刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 新型电接触材料Ag/La_(1–x)Sr_xCoO_3

    蔡江南;杨芳儿;裘凯锋;陈乐生;郑晓华;

    回顾了电接触材料的发展历史并介绍了新型电接触材料Ag/La1–xSrxCoO3。分析了Ag/La1–xSrxCoO3电接触材料的性能特点,并指出当前研究中需要解决的关键问题:陶瓷成分及微观结构和复合材料成型工艺对材料最终性能的影响。最后阐述Ag/La1–xSrxCoO3材料可作为电接触材料的一个崭新发展方向。

    2014年07期 v.33;No.269 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 446K]
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  • 叠层片式PTC热敏陶瓷与基体研究进展

    程绪信;赵肇雄;周东祥;傅邱云;崔海宁;

    叠层片式PTC热敏陶瓷(MLPTC)具有尺寸小、质量轻、电阻低、通流量大、反应快、无明火、无触点、无噪音和可修复等优点,可作为低压电路中过流保护和温度补偿等元件。介绍了叠层片式PTC热敏陶瓷的发展历程和研究现状,以及该样品基体配方的研究,分析了当前制备工艺中存在的问题,并提出了解决的方法,同时指出叠层片式PTC热敏陶瓷向着低阻化、片式化、微型化和绿色化方向发展。

    2014年07期 v.33;No.269 4-7+28页 [查看摘要][在线阅读][下载 575K]
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研究与试制

  • 织构化钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备与性能研究

    徐佩韦;张海波;肖建中;夏风;

    用熔盐法制备了片状Bi4Ti3O12模板,由Bi4Ti3O12片状前驱体制备了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)模板,由模板晶粒生长法制备了织构化0.91Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3-0.03K0.5Na0.5NbO3陶瓷。研究了Bi4Ti3O12以及Bi0.5Na0.5TiO3两种模板及模板含量对Bi0.5Na0.5TiO3无铅压电体系织构化的影响及织构化陶瓷的压电性能。结果表明Bi0.5Na0.5TiO3模板比Bi4Ti3O12模板更适合用于此体系的织构化,并且,在加入质量分数15%的Bi0.5Na0.5TiO3模板时Bi0.5Na0.5TiO3陶瓷取向度达到87.3%。质量分数5%的BNT模板织构化的陶瓷在6×103 V/mm电场下应变达到0.226%,相较于随机取向陶瓷提高了48.7%。

    2014年07期 v.33;No.269 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 1388K]
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  • Ba_2Ti_9O_(20)基微波介质陶瓷的微观组织与微波介电性能

    李佶莲;傅仁利;徐越;殷旺;吕开明;

    采用固相合成法,通过控制烧结温度和烧结时间,成功制备了单相Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷。采用XRD、SEM研究了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的物相组成和微观结构,采用平行板谐振法测试了Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷的微波介电性能。结果表明,单相Ba2Ti9O20微波介质陶瓷具有均匀一致的等轴晶,过高或过低的烧结温度将导致柱状BaTi4O9晶出现。1 360℃烧结4.5 h制备的Ba2Ti9O20基微波介质陶瓷介电性能为:?r=39.53,Q?f=33 800 GHz,τf=1.68×10–6/℃。

    2014年07期 v.33;No.269 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 1945K]
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  • (Na_(1/2)Nd_(1/2))TiO_3陶瓷的晶体结构及微波介电性能

    周岚;唐斌;刘俊;张树人;

    通过固相烧结法制备了具有高介电常数的(Na1/2Nd1/2)TiO3微波介质陶瓷,研究了烧结温度对该陶瓷微观结构及微波介电性能的影响。结果表明,在烧结温度低于或等于1 350℃时,所制陶瓷样品的主晶相为立方相的(Na1/2Nd1/2)TiO3;当烧结温度高于1 350℃时,所制陶瓷样品的主晶相变为四方相的Nd0.667TiO3。陶瓷样品的相对介电常数和品质因数随着烧结温度的升高均先增大后减小,在烧结温度为1 300℃时所制陶瓷样品最为致密,并具有最佳的微波介电性能,εr=110.06,Q×f=8 147 GHz,τf=244.6×10–6/℃。

