刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 倒装芯片封装技术的发展

    刘培生;杨龙龙;卢颖;黄金鑫;王金兰;

    倒装芯片(FC)技术已经广泛应用于集成电路封装工艺中。介绍了FC技术的发展,讨论了FC的关键技术,如凸点下金属(UBM)、焊料凸点(Solder bump)、下填料(Underfill)、基板技术(Substrate),阐述了FC中的新技术,如铜柱(Cu pillar)、可控塌陷芯片连接新工艺(C4NP),分析了FC的可靠性,最后展望了FC与硅通孔(TSV)技术的结合趋势。

    2014年02期 v.33;No.264 1-5+15页 [查看摘要][在线阅读][下载 635K]
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  • IC封装基板超高精细线路制造工艺进展

    周文木;徐杰栋;吴梅珠;吴小龙;刘秋华;

    概述了目前超高精细线路制作的减成法、加成法、半加成法。针对减成法在倒装芯片球栅阵列封装和倒装芯片级封装积层精细线路制造中存在的缺点,重点介绍了超高精细线路半加成及改进的半加成工艺,并从精细线路制造角度分析了曝光、快速蚀刻等关键流程,展望了后续超高精细线路半加成工艺的发展方向。

    2014年02期 v.33;No.264 6-9+15页 [查看摘要][在线阅读][下载 558K]
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  • 等离子体硅基薄膜太阳能电池光电仿真研究进展

    郭瑞超;黄洪涛;陈小源;朱本鹏;李东栋;

    将金属表面等离子体共振理论应用到高性能薄膜太阳能电池设计当中已成为近年研究的热点之一。从金属表面等离子体共振理论在薄膜太阳能电池中的应用机理出发,重点介绍了不同纳米结构设计的等离子体硅基薄膜太阳能电池在光学和电学仿真中的研究进展,最后对等离子体硅基薄膜太阳能电池的发展方向进行了展望。

    2014年02期 v.33;No.264 10-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 523K]
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研究与试制

  • 导电胶导电/导热性能影响因素研究

    王玲;万超;朱姗;易莹;王鹏程;

    选用双氰胺固化环氧树脂体系制备导电胶,分别研究了银粉含量和尺寸、低熔点合金以及短链二元酸的添加对导电胶导电/导热性能的影响。结果表明,所制导电胶的导电及导热性能均随银粉含量的增加或尺寸(3~9μm)的增大而增强。低熔点合金可在银粉间形成冶金键合,降低银粉间的接触电阻与热阻,从而有效提高导电胶的导电及导热性能。少量己二酸的添加可有效去除银粉表面的绝缘油酸,提高导电胶的导电性能,同时其会与双氰胺反应起到偶联作用,降低银粉与树脂的接触热阻,最终有效提高导电胶的导热性能。

    2014年02期 v.33;No.264 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 175K]
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  • MOD法生长LaMnO_3缓冲层工艺的研究

    徐文立;熊杰;郭培;赵晓辉;陶伯万;

    采用金属有机沉积(MOD)法在LaAlO3(LAO)单晶基片上沉积了LaMnO3(LMO)缓冲层薄膜,通过控制LMO薄膜关键生长工艺(如退火温度、退火时间),系统地研究了薄膜微结构的变化。实验表明:在较宽的退火温度窗口范围均能获得单一取向生长的LMO薄膜,但其面外织构特性受退火温度和退火时间的影响很大。在退火温度为750℃,退火时间为60 min的最优工艺条件下,制备的LMO缓冲层具有纯c轴取向。在该LMO缓冲层上沉积的YBa2Cu3O7–x(YBCO)超导薄膜的临界电流密度为1.0×106 A/cm2,成功证明MOD法制备LMO缓冲层的可行性。

    2014年02期 v.33;No.264 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 219K]
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  • 小型化和差功分器的设计

    吴昊旻;敬守钊;唐聪;

