刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 超磁致伸缩材料在骨传导听觉装置上的应用

    赵正龙;何忠波;李冬伟;薛光明;杨朝舒;

    超磁致伸缩材料(简称GMM)是制作低频换能器的理想功能材料。介绍了GMM的磁致伸缩机理及其本身特性;与传统磁致伸缩材料以及当前广泛应用在骨传导听觉装置上的电磁和压电材料进行了分析比较;综述了GMM在骨传导听觉装置上的应用现状;重点介绍了骨传导发音振子的设计构想,并且对超磁致伸缩式骨传导听觉装置在军事通信上的应用进行了展望。

    2015年02期 v.34;No.276 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 559K]
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  • 电磁吸波材料的研究进展

    庞建峰;马喜君;谢兴勇;

    阐述了吸波材料的吸波原理及分类,综述了近年来磁性金属微粉吸波材料、铁氧体吸波材料、陶瓷吸波材料、纳米吸波材料、手性吸波材料及导电高聚物吸波材料的特点及国内外研究进展,并指出今后吸波材料的研究方向为纳米复合化、兼容型、多波段及结构功能多样化。

    2015年02期 v.34;No.276 7-12+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 275K]
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编读通信

  • 最新活动

    <正>随着网络数字化普及,并深入人们生活的各个领域,也改变着人们的生活方式,它具有快捷,携带方便,信息量大,更新快等特点,本刊应读者的要求,特在2015年继续推出加入《电子元件与材料》期刊读者会员,享受期刊12期全电子文档服务。加入《电子元件与材料》的读者会员,会员费全年为200元/年,本刊将2015年全年12期的每期论文的电子文档,以PDF

    2015年02期 v.34;No.276 6页 [查看摘要][在线阅读][下载 51K]
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  • 《电子元件与材料》版权声明

    <正>本刊已许可中国学术期刊(光盘版)电子杂志社在中国知网及其系列数据库产品中,以数字化方式复制、汇编、发行、信息网络传播本刊全文。该著作权使用费与本刊稿酬一并支付。作者向本刊提交文章发表的行为即视为同意我社上述声明。

    2015年02期 v.34;No.276 16页 [查看摘要][在线阅读][下载 188K]
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  • 《电子元件与材料》读者免费索阅卡

    <正>尊敬的读者,为使本刊真正成为您工作中的好帮手,请您在百忙中抽时间填妥此卡,传真或电邮回本部,以便您的申请能被受理(本刊将免费赠阅《电子元件与材料》已出版期数任意一期1本和本刊书讯资料1份)您阅读本刊的目的(请选定打"√")

    2015年02期 v.34;No.276 82页 [查看摘要][在线阅读][下载 711K]
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研究与试制

  • YSZ/Al_2O_3复合薄膜高温绝缘层的研究

    杨晓东;张洁;蒋书文;蒋洪川;张万里;

    采用电子束蒸发、射频磁控溅射、等离子喷涂等方法,在镍基高温合金基底上制备YSZ(质量分数12%Y2O3稳定的Zr O2)、Al2O3复合薄膜结构绝缘层,并研究了复合薄膜结构绝缘层在室温到800℃范围内的绝缘特性,以及高温对复合薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明:晶态YSZ/非晶态YSZ/Al2O3结构绝缘层在室温下的绝缘电阻大于1.2 GΩ,在800℃大气环境下有150 kΩ左右的绝缘电阻。在室温到800℃范围内,随温度升高其绝缘电阻呈近指数下降的变化规律。经过在800℃大气环境中热处理8 h,YSZ的立方相结构未发生改变,Al2O3表面十分致密,表明该复合结构绝缘层薄膜具有良好的高温绝缘性能和稳定性。

    2015年02期 v.34;No.276 13-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 343K]
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  • 碳纳米管薄膜微光纤气体传感器的模场分析

    贾兰;吴宇;姚佰承;易玮琪;

    基于包层薄膜折射率对微光纤中传输光能量分布的影响,进一步用模场分析仪观察碳纳米管薄膜微光纤在与二甲苯气体接触时,输出光的能量分布和倏逝场的变化。实验结果显示,未镀膜的微光纤暴露在一定浓度的二甲苯气体环境下时,表现出对光很弱的约束能力;而把碳纳米管薄膜微光纤置于与之相同浓度的气体环境时,微光纤的输出光强减小,高阶模的能量发生不稳定的变化,最后待气体挥发完全至浓度稳定后,薄膜微光纤输出光场高阶模能量减小,微光纤的能量分布趋向于高斯分布。

    2015年02期 v.34;No.276 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 603K]
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  • SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳电池的影响

    周烽;邹小平;周洪全;

