TG-DTA、SEM等手段对不同聚苯胺掺杂(质量分数为1%,5%,10%)的WO3/聚苯胺复合材料进行了表征,并进行了气敏性能研究。结果显示,合成的球状纳米WO3包覆棒状聚苯胺核-壳结构复合材料主晶相为正交晶系,晶粒大小约为20 nm;掺杂质量分数10%的聚苯胺后,主晶相变为六方晶系,晶粒大小为15 nm左右。复合材料的分解温度提高到262℃左右。气敏性能研究表明,复合材料在室温对三甲胺显示出较好的气敏性能,对体积分数200×10–6的三甲胺的灵敏度达到4.8。

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  • 晶界应力对BaTiO_3基无铅PTC热敏电阻居里温度的影响

    田野;曹全喜;赵方舟;

    采用固相法制备了掺杂(K0.5Bi0.5)TiO3(KBT)的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料(K0.5Bi0.5)xBa(1–x)TiO3。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电阻-温度测试对材料的微观组织和热敏特性进行了表征,研究了晶界处应力对所制陶瓷材料居里温度(tC)的影响,发现通过构建更多的氧八面体结构来减小晶界应力有助于提高居里温度,并制出了居里温度为137℃的无铅PTC元件。

    2015年09期 v.34;No.283 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 779K]
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  • 晶界应力对BaTiO_3基无铅PTC热敏电阻居里温度的影响

    田野;曹全喜;赵方舟;

    采用固相法制备了掺杂(K0.5Bi0.5)TiO3(KBT)的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料(K0.5Bi0.5)xBa(1–x)TiO3。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电阻-温度测试对材料的微观组织和热敏特性进行了表征,研究了晶界处应力对所制陶瓷材料居里温度(tC)的影响,发现通过构建更多的氧八面体结构来减小晶界应力有助于提高居里温度,并制出了居里温度为137℃的无铅PTC元件。

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  • CuBi_2(V_2O_5)掺杂Li_2O-ZnO-TiO_2系陶瓷的低温烧结和微波介电性能

    何茗;

    以CuBi2(V2O5)(简称为CBV)低熔点氧化物为烧结助剂,采用传统的固相烧结工艺制备了CBV掺杂的Li2O-ZnO-TiO2系微波陶瓷。并利用XRD、SEM等研究了Li2O-ZnO-TiO2系陶瓷的烧结行为、物相组成、显微结构及微波介电性能等。结果表明:当CBV掺杂量为质量分数3.25%时,875℃烧结的Li2O-ZnO-TiO2陶瓷微波具有良好的微波介电性能:εr=25.63,Q·f=53400GHz,τf=–5.27×10–6/℃。

    2015年09期 v.34;No.283 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 427K]
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  • CuBi_2(V_2O_5)掺杂Li_2O-ZnO-TiO_2系陶瓷的低温烧结和微波介电性能

    何茗;

    以CuBi2(V2O5)(简称为CBV)低熔点氧化物为烧结助剂,采用传统的固相烧结工艺制备了CBV掺杂的Li2O-ZnO-TiO2系微波陶瓷。并利用XRD、SEM等研究了Li2O-ZnO-TiO2系陶瓷的烧结行为、物相组成、显微结构及微波介电性能等。结果表明:当CBV掺杂量为质量分数3.25%时,875℃烧结的Li2O-ZnO-TiO2陶瓷微波具有良好的微波介电性能:εr=25.63,Q·f=53400GHz,τf=–5.27×10–6/℃。

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  • Fe_(74)Co_xY_(6-x)B_(20)合金的热稳定性和磁性

    董丽荣;宋健;于万秋;华中;

    采用单辊快淬法制备合金薄带Fe74CoxY6-xB20(粒子数分数x=2,3,4)合金系,取不同的温度对合金进行热处理,用X射线衍射(XRD),差热分析仪(DSC),振动样品磁强计(VSM)等测试手段对样品的晶化过程、热性能和磁性能进行研究。结果表明:制备的Fe74CoxY6–xB20均为非晶合金,Fe74CoxY6-xB20(x=2,3,4)非晶合金的晶化激活能分别为473.7,583.0和570.1kJ/mol,Fe74Co3Y3B20非晶合金热稳定性最好。非晶合金Fe74CoxY6-xB20(x=2,3,4)的饱和磁化强度MS分别为110,105和109A·m2·kg–1,矫顽力都较低,适量地添加Co提高了合金的非晶形成能力和磁性能。