    提出了一种小型化微带环形耦合器,利用该耦合器和威尔金森功分器设计并制作了一个和差功分器。测试结果表明,在1 030~1 060 MHz内,该功分器插损小于1.2 dB,输入端回波损耗大于14 dB,输出端隔离度大于20 dB。该和差功分器在保证了器件各端口的相位关系的前提下,其尺寸可减小30%,具有插损小、隔离度大、结构简单、成本低的优点。

    2014年02期 v.33;No.264 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 294K]
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  • 电子设备散热器热传导的三维数值模拟及结构优化

    何云板;王军霞;晏石林;

    借助ANASYS软件对热解石墨(TPG)/胶层/Al三明治结构在温度作用下Mises等效应力的分布进行了数值模拟,并通过改变TPG层、胶层、Al板的厚度实现结构优化。结果表明:不论是Al层,还是TPG层或胶层,最大拉应力区域均出现在边缘拐角处,距离边缘拐角较远的区域表现较小的应力;边缘拐角处在加载温度后最易受损,实际工艺设计时尽量使边缘拐角钝化,缓解应力集中;Al层、TPG层、胶层厚度依次为0.3,3.9,0.3 mm,三明治夹层结构的热应力分布比较合理。

    2014年02期 v.33;No.264 27-29+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 567K]
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  • 利用非对称共面波导提高共面波导弯曲结构传输性能

    陈宏巍;房少军;

    针对共面波导弯曲结构传输损耗较大的问题,提出了一种改进弯曲结构。该结构引入非对称共面波导弯曲结构以及相应的转换单元,解决了传统共面波导弯曲结构中容易激发奇模信号的问题。结合使用频域和时域的有限差分方法,对弯曲结构的传输系数进行了计算。理论分析和测试结果表明改进后的弯曲结构有效地抑制了奇模信号的传输,降低了共面波导弯曲结构的传输损耗。改进后的弯曲结构具有结构设计简单、易于加工的特点。

    2014年02期 v.33;No.264 30-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 374K]
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  • 一种低温漂低功耗带隙基准的设计

    唐宇;冯全源;

    基于UMC 0.25μm BCD工艺,设计了一个低温漂低功耗的基准源。针对传统放大器反馈结构带隙基准中运放输入失调较大以及输出阻抗较高的问题,通过改进电路将这两者降低,产生低温漂的基准电压;结合基准核心电路产生的负温度系数电压和多晶电阻的负温度系数特性,利用简单的电路实现基准电流源。仿真结果表明,在–40~+125℃,基准电压温度系数为15×10–6/℃,基准电流为1.02μA,低频时电路电源抑制比为–84 dB,整体静态电流仅为12.8μA。

    2014年02期 v.33;No.264 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 219K]
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  • 化学镀铜对厚膜敷铜陶瓷基板敷铜层的影响

    张鹏飞;傅仁利;钱斐;方军;蒋维娜;

    通过化学镀铜对厚膜敷铜陶瓷基板敷铜层进行致密化处理,采用SEM、XRD、导电性测试和结合力测试研究了化学镀铜对敷铜层结构和性能的影响。结果表明:基板敷铜层经化学镀铜处理后,孔洞深度明显变浅、平均孔径由10μm下降为3μm;表面铜层和中间层结合得更加紧密,敷接强度增加了143.6 N/cm2。同时,基板敷铜层的表面方阻由4.30 mΩ/□下降至3.02 mΩ/□,敷铜层的导电性能增强。

    2014年02期 v.33;No.264 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 348K]
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  • 热处理温度对CoTaZr薄膜磁芯电感性能的影响

    李慧;谢致薇;杨元政;陈先朝;何玉定;

