刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 超级电容器电极材料研究最新进展

    赵雪;邱平达;姜海静;金振兴;蔡克迪;

    超级电容器是介于传统电容器与化学电源之间的一种新型储能元件,它具有充电时间短、循环寿命长、功率特性好、温度范围宽和经济环保等优势,目前在很多领域都受到广泛关注。概述了超级电容器电极材料研究的最新进展,包括碳基材料、金属氧化物材料及导电聚合物材料等,并在此基础上对其未来发展趋势进行了展望。

    2015年01期 v.34;No.275 1-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 1048K]
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  • 用于三维封装的铜-铜低温键合技术进展

    李科成;刘孝刚;陈明祥;

    在三维系统封装技术中,金属热压键合是实现多层芯片堆叠和垂直互连的关键技术。为了解决热压键合产生的高温带来的不利影响,工业界和各大科研机构相继开发出了多种低温键合技术。综述了多种不同的低温金属键合技术(主要是Cu-Cu键合),重点阐述了国内外低温金属键合技术的最新研究进展及成果,并对不同低温金属键合技术的优缺点进行了分析和比较。

    2015年01期 v.34;No.275 9-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 768K]
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研究与试制

  • (Ca,Sr)(Zr,Ti)O_3系抗还原高频介质瓷料的研究

    张火光;付振晓;宋永生;莫方策;

    采用固相合成法制备了(Ca,Sr)(Zr,Ti)O3(简称CSZT)系电容器陶瓷材料,研究了主晶相组分对所制材料介电性能的影响。结果表明:通过调整主晶相CSZT中各组分的配比,再加入适量的烧结助剂,能得到一种可在还原气氛中烧结的高频介质瓷料,该瓷料可与镍内电极共烧,其相对介电常数约为89,介质损耗(tanδ)小于5×10–4,绝缘电阻达到1012Ω,介电常数温度系数为–1 037×10–6/℃。

    2015年01期 v.34;No.275 15-17+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 500K]
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  • 单层石墨烯在空气中的热稳定性研究

    李允;王权;

    采用化学气相沉积方法制备了高质量的大面积单层石墨烯,利用拉曼光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜对在空气中热处理前后的石墨烯进行了表征,研究了单层石墨烯在空气中的热稳定性。结果表明,在空气中热处理后,石墨烯的缺陷明显增加,晶粒发生细化,其主要是由于热处理后石墨烯会发生轻微的氧化,表面形成C O及C—OH键。另外,由于石墨烯与衬底的结合形态有所变化,使得热处理后石墨烯表面更趋平整。

    2015年01期 v.34;No.275 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 674K]
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  • 晶圆级封装的优化散热分析

    刘培生;黄金鑫;卢颖;杨龙龙;

    通过有限元分析软件ANSYS,对一款晶圆级封装的产品进行有限元分析仿真,讨论了空气对流系数、环境温度、基板厚度、焊球间距等因素对芯片热阻的影响。结果表明:考虑成本、散热等综合因素,选择空气对流系数为25×10–6W/(mm·℃)基板厚度为0.10 mm、焊球间距为0.5 mm为最优参数,可满足实际生产需要。

    2015年01期 v.34;No.275 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 235K]
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  • 封装用铜框架表面化学组成和粘接强度

    卢晓林;

    电子封装用铜框架表面采用不同温度处理,与电子封装用环氧材料复合制备用于拉伸测试的Tap pull样品。XPS分析表明,一般铜框架表面成分包括一价的氧化亚铜和二价的氢氧化铜等。175℃热处理120 min可使表面的二价氧化铜质量分数达到73%,氧化铜和表面约20%的氢氧化铜一起显著提高界面的粘接性能。

    2015年01期 v.34;No.275 26-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 220K]
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  • 锡后处理对锡镀层性能的影响

    欧爱良;王英锋;樊应县;刘季超;刘奕林;