    2015年09期 v.34;No.283 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 640K]
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  • Fe_(74)Co_xY_(6-x)B_(20)合金的热稳定性和磁性

    董丽荣;宋健;于万秋;华中;

    采用单辊快淬法制备合金薄带Fe74CoxY6-xB20(粒子数分数x=2,3,4)合金系,取不同的温度对合金进行热处理,用X射线衍射(XRD),差热分析仪(DSC),振动样品磁强计(VSM)等测试手段对样品的晶化过程、热性能和磁性能进行研究。结果表明:制备的Fe74CoxY6–xB20均为非晶合金,Fe74CoxY6-xB20(x=2,3,4)非晶合金的晶化激活能分别为473.7,583.0和570.1kJ/mol,Fe74Co3Y3B20非晶合金热稳定性最好。非晶合金Fe74CoxY6-xB20(x=2,3,4)的饱和磁化强度MS分别为110,105和109A·m2·kg–1,矫顽力都较低,适量地添加Co提高了合金的非晶形成能力和磁性能。

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  • 铁系氧化物对Bi_2O_3-ZnO-B_2O_3封接玻璃性能的影响

    吴新宇;余小霞;王海风;

    采用熔融淬冷法制备了铁系氧化物(Fe_2O_3、Co_2O_3、Ni_2O_3)掺杂Bi_2O_3-ZnO-B_2O_3(BiZnB)系玻璃。分别采用差热分析法(DTA)、X射线衍射分析(XRD)、热膨胀仪等测试手段,研究各铁系氧化物对基础玻璃体系结构与性能的影响。结果表明,掺杂铁系氧化物后,BiZnB系玻璃的特征温度有所下降。玻璃转变温度(t_g)从416℃降低至406℃,软化温度(t_f)从464℃降至456℃,开始析晶温度(t_x)从633℃最低降至609℃,其中Ni_2O_3的降低作用最为显著。铁系氧化物的掺杂使玻璃的线膨胀系数(α)从99×10~(-7)/℃~(-1)增大至108×10~(-7)/℃~(-1)。BiZnB系玻璃掺杂铁系氧化物后,仍具有良好的化学稳定性。

    2015年09期 v.34;No.283 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 2706K]
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  • 铁系氧化物对Bi_2O_3-ZnO-B_2O_3封接玻璃性能的影响

    吴新宇;余小霞;王海风;

    采用熔融淬冷法制备了铁系氧化物(Fe_2O_3、Co_2O_3、Ni_2O_3)掺杂Bi_2O_3-ZnO-B_2O_3(BiZnB)系玻璃。分别采用差热分析法(DTA)、X射线衍射分析(XRD)、热膨胀仪等测试手段,研究各铁系氧化物对基础玻璃体系结构与性能的影响。结果表明,掺杂铁系氧化物后,BiZnB系玻璃的特征温度有所下降。玻璃转变温度(t_g)从416℃降低至406℃,软化温度(t_f)从464℃降至456℃,开始析晶温度(t_x)从633℃最低降至609℃,其中Ni_2O_3的降低作用最为显著。铁系氧化物的掺杂使玻璃的线膨胀系数(α)从99×10~(-7)/℃~(-1)增大至108×10~(-7)/℃~(-1)。BiZnB系玻璃掺杂铁系氧化物后,仍具有良好的化学稳定性。

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  • 塑封器件芯片与塑封料界面分层的研究

    刘培生;卢颖;杨龙龙;刘亚鸿;

    针对一款LQFP塑封器件,利用ANSYS有限软件建立了三维模型,根据断裂参数——J积分,讨论分析了芯片/塑封料界面的三种分层区域模型,得到了分层的主要扩展模型,即凸形分层区域,同时提出了一种分层扩展趋势的新模型,进而对凸形分层模型探讨了温度和裂纹半径对器件分层的影响。仿真数据表明,在极端低温或高温下,器件的分层区域容易扩展;而在一定的应力条件下,裂纹扩展的趋势会受到裂纹半径大小的影响。