    通过不同温度的热处理来改变磁控溅射法沉积的CoTaZr薄膜的组织结构,研究了热处理温度对薄膜微观结构及磁电性能的影响,并将这些薄膜作为电感磁芯,研究其热处理温度对电感低频段(频率范围为0~3 MHz)性能的影响。结果表明,镀膜态薄膜呈非晶态,随热处理温度的升高,薄膜晶化逐渐明显,其电阻率逐渐降低;150℃和300℃热处理均有利于提高薄膜的饱和磁化强度Ms以及薄膜电感的电感量L,150℃热处理可提高薄膜电感的品质因数Q,所以最佳的热处理温度为150℃。

    2014年02期 v.33;No.264 43-46+51页 [查看摘要][在线阅读][下载 399K]
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  • 陶瓷基板及钎焊技术对LED散热性能的影响

    钱斐;傅仁利;张鹏飞;方军;张宇;

    提出了一种新型的板上芯片直装式(COB)散热基板与散热翅片的连接技术——钎焊技术,结合实验和热仿真对比分析了钎焊连接与传统的导热膏连接对LED封装结构散热性能的影响。研究结果表明,在相同的热载荷下钎焊连接的封装结构中基板与翅片的温差为3℃,而导热膏连接的却为4.5℃。计算机仿真结果显示,在60℃恒温热载荷下钎焊连接和导热膏连接的封装结构的温差分别为0.8℃和1.6℃,并且施加更大功率热载荷时,钎焊连接的LED封装结构温差增加趋势更小,钎焊连接可以有效提高大功率LED的散热性能。

    2014年02期 v.33;No.264 47-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 305K]
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  • 带阈值补偿功能的峰值电流模式LED驱动芯片

    马云林;

    设计了一款带阈值补偿功能的峰值电流模式大功率LED驱动芯片。该芯片在传统的斜率补偿技术的基础上,采用电压电流转换的跨导结构,将输入端电压和负载端电压的变化转化为对应的电流变化的方式,实现在峰值电流模式下对斜率补偿的阈值进行补偿的目的,此结构提高了电路斜率补偿的精度和准确度以及峰值电流模式下电流环路反馈控制的精度。通过1μm BCD工艺进行仿真验证,结果表明在20~40 V的输入电压范围内输出电流最高可达到1 A,电流精度在±0.1%以内。

    2014年02期 v.33;No.264 52-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 529K]
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  • La_2O_3和Sm_2O_3掺杂对SrTiO_3陶瓷结构与性能的影响

    张旭;钟朝位;罗建;

    对SrTiO3陶瓷分别进行了La2O3和Sm2O3微量掺杂改性研究,观察了稀土掺杂后陶瓷样品的显微结构,研究了其介电损耗、相对介电常数及电容量变化率随测试温度变化的规律,分析了样品在不同测试电压下的绝缘特性。研究结果表明,La2O3和Sm2O3的微量掺杂对SrTiO3陶瓷的影响相似。稀土掺杂后,样品的晶粒尺寸变小,介电损耗增大,相对介电常数明显提高,电容量变化率明显改善,绝缘电阻明显减小。当稀土掺杂量高于0.2%(摩尔分数)时,La2O3的细晶效果比Sm2O3更明显。

    2014年02期 v.33;No.264 56-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 932K]
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  • 钛酸钡基低频热稳定陶瓷掺杂CCTO的研究

    肖谧;吴昊阳;

    以CaCO3、CuO及TiO2为原料,采用固相法制备了CCTO(CaCu3Ti4O12)。通过在纯BaTiO3与掺杂有M(M由Nb2O5、Co2O3、Nd2O3、CeO2及MnCO3构成,可改善陶瓷材料的温度特性)的BaTiO3中掺杂不同量CCTO,研究了CCTO掺杂对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响。实验结果表明,掺杂CCTO后,陶瓷晶粒长大,陶瓷介电性能随着CCTO掺杂量的改变而改变,居里峰随CCTO掺杂量的增加向高温方向移动。在烧结温度为1 160℃时所制备的添加有M和7%CCTO(质量分数)的BaTiO3陶瓷片样品在–55~+150℃的相对介电常数变化率在±15%以内,符合X8R的要求。

