- 王宏伟;王丽坤;郑永红;
研制一种2-2型圆管压电复合材料。将压电陶瓷圆管沿轴向方向均匀切割,把环氧树脂浇注于切槽,经打磨和蒸镀电极,制成2-2型压电复合材料圆管。对压电复合材料圆管的压电和介电性能进行测试,结果为谐振频率388 k Hz,带宽11.2 k Hz,声阻抗18.05 Pa·s/m3,相对介电常数859,声速3 200 m/s,d33常数480 p C/N,振动位移89.5 pm。该压电复合材料圆管适合做水平全向宽带换能器。
2015年07期 v.34;No.281 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1085K] [下载次数：186 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：140 ] - 杨凌;蒲中柱;黄麟;邓平聆;苏婧;
基于三次非线性数学模型,采用通用有源电路元器件完成了一种磁控忆阻器的"浮地"二端口等效电路实现,基于Multisim电路仿真软件并搭建实际硬件电路研究了其伏安特性,进而研究了基于该有源磁控忆阻器的WC高通和低通滤波电路的频率特性,并与无源RC高通和低通滤波电路的频率特性进行了比较。软件仿真和硬件实验结果表明:有源WC高通滤波电路与无源RC高通滤波电路呈现相似的幅频和相频特性,而有源WC低通滤波电路的频率特性不同于单极点的无源RC低通滤波电路,其幅频和相频特性均呈现出多极点的特性。
2015年07期 v.34;No.281 5-10+14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1887K] [下载次数：405 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：101 ] - 王连胜;夏冬艳;丁学用;汪源;付全红;
基于二氧化钒(VO2)薄膜的绝缘-金属相变特性,提出了一种温控可调谐的极化无关超材料吸波体,研究了单环、双环和三环结构超材料吸波体对电磁波的吸收特性和温控可调谐特性。当电磁波垂直入射时,单环、双环和三环结构超材料吸波体在2~20 GHz范围内分别出现了1个、2个和3个吸收峰,随着结构单元环数增加,吸收峰逐步增加;由于超材料吸波体是二维全向对称的,故其吸收特性是电磁波极化无关的;当温度从40℃至80℃变化时,吸收特性发生明显的变化,实现了极化无关超材料吸波体的可调谐效果。
2015年07期 v.34;No.281 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 894K] [下载次数：356 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：108 ] - 姬鹏霞;张惠敏;常爱民;
分别采用固相反应法和空间俘获法制备了Ca3Co4O9前驱体,并经冷等静压后常压烧结工艺制备了块体陶瓷样品。利用TG-DSC、XRD、SEM等方法对前驱体进行了表征,同时测试了陶瓷样品的热电性能。结果表明:空间俘获法可获得纯相、晶粒较小的前驱粉体,同时降低了合成温度,而且合成样品的Seebeck系数和功率因子明显高于固相反应法。在976 K获得最大Seebeck系数和功率因子分别为179μV/K、7.5×10–7 W/(cm·K2),较固相反应优化60%、16倍;电阻率略有升高。
2015年07期 v.34;No.281 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 847K] [下载次数：154 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：138 ] - 张永坡;谈发堂;王维;乔学亮;陈建国;王文利;
纳米银线由于具有优良的电学及光学性能而受到广泛关注。采用微波辅助加热技术,成功制备了高长径比的纳米银线,采用XRD、SEM研究了产物的物相组成及形貌,用紫外-可见光分光光度法测试不同条件下制备的纳米银的吸收光谱,详细探讨了反应因素对生成的纳米银线的影响。研究表明:纳米银线的最佳制备条件为微波功率300 W,硝酸银与PVP质量比1:2.5,氯化钠浓度2.5 mmol/L,反应时间4 min,反应温度190℃,产物为纯的纳米银线,直径约40 nm,长度约15μm。较之传统水热法,本方案仅需4 min就制备出高长径比纳米银线,优势明显。
2015年07期 v.34;No.281 19-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 2518K] [下载次数：394 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：86 ] - 牟雪婷;谢泉;肖清泉;郭笑天;熊锡成;