    2015年09期 v.34;No.283 54-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 667K]
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  • 塑封器件芯片与塑封料界面分层的研究

    刘培生;卢颖;杨龙龙;刘亚鸿;

    针对一款LQFP塑封器件,利用ANSYS有限软件建立了三维模型,根据断裂参数——J积分,讨论分析了芯片/塑封料界面的三种分层区域模型,得到了分层的主要扩展模型,即凸形分层区域,同时提出了一种分层扩展趋势的新模型,进而对凸形分层模型探讨了温度和裂纹半径对器件分层的影响。仿真数据表明,在极端低温或高温下,器件的分层区域容易扩展;而在一定的应力条件下,裂纹扩展的趋势会受到裂纹半径大小的影响。

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  • 黄铜矿结构CuInS_2薄膜的液相可控合成及电学性能表征

    王月;张经慧;

    以无机盐作为金属源(InCl3、CuCl以及CS2),采用溶剂热法制备CuInS2纳米粒子。利用XRD和TEM等检测技术对产物的结构、尺寸和形貌进行表征。分析结果表明,实验得到的样品为分散性良好的黄铜矿结构CuInS2纳米粒子。随后以易热解的铜铟硫金属有机前体作为成膜交联剂,采用旋涂法制备了CuInS2薄膜(厚度约为1.5μm)。进一步分析样品光电性能表明,制备的CuInS2薄膜适合作为薄膜太阳能电池的吸收层。

    2015年09期 v.34;No.283 59-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 417K]
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  • 黄铜矿结构CuInS_2薄膜的液相可控合成及电学性能表征

    王月;张经慧;

    以无机盐作为金属源(InCl3、CuCl以及CS2),采用溶剂热法制备CuInS2纳米粒子。利用XRD和TEM等检测技术对产物的结构、尺寸和形貌进行表征。分析结果表明,实验得到的样品为分散性良好的黄铜矿结构CuInS2纳米粒子。随后以易热解的铜铟硫金属有机前体作为成膜交联剂,采用旋涂法制备了CuInS2薄膜(厚度约为1.5μm)。进一步分析样品光电性能表明,制备的CuInS2薄膜适合作为薄膜太阳能电池的吸收层。

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  • 温度对全钒液流电池性能的影响

    唐重樾;严敢;高存博;赵振生;吕玉祥;

    全钒电池的传热参数优化和电堆温度分布的研究,对提高全钒电池的性能和可靠性起着重要的推进作用。基于对流传热的原理,提出了一个关于全钒液流电池系统的热模型,通过对不同流量和传热系数下全钒液流电池温度分布的研究,得到全钒电池电解液罐温度和电堆温度之间的关系。利用Fluent模拟仿真不同流量下电堆中电解液的温度分布。仿真结果表明,系统的对流换热参数和电解液流量是影响温度分布的重要因素,在该电池配置下电解液流量为90 cm3·s–1时,电堆的温度分布均匀,此时的电池性能较好。

    2015年09期 v.34;No.283 62-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 227K]
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  • 温度对全钒液流电池性能的影响

    唐重樾;严敢;高存博;赵振生;吕玉祥;

    全钒电池的传热参数优化和电堆温度分布的研究,对提高全钒电池的性能和可靠性起着重要的推进作用。基于对流传热的原理,提出了一个关于全钒液流电池系统的热模型,通过对不同流量和传热系数下全钒液流电池温度分布的研究,得到全钒电池电解液罐温度和电堆温度之间的关系。利用Fluent模拟仿真不同流量下电堆中电解液的温度分布。仿真结果表明,系统的对流换热参数和电解液流量是影响温度分布的重要因素,在该电池配置下电解液流量为90 cm3·s–1时,电堆的温度分布均匀,此时的电池性能较好。

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  • 间隙型白光LED荧光粉层涂敷的研究

    江宾;宋国华;张广庚;缪建文;余鹏飞;