    2014年02期 v.33;No.264 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 853K]
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  • Ca/Si摩尔比对CBS系微晶玻璃结构与性能的影响

    韦鹏飞;郝凌云;杨晓莉;叶原丰;冯志强;

    采用高温熔融法,制备了四种不同Ca/Si摩尔比的CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃。考察Ca/Si摩尔比对该体系微晶玻璃结构和性能的影响。结果表明:Ca/Si摩尔比的上升,有利于CaSiO3晶相的生成,试样的致密度及相对介电常数下降,介电损耗明显增大。Ca/Si摩尔比为0.6时,875℃烧结试样的体积密度为2.46 g/cm3,显气孔率为0.27%,9.8GHz的相对介电常数和介电损耗分别为6.12和0.0019。

    2014年02期 v.33;No.264 65-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 494K]
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  • Li_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃对M-相Li_(1.0)Nb_(0.6)Ti_(0.5)O_3陶瓷低温烧结及微波介电性能的影响

    芈月安;李恩竹;余韶阳;徐宁;

    以Li2O-B2O3-SiO2(LBS)玻璃为烧结助剂,研究了掺入LBS玻璃的M-相Li1.0Nb0.6Ti0.5O3(LNT)陶瓷的低温烧结行为及其微波介电特性。研究结果表明,掺入LBS玻璃能有效降低LNT陶瓷的烧结温度,而对LNT陶瓷的微波介电特性影响很小。XRD分析结果表明:在掺入少量LBS玻璃的LNT陶瓷中没有出现第二相。掺杂LBS质量分数为0.75%的LNT陶瓷在875℃烧结0.5 h后获得了优异的微波介电特性:εr=63.26,Q·f=4 821GHz(f=4.432 GHz)。

    2014年02期 v.33;No.264 68-70+75页 [查看摘要][在线阅读][下载 774K]
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编读通信

  • 书讯

    <正>《电子元件与材料》增刊《国防科技工业微组装技术研究应用中心技术交流论文集》,该论文收录了2012年12月由中国航天科工集团第二研究院二十三所主办,在北京召开国防科技工业军用微组装技术研究应用中心年会暨技术交流推广会成员单位论文24篇,论文分为组装与封装,LTCC技术、仿真测试及其他、发展现状和趋势四个部分。增刊定

    2014年02期 v.33;No.264 23页 [查看摘要][在线阅读][下载 119K]
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  • 《铝电解电容器专辑(七)》

    <正>该铝辑收入《电子元件与材料)2009年第1期至2011年第12期,有关铝电铝电容器的工艺技术,原辅材料,应用技术及发展趋势方面的重要论文及特约稿件1篇,共30篇,104页,约20多万字。是铝电铝电容器及其相关行业中,从事科研、生产、教学及应用人员收藏、查阅的重要参考资料。定价:80元,邮资费:6元(其中包括挂号费3元)。

    2014年02期 v.33;No.264 38页 [查看摘要][在线阅读][下载 138K]
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  • 本刊书讯

    <正>~~

    2014年02期 v.33;No.264 99页 [查看摘要][在线阅读][下载 366K]
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  • 《电子元件与材料》读者免费索阅卡

    <正>尊敬的读者,为使本刊真正成为您工作中的好帮手,请您在百忙中抽时间填妥此卡,传真或电邮回本部,以便您的申请能被受理(本刊将免费赠阅《电子元件与材料》已出版期数任意一期1本和本刊书讯资料1份)您阅读本刊的目的(请选定打"√")

    2014年02期 v.33;No.264 100页 [查看摘要][在线阅读][下载 209K]
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经验点滴

  • 假冒钽电容辨识

    魏爱新;