    以In掺杂CdS量子点太阳能电池为例,讨论了SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳能电池性能的影响。通过SEM、EDS、IPCE、紫外吸收光谱、J-V曲线、EIS等实验测试结果表明,当In掺杂CdS的摩尔比固定在1:5时,随着SILAR次数的增加,电池的短路电流密度、开路电压和光电转换效率都随着增加,当SILAR次数为6次时,In掺杂CdS的QDSCs光电转化效率达到了最大值(η=0.76%)。随着SILAR次数的继续增加,其光电转换效率将会下降。

    2015年02期 v.34;No.276 20-22+30页 [查看摘要][在线阅读][下载 955K]
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  • 纳米钛粉改性环氧底漆对GFEP飞机电磁屏蔽性能的影响

    李梦;朱健健;李家艮;

    航空电子设备的发展和地面电磁波源的迅速增多对玻璃纤维增强环氧树脂(GFEP)机身结构飞机的运行安全构成了威胁,亟需提升此类机身结构的电磁屏蔽性能。介绍了电磁屏蔽效能的计算方法,提出了在GFEP飞机机身涂覆纳米钛粉改性环氧底漆的应对方案。制备了纳米钛粉质量分数为1.0%的改性环氧底漆,研究了改性底漆对GFEP飞机机身典型结构样品电磁屏蔽性能的影响。结果表明:在300 kHz~1.5 GHz的测试范围内,涂覆改性底漆的测试样品的电磁屏蔽效能良好,达到9.5~29.7 dB。

    2015年02期 v.34;No.276 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 416K]
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  • 高长径比银纳米线的制备及工艺条件研究

    成丽娟;王守绪;何为;刘慧民;彭永强;

    高长径比银纳米线是全印制电子技术中的关键材料之一。采用紫外-可见分光光度法研究了银纳米线制备过程中的变化,用XRD、SEM研究了产物晶体结构及形貌,讨论了模板剂的用量及溶液p H值对纳米银形貌的影响。结果表明,以十六烷基三甲基溴化铵为模板剂,采用一步水热法可制备出长度为50μm、直径为40 nm的银纳米线。在模板剂浓度为5.8×10–3 mol/L、溶液p H值=11的实验条件下,可获得高长径比为1 300的银纳米线。

    2015年02期 v.34;No.276 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1174K]
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  • 本征层厚度对非晶硅叠层电池电流匹配的影响

    邱美艳;赵晓宾;于冬安;张庆宝;

    采用PECVD技术制备a-Si:H/a-Si:H叠层双结非晶硅电池,研究了本征层厚度对叠层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征层的沉积时间,得到不同厚度比例的本征层(di1:di2),经过实验对比发现I层总体厚度为650 nm,di1:di2=1:5时得到的电池组件短路电流(Isc)和最大功率(Pmax)都是最大值。此时叠层电池的电流得到了较好的匹配,实现了工艺参数的优化。

    2015年02期 v.34;No.276 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 177K]
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  • 应用于导电墨水的铜胶体的研究

    黄钧声;汤鑫;朱戈;

    将自制的纳米铜粉作为导电墨水的导电填料,通过添加一定量的分散剂、表面活性剂等其他助剂,超声波粉碎后制得纳米铜导电墨水。结果表明:随着固含量的增加,超声波分散时间越长,墨水的黏度越大。但电导率与超声波分散时间并无直接关系。随着固含量和烧结温度的增加,导电薄膜变得更致密、平整,电阻率逐渐降低。经过300℃烧结后电阻率可减至9.4×10–3Ω·cm。

    2015年02期 v.34;No.276 35-37+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 437K]
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  • VHF频段三角形微机电谐振器的分析与设计

    贾英茜;徐淑壹;李宁;高彦彦;

    设计了一种工作于VHF频段的新型微机电谐振器,采用了一种以阵列方式降低谐振器动态电阻的方法,通过ANSYS有限元分析软件对谐振器进行模态分析。结果表明,与减小换能电容间隙和增大偏置电压相比,采用的方法可以减小动态电阻,增大功率容量,谐振器阵列可以在保证谐振频率不变的情况下提高品质因数、减少损耗、降低动态电阻。设计的谐振器与谐振器阵列的工作频率为123 MHz。

    2015年02期 v.34;No.276 38-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 627K]
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  • 一款900V VDMOS的VLD终端结构设计

    吴克滂;冯全源;高晓蓉;

    采用横向变掺杂(Varied Lateral Doping,VLD)终端设计,通过推导菲克第二定律得到了线性变化的P阱掺杂曲线边端,并讨论了线性掺杂曲线与终端耐压之间的关系,最终在此基础上设计了一款900 V VDMOS功率器件。在140μm终端长度上仿真实现了947 V的耐压,且最大表面电场强度为1.65×105 V/cm,有效提高了终端的可靠性;与传统功率器件的制造工艺兼容,同时没有增加额外的掩膜与工艺步骤。