    2014年07期 v.33;No.269 16-18+28页 [查看摘要][在线阅读][下载 806K]
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  • 废旧电池溶胶-凝胶-水热耦合法制备Mn_(0.6)Zn_(0.4)Cr_(0.4)Fe_(1.6)O_4

    席国喜;敦长伟;任翠红;许会道;牛全海;

    以硝酸溶解废旧碱性锌锰电池所得的溶液为原料,采用溶胶-凝胶-水热耦合法制备了Mn0.6Zn0.4Cr0.4Fe1.6O4。借助于IR、XRD、SEM和VSM对产物的结构、晶型、形貌及磁性能进行研究,进而探讨了不同制备条件对材料结构和性能的影响。结果表明,在柠檬酸与金属离子的摩尔比为0.6:1,溶胶的pH值为7,水热温度为240℃的条件下能制备出性能较好的Mn0.6Zn0.4Cr0.4Fe1.6O4。在该条件下制备的样品形貌近似为球形,分散均匀,其磁性能参数为:饱和磁化强度为60.586 A·m2/kg,剩余磁化强度为4.010 4 A·m2/kg,矫顽力为41.786 kA/m。

    2014年07期 v.33;No.269 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 706K]
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  • 复合陶瓷BaTiO_3/Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4的常温巨介电特性研究

    任丽;张荣芬;李峥;张安邦;邓朝勇;

    采用传统的固相反应法和氧化物陶瓷工艺制备了无铅磁电复合陶瓷(1–x)BaTiO3/x Ni0.5Zn0.5Fe2O4(质量配比,x=0,0.2,0.5,0.8)(BTO/NZF),研究了NZF含量对复合陶瓷的物相组成、微观形貌、致密度和介电性能的影响。结果表明:当NZF含量较低(x=0,0.2,0.5)时,NZF对复合陶瓷有介电稀释效应;当NZF含量较高(x=0.8)时,复合陶瓷晶粒尺寸、致密度及两相间接触面积增大,其NZF含量达到复合陶瓷渗流阈值,产生Maxwell-Wagner(M-W)表面极化效应,使得复合陶瓷在低频(f=40 Hz)下具有高的巨介电常数(ε′=312 238)和较低的介电损耗(tanθ=0.40)。

    2014年07期 v.33;No.269 23-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1149K]
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  • 不同形貌纳米ZnWO_4的制备及其气敏性能研究

    蒋东丽;马献力;陈素一;明廷永;

    以Zn(NO3)2和Na2WO4为主要原料,利用水热法制备了一系列的纳米ZnWO4,探讨了水热条件对产物物相和形貌的影响,并研究了不同形貌样品对甲醛、苯、酒精、乙酸和氨气等的敏感性能。结果表明:水热条件对产物的物相和形貌有较大的影响;在适宜的水热条件下,可成功制备出ZnWO4纳米颗粒和纳米棒;所制ZnWO4为n型半导体气敏材料;在pH=7,水热温度为180℃时反应24 h所获得的ZnWO4长纳米棒样品制成的元件在305℃时对体积分数为1 000×10–6的酒精蒸气的灵敏度为47.5,并具有较好的选择性,响应时间和恢复时间分别为10 s和24 s。

    2014年07期 v.33;No.269 29-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 1719K]
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  • W~(6+)掺杂CeO_2纳米材料的合成及光学性质研究

    杜卫民;高艳萍;朱晓燕;郝雅鸣;

    以普通无机盐为原料,成功合成了W6+掺杂的CeO2纳米材料。利用X射线衍射和扫描电子显微镜等测试手段对产物的物相和形貌进行了表征。结果表明:当W6+掺入CeO2的摩尔分数小于等于30%时,所得产物均为具有单一立方萤石结构的纳米粒子。光学性质研究发现,与未掺杂的CeO2纳米材料相比,Ce0.7W0.3O2.3纳米材料表现出了不同的光吸收性能,其发光光谱上出现的蓝光发射表明,Ce0.7W0.3O2.3纳米材料在发光材料领域具有潜在的应用前景。