    说明了钽电容对电子产品质量的影响,介绍了多种辨识假冒钽电容的简便方法,如对比正品钽电容和假冒件的外观形状、产品标识、元件引脚、尺寸和包装等的差别,还介绍了通过极限环境应力试验、电性能参数测试进行辨识的方法。最后,对电子元器件采购系统如何应对假冒元器件提出了几点建议和注意事项,包括到货检验、质量证明材料、供货商评价以及采购策略等。

    2014年02期 v.33;No.264 71-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 1272K]
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行业资讯

  • 从企业并购数据分析光伏产业发展趋势

    张宣;

    基于近年众多的并购案例及相关数据,分析了企业并购在光伏产业发展中的作用,指出通过股权收购,不仅可以突破技术瓶颈,还能促进企业在光伏全产业链的布局,实现整个行业的振兴。

    2014年02期 v.33;No.264 76-77页 [查看摘要][在线阅读][下载 52K]
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  • 从计算机专利数据库中挖掘太阳能电池的发展态势

    王强;

    采用专用计算机软件,检索分析了太阳能电池专利在地区、公司间的分布特点,结合一些具体的技术专利,指出光伏应用领域的专利布局具有重要的产业发展意义。

    2014年02期 v.33;No.264 78-79页 [查看摘要][在线阅读][下载 83K]
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  • 量子点太阳能电池研发动态

    蒋威;

    量子点太阳能电池被称为最新的第三代太阳能光伏电池。介绍了量子点太阳能电池的技术优势及工作机理。概述了国内外量子点太阳能电池材料的研发动态。

    2014年02期 v.33;No.264 80-81页 [查看摘要][在线阅读][下载 64K]
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  • MATLAB软件在太阳能电池研究中的应用

    贺素霞;乐丽琴;

    简单介绍了MATLAB软件的功能特点,论述了该软件在建立光伏电池模型、分析太阳能电池的特性、光伏发电系统的设计与仿真、电能质量分析以及研制测试系统等多方面的用途,展望了仿真软件与太阳能电池技术共同发展的前景。

    2014年02期 v.33;No.264 82-83页 [查看摘要][在线阅读][下载 393K]
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  • GaN在太阳能技术中的研发与应用动态

    王亚子;

    从光伏逆变器中的功率元件以及太阳能电池材料两个方面,辅以国家科技计划项目及市场分析信息,概述了第三代半导体GaN的在太阳能技术中的应用及研发的最新动态。

    2014年02期 v.33;No.264 84-85页 [查看摘要][在线阅读][下载 61K]
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  • 无线传感器网络中的供电新技术

    杜广朝;

    无线传感器网络作为一种由大量传感器节点构成的特殊网络,主要用于数据的采集和传输,供电技术是其发展的关键技术,探讨了其中的新型电池、能量采集以及电源的智能控制技术三个方面的最新动态。

    2014年02期 v.33;No.264 86-87页 [查看摘要][在线阅读][下载 62K]
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  • 农业物联网应用现状及相关传感器技术概述

    李海侠;

    简要介绍了国外农业物联网的典型应用,国内的政策试点情况以及所受的制约因素。指出了我国农用传感器存在种类少、稳定性及可靠性差等诸多技术瓶颈,分析了生化传感器、智能传感器等器件以及相关设备与标准的发展方向。

    2014年02期 v.33;No.264 88-89页 [查看摘要][在线阅读][下载 49K]
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  • 无线传感器网络在采矿安全生产中的应用

    王方;

    无线传感器网络因结构灵活、自组织、多跳等特点,在采矿安全生产中具有重要的应用价值。简述了传统监控系统的弊端,分析了无线传感器网络的技术优势及在采矿业中的应用现状,展望了政策推动下无线传感器网络及其产业链的发展前景。

    2014年02期 v.33;No.264 90-91页 [查看摘要][在线阅读][下载 62K]
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  • 传感器在发电厂中的应用

    张海燕;张丽香;