以107室温硫化硅橡胶作为橡胶基体,石墨和石墨烯纳米薄片为导电填料,用常温加压固化的方法制备出导电硅橡胶。研究了石墨含量及拉力对导电硅橡胶电阻的影响以及填充石墨烯对导电硅橡胶导电性能的影响。结果表明:仅添加石墨,且石墨质量分数为41.2%时,拉敏性能最佳;在导电填料总含量为质量分数35.5%~41.2%时,添加0.04 g石墨烯能有效改善其导电性能,但拉力敏感性降低。
2015年07期 v.34;No.281 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1923K] [下载次数：450 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：71 ] - 王小羊;
采用量子输运模型和NEGF理论,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg为5~25 nm时,其对器件的导通电流、阈值电压、关态泄漏电流、电流开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果表明:当Lg≥15 nm时,MOS-CNTFET没有量子尺寸效应;当Lg<15 nm时,器件出现短沟道效应;Lg<10 nm时短沟道效应更加明显。
2015年07期 v.34;No.281 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 733K] [下载次数：196 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：85 ] - 邹龙生;黄宁湘;杨峰;程翠华;赵勇;
用Pechini法在FTO导电玻璃上制备不同厚度的TiO2薄膜,并组装成染料敏化太阳能电池。XRD结果表明,在450℃退火1h得到了主相为锐钛矿的TiO2。SEM结果表明,TiO2薄膜表面疏松多孔,粒径均匀,厚度在6~15μm。紫外-可见光谱分析表明,TiO2薄膜染料的吸附量随薄膜厚度的增加而增加。光电性能研究表明,在0.005W/cm2的弱光照下,膜1(厚6μm)和膜2(厚15μm)光阳极的光电转换效率分别为6.85%和11.83%;在0.1 W/cm2的模拟标准太阳光照下,膜1和膜2光阳极的光电转换效率分别为1.72%和2.39%。
2015年07期 v.34;No.281 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 955K] [下载次数：138 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：103 ] - 张文翔;王林均;周萍;万中全;
首先采用水热法制备TiO2纳米棒光阳极,并引入Au@Si O2纳米颗粒对其性能进行改善。结果表明,Au@Si O2纳米颗粒的引入虽然增强了光吸收,但同时减少了染料在TiO2纳米棒上的吸附量,反而导致了电池器件性能的下降。因此,在TiO2纳米棒/Au@Si O2纳米颗粒结构上进一步生长一层TiO2钝化层:一方面可增加染料吸附量;另一方面有利于减少电荷复合。基于这种光阳极组装的染料敏化太阳能电池获得了2.34%的光电转换效率,较单一TiO2纳米棒光阳极组装的电池效率提高了60%。
2015年07期 v.34;No.281 35-37+41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1697K] [下载次数：189 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：100 ] - 黄斯楷;杨元政;谢致微;
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备CuCrO2薄膜,研究退火温度对CuCrO2薄膜结构和光学性能的影响。结果表明:未经退火处理的CuCrO2薄膜为非晶态,颗粒较小,可见光透射率仅为56%。退火处理能够改善CuCrO2薄膜的结构和透光性能。随着退火温度的升高,薄膜结晶化程度逐渐增强,孔洞缺陷逐渐减少,薄膜逐渐变得平整致密,薄膜的透光性能得到改善,薄膜的吸收边向短波方向移动。当退火温度为800℃时,薄膜的性能最优,可见光透射率达到70%。光学带隙宽度为3.06eV。
2015年07期 v.34;No.281 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1114K] [下载次数：136 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：148 ] - 林钢;张汉焱;孙楹煌;黄仁松;胡庆文;
以Mo-10%Nb(10%为粒子数分数)合金为靶材,采用直流磁控溅射法在钠钙玻璃基板上制备了MoNb薄膜。采用台阶仪、四探针电阻仪和AFM分别测试了Mo Nb薄膜的厚度、方块电阻及表面形貌。研究了功率密度、工艺气压及衬底温度对MoNb薄膜性能及其生长特性的影响。实验结果表明:功率密度增加2倍时,MoNb薄膜的沉积速率提升1.8倍,而电阻率降低2.3倍;工艺气压增大4倍时,MoNb薄膜的沉积速率提升1.5倍,其电阻率增大13倍。同时发现:衬底温度增加了135℃时,MoNb薄膜的表面粗糙度增加0.567nm,颗粒大小增加3.36nm。