    2014年07期 v.33;No.269 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 901K]
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  • 倒岛膜凹槽电容式压力传感器设计与特性分析

    肖丽仙;何永泰;彭跃红;刘晋豪;

    结合岛膜结构电容式压力传感器高灵敏度和凹槽结构电容式压力传感器较好线性度的优点,设计了一种倒岛膜凹槽电容式压力传感器,并根据其结构特点建立了倒岛膜凹槽电容式压力传感器的理论模型,使用FEA(有限元分析)法分析了传感器的电容-压力特性。结果表明,设计的倒岛膜凹槽电容式压力传感器具有较好的测量特性,其测量灵敏度和线性度分别为0.005 12 fF/Pa和0.981 78。与相同设计参数的岛膜或凹槽电容式压力传感器相比,该传感器较好地缓解了测量灵敏度和线性度之间的矛盾问题。

    2014年07期 v.33;No.269 39-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 620K]
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  • S频段大扫描角圆极化相控阵天线研制

    尹经禅;

    设计了一套S频段圆极化相控阵天线,该相控阵天线采用9个微带贴片天线单元进行优化排列与旋转组阵实现。通过HFSS软件仿真,在辐射功率10 dBW的情况下,该相控阵天线在方位360o俯仰±80o的大扫描角范围内,具有大于15 dBW的等效全向辐射功率(EIRP),法向轴比在整个频带内平坦且小于0.5 dB。设计并装配好该相控阵天线后进行测试,得到扫描范围内大于15 dBW的EIRP值,同时测得法向轴比在整个频带内平坦且小于1 dB,测试值与仿真设计值吻合很好。

    2014年07期 v.33;No.269 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 2012K]
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  • 天线孔径共用技术研究

    孙凤林;

    提出了一种新的天线孔径共用的方法。在低频单圆锥天线的辐射非敏感区上加载高频段微带天线阵,可以将两个不同频段和极化的天线集成为一个天线孔径,该天线的体积质量与原低频段天线相当,天线的两个馈电端口集成在原单圆锥天线的地板上。利用电磁仿真软件HFSS分析了该共用孔径天线的性能,在双频段0.7~1.3 GHz和4.1~4.2 GHz内反射系数均小于–10 dB,两个端口之间的隔离度大于31 dB,辐射方向图低频段为全向,高频段为定向,4.15 GHz增益达到11 dBi,仿真结果验证了该孔径共用方法的可行性。

    2014年07期 v.33;No.269 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 721K]
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  • 基于三维织物的四元阵纺织天线

    杨福慧;杜成珠;

    研制了一种新型的基于三维正交织物的纺织天线。该天线采用串馈四元阵形式,具有柔软性、易共形的性能,除了具有天线的功能,还具有纺织结构的功能。通过实验测定了天线的带宽、增益等指标。实验证明,该天线带宽为1.43~1.54 GHz,最大增益为7 dB,其尺寸为428 mm×155 mm。实验验证了新型天线的实用性。

    2014年07期 v.33;No.269 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 742K]
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  • 一种可展宽频带的U型切角天线

    曾文杰;蔡冬梅;吴奎;刘建霞;贾鹏;

    设计了一种可展宽频带的U型切角天线。将U型贴片天线进行切角处理,改变天线的结构与电流路径,可以有效展宽天线频带,并使其具有良好的阻抗匹配特性。采用HFSS15.0软件对天线模型进行仿真分析,对切角的长度、宽度进行优化,给出了天线的反射系数S11与U型槽尺寸和切角尺寸间的关系。结果表明,优化后的U型切角天线覆盖了整个2.4~2.5 GHz频带范围,电压驻波比VSWR≤2的相对带宽为19%,天线增益达到7 dB,波束宽度为83o左右。

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  • 布线图案导致的集成电路平坦化损伤研究

    郭玉龙;郭丹;潘国顺;雒建斌;