    2015年02期 v.34;No.276 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 298K]
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  • 高压功率VDMOS元胞的研制

    干红林;冯全源;王丹;

    基于Sentaurus TCAD仿真软件,在外延层参数与生产工艺确定的情况下,通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻,并通过对版图元胞面积的准确计算,设计了三款导通电阻目标值为2.4,3.0和3.3Ω的高压功率VDMOS芯片。流片结果显示,导通电阻的平均值与版图计算值吻合度均超过96%,表明了该设计方法、仿真参数及版图设计具有较高的可靠性。

    2015年02期 v.34;No.276 47-49+61页 [查看摘要][在线阅读][下载 462K]
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  • 并联型忆阻器混沌电路设计

    谭志平;卢鑫;曾以成;李鑫;

    利用磁控忆阻器、电感和电容三个元件并联设计了一种新型忆阻器混沌电路。采用常规的动力学分析方法研究了系统的基本动力学特性,例如相图、平衡点稳定性分析、李雅普诺夫指数谱和分岔图。结果表明该系统产生了一类特殊混沌吸引子,且随系统参数改变,系统可以产生丰富的混沌行为。为验证电路混沌行为,利用Pspice进行了相应的电路仿真,仿真结果与理论分析、数值仿真基本一致。

    2015年02期 v.34;No.276 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 464K]
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  • 多传输零点的宽带带阻滤波器设计

    卑璐璐;张申;黄凯;翟彦蓉;张然;

    提出了一种基于横向型信号干扰的新型多传输零点的宽带带阻滤波器。通过采用终端加载一段四分之一波长开路传输线枝节的弯折型反耦合线与两段对称的半波长传输线开路枝节相并联的方式,在滤波器的阻带内引入了五个传输零点,并在通带内产生了四个反射零点,从而获得了陡峭的过渡带特性、宽阻带特性以及较好的阻带抑制水平。最终设计的宽带带阻滤波器中心频率为3 GHz,20 d B衰减带宽可达106%。

    2015年02期 v.34;No.276 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 242K]
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  • 基于半圆异向波导的新型带通滤波器

    张信歌;李少甫;

    根据异向传输线原理设计了一种半圆异向波导单元,基于该单元提出了一种新型带通滤波器。利用HFSS软件对级联的四阶单元进行仿真,研究了其不同结构参数对电磁波传输的影响。用八阶单元构成中心频率为2.8 GHz的新型带通滤波器,利用HFSS软件在S波段对其进行模拟。结果为:异向通带为2.25~3.25 GHz,3 d B带宽达35.7%。利用理论分析与仿真相结合的方法,验证了该滤波器具有异向特性,与常规波导滤波器及基于微带线异向传输线实现的滤波器相比该滤波器具有小尺寸、低成本、高功率容量、低损耗、带外衰减特性好等优点。

    2015年02期 v.34;No.276 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 368K]
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  • 一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准源设计

    张龙;冯全源;王丹;

    基于OKI(冲电气工业株式会社)0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,将一个类指数性质的电流叠加到基准源的核心部分,达到曲率补偿的效果。仿真结果表明,在5 V供电电压下,223~423 K(–50~+150℃)内,基准电压的波动范围为1.175~1.182 V,温漂为2.15×10–6/K,具有较高精度,低频时电路电源抑制比为–64 d B,整体静态电流仅为5.6μA。

    2015年02期 v.34;No.276 62-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 211K]
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  • 基于伏安曲线的熔断器熔断电流的无损检测

    李彦良;杨勇;文斌;张虹;

    调节熔断器电流的同时测量熔断器两端的电压,获得待测熔断器的U-I曲线并计算出U-R曲线,对比两种曲线分析了熔断机理和规律,发现当熔断器的U-I曲线开始偏离直线时表示其即将熔断,此时所对应的电流可以较准确地表征待测熔断器的实际熔断电流。U-I曲线检测方法简便并且对待测样品几乎无损,实验表明经过该法检测合格的熔断器可以更安全可靠地工作。

    2015年02期 v.34;No.276 66-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 151K]
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可靠性

  • 工业级FPGA空间应用器件封装可靠性分析

    吕强;尤明懿;郭细平;陆安南;杨小牛;

    分析了工业级和宇航级FPGA(Field Programmable Gate Array)在封装结构上的差别。用Ansysworkbench有限元软件对热循环、随机振动和外力载荷下封装的变形和应力以及焊点的塑性应变进行了仿真。依据剪切塑性应变变化范围预测了焊点热疲劳寿命。结果表明,FCBGA(Flip-Chip Ball Grid Array)封装内部倒装芯片焊点可靠性低于CCGA(Ceramic Column Grid Array)封装,其外部焊点的热疲劳寿命、随机振动等效应力均优于CCGA封装;在外力载荷下,其热疲劳寿命下降速率也明显小于CCGA封装。