    分别测试了纯锡镀层经钝化及金属保护剂处理后的孔隙率、防变色能力、可焊、回流焊性能及抑制锡须生长情况。试验结果表明:对纯锡层采用钝化和金属保护剂处理均能有效降低镀层的孔隙率,提高镀层的防变色能力。金属保护剂处理能有效防止锡层的氧化,延长产品的储存寿命,对焊接性能无影响,同时能有效抑制锡须生长;钝化处理降低了锡镀层的焊接性能,对抑制锡须生长作用不明显。

    2015年01期 v.34;No.275 29-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 351K]
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  • 高温铜电子浆料的制备及性能研究

    刘晓琴;苏晓磊;刘新峰;屈银虎;

    以铜粉、玻璃粉和有机载体为原料,采用丝网印刷将铜浆料印刷到氧化铝陶瓷基片上,制备高温烧结型铜电子浆料。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪和四探针导电性测试仪对烧结后的试样行了表征。结果表明:在氮气保护性气氛下、烧结温度为450℃、玻璃粉质量分数为8%时,铜电子浆料烧结后的铜导电膜层导电性最佳,方阻值为23.62 mΩ/□,133 d内电阻的变化率仅为28.7%,铜导电膜层光滑平整。

    2015年01期 v.34;No.275 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 1170K]
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  • TiO_2/SrTiO_3薄膜电极制备及其光电化学性能研究

    李国辉;郝洪顺;王辉利;高文元;刘贵山;

    采用商用P25TiO2为原料制备纳米多孔TiO2电极,用水热法在多孔TiO2表面包覆SrTiO3。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外-可见光谱仪对TiO2/SrTiO3薄膜电极进行表征。探讨了水热反应温度对TiO2/SrTiO3薄膜电极组装染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电化学性能影响。结果表明:在纳米多孔TiO2电极表面生成了均匀的SrTiO3包覆层,且SrTiO3包覆的样品吸收边有红移;与TiO2薄膜电极相比,不同水热反应温度下制备的TiO2/SrTiO3薄膜电极组装DSSC的光电转换效率均有所提高,180℃时全光转换效率提高了24%。

    2015年01期 v.34;No.275 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 280K]
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  • 基于闭合磁路的框式薄膜电感的研究

    陈赵豪;谢致薇;杨元政;何玉定;陈先朝;

    通过磁控溅射工艺制备出三种框式薄膜电感,其中特殊磁芯电感、全磁膜电感为设计制作的具有闭合磁性回路的特殊薄膜电感,而三文治结构电感是目前流行的薄膜电感,这些电感均由下层磁芯层、下层绝缘层(聚偏二氯乙烯,厚度约为40μm)、线圈和线圈中心的磁膜、上层绝缘层和上层磁芯层组成,其差别在于磁芯结构不同。在1~3 MHz频率范围内,比较了三种电感的等效电感、寄生电容和损耗因子。结果表明:与三文治结构电感和全磁膜电感相比,特殊磁芯电感有较高的等效电感量和较小的寄生电容,但损耗较后两者高。

    2015年01期 v.34;No.275 40-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 731K]
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  • Pb_(0.88)La_(0.08)(Zr_xTi_(1–x))O_3铁电厚膜介电与储能性能研究

    张利文;宋波;

    采用溶胶-凝胶法在La Ni O3/Si(100)底电极上成功制备了厚度为1μm的Pb0.88La0.08(Zrx Ti1–x)O3(PLZT,x=0.30,0.55,0.80)铁电厚膜。研究了不同Zr/Ti比对PLZT铁电厚膜的介电与储能性能的影响。结果表明,随着PLZT中Zr含量的增加,厚膜材料的储能密度与储能效率均增大,Pb0.88La0.08(Zr0.8Ti0.2)O3厚膜在1 400×103V/cm的储能密度为23.8 J/cm3,储能效率为60%。

    2015年01期 v.34;No.275 45-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 806K]
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  • 水溶性聚苯胺/SmBaCu_(0.7)Mn_(0.3)O_(5+δ)材料的制备与氨敏性能研究

    郝红霞;刘瑞泉;