    使用化学机械抛光(CMP)的方式,对商用芯片进行拆解,获得了不同制造工艺的铜/低k介质互连结构样品。通过对所获得的32 nm制造工艺的铜/低k介质互连结构样品进行进一步的化学机械抛光实验来研究抛光过程中出现的损伤。实验结果发现,抛光压力过大和过小分别会造成宏观缺陷和导线腐蚀,互连线的分布会导致导线自身的碟型缺陷、不同图案布线结构交界两侧明显的表面高度差异以及同一图案布线结构内部的表面周期性高度起伏。这种表面高度差异可以通过预补偿的方式得到一定的改善。

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  • 叠层埋入式电阻温度分布的影响因素分析

    李天明;张瑞宾;黄春跃;宁忠萍;梁颖;

    选取方阻阻值、电阻表面积、电阻层间距、电阻距PCB板表层距离、同层电阻间距和电阻电流作为影响温度分布的关键因素,基于正交表L25(56)设计并建立了25种不同参数水平组合的叠层埋入式电阻有限元模型进行温度场分析,对所得25组温度数据进行极差分析和方差分析。结果表明:方阻阻值对温度影响最大,其次是电阻表面积、电阻电流、同层电阻间距、电阻距PCB板表层距离,最后是电阻层间距;在置信度为90%时,方阻阻值对温度有显著影响。

    2014年07期 v.33;No.269 66-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 706K]
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  • 电流密度对Sn3.0Ag0.5Cu焊点蠕变行为的影响

    邓凝丹;左勇;马立民;郭福;

    通过观察焊点的电阻变化和显微组织演变,研究了电流密度对Sn3.0Ag0.5Cu焊点蠕变行为的影响。结果表明:焊点在低电流密度条件下蠕变时,其电阻波动大、寿命长,失效机制由蠕变过程主导,损伤逐渐累积导致最终失效;焊点在高电流密度条件下蠕变时,其电阻波动小、寿命短,电迁移作用缓解了焊点的初期蠕变损伤,但是加速了焊点后期脆性断裂失效。

    2014年07期 v.33;No.269 71-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 1404K]
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  • 基于正交试验的芯片堆叠封装引线键合工艺研究

    唐宇;张鹏飞;吴志中;黄杰豪;李国元;

    选取0.203 2 mm(8 mil)金线采用热压超声键合工艺进行烧球、拉力和线尾等一系列正交试验,分析各个键合参数对键合质量的影响。研究结果表明,最优的引线键合工艺窗口为键合温度180℃或190℃、键合功率35 mW、键合时间15 ms或20 ms、键合压力0.12 N、烧球电流3 200 mA、烧球时间350μs和尾丝长度20μm。在影响键合质量的各因素中,键合功率和键合压力对键合质量的影响显著,过大的键合功率会引起键合区被破坏,键合强度降低,过小的键合功率因能量不足会引起欠键合,键合强度降低。过大的键合压力会引起键合球变形而导致键合强度降低,过小的键合压力因欠键合而导致键合强度降低。

    2014年07期 v.33;No.269 75-79页 [查看摘要][在线阅读][下载 642K]
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  • 微尺度BGA焊点拉伸过程有限元仿真分析

    王斌;黄春跃;梁颖;李天明;吴松;

    建立了微尺度BGA焊点拉伸有限元分析模型,研究了拉伸加载条件下焊点高度、直径和焊盘直径对焊点拉伸应力应变的影响。结果表明:拉伸条件下,微尺度BGA焊点顶端和底端的应力应变要大于焊点中间部分,焊点顶部和底部位置为高应力应变区域;在只单一改变焊点高度、直径和焊盘直径其中之一的前提下,随着焊点高度、直径和焊盘直径的增加,微尺度BGA焊点内的最大应力应变均相应减小;在置信度为90%的情况下,焊点直径对拉伸应力影响最大,其次是焊盘直径,最后是焊点高度;焊点直径对焊点拉伸应力具有显著影响,焊盘直径和焊点高度对焊点拉伸应力影响不显著。

    2014年07期 v.33;No.269 80-84页 [查看摘要][在线阅读][下载 1235K]
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  • 基于热-结构耦合的3D-TSV互连结构的应力应变分析

