- 邹欢清;李九生;
提出了一种基于石墨烯的太赫兹波移相器。通过调节偏置电场的大小,石墨烯的电导率会发生显著改变,从而改变了通过的太赫兹波信号相位。实验结果表明,当外加电压增加到1.85 V时,在3.731 THz频率处相移量可达132°,传输率达到0.204。本移相器具有结构简单、驱动电压小的优点,在太赫兹波医疗成像、通信等领域具有广泛的应用前景。
2014年10期 v.33;No.272 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 218K] [下载次数：430 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：84 ] - 鲜海洋;彭同江;孙红娟;汪建德;
采用改进Hummers法,在不同KMnO4用量下制得了不同氧化程度的系列氧化石墨,并以其为前驱体在N2中经400℃热还原制备了石墨烯。利用XRD、FT-IR、Raman光谱与SEM表征了所得石墨烯的结构、官能团及表面形貌,通过循环伏安和恒流充放电测试研究了氧化石墨的氧化程度对石墨烯电化学性能的影响。结果表明,当KMnO4用量较低(<1.0 g)时,前驱体氧化程度较低,不能被剥离;当KMnO4用量较高(≥1.0 g)时,前驱体氧化程度增高,可实现剥离制备石墨烯。随着前驱体氧化程度增加,所制石墨烯堆叠层数与sp2平均尺寸逐渐减小,含氧官能团与缺陷逐渐增多,比容量逐渐增大。
2014年10期 v.33;No.272 22-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 395K] [下载次数：265 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：93 ] - 管秋梅;
采用胶体化学法制备了CdSe@CdTe核壳量子点,将其置于CdTe量子点层与CdSe量子点层间构筑了三层结构的全无机薄膜太阳能电池(ITO/CdTe/CdSe@CdTe/CdSe/Al),在电池制备过程中对量子点薄膜进行了退火处理。吸收光谱、荧光光谱及荧光寿命测试结果表明所制备的CdSe@CdTe量子点为典型的II型量子点。其光电转换性能测量结果表明所制太阳能电池具有高达0.48%的能量转换效率,这主要得益于三层量子点间能带能量的差异对电子与空穴的定向传输的促进以及退火工艺对薄膜结晶质量的改善。
2014年10期 v.33;No.272 27-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 711K] [下载次数：136 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：79 ] - 李程峰;王海珍;张秀;庞锦标;张力平;
采用螯合辅助球磨法制备了LiFePO4/C复合材料,研究了不同的螯合剂(乙二胺四乙酸(EDTA),草酸,柠檬酸)对前驱体以及LiFePO4/C复合材料性能的影响。结果表明:LiFePO4/C复合材料的性能与螯合剂密切相关。螯合剂的螯合能力越强,球磨过程中前驱体颗粒越小,均匀程度越好,由此可提高LiFePO4/C复合材料的电化学性能。相比草酸和柠檬酸,采用乙二胺四乙酸作为螯合剂所制备的样品拥有更好的电化学性能,其在150 mA/g和1 500mA/g的电流密度下的可逆充放电比容量分别为155.5 mAh/g和102 mAh/g。
2014年10期 v.33;No.272 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 310K] [下载次数：107 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：124 ] - 曹良足;熊建斌;范跃农;
为了使钛酸锶钡(BST)铁电陶瓷应用于移相器,研究了原料配方和合成方法对钛酸锶钡(BST)铁电陶瓷的结构与性能的影响。以钛酸盐、碳酸盐和二氧化钛为原料进行组合,并掺杂改性物质,制备BST陶瓷,用XRD、SEM检测其晶相及显微结构,用闭腔法测量其微波介电性能。结果表明,不同原料或合成方法形成的BST陶瓷的晶相组成均相同,其中以钛酸钡、钛酸锶合成BST陶瓷的微波介电性能最佳。添加质量分数60%MgO和少量La2O3的(Ba0.6Sr0.4)TiO3的介电性能为:εr=96.6,Q·f=1 155 GHz,T=9.5%(2×103 V/mm),τf=2.5×10–3/℃,满足移相器对BST材料的要求。用该组成设计了3节阻抗匹配的360°铁电体移相器,8~12 GHz范围内,插入损耗小于3 dB,电压驻波比小于1.5。
2014年10期 v.33;No.272 36-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 811K] [下载次数：98 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：105 ] - 储建华;曹建东;徐福敏;
以Al2O3、Y2O3和Nd2O3为主要原料,采用固相反应法制备出了Nd:YAG(掺钕钇铝石榴石)透明陶瓷,研究了烧结温度、保温时间、升温速率以及成型方法对陶瓷样品性能的影响。结果表明:当烧结温度为1 730℃左右,保温时间为20 h时,所制陶瓷样品晶粒大小分布均匀,致密度高,气孔率低,平均晶粒大小为15μm左右;降低升温速率可以降低陶瓷的气孔率;采用等静压成型方法制备的样品的透过率高于干压成型方法制备的。
2014年10期 v.33;No.272 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 601K] [下载次数：198 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：78 ] - 李栋;李谦;黄金亮;顾永军;胡婧雯;