2015年07期 v.34;No.281 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 1530K] [下载次数：136 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：95 ] - 张宝晖;谢泉;肖清泉;廖杨芳;杨云良;
采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结,研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底沉积不同厚度的Mg膜,然后进行低真空热处理,制备不同厚度的Mg2Si/Si异质结。通过XRD、SEM对Mg2Si/Si异质结中Mg2Si的晶体结构、异质结表面和剖面形貌进行分析,结果表明:制备了单一相Mg2Si薄膜,Mg2Si(220)衍射峰最强,异质结界面平整。通过四探针仪测量电阻率进行分析,发现电阻率随Mg2Si膜厚的增加而减小。
2015年07期 v.34;No.281 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 2065K] [下载次数：81 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：124 ] - 苏娜;刘炳杰;
采用高温固相合成工艺制备了KSrPO4:x Eu3+红色发光材料,通过X射线衍射、荧光光谱、量子效率仪、封装对发光材料的晶体结构及发光特性进行了研究。XRD表明KSrPO4晶体结构并没有随着Eu3+的掺入而发生变化;荧光光谱表明KSrPO4:Eu3+在394 nm处存在最强激发峰,发射光谱最强发射峰为612nm;量子效率研究表明随着Eu3+掺杂量的增加,量子效率先增后降,在Eu3+掺杂量x=0.04时,量子效率存在最大值51%;封装光源的显色指数为83,色温3497 K,并且随着电流的变化色坐标(X,Y)基本保持不变,因此,KSrPO4:Eu3+红色发光材料作为近紫外激发的红色发光材料具有一定的潜力。
2015年07期 v.34;No.281 50-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 949K] [下载次数：109 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：87 ] - 梁兴华;夏德玲;杨力勋;叶雪萍;李佳恩;
发现ICP damage制作电流阻挡层的制程会导致垂直结构LED在老化过程中发生漏电。通过更换反射层的金属及EMMI&SEM分析,发现老化漏电的原因来源于反射金属——Ag的电迁移,迁移通道可能来源于ICP打开穿透位错的封口。在缺陷位错内填入低电迁移率金属并检测。结果表明,填入低电迁移率金属后既解决了老化漏电问题,同时不影响芯片的初始光电特性。
2015年07期 v.34;No.281 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 1326K] [下载次数：124 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：78 ] - 廖天澄;王程左;李威;
提出了一种应用于LED照明的原边控制电路,通过控制变压器初级峰值电流与tDIS/TS(占空比)的乘积为一个常数,从而实现平均输出电流恒流;通过检测电压谷底来开启原边功率管,大大减小了导通开关损耗。仿真结果表明,该电路成功实现了平均输出电流的恒流控制,效率为93.3%,说明驱动反激变换器工作在准谐振模式有较高的转换效率。
2015年07期 v.34;No.281 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 848K] [下载次数：109 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：102 ] - 谢鹏飞;
提出一种新型的低功耗多谐振荡式电压频率转换器电路的设计,采用0.18μm CMOS工艺制程,拥有较大的输入电压范围,根据CSMC 0.18μm工艺参数,在Spectre上仿真。结果表明,该电路在0~1.6 V的输入电压下输出0~2.0 MHz的频率信号,灵敏度1.25 MHz/V,输出频率相对误差小于6.8%,电路的最大功耗0.23 m W。得到预期的设计结果。
2015年07期 v.34;No.281 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 791K] [下载次数：150 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：63 ] - 刘超;陈钟荣;