    采用化学氧化法制备了水溶性聚苯胺(PANI),用溶胶-凝胶法制备了SmBaCu1-yMnyO5+δ(y=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6)(SBCM)粉体,用微粒填充法制备了PANI/SBCM复合材料。利用FT-IR、XRD、TEM多种手段对产物进行表征,并制成气敏元件,在室温操作温度下测试其对氨气的灵敏度。结果表明,在相同条件下,在PANI元件、SBCM元件及PANI/SBCM元件气敏测试中,PANI/SmBaCu0.7Mn0.3O5+δ(PANI/SBC70M30)元件对氨气的气敏性能最优,对体积分数为100×10–6的NH3灵敏度在室温条件下达到最大值为4.66,同时还具有较好的选择性、响应-恢复特性与稳定性,响应时间和恢复时间分别为16和121s。

    2015年01期 v.34;No.275 49-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 440K]
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  • 阳极TiO_2纳米管的形貌及其光解水性能研究

    桂群芳;崇滨;金融;朱绪飞;

    采用电化学阳极氧化法制备了阳极氧化钛纳米管(Anodic TiO2 Nanotubes(ATNT)),用场发射扫描电镜和高分辨透射电镜表征了其形貌,并研究了ATNT的形貌对其光解水性能的影响。结果表明,阳极氧化120 min(长度为16.781μm)的ATNT光电流密度最高。此外,为了改善ATNT表面缺陷,又采用原子层沉积(ALD)法在ATNT表面沉积了一层高质量Al2O3,结果表明,经过钝化后的ATNT,其光电流密度相对于没有Al2O3层的ATNT提高了50%。

    2015年01期 v.34;No.275 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 430K]
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  • Fe掺杂GdBaCo_2O_(5.5–δ)的变磁性行为研究

    常春;唐雁坤;

    采用固相反应法制备了GdBaCo1.8Fe0.2O5.5–δ块体,通过XRD及PPMS测量表征了样品的结构及磁性特征。研究结果表明,样品为单相正交层状钙钛矿结构,样品磁矩和测量历史有关,呈现团簇玻璃行为。样品在反铁磁奈尔温度以下存在变磁性转变行为,转变磁场区域较宽,转变磁场强度随着温度升高而降低。这些磁性行为被认为和掺铁样品中的相分离相关。

    2015年01期 v.34;No.275 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 311K]
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  • 应用于蓝牙/TD-LTE/WiMAX的多频段平面天线

    胡建明;王倩茜;杨雪松;桂东东;魏小明;

    提出了一种具有新颖缺陷地结构的多频段新型平面天线,该天线采用微带馈电方式进行馈电,改进的接地板通过延伸两段倒T字形枝节,得到了蓝牙、TD-LTE和X波段卫星通信频段;Wi MAX通信频段则通过左右对称的倒钩形结构辐射贴片获得。该天线实际测量带宽为2.42~2.78 GHz、3.02~3.62 GHz和7.25~7.88 GHz,能完整覆盖蓝牙、TD-LTE、Wi MAX和X波段卫星通信下行频段,尺寸为20 mm×30 mm。天线结构简单、尺寸小及全向性辐射特性表明该天线能很好地满足便携式多频段移动设备的需求。

    2015年01期 v.34;No.275 62-64+68页 [查看摘要][在线阅读][下载 580K]
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  • 基于多目标粒子群算法的小型化槽螺旋天线研究

    王兆尹;刘东;楼群;田雨波;

    设计了一种小型化的槽螺旋天线。首先在普通的槽螺旋天线臂上开槽,再在天线最外圈的天线臂上加载6个等距分布的贴片电阻,基于多目标粒子群算法对开槽位置和贴片电阻阻值进行优化,使得天线的工作频率向低频偏移,同时保证具有良好的圆极化辐射特性。仿真结果表明:在0.44~18.00 GHz频段内回波损耗小于–10 d B,1.8~18.0 GHz频段内轴比小于3dB。与普通的螺旋天线相比,在天线口径不变的情况下,极大地改善了天线的低频端的辐射特性。