    针对现有远程荧光封装光源空间色温分布不均匀的问题,提出了一种间隙型荧光粉涂敷方法。通过在透明基板的不同位置上预留环状间隙,以及控制环状间隙的宽度来调节空间色温分布。理论分析和仿真都表明了这种方法能够改善空间色温分布均匀性,实验结果显示,在56 mm直径的透明基板上,随着环形间隙直径或者间隙宽度的增大,最小的色温差异先减小后增大。当环形间隙直径为44 mm,间隙宽度为1 mm时,白光LED的最小色温差异达到752 K。

    2015年09期 v.34;No.283 67-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 589K]
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  • 间隙型白光LED荧光粉层涂敷的研究

    江宾;宋国华;张广庚;缪建文;余鹏飞;

    针对现有远程荧光封装光源空间色温分布不均匀的问题,提出了一种间隙型荧光粉涂敷方法。通过在透明基板的不同位置上预留环状间隙,以及控制环状间隙的宽度来调节空间色温分布。理论分析和仿真都表明了这种方法能够改善空间色温分布均匀性,实验结果显示,在56 mm直径的透明基板上,随着环形间隙直径或者间隙宽度的增大,最小的色温差异先减小后增大。当环形间隙直径为44 mm,间隙宽度为1 mm时,白光LED的最小色温差异达到752 K。

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  • MEMS多层结构的热应力分析

    刘加凯;

    温度载荷能够引起MEMS多层薄膜结构发生翘曲和分层等失效模式,而界面应力则是引起这些失效的直接原因。根据Suhir.E的双金属带热应力分布理论,对温度载荷作用下MEMS界面中的剪应力和剥离应力的分析表明,这两种应力随着与界面中心距离的增大呈指数增加,在界面端处达到最大值。界面应力与材料热膨胀系数和所加载温度呈线性相关,另外还与两材料层的厚度密切相关。以铜/铬组成的双层结构为例,利用Matlab数值仿真研究了界面应力与材料层厚度的关系,结果表明,界面应力与两材料层厚度比有关,当铜层和铬层厚度比为1.5时,层间剪应力和剥离应力均较小,可有效提高MEMS结构的可靠性,降低分层失效的概率。

    2015年09期 v.34;No.283 71-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 326K]
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  • MEMS多层结构的热应力分析

    刘加凯;

    温度载荷能够引起MEMS多层薄膜结构发生翘曲和分层等失效模式,而界面应力则是引起这些失效的直接原因。根据Suhir.E的双金属带热应力分布理论,对温度载荷作用下MEMS界面中的剪应力和剥离应力的分析表明,这两种应力随着与界面中心距离的增大呈指数增加,在界面端处达到最大值。界面应力与材料热膨胀系数和所加载温度呈线性相关,另外还与两材料层的厚度密切相关。以铜/铬组成的双层结构为例,利用Matlab数值仿真研究了界面应力与材料层厚度的关系,结果表明,界面应力与两材料层厚度比有关,当铜层和铬层厚度比为1.5时,层间剪应力和剥离应力均较小,可有效提高MEMS结构的可靠性,降低分层失效的概率。

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  • 溶胶凝胶法制备TiO_2薄膜忆阻器

    李震;朱记;

    忆阻器被认为是除电阻、电容、电感元件之外的第四个基本的无源元件,由于它具有非易失记忆在众多领域里有广泛的应用前景。采用溶胶凝胶法在玻璃衬底上制备出TiO2薄膜,用探针法和半导体参数分析仪表征它的I-V特性,用原子力显微镜表征它的表面形貌,用台阶仪测量它的厚度。结果表明在两个电极之间的TiO2薄膜具有忆阻器特性,阈值电压约为0.8V,两态电阻分别是53?和5?。

    2015年09期 v.34;No.283 75-77页 [查看摘要][在线阅读][下载 187K]
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  • 溶胶凝胶法制备TiO_2薄膜忆阻器

    李震;朱记;

    忆阻器被认为是除电阻、电容、电感元件之外的第四个基本的无源元件,由于它具有非易失记忆在众多领域里有广泛的应用前景。采用溶胶凝胶法在玻璃衬底上制备出TiO2薄膜,用探针法和半导体参数分析仪表征它的I-V特性,用原子力显微镜表征它的表面形貌,用台阶仪测量它的厚度。结果表明在两个电极之间的TiO2薄膜具有忆阻器特性,阈值电压约为0.8V,两态电阻分别是53?和5?。