    2015年02期 v.34;No.276 69-73页 [查看摘要][在线阅读][下载 381K]
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研究简报

  • 模拟计算优化SnO_2纳米半导体薄膜的光学性能

    刘荷花;

    针对化学气相沉积法在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜,建立了计算模型,研究了SnO2薄膜的反射光谱性质,计算出相关的光学参数。结果表明:振荡模型结合Drude模型能较好地描述SnO2薄膜光学性能,可通过改变膜层厚度的方法对F掺杂SnO2薄膜光学性能进行模拟优化。

    2015年02期 v.34;No.276 74-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 267K]
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  • 数值模拟法研究LED阵列散热器的热性能

    黄晓敏;邓四二;

    采用计算流体力学(CFD)方法设计了LED阵列散热器的结构,模拟了散热器的热特性。基于回归分析法,推导阵列散热器的平均努谢尔特准则关联式。结果表明:散热器的模拟结果与实验结果基本吻合,表明所建立的数学模型对研究散热器的热特性和结构设计是可行的。

    2015年02期 v.34;No.276 76-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 149K]
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  • 智能手机和可穿戴设备能量收集技术

    费晓强;张克军;崔雷涛;陈亮;

    随着智能手机和可穿戴设备的普及,有限的电池容量限制了它们的进一步发展。降低功耗以"节流"不能从根本上解决问题,应从开源的角度来考虑。能量收集技术从外界环境或者人体收集能量为电池充电,为此问题提供了可行的解决方案。主要分析了能量收集系统中能量来源、调压电路、存储模块和最大功率点追踪算法几个方面的技术,指出提高转换效率是未来能量收集技术的主要发展方向。

    2015年02期 v.34;No.276 79-81页 [查看摘要][在线阅读][下载 59K]
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编读通信_读者天地

  • 合肥研究院超导纳米线研究取得新进展

    <正>中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心研究员田明亮课题组和张昌锦课题组合作在单晶超导纳米线的超导体-绝缘体转变研究中取得新进展,相关研究结果在线发表在美国化学学会《Nano Letters》上。长期以来准一维超导体的超导—绝缘体转变(SIT)研究一直吸引着很多关注,但是对控制SIT这种转

    2015年02期 v.34;No.276 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 117K]
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  • 化学所合作在石墨烯的可控制备方面取得系列进展

    <正>近年来,石墨烯作为一种新型的碳材料,因其许多独特优异的性质引起了人们的广泛关注和极大兴趣。石墨烯的可控制备是开展石墨烯基础研究和应用开发的前提,是目前亟待解决的重大科学问题之一。在众多石墨烯的制备方法中,化学气相沉积法(CVD)因兼有高质量和宏量制备的优点已成为石墨烯生长的最重要方法之一。

    2015年02期 v.34;No.276 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 123K]
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  • 物理所等在铁基超导体中观察到绝缘体-超导体转变

    <正>铜氧化合物高温超导体的母体普遍认为是反铁磁的Mott绝缘体,超导电性的产生是通过掺杂引入载流子,压制反铁磁态导致的绝缘体-超导体转变而实现的。与铜氧化合物高温超导体不同,铁基超导体的母体虽然也大多具有反铁磁结构,但却表现为导电性较差的金属特性。因此,关于铁基超导体中电子关联的强弱以

    2015年02期 v.34;No.276 68页 [查看摘要][在线阅读][下载 107K]
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  • 合肥研究院实现银纳米线透明导电薄膜制备及加热器性能调控

    <正>近期,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究人员在制备超高长径比银纳米线方面发现了一种简易的新方法,并在所获得高品质银纳米线材料的基础上,制备了光/电性能优异的透明导电薄膜,并将其应用于透明加热器,成功实现了加热器加热温度、响应时间等性能的调控。银纳米线作为新型透明导电薄膜材料而被广泛研究。然而,银纳米线结构参数调控难度较大,特别是高

    2015年02期 v.34;No.276 78页 [查看摘要][在线阅读][下载 112K]
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  • 力学所建成高能冲击磁控溅射装备系统并开放服务

    <正>表面工程提高材料摩擦磨损、耐腐蚀性能的同时,还赋予材料新的表面功能,为解决人类发展中遇到的资源、能源等问题起到了不可替代的重要作用。作为表面工程领域的重要分支,我国亟需提升物理气相沉积(PVD)的技术能力。高能冲击磁控溅射技术(High Power Impulse Magnetron Sputtering,Hi PIMS)在国际上被称为磁控溅射方法

    2015年02期 v.34;No.276 81页 [查看摘要][在线阅读][下载 41K]
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