    2015年01期 v.34;No.275 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 418K]
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  • 具有陷波特性的超宽带准自补天线设计

    韩曹政;唐晋生;

    提出一种新型的微带馈电准自补天线,其辐射贴片由矩形和扇形金属片构成,并在地板上刻与辐射元互补的缝,天线整体尺寸为25 mm×32 mm×1 mm,为进一步展宽带宽,在馈电点下方的地板上挖去一个矩形缺口。仿真结果表明:驻波比小于2的带宽覆盖3.04~11.00 GHz,在整个工作频段有良好的辐射方向图。通过在馈线上嵌入U型槽,实现了对WLAN频段的陷波,而通带内仍可保持稳定的增益。

    2015年01期 v.34;No.275 69-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 156K]
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  • 新型结构LTCC小型化带通滤波器的设计

    戴永胜;许心影;

    提出了一种基于LTCC的由五个新型谐振腔组成的小型化带通滤波器。结合电路仿真以及三维电磁场仿真,辅之以DOE(design of experiment)的设计方法,该滤波器被设计并进行仿真测试。结果表明,该滤波器中心频率为6.5 GHz,其1 d B带宽为1.4 GHz,在1~4 GHz和8~14 GHz频率上的衰减均优于40 d B,体积仅为3 mm×2 mm×1.2mm。

    2015年01期 v.34;No.275 73-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 221K]
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  • 基于悬置微带线的U波段分谐波混频器设计

    张晓阳;于洪喜;李兵;吴刚;

    采用商用DMK2308Ga As肖特基二极管管对,设计了一种U波段分谐波混频器。利用全波电磁场分析算法提取了二极管管对无源部分的寄生参量,建立了二极管管对的等效电路模型,并用于分谐波混频器的设计。测试结果显示:本振功率为10d Bm时,变频损耗在50~58GHz小于14.5d B,与仿真结果基本吻合,证明了所建模型的有效性。

    2015年01期 v.34;No.275 76-79页 [查看摘要][在线阅读][下载 288K]
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  • 一种输出电压可调带隙基准源设计

    李伟;唐亮;苗澎;

    设计了一种输出电压可调的带隙基准源,其基于TSMC 0.18μm工艺,采用Cadence进行仿真验证。仿真结果显示,带隙基准源电压源在–25~+100℃内,温度系数为29×10–6/℃,电源抑制比PRSS在低频下为63 d B。在1.8 V的电源工作电压下,其输出电压为750 m V,电压可调节范围约20%,即从600 m V至900 m V,其输出电压可调的特性,使得其使用范围扩大。

    2015年01期 v.34;No.275 80-83页 [查看摘要][在线阅读][下载 353K]
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  • 一种适用于电源系统的无过冲软启动电路

    樊海峰;孙成峰;贺顺生;朱为朋;

    提出了一种适用于快速响应电源管理系统中的软启动电路。该电路利用运算放大器钳位反馈原理,实现了平稳无过冲的软启动切换。基于0.25μm BCD(双极型晶体管、互补型金属氧化物场效应管及高功率双扩散半导体场效应管集成技术)工艺,对所设计电路进行了仿真验证。仿真结果表明,该电路在–40~+125℃的温度范围内都能够实现稳定的软启动切换。结合系统整体仿真结果分析,本电路的性能达到了使电源系统稳定启动的预期目标,可用于对响应速度要求较高的避雷器监测系统。

    2015年01期 v.34;No.275 84-87页 [查看摘要][在线阅读][下载 330K]
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可靠性

  • 多层瓷介电容器绝缘特性RC的研究

    李娟;张超;

    采用N-沟道MOS场效应晶体管搭建电路,测得了多层瓷介电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ,对比了Ni和Pd/Ag内电极多层瓷介电容器的绝缘特性RC(绝缘电阻乘以电容量)指标,分析了Ni内电极绝缘特性较差的原因和潜在风险。结果表明:RC反映了介质材料的本身属性,代表电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ;Ni内电极的RC考核指标相对于Pd/Ag内电极从1 000 s降至100 s;Ni内电极多层瓷介电容器在高可靠长寿命电路使用时应提高其绝缘特性RC的考核指标。