为了在降低Zn2SiO4陶瓷烧结温度的同时使其保持优异的微波介电性能,分别以液相包覆法和固相混合法引入烧结助剂CuO制备了Zn2SiO4陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜及闭腔法等对样品的烧结性能、相结构及微波介电性能进行了表征,研究了烧结助剂引入方式对Zn2SiO4陶瓷性能的影响。结果表明:采用液相包覆法引入烧结助剂可以减少烧结助剂的加入量从而降低其对陶瓷微波介电性能的恶化。当包覆的CuSO4溶液的溶度为1.0mol/L时,经1 000℃烧结3 h所制得的Zn2SiO4陶瓷具有优异的微波介电性能:εr=6.8,Q·f=53 803 GHz,τf=–47×10-6/℃。
2014年10期 v.33;No.272 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 369K] [下载次数：191 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：134 ] - 秦文奕;
基于LTCC(Low-Temperature Co-fired Ceramic)技术设计了一种工作在Ka波段的圆极化微带阵列天线单元。采用微带馈线与贴片辐射单元非接触、缝隙耦合的馈电方式,在不改变贴片尺寸且无额外匹配网络的情况下实现阻抗匹配和圆极化。使用软件HFSS分析了天线单元关键结构对其性能的影响并对其进行了优化设计。结果表明,优化设计获得了良好的结果,天线单元中心频率为30 GHz,最大增益为5.5 dB,驻波比≤2时阻抗带宽为1.4GHz(约4.7%),轴比≤6 dB的带宽大于600 MHz。
2014年10期 v.33;No.272 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 337K] [下载次数：127 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：128 ] - 吴廷强;苏桦;朱炼;陈荟竹;丁青秀;
研制了一种适用于UHF RFID(ultra high frequency radio frequency identification)读写器的宽频带高增益微带天线。该天线基于自制的Z型六角铁氧体材料,在实现天线小型化的同时通过引入较大的磁损耗来展宽天线阻抗带宽,附加开窗的金属覆盖层可以达到提高天线增益的目的。测试结果表明,该天线具有较好的性能,工作于915MHz时,VSWR<2的阻抗带宽达到29 MHz,最大辐射方向的增益达到3.6 dBi。所设计的天线能满足北美UHF RFID(工作频段:902~928 MHz)读写器的应用要求。
2014年10期 v.33;No.272 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 227K] [下载次数：120 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：123 ] - 任重;谭秋林;蔡婷;郑庭丽;熊继军;
利用高温共烧陶瓷(HTCC)技术中的叠片、高温烧结工艺获得了白色致密的氧化铝陶瓷基板,并结合丝网印刷、后烧工艺在该基板上形成了平面螺旋电感图形,制备了一种陶瓷基平面螺旋电感,并在室温至800℃的温度范围内对其进行了高温性能测试。测试结果表明,当测试频率低于电感的自谐振频率时,电感的特性参数如电感、等效串联电阻以及Q值随温度、频率均发生了不同程度的改变。电感的自谐振频率对温度的平均变化量为–1.97kHz/℃,Q值最高为10.5,最佳工作频段为16~27 MHz。它是一种可应用于高温恶劣环境中的无源元件。
2014年10期 v.33;No.272 55-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 261K] [下载次数：196 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：78 ] - 林健;高鹏;雷永平;温桂琛;吴中伟;
为了改善SnAgCu系无铅钎料焊点的抗跌落性能,采用实验方法研究了SnAgCu钎料中银含量对焊点抗跌落性能的影响,并对实验结果进行了统计分析。结果表明,随着银含量的降低,在显著度为99%的条件下,钎焊接头的抗跌落性能显著提高。钎焊接头中存在缺口时,跌落次数明显下降。接头的破坏主要发生在钎料与铜基体之间的界面层上,破坏断口具有脆性断裂特征;界面层随着银含量的减小而逐渐减薄,这是导致钎焊接头抗跌落性能提高的主要原因。
2014年10期 v.33;No.272 59-62+80页 [查看摘要][在线阅读][下载 572K] [下载次数：145 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：107 ] - 喻雪燕;赵麦群;陈晓丹;杨雅婧;
焊锡膏发干失效是生产中常遇到的问题之一。以焊锡膏在存放过程中印刷性能和焊接性能的变化为主要指标,研究了单一及复配溶剂对SnAgCu系焊锡膏储存稳定性的影响。结果表明:单一溶剂四氢糠醇、MPEG250、MPEG400均提高焊锡膏的储存稳定性,单一溶剂乙二醇甲醚和乙二醇乙醚均降低焊锡膏的储存稳定性。复配溶剂对提高焊锡膏储存稳定性存在增效作用,其中四氢糠醇与MPEG250以质量比8:2复配的焊锡膏在室温环境下储存14 d,四氢糠醇与MPEG400以8:2质量比复配的焊锡膏储存16 d以上,均保持良好的性能。
2014年10期 v.33;No.272 63-66+80页 [查看摘要][在线阅读][下载 371K] [下载次数：308 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：106 ] - 高鹏;林健;雷永平;温桂琛;