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  • 泡沫吸波材料雷达隐身性能仿真方法研究

    龙国宁;杜作娟;黄小忠;周丁;

    为分析泡沫吸波材料的隐身性能,建立了硬质聚氨酯基泡沫夹层吸波材料制作的三角面角反射器(TTCR)、圆柱体、三棱柱的模型,利用CST软件求解其在不同频率、不同入射角度的情况下的雷达散射截面(RCS),制作相应的实体构件对模型实测校验。计算结果与实际测量结果对比,RCS的主、副瓣位置基本相同,峰值误差在5 d Bsm以内。使用该方法对某型电大尺寸车辆目标单站RCS进行预估,结果表明,计算电大尺寸目标时得到的结果与理论相符。

    2015年09期 v.34;No.283 78-82页 [查看摘要][在线阅读][下载 745K]
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  • 泡沫吸波材料雷达隐身性能仿真方法研究

    龙国宁;杜作娟;黄小忠;周丁;

    为分析泡沫吸波材料的隐身性能,建立了硬质聚氨酯基泡沫夹层吸波材料制作的三角面角反射器(TTCR)、圆柱体、三棱柱的模型,利用CST软件求解其在不同频率、不同入射角度的情况下的雷达散射截面(RCS),制作相应的实体构件对模型实测校验。计算结果与实际测量结果对比,RCS的主、副瓣位置基本相同,峰值误差在5 d Bsm以内。使用该方法对某型电大尺寸车辆目标单站RCS进行预估,结果表明,计算电大尺寸目标时得到的结果与理论相符。

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  • 一种改进的圆极化三角形口径耦合贴片天线

    杨放;卫铭斐;王民;王纯;周军妮;

    提出并设计了一种改进的宽带圆极化三角形口径耦合微带贴片天线。该天线由L形微带线、三角形缝隙和三角形贴片组成。通过L形微带线形成圆极化,三角形缝隙和三角形贴片形成单向辐射,缝隙和贴片印刷在不同的介质基片上以提高天线增益并缩减口径尺寸,同时在三角形贴片上切去一个角改善天线的圆极化特性。用HFSS设计了一款L波段的口径耦合贴片天线。仿真结果表明,天线的阻抗带宽26.5%,圆极化带宽22.5%,平均增益7.7 d B。

    2015年09期 v.34;No.283 83-85+91页 [查看摘要][在线阅读][下载 267K]
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  • 一种改进的圆极化三角形口径耦合贴片天线

    杨放;卫铭斐;王民;王纯;周军妮;

    提出并设计了一种改进的宽带圆极化三角形口径耦合微带贴片天线。该天线由L形微带线、三角形缝隙和三角形贴片组成。通过L形微带线形成圆极化,三角形缝隙和三角形贴片形成单向辐射,缝隙和贴片印刷在不同的介质基片上以提高天线增益并缩减口径尺寸,同时在三角形贴片上切去一个角改善天线的圆极化特性。用HFSS设计了一款L波段的口径耦合贴片天线。仿真结果表明,天线的阻抗带宽26.5%,圆极化带宽22.5%,平均增益7.7 d B。

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  • 一种异面馈电模式的CBCPW与SIW的转换结构

    卢瑛;沈亮;沈亚;蒋鹏;卢燕;

    介绍了一种共面波导(CBCPW)与基片集成波导(SIW)的转换结构。区别于广泛采用的馈电点在共面的转换结构,该结构采用异面的馈电形式。一种变异的电流探针实现了两种传输线间的能量耦合,在CBCPW中的准TEM模通过它转换成SIW中的TE模。计算机辅助设计优化了该结构。实际制作并测试了一组背靠背的转换结构。测试结果显示在整个有效带宽达36%的频带内转换结构插损小于0.35dB。在同类结构中插损较小。

    2015年09期 v.34;No.283 86-91页 [查看摘要][在线阅读][下载 705K]
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  • 一种异面馈电模式的CBCPW与SIW的转换结构

    卢瑛;沈亮;沈亚;蒋鹏;卢燕;