    2015年01期 v.34;No.275 92-95页 [查看摘要][在线阅读][下载 692K]
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  • 功率MOSFET管的热疲劳寿命预测

    刘培生;黄金鑫;卢颖;杨龙龙;

    通过ANSYS有限元分析软件对TO-263器件功率MOSFET管进行电-热-机械耦合分析,并对其热疲劳寿命作出预测。首先进行了瞬态热分析,得出了芯片的热通量变化图,在此基础上进行模拟并通过Coffin-Manson定律预测功率MOSFET管的热疲劳寿命。结果表明,TO-263器件功率MOSFET管的热疲劳失效循环总数为6 113。

    2015年01期 v.34;No.275 96-99页 [查看摘要][在线阅读][下载 269K]
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编读通信

  • 《铝电解电容器专辑(七)》

    <正>该专辑收入《电子元件与材料》2009年第1期至2011年第12期,有关铝电解电容器的工艺技术,原辅材料,应用技术及发展趋势方面的重要论文及特约稿件1篇,共30篇,104页,约20多万字。是铝电解电容器及其相关行业中,从事科研、生产、教学及应用人员收藏、查阅的重要参考资料。定价:80元,邮资费:6元(其中包括挂号费3元)。

    2015年01期 v.34;No.275 95页 [查看摘要][在线阅读][下载 306K]
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  • 最新活动

    <正>随着网络数字化普及,并深入人们生活的各个领域,也改变着人们的生活方式,它具有快捷,携带方便,信息量大,更新快等特点,本刊应读者的要求,特在2015年继续推出加入《电子元件与材料》期刊读者会员,享受期刊12期全电子文档服务。加入《电子元件与材料》的读者会员,会员费全年为200元/年,本刊将2015年全年12期的每期论文的电子文档,以PDF格式,在出刊后发至会员的电子邮箱中。并将本刊的最新资料,最新活动将第一时间通知会员,让会员时刻掌握本刊的发展动

    2015年01期 v.34;No.275 104页 [查看摘要][在线阅读][下载 280K]
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  • 本刊书讯

    <正>~~

    2015年01期 v.34;No.275 107页 [查看摘要][在线阅读][下载 575K]
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研究简报

  • 一种五频PIFA手机天线设计

    杨虹;廖雪梅;

    提出了一种平面倒F五频手机天线,通过辐射贴片开缝和增加寄生单元,实现天线小型化和多频段需求。仿真结果表明,天线在回波损耗S11<–6 d B时,工作频段完全覆盖了GSM 900 MHz、DCS 1800 MHz、DCS 1900 MHz、LTE 2300 MHz和ISM 2450 MHz的所有频率,工作性能良好,且增益均大于2 d Bi。该天线结构简单易于实现,便于集成,可满足多频手机应用要求。

    2015年01期 v.34;No.275 100-101页 [查看摘要][在线阅读][下载 258K]
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  • 降维算法设计低阶线性Kalman滤波器

    姜志旺;封二英;姜海勇;

    基于四元数微分方程,采用四阶龙格-库塔法处理输出数据,建立了递推关系式,并以四元数作为系统的状态矢量,构成一种四维Kalman滤波器。最后,在DM3730 Cortex-A8处理器平台上对算法进行了实现和实验验证。实验结果表明,经过降维处理后的算法,显著降低了算法的实现复杂度和计算量,滤波效果及实时性能均达到了预期的目标,具有较强的实用性。

    2015年01期 v.34;No.275 102-104页 [查看摘要][在线阅读][下载 364K]
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  • 数值分析法研究电感器的开裂缺陷

    黄春雨;王鹏;