    黄春跃;梁颖;熊国际;李天明;吴松;

    建立了3D-TSV(硅通孔)互连结构三维有限元分析模型,对该模型进行了热-结构耦合条件下的应力应变有限元分析,研究了TSV高度和直径对3D-TSV互连结构温度场分布及应力应变的影响。结果表明:随着TSV高度和直径的增大,3D-TSV叠层芯片封装整体、焊球、间隔层、芯片和TSV及微凸点处的最高温度均逐渐降低,TSV高度和直径的增加在一定程度上有利于降低封装体各部分最高温度;随着TSV高度的增加,TSV及微凸点互连结构内的应力应变呈增大趋势。

    2014年07期 v.33;No.269 85-90页 [查看摘要][在线阅读][下载 1843K]
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编读通信

  • 《电子元件与材料》版权声明

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  • 《铝电解电容器专辑(七)》

    <正>该专辑收入《电子元件与材料》2009年第1期至2011年第12期,有关铝电解电容器的工艺技术,原辅材料,应用技术及发展趋势方面的重要论文及特约稿件1篇,共30篇,104页,约20多万字。是铝电解电容器及其相关行业中,从事科研、生产、教学及应用人员收藏、查阅的重要参考资料。定价:80元,邮资费:6元(其中包括挂号费3元)。另《铝电解电容器专辑(七)》特推出电子文档,包括《铝电解电容器专辑(七)》全部30篇论文及39篇文献摘录,此摘录为铝电解电容器方面的论文,此电子文档定价为800元,如需要者可直接联系

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  • 最新活动

    <正>随着网络数字化普及,并深入人们生活的各个领域,也改变着人们的生活方式,它具有快捷,携带方便,信息量大,更新快等特点,本刊应读者的要求,特在2014年推出加入《电子元件与材料》期刊读者会员,享受期刊12期全电子文档服务。加入《电子元件与材料》的读者会员,会员费全年为200元/年,本刊将2014年全年12期的每期论文的电子文档,以PDF格式,在出刊后发至会员的电子邮箱中。并将本刊的最新资料,最新活动将第一时间通知会员,让会员时刻掌握本刊的发展动向,了解本刊的最新资料,会员购买本刊的技术书籍享受8.5折优惠。加入本刊的会员需要认填写以下资料,以便我们及时,准确地安排发送期刊的工作。

    2014年07期 v.33;No.269 74页 [查看摘要][在线阅读][下载 589K]
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  • 下期要目

    <正>~~

    2014年07期 v.33;No.269 84页 [查看摘要][在线阅读][下载 444K]
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    2014年07期 v.33;No.269 104页 [查看摘要][在线阅读][下载 355K]
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理事论坛_功率器件专题

  • Ku波段高功率GaN线性功放的研制

    罗嘉;冉东;伍家香;

    卫星通信系统的发展对Ku波段功放提出了更为严苛的要求,除了输出功率指标外,尤其是线性化指标。对此,国内外大多采用行波管预失真技术的方式获得高功率线性功放。本文利用GaN HEMT器件的高功率、高效率特性,结合新型波导魔T的低损耗、高合成效率和高功率承受能力特点,在14.0~14.5 GHz范围内实现了连续波饱和输出功率大于200 W的功放,合成效率大于90%。在此基础上,应用自适应预失真技术提升功放的线性化指标。在输出总功率为100 W时,其输出IMD3优于30 dB,改善功放的线性度11 dB;同时,功放整体效率大于20%,优于国外同类功放,具有输出功率大,线性度好,效率高等优点。

    2014年07期 v.33;No.269 91-92页 [查看摘要][在线阅读][下载 525K]
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  • GaN器件在军事领域中的应用

    杨贤军;

    GaN基半导体具有击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、介电常数小、热导率大、抗辐射能力强等优点,广泛应用军用电子器件的制造。介绍了GaN器件在军事雷达、探测器以及激光引信等军事领域中的应用。