    概述了料位传感器、温度传感器、磁致位移传感器、电磁流量计、声热传感器等多种传感器在火电、水电及核电发电站中的应用。对电厂设计运营、新型传感器的研发具有参考意义。

    2014年02期 v.33;No.264 92-93页 [查看摘要][在线阅读][下载 49K]
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  • 热释电红外传感器的技术动态

    郑时春;雷显国;姜兵;

    介绍了LiTaO3、PZT等热释电材料在材料复合、工艺改进与创新方面的研发动态,结合一款单片机控制的热释电红外节能照明开关的设计实例,归纳与展望了热释电红外传感器在节能控制设备、楼宇人数统计以及在安全与军事等多个领域的应用。

    2014年02期 v.33;No.264 94-95页 [查看摘要][在线阅读][下载 75K]
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行业资讯_石墨烯快讯

  • 内蒙拟组建石墨烯产业联盟

    <正>近日,为加快内蒙古自治区石墨产业的转型升级,内蒙古自治区拟组建石墨烯产业技术创新战略联盟。作为能源大省的内蒙古自治区,蕴藏着丰富的石墨资源,幅员辽阔,有着良好的石墨烯产业发展基础,近日,为加快内蒙古自治区石墨产业的转型升级,发展石墨烯战略性新兴产业,加强区域支柱产业的技术创

    2014年02期 v.33;No.264 96页 [查看摘要][在线阅读][下载 38K]
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  • 石墨烯标准化委员会发布中国石墨烯第1号标准

    <正>日前,中国石墨烯标准化委员会正式发布中国石墨烯第1号标准《石墨烯材料的名词术语与定义》,并于2014年1月1日起实施。这是全球首个明确给出石墨烯关键名词术语和定义的标准。据悉,国际石墨烯标准目前仍处于缺位状态,中国石墨烯第1号标准的发布,预示着中国石墨烯标准化

    2014年02期 v.33;No.264 96页 [查看摘要][在线阅读][下载 38K]
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  • 中国首条石墨烯基超级电容器生产线在常州建成

    <正>常州立方能源技术有限公司2014年1月10日宣布建成中国首条石墨烯基超级电容器生产线。同时,石墨烯基超级电容器样品成功下线。生产线上的每一台设备都经过了该公司的设计改造,具有完全自主知识产权。生产采用的石墨烯粉体原料,厚度小于2纳米,具有高比表面积和高电导率等优点,目前,公司已建成

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行业资讯_理事专家

行业资讯_系列专辑目录

  • 欢迎订阅《电子元件与材料》系列专辑

    <正>为了更加系统及时地报道电子材料与元器件领域各研究热点的动态,《电子元件与材料》联合各专业的权威专家与学者,特别推出系列专辑,供企业研发、课题组选题、行业研究与投资等专业人士参考,并以此为平台提供产学研用的交流合作服务。订阅电话及联系邮箱:18981792300@163.com。

    2014年02期 v.33;No.264 98页 [查看摘要][在线阅读][下载 35K]
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  • 未来可用于类人皮肤 科学家成功研发可变形银纳米传感器

    <正>在2012年的时候朱永博士(Dr.Yong Zhu)和他率领的美国北卡罗来纳州立大学研究团队利用银纳米线成功开发出了具备高导电性和弹性的导体,当时他就曾表示使用这项技术能打造戴多功能传感器的可穿戴电子设备。经过接近两年多的研发,近日该研究团队成功宣布开发出这样一个多功能传感器。

    2014年02期 v.33;No.264 55页 [查看摘要][在线阅读][下载 83K]
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  • 世界首创高效能电池隔膜技术在我国诞生

    <正>由江西师范大学首席教授、江西先材纳米纤维科技有限公司副董事长候豪情博士率领的科研团队,历经数年艰难探索,研发出聚酰亚胺(PI)纳米纤维电池隔膜。这一世界首创的具有自主知识产权的高科技材料,可大幅提高汽车动力电池或电池组性能。

    2014年02期 v.33;No.264 60页 [查看摘要][在线阅读][下载 50K]
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