    铁氧体电感器在受冷热循环作用后,容易发生开裂,导致器件的可靠性下降。采用有限元模拟法分析了生产现场出现的失效案例。结果表明:电感内部圆角半径大小直接影响应力的分布,半径越小应力越集中,越容易发生开裂现象。当半径从0.02 mm增至0.7 mm时,关键应力将减少60~90 MPa,大大改善器件可靠性。此外,数值分析表明电感内部填充材料也是导致开裂现象的一个关键因素,有必要进一步利用现有的多因素非线性优化设计法,搭配优化设计电感器的各材料参数和尺寸参数,找到最优的并适合现有工艺的材料和尺寸。

    2015年01期 v.34;No.275 105-107页 [查看摘要][在线阅读][下载 737K]
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广告索引

展后报告

  • IPB 2014——中国国际粉体加工/散料输送展览会取得圆满成功

    孙唯;

    <正>相较于去年增长7%的专业观众来自14个国家165位展商展示最新的粉体加工和散料输送技术第十二届中国国际粉体加工/散料输送展览会(IPB2014)于2014年10月14-16日在上海国际展览中心圆满落幕。在纽伦堡会展服务(上接近大部分行业的脉搏:同期活动"昆山粉尘爆炸"悲剧言犹在耳,除尘防爆无疑是当下最热门的话题。为了引起企业对于粉

    2015年01期 v.34;No.275 111页 [查看摘要][在线阅读][下载 763K]
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  • 新能源汽车政策引发国内超级电容器开发热潮

    <正>纵观当前超级电容器的实际应用状况,伴随着消费类电子技术的日新月异,对于电源的要求也越来越高,超级电容器由于具有大功率密度、长寿命、安全可靠性高和对温度差异不太敏感等特殊优势,且可为锂离子电源、燃料电池等主电源提供功率补偿,以提高电源品质和延长电源使用寿命,因而迅速得到了市场人士的

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  • 本土半导体封装企业“淡季不淡”

    <正>近期,全球半导体龙头企业纷纷表示将继续加大在中国大陆的投资和合作,与以往合作不同的是,合作已经不将人力成本和融资成本作为最大的看点,主要涉及龙头企业的最先进的技术。联发科与晶圆代工厂商华力微电子共同宣布,双方将在28纳米工艺技术和晶圆制造服务方面紧密合作,联发科部分移动通信处理器的代工将交由华力微电子完成。联发科再度深化与大陆产业链的合作关系,将部

    2015年01期 v.34;No.275 25页 [查看摘要][在线阅读][下载 39K]
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  • 高可靠性车载用功率电感器的开发与量产

    <正>近来年,随着汽车电子化的发展,电子控制单元(ECU)日益增多,在这些电源电路中都会用到功率电感器。TDK近日开发出可满足–55~+150℃宽温度范围的高效、高可靠性的功率电感器CLF6045NI-D系列产品,它们能够对应使用条件最为严格的发动机舱内的严酷环境。该系列产品将从2015年2月起开始量产。

    2015年01期 v.34;No.275 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 95K]
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  • Vishay推出新款超薄、大电流、汽车级电感器IHLE-4040DC-5A

    <正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布新款汽车级的超薄、大电流电感器IHLE-4040DC-5A,该电感器采用可减少EMI的整体e屏蔽层和紧凑的4040外形尺寸。Vishay Dale IHLE-4040DC-5A能够遏制在镀锡的铜整体屏蔽里与EMI有关的电场,把整体的屏蔽连到地时,在1cm内(电感器的中心位置上面)可以使电

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  • 铁电材料有望使计算机告别硅时代 计算处理与存储为一体

    <正>经过几十年的反复再造,硅晶体管开始显现出了其发展的瓶颈,整个行业都开始寻找它的替代品。目前,一种新的符合计算机行业使用要求的材料出现在人们面前。如果这种材料可以成功运用于计算机领域,这将使计算机处理器不仅能有效提高能源利用率,而且能够提高运算能力和存储能力。经过研究,研究人员发现,他们可以利用电荷在四种不同状态之间进行快速切换的铁电材料来存储数据。