    2014年07期 v.33;No.269 93-94页 [查看摘要][在线阅读][下载 547K]
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  • 基于轨道交通应用的IGBT功率器件发展态势

    张铁竹;张远;

    简要介绍了IGBT(绝缘栅双极晶体管)的发展历程与现状,分析了基于轨道交通应用的IGBT在SiC衬底材料的引入、制造工艺的精细化、芯片及模块集成化、控制智能化等多个方面的发展趋势。

    2014年07期 v.33;No.269 95-96页 [查看摘要][在线阅读][下载 446K]
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  • Si基GaN功率器件的发展态势

    赵海发;杨锋英;

    宽禁带半导体材料GaN作为第三代半导体材料具有传统半导体材料所不具备的优异性能,在高频、高压、高温和大功率器件领域具有重要的应用。介绍了硅基GaN(GaN-on-Si)器件提高性能的技术路线,以及与之相关的材料集成技术。

    2014年07期 v.33;No.269 97-98页 [查看摘要][在线阅读][下载 461K]
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  • “宽带中国”战略推动下的元器件创新动态

    孙扬;

    基于国家权威数据以及与"宽带中国"战略相关的政策介绍,分析了中国宽带产业链发展的现状以及与国际水平的差距,探讨了光纤与光器件、GaN功率放大器以及新型滤波器等器件的发展趋势。

    2014年07期 v.33;No.269 99-100页 [查看摘要][在线阅读][下载 434K]
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理事论坛

  • 关于举办网络视频理事论坛的说明

    曾革;

    <正>为进一步实现《电子元件与材料》理事会章程第三章中的理事权利,特别是第1条"参加由理事会组织或参与主办的国内学术研讨会、国际论坛会、专题报告会、技术与项目交流会、产品展示会、各种培训班等",理事会秘书处拟借助现代通信手段,推出网络理事论坛。论坛将整合期刊传统纸媒、网站、邮件、微博以及微信等多种资源,借鉴学习2014年6月18日召开的《电子元件与材料》第7届网络视频编委会议的成功经验,以此推进期刊平台对企业以及行业的服务。

    2014年07期 v.33;No.269 101页 [查看摘要][在线阅读][下载 374K]
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  • 广东风华高新科技股份有限公司招贤纳士

    <正>~~

    2014年07期 v.33;No.269 102页 [查看摘要][在线阅读][下载 300K]
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读者天地

  • 新型光敏纳米粒子可同时获得光电最佳性能——太阳能转换效率最高可达8%

    <正>加拿大研究人员设计并测试了一种新型固态、稳定的光敏纳米粒子——胶体量子点技术,该技术或将用于开发更为廉价、柔性的太阳能电池及更好的气体感应器、红外激光器、红外发光二极管。此项研究成果发表在最新一期《自然·材料》上。胶体量子点基于两种类型的半导体收集阳光:N型(富电子)和P型(乏电子)。但N型半导体材料暴露于空气中时,会与氧原子结合,失去其电子,转变成P型材料。

    2014年07期 v.33;No.269 34页 [查看摘要][在线阅读][下载 421K]
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  • 基于纳米粒子独特热性能的标记方法问世

    <正>英国《自然》下属《科学报告》期刊6月5日的一篇论文中,描述了一种方法,可以在敏感类的爆炸物、固态或液态的药品中甚至墨水上做标记,这就是基于纳米粒子独特热性能的隐形条形码。其在安保及防伪领域,尤其是跟踪、验证和追寻各种物品来源等方面,被看做是非常有前途的新方法。条形码人们已很熟悉,这种按照一定的编码规则排列,可以表达一组信息的图形标识符,其实是随计算机与信息技术发展而诞生的,带动了自动识别系统与数据采集技术。但目前广泛用以标记物品的可见条形码,

    2014年07期 v.33;No.269 38页 [查看摘要][在线阅读][下载 449K]
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  • 美研制出新型模拟计算设备能耗仅为目前数字系统的1%