    介绍了一种共面波导(CBCPW)与基片集成波导(SIW)的转换结构。区别于广泛采用的馈电点在共面的转换结构,该结构采用异面的馈电形式。一种变异的电流探针实现了两种传输线间的能量耦合,在CBCPW中的准TEM模通过它转换成SIW中的TE模。计算机辅助设计优化了该结构。实际制作并测试了一组背靠背的转换结构。测试结果显示在整个有效带宽达36%的频带内转换结构插损小于0.35dB。在同类结构中插损较小。

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  • 高k栅介质SOILDMOS管阈特性分析与建模

    李立群;唐寿根;赵辉;

    通过分析高k栅介质SOI LDMOS管沟道与埋氧层的关系,建立了SOI LDMOS管的阈特性模型。研究了器件主要结构参数对阈特性及小尺寸效应的影响,分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系。通过软件ISE TCAD进行模拟仿真。结果表明,在不同的tSi和NA条件下,阈值电压的模型计算与数值模拟值吻合率为94.8%,最大差值为0.012 V,不同沟道长度SOI LDMOS的阈值电压漂移率为3.52%,最大漂移电压为0.008 V,模型计算值与数值模拟结果基本吻合。

    2015年09期 v.34;No.283 92-96页 [查看摘要][在线阅读][下载 312K]
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  • 高k栅介质SOILDMOS管阈特性分析与建模

    李立群;唐寿根;赵辉;

    通过分析高k栅介质SOI LDMOS管沟道与埋氧层的关系,建立了SOI LDMOS管的阈特性模型。研究了器件主要结构参数对阈特性及小尺寸效应的影响,分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系。通过软件ISE TCAD进行模拟仿真。结果表明,在不同的tSi和NA条件下,阈值电压的模型计算与数值模拟值吻合率为94.8%,最大差值为0.012 V,不同沟道长度SOI LDMOS的阈值电压漂移率为3.52%,最大漂移电压为0.008 V,模型计算值与数值模拟结果基本吻合。

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  • 用于原边反馈反激变换器的电压采样电路设计

    王经纬;冯全源;

    设计了一种用于原边反馈反激变换器的电压采样电路,该电路利用一个具有正温度系数的电流去补偿输出整流二极管正向压降的负温度系数,以消除由二极管正向压降的温度系数导致的误差和系统的误操作,电路具有过零检测功能,能够检测次边二极管电流的过零位置,减小由二极管正向压降引起的误差。本电路采用0.5μm BiCMOS工艺,利用Hspice对电路进行仿真。结果表明,本电路能够有效抵消整流二极管80%的温度系数值并准确检测次边电流零点,提高采样精度。

    2015年09期 v.34;No.283 97-100+110页 [查看摘要][在线阅读][下载 172K]
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  • 用于原边反馈反激变换器的电压采样电路设计

    王经纬;冯全源;

    设计了一种用于原边反馈反激变换器的电压采样电路,该电路利用一个具有正温度系数的电流去补偿输出整流二极管正向压降的负温度系数,以消除由二极管正向压降的温度系数导致的误差和系统的误操作,电路具有过零检测功能,能够检测次边二极管电流的过零位置,减小由二极管正向压降引起的误差。本电路采用0.5μm BiCMOS工艺,利用Hspice对电路进行仿真。结果表明,本电路能够有效抵消整流二极管80%的温度系数值并准确检测次边电流零点,提高采样精度。

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可靠性

  • 基于热疲劳状态监测的PCB无铅焊点可靠性研究

    毛书勤;郭立红;许艳军;曹彦波;郭汝海;

    以PCB片式电阻器件无铅焊点为研究对象,开展与有铅焊点剪切力-热疲劳状态比较试验研究。采用了伪失效寿命比较方法,获得了有限周期温度冲击下的焊点剪切力试验数据,采用非线性最小二乘法进行剪切力数据的曲线拟合。结果表明,封装尺寸是影响焊点热疲劳性能的重要因素。在1 500个有限周期内,无铅焊点的热疲劳性能优于有铅焊点。