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  • 全球最小5合1传感器带来人机交互新体验

    <正>人机交互技术正在触觉、视觉、听觉和非接触式手势识别等多元且互补的融合中不断发展。如何在智能手机、平板电脑、可穿戴式设备、家庭自动化及控制等领域提供高度集成化、功能强大的小型传感器,为用户提供直观、无缝的交互界面,使智能设备无需触碰操控也能识别用户动作并做出回应,是相当多传感器厂商孜孜以求的目标。

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  • 都有为院士、张裕恒院士作客宁波材料所磁性材料及应用论坛

    <正>2014年12月4日下午,南京大学都有为院士和中国科学技术大学张裕恒院士作客中国科学院宁波材料技术与工程研究所"磁性材料及应用论坛",并分别作了题为"自旋电子学及其器件产业化"和"论自旋电子"的学术报告,中国科学院物理研究所沈保根院士和宁波材料所刘平研究员应邀主持报告会。

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  • 移动创未来5G中的超宽带技术

    <正>回顾过往历史,业界每隔10年就会发布一项新的行动通讯标准,例如从1980年代的1G、1990年的2G以及2000年的3G,再到近期迅速发展的4G标准。Ericsson认为下一代5G标准的采纳时间将会落在2020年,因此必需由当前开始进行布局,以因应未来次世代通讯技术的推出。

    2015年01期 v.34;No.275 72页 [查看摘要][在线阅读][下载 64K]
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  • 导入相位阵列IBM/Ericsson携手打造5G天线

    <正>IBM与爱立信(Ericsson)合作进行5G天线研发,将以相位式阵列(Phased-Array)天线设计,提升现行的网络数据传输速度,并在相同频率上提供多种全新服务,为广大的行动装置用户带来更好的使用体验。Ericsson无线电产品管理负责人Thomas Norén表示,目前双方正致力于克服尺寸上的挑战,并期待藉此天线技术可以开辟更多全新用途。这项研究合作将有助于Ericsson建构移动网络,即便在密集的都市环境中,

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  • 业界推出首款15W Qi兼容的无线充电解决方案

    <正>飞思卡尔半导体日前推出业界首款15 W Qi兼容的无线充电解决方案,进一步扩展了其无线充电产品组合,使用户距离无线物联网未来(Internet of Tomorrow)又近了一步。该解决方案为针对平板电脑、大屏幕智能手机和便携式工业及医疗设备等各种大型移动设备的超快速无线充电铺平了道路。飞思卡尔15 W无线充电解决方案的功率是普通5 W充电解决方案的3倍,能够为配有大容量电池的大

    2015年01期 v.34;No.275 79页 [查看摘要][在线阅读][下载 45K]
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  • 凌力尔特公司全新开关稳压器LT8640在2 MHz提供95%效率

    <正>凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出5 A、42 V输入同步降压型开关稳压器LT8640。该器件采用独特的Silent Switcher架构,整合了扩展频谱调制,即使开关频率超过2 MHz时,依然能够将EMI/EMC辐射降低超过25 dB,从而使该器件能够轻松地满足汽车CISPR25 Class 5峰值限制要求。同步整流在开关频率为2 MHz时可提供高达95%的效率。其3.4 V至42 V输入电压范围使该器件非常适合汽车和工业应用。

    2015年01期 v.34;No.275 83页 [查看摘要][在线阅读][下载 140K]
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  • 英飞凌推出采用焊接技术的双极功率模块

    <正>英飞凌科技股份有限公司近日推出采用焊接技术的双极功率模块,解决高性价比应用的具体需求。这种新型PowerB lock模块进一步扩大了英飞凌此前仅采用压力接触技术的全面功率模块产品组合。英飞凌为受成本和/或性能限制的工业驱动、可再生能源、软启动器、UPS系统、焊接和静态开关等不同应用提供优化的解决方案。

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  • 国际整流器公司针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFET

    <正>全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道Direct FET MOSFET。全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20

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  • 本刊2015年参会信息

    <正>~~

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