    <正>目前的计算机采用的是二进制逻辑:使用0和1来进行存储和计算,这种被称为布尔计算的计算方法有两大弊端:需要耗费大量能源并使用无数晶体管。现在,美国科学家研制出一种新型计算体系,其能将信息存储在周期信号的频率和相位内。研究人员表示,这类计算体系相对来说更像人脑,只需要耗费很少的能源就能进行计算。研究结果发表在5月14日出版的《科学报告》杂志上。二氧化钒(VO2)从导电的金属变为绝缘的半导体(以及相反的过程)只需少量热或电流。宾夕法尼亚

    2014年07期 v.33;No.269 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 419K]
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  • 硅与非硅材料“混搭”难题解决有助于开发更快、更稳定的电子和光子设备

    <正>美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管,并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称,该技术有望帮助硅材料突破瓶颈,为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。硅是目前最常见的一种电子材料,但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成电路在尺寸上已经小到了极限,这限制了系统运行速度和集成度的提升。此外,传统硅电路的一些"先天不足"也使其无法

    2014年07期 v.33;No.269 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 374K]
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  • 全碳电子产品可灵活集成到各种物体表面

    <正>韩国蔚山国立科学技术研究所和韩国电工研究所的研究人员采取一种新方法合成出完整的全碳电子设备,包括晶体管、电极、连接线及传感器,大大简化了它们的形成过程。这些价廉的电子设备可被附着在各种物体表面上,包括植物、昆虫、纸、布及人的皮肤。该研究成果刊登在《纳米快报》上。新方法利用碳独特的原子几何形状合成整个电子设备阵列,特别是碳纳米管晶体管、碳纳米管传感器和石墨电极。研究人员说:"我们的全碳器件(晶体管和传感器)由碳纳米管(作为通道)及石墨(作为电极)构成,通道部分需要半导体材料的电阻可通过外部偏置灵敏控制,电极部分需要金属材料的电阻非常小,可随着外部偏置引起的变化而忽略不计。"碳纳米管和石墨的不同特性是由于其不同的键合结构。研究人员说:"根据碳的键合结构,碳纳米管可以表现出半导体性质,而石墨可以显示金属性质。我们设计了多种催化剂以合成局部的碳纳米管和石墨所需的电子装置结构。以此方式,所有的碳设备可以被合成。"

    2014年07期 v.33;No.269 59页 [查看摘要][在线阅读][下载 431K]
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  • 中美科学家揭示金属玻璃中原子堆积的普遍规律

    <正>在"无序"的玻璃材料领域,物质的宏观性质和其微观结构之间的关系如何?近日,来自高压先进科学研究中心(上海)、美国斯坦福大学以及美国卡内基研究院地球物理研究所的研究团队利用先进的高压技术,发现了金属玻璃的微观平均原子间距和宏观的密度之间的一个普适的非三次方的分数幂函数关系,这一成果发表在最新一期的物理学权威期刊——《美国物理评论快报》上。据高压先进科学研究中心(上海)曾桥石博士介绍,由其领导的中美合作团队,采用压力作为调制物质

    2014年07期 v.33;No.269 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 420K]
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  • 英研究人员首次观看到原子如何“搭建”晶体

    <正>英国研究人员首次能够观看晶体由原子一个一个地"搭建"而成的全过程,这赋予了他们令人难以置信的控制纳米微观结构的能力。这项被称为纳米晶体测量学(Nanocrystallometry)的新技术有望用于定制具有不同用途的晶体,比如净水剂或者隐形斗篷等。"这是第一次我们可以真正拍摄到单个原子的运动,并观察原子一个一个地组装成晶体。"英国华威大学的尼古拉斯·巴里说。在纳米尺度的世界里,即使是由同一材料制成的杆、球和点,也拥有显著不同的化学和物理性质。但迄

    2014年07期 v.33;No.269 79页 [查看摘要][在线阅读][下载 445K]
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  • 本期广告产品分类索引

    <正>~~

    2014年07期 v.33;No.269 105-106页 [查看摘要][在线阅读][下载 756K]
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  • 本刊2014年参会信息

    <正>~~

    2014年07期 v.33;No.269 106页 [查看摘要][在线阅读][下载 402K]
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