    2015年09期 v.34;No.283 101-104页 [查看摘要][在线阅读][下载 128K]
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  • 基于热疲劳状态监测的PCB无铅焊点可靠性研究

    毛书勤;郭立红;许艳军;曹彦波;郭汝海;

    以PCB片式电阻器件无铅焊点为研究对象,开展与有铅焊点剪切力-热疲劳状态比较试验研究。采用了伪失效寿命比较方法,获得了有限周期温度冲击下的焊点剪切力试验数据,采用非线性最小二乘法进行剪切力数据的曲线拟合。结果表明,封装尺寸是影响焊点热疲劳性能的重要因素。在1 500个有限周期内,无铅焊点的热疲劳性能优于有铅焊点。

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研究简报

  • 石墨烯纳米带探测器的仿真与结构优化

    魏培文;

    石墨烯的光学响应极其微弱,制约了它在光电子学领域的应用。介绍了石墨烯探测器的基本工作原理,基于石墨烯材料的带隙调控机理建立了石墨烯纳米带探测器结构模型,并进行数学模拟仿真,分析了纳米带宽度、I区长度及偏置电压对响应电流的影响,从而优化石墨烯纳米带探测器的结构参数,为高灵敏度室温石墨烯探测器的研究奠定基础。

    2015年09期 v.34;No.283 105-107页 [查看摘要][在线阅读][下载 230K]
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  • 石墨烯纳米带探测器的仿真与结构优化

    魏培文;

    石墨烯的光学响应极其微弱,制约了它在光电子学领域的应用。介绍了石墨烯探测器的基本工作原理,基于石墨烯材料的带隙调控机理建立了石墨烯纳米带探测器结构模型,并进行数学模拟仿真,分析了纳米带宽度、I区长度及偏置电压对响应电流的影响,从而优化石墨烯纳米带探测器的结构参数,为高灵敏度室温石墨烯探测器的研究奠定基础。

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  • 基于MATLAB的石墨烯场效应晶体管电学特性研究

    徐建丽;

    石墨烯场效应晶体管的结构参数是对晶体管电学特性有重要影响。利用MATLAB软件平台仿真研究了石墨烯场效应晶体管势垒层厚度、栅极长度、平面掺杂浓度、温度等结构参数对晶体管结构电学特性的影响规律,并根据研究选择最佳的结构参数,为石墨烯场效应晶体管加工工艺提供依据。

    2015年09期 v.34;No.283 108-110页 [查看摘要][在线阅读][下载 152K]
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  • 基于MATLAB的石墨烯场效应晶体管电学特性研究

    徐建丽;

    石墨烯场效应晶体管的结构参数是对晶体管电学特性有重要影响。利用MATLAB软件平台仿真研究了石墨烯场效应晶体管势垒层厚度、栅极长度、平面掺杂浓度、温度等结构参数对晶体管结构电学特性的影响规律,并根据研究选择最佳的结构参数,为石墨烯场效应晶体管加工工艺提供依据。

    2015年09期 v.34;No.283 108-110页 [查看摘要][在线阅读][下载 152K]
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  • 全新SCHOTT TEC TO封装10Gbit/s带制冷器件的理想封装选择

    <正>2015年8月31日,德国高科技跨国公司肖特拓展了其面向10GBit/s应用的高性能TO封装设计组合,用于满足高频、带制冷有源器件应用的需求。全新的SCHOTT&#174;TECTO封装可助力电信及数据通信领域开发出数据传输速率极高的应用,是需要热电制冷器(TEC)的10GBit/s激光器的理想选择,可实现中长距离传输。基于TO结构的封装,其尺寸也小于常规壳体式封装。

    2015年09期 v.34;No.283 58页 [查看摘要][在线阅读][下载 38K]
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  • 全新SCHOTT TEC TO封装10Gbit/s带制冷器件的理想封装选择

    <正>2015年8月31日,德国高科技跨国公司肖特拓展了其面向10GBit/s应用的高性能TO封装设计组合,用于满足高频、带制冷有源器件应用的需求。全新的SCHOTT&#174;TECTO封装可助力电信及数据通信领域开发出数据传输速率极高的应用,是需要热电制冷器(TEC)的10GBit/s激光器的理想选择,可实现中长距离传输。基于TO结构的封装,其尺寸也小于常规壳体式封装。