对三种SnAgCu系无铅钎料接头Sn3.0Ag0.5Cu(SAC305)、Sn1.0Ag0.5Cu(SAC105)和Sn0.3Ag0.7Cu(SAC0307)的抗冲击性能进行了实验研究。结果表明:随着银含量的增加,钎料接头的抗冲击性能逐渐下降,同时其拉伸强度有所提高。这与钎料中银含量增加导致钎料接头中金属间化合物层(Intermetallic compound,IMC)厚度的增大密切相关。在冲击载荷作用下,接头的断裂表面相对明亮、光滑,断裂模式为脆性断裂。
2014年10期 v.33;No.272 67-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 1072K] [下载次数：184 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：98 ] - 邓晓波;赵朝辉;胡强;
针对Sn-Ag-Cu系列焊料开发出了一种无卤素助焊膏,着重探讨了无卤助焊膏中活性剂的选择及优化方法。通过对十种活性剂所配制的助焊膏的扩展率、锡珠、焊点情况进行测试,结合各活性剂的热质量损失(TGA)曲线,最终选择了己二酸、癸二酸和苯基丁二酸三种活性剂,并通过正交方法对其进行复配试验。结果表明有机酸的复配能够显著改善焊点铺展情况,当己二酸、癸二酸和苯基丁二酸质量比为1:4:3时,扩展率达75.36%,所得焊点饱满、光亮,且无锡珠产生。
2014年10期 v.33;No.272 72-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 223K] [下载次数：197 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：90 ] - 李佳;吴东旭;罗晓菊;程宏斌;郑学军;
采用Ga2O3/GaN、Ga2O3和GaN三种镓源,通过化学气相沉积(CVD)法,在镀有Ni催化剂的Si(100)基片上制备了GaN纳米线,使用SEM、XRD、EDS、HRTEM和PL对样品的形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,研究了镓源与基片距离(生长温度)及催化剂种类对纳米线生长的影响。结果表明,相对于Ga2O3和GaN单一镓源,采用Ga2O3/GaN混合镓源制备出的纳米线表面更加光滑,结晶度更高。此外,GaN纳米线的最佳制备工艺参数为:氨气流量0.03 L/min,催化剂Ni,镓源与基片距离11 cm(生长温度950℃)。
2014年10期 v.33;No.272 76-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 782K] [下载次数：111 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：84 ] - 林嵩;冯全源;
设计了一种基于BICMOS 0.5μm工艺的低温漂高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)带隙基准电路。电路的核心结构是Brokaw结构,采用自偏置启动电路,鉴于对于温漂的高要求,选用了二阶温度补偿电路。经过Hspice仿真表明:此基准电路具有良好的温度特性,5.0 V供电在233 K(–40℃)到398 K(125℃)变化时,基准输出波动范围为1.248 8~1.249 8 V,温度系数为4.57×10–6/K;电路的PSRR在低频时为–77 dB;当电源电压从2.5 V变化到5.0 V时,带隙基准的输入电压线性调整率为0.024%,最低工作电压为2.06 V,整体静态电流为28.39μA。
2014年10期 v.33;No.272 81-84页 [查看摘要][在线阅读][下载 323K] [下载次数：308 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：87 ] - 范楚亮;陈向东;黄炎炎;叶福川;
提出了一种改善电流比例失调的无电阻带隙基准电压源。该电路将传统源耦差分对结构的电压转换器改进为共源共栅结构电流镜,并引入了一对额外的电流镜来钳制漂移,显著改善由沟道长度调制效应所引起的电流镜失调,同时减小了电流比例系数的温度漂移。设计了自偏置电路、启动电路以及简单二阶补偿电路,采用0.5μm BCD工艺仿真,在5 V工作电压下,输出电压有效温度系数为19.8×10–6/(℃–45~+125℃),低频电源抑制比PSRR为–50dB,工作电压在4.0~6.5 V变化时,输出电压变化小于17 mV,电路总功耗约300μW。
2014年10期 v.33;No.272 85-88页 [查看摘要][在线阅读][下载 219K] [下载次数：133 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：142 ] - 李宏杰;冯全源;陈晓培;
为了提高功率器件结终端击穿电压,节约芯片面积,设计了一款700 V VDMOSFET结终端结构。在不增加额外工艺步骤和掩膜的前提下,该结构采用场限环-场板联合结终端技术,通过调整结终端场限环和场板的结构参数,在151μm的有效终端长度上达到了772 V的击穿电压,表面电场分布相对均匀且最大表面场强为2.27×105V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm)。在保证相同的击穿电压下,比其他文献中同类结终端结构节约面积26%,实现了耐压和可靠性的要求,提高了结终端面积的利用效率。
2014年10期 v.33;No.272 89-92页 [查看摘要][在线阅读][下载 187K] [下载次数：177 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：103 ]