设计了一款UHF频段RFID超薄抗金属电子标签天线,该天线采用Koch分形结构实现小型化。天线采用FPC材料作为标签天线的介质基板,厚度仅为0.25 mm。其良好的柔韧性使其能用于有共形要求的场合。仿真和测试表明,提出的天线具有较宽的带宽(900~930 MHz)、相对高的增益(约–10.7 d B)、较高的天线效率及较大的阅读距离(约3 m),可应用于物联网中对金属物体的管理。
2015年07期 v.34;No.281 64-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 1003K] [下载次数：394 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：115 ] - 胡少文;刘波平;付康;
提出了一种应用于2.4 GHz有源RFID(Radio Frequency Identification)标签室内定位探测天线,通过扫描探测和提取标签信号,精确探测RFID标签的位置。仿真结果表明:在中心频率点(2.4 GHz)S11=–14.78 d B,且H面的波束约在12o,达到窄波束的要求。经对该天线实测得:在2.4 GHz其回波损耗为–14.36 d B、H面的波束约在19o,仿真结果与实测结果比较接近,满足2.4 GHz有源RFID标签室内定位的需求。
2015年07期 v.34;No.281 68-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 1481K] [下载次数：292 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：131 ] - 周涛;裴德礼;陆晓东;吴元庆;
基于非等温能量平衡传输模型,利用Silvaco-TCAD全面系统地分析了发射区半宽度(LE)、发射区边缘刻蚀结构以及浮空发射区结构对NPN型硅大功率晶体管(GTR)直流正偏二次击穿特性的影响。结果表明:当LE为130μm时,GTR直流正偏二次击穿临界点电压(VSB)最高。对于LE为150μm的GTR,当发射区边缘横向刻蚀距离为10μm时,对直流正偏二次击穿的改善效果最好。当浮空发射区与发射区边缘间距减小到17μm时,浮空发射区开始发挥改善直流正偏二次击穿特性的作用。
2015年07期 v.34;No.281 73-77页 [查看摘要][在线阅读][下载 1785K] [下载次数：95 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：90 ] - 谭晓华;胡玉生;耿卫晓;
研究了在多层印制电路板电源/地平面过孔周围布置具有桥接结构的蚀刻分割单元时过孔信号的返回路径阻抗及转移阻抗。分析了分割单元尺寸变化对返回路径阻抗的影响。采用二维边界元法进行了数值分析,并通过全波有限元分析软件进行了仿真验证。研究结果表明,在频率较高时,分割单元会激发较多的谐振峰值,返回路径阻抗大幅上升,但有助于降低噪声耦合。
2015年07期 v.34;No.281 78-81+94页 [查看摘要][在线阅读][下载 870K] [下载次数：113 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：46 ] - 周兴金;黄春跃;梁颖;李天明;邵良滨;
建立了芯片尺寸封装焊点的柔性凸点三维有限元分析(FEA)模型,对该模型进行了热-结构耦合有限元分析,研究了热-结构耦合条件下柔性凸点温度场和应力应变的分布规律,对比了有无柔性层结构的凸点内应力应变的大小,分析了柔性层厚度、上下焊盘直径对柔性凸点应力应变的影响。结果表明:柔性层结构有效降低了凸点内的应力应变;随着柔性层厚度的增加,凸点内最大应力应变减小;随上焊盘和下焊盘直径的增加,凸点内最大应力应变的变化无明显规律。
2015年07期 v.34;No.281 82-87页 [查看摘要][在线阅读][下载 1769K] [下载次数：128 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：125 ] - 徐晓丹;李相强;刘庆想;张健穹;周磊;
针对某基于FPGA的高速高密度控制板,研究了过孔结构对电源纹波的影响。分析过孔内径、焊盘和反焊盘对目标阻抗的影响,仿真计算电源分配系统中不同过孔结构下的电源纹波,实现控制板电源完整性优化,给出最佳的过孔结构设计方案。研究结果表明:过孔结构的不同将引起电源分配系统性能的变化,在走线安全距离的范围内,孔内径和焊盘直径越大,电源纹波越小,电源纹波从–10.0%~2.4%优化为–8.85%~1.14%。
2015年07期 v.34;No.281 88-91页 [查看摘要][在线阅读][下载 849K] [下载次数：95 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：110 ]