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  • ADVA并购芬兰SFP封装同步器件厂家Time

    <正>德国光传输设备厂商ADVA在2015年8月初宣布其晶振网络同步业务收购芬兰小型化时钟同步技术产品提供商Time4系统公司。Time4的SFP可插拔式产品可以用于ADVA针对小基站部署以及其他对空间敏感的网络环境中。ADVA的晶振业务位于瑞士,来自于去年一次并购。ADVA CEO Brian Protiva表示,Time4对于同步技术有很好的理解。他们的SFP可插拔同步器件是一款很好的产品,是电信业一个突破。这个技术在对于同步技术要求很高的电信网中非常重要,这就是ADVA收

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  • ADVA并购芬兰SFP封装同步器件厂家Time

    <正>德国光传输设备厂商ADVA在2015年8月初宣布其晶振网络同步业务收购芬兰小型化时钟同步技术产品提供商Time4系统公司。Time4的SFP可插拔式产品可以用于ADVA针对小基站部署以及其他对空间敏感的网络环境中。ADVA的晶振业务位于瑞士,来自于去年一次并购。ADVA CEO Brian Protiva表示,Time4对于同步技术有很好的理解。他们的SFP可插拔同步器件是一款很好的产品,是电信业一个突破。这个技术在对于同步技术要求很高的电信网中非常重要,这就是ADVA收

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  • 中国测试技术研究院为四川省钒电池产业关键技术研究提供测试技术服务

    <正>电池技术是新能源储能领域的研究热点。目前,锂电池和铅酸电池已得到广泛应用,但大容量锂电池造价成本高,铅酸电池容易造成环境污染且循环寿命差,在风能、光伏储能领域的应用前景十分有限。全钒液流电池(Vanadium Redox Flow Battery,VRB)具有大容量、低成本、功率可调的优点,已在日本、南非、北美等地用作电站调峰和太阳能、风力发电的储能介质。

    2015年09期 v.34;No.283 66页 [查看摘要][在线阅读][下载 83K]
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  • 中国测试技术研究院为四川省钒电池产业关键技术研究提供测试技术服务

    <正>电池技术是新能源储能领域的研究热点。目前,锂电池和铅酸电池已得到广泛应用,但大容量锂电池造价成本高,铅酸电池容易造成环境污染且循环寿命差,在风能、光伏储能领域的应用前景十分有限。全钒液流电池(Vanadium Redox Flow Battery,VRB)具有大容量、低成本、功率可调的优点,已在日本、南非、北美等地用作电站调峰和太阳能、风力发电的储能介质。

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  • 钒电池潜力被不断挖掘2017年市场规模将达11000亿

    <正>在新能源技术开发成为全球性发展趋势的时期,各种新能源的潜力被不断挖掘。近期,普能集团与攀钢集团、万里通公司研发出了一种千瓦级的钒电池产品已经批量生产,还有一款兆瓦级的钒电池产品处于商业化示范阶段。随着钒电池的潜力被不断挖掘,有关钒电池的应用报道应接不暇:海南政府引进德国大众汽车高效能钒电池项目,预计2017年投产;在泰州的钒电池项目有望有100亿元的规模。钒电池是一种活性物质呈循环流动液态的氧化还原电池,是一种新型清洁能源存储装置。钒电池与市场

    2015年09期 v.34;No.283 66页 [查看摘要][在线阅读][下载 83K]
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  • 钒电池潜力被不断挖掘2017年市场规模将达11000亿

    <正>在新能源技术开发成为全球性发展趋势的时期,各种新能源的潜力被不断挖掘。近期,普能集团与攀钢集团、万里通公司研发出了一种千瓦级的钒电池产品已经批量生产,还有一款兆瓦级的钒电池产品处于商业化示范阶段。随着钒电池的潜力被不断挖掘,有关钒电池的应用报道应接不暇:海南政府引进德国大众汽车高效能钒电池项目,预计2017年投产;在泰州的钒电池项目有望有100亿元的规模。钒电池是一种活性物质呈循环流动液态的氧化还原电池,是一种新型清洁能源存储装置。钒电池与市场

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