- 周超;高延敏;王丹;
采用溶剂热法,以CuCl2·2H2O、Zn(Ac)2·2H2O及SnCl4·5H2O作金属源,硫脲(TA)作硫源,PVP作表面活性剂,乙二醇作溶剂,在不同pH值条件下制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)颗粒。利用XRD、SEM、EDS和UV-Vis探讨了体系pH值对产物相结构、形貌、粒子数比以及光学性能的影响。结果表明:pH值对CZTS颗粒的相结构、形貌、粒子数比和光学性能均有影响。体系最佳pH值为4,该条件下合成颗粒的结构为锌黄锡矿结构,结晶性较好,颗粒形貌为微米级薄片,粒子数比为1.7:1.1:1.0:4.0,光学带隙为1.51 eV,与太阳能电池所需的最佳带隙接近。
2014年01期 v.33;No.263 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 508K] [下载次数：145 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：95 ] - 杨啸威;杨文豪;于仕辉;丁玲红;张伟风;
利用射频磁控溅射法在石英衬底上制备得到高质量的锑掺杂二氧化锡(ATO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ATO薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:溅射压强对ATO薄膜的相结构、择优生长取向和结晶质量均有一定的影响。所制薄膜的电阻率随着溅射压强的增加有先减小后增大的规律,并在溅射压强为1 Pa时取得最小值(1.99×10–3?·cm)。不同溅射压强下制备的薄膜在可见光区的透过率均在85%以上。
2014年01期 v.33;No.263 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 200K] [下载次数：170 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：103 ] - 何建廷;魏芹芹;杨淑连;李田泽;
在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)分别在n-Si(111)、蓝宝石(001)和非晶石英衬底上生长了ZnO薄膜。首先对薄膜进行了X射线衍射(XRD)分析,找出在三种不同衬底上制得的结晶质量最好的ZnO薄膜所对应的最佳衬底温度。然后对最佳衬底温度下得到的ZnO薄膜分别进行了X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)分析。结果表明,在硅衬底上生长的ZnO薄膜XRD谱半高宽最小,PL谱特征发光峰强度最强,AFM下的平均粒径最大,说明硅衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最好,而在石英衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最差。
2014年01期 v.33;No.263 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 190K] [下载次数：283 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：114 ] - 殷文慧;丁川;曹亮亮;李梦楠;曾燕伟;
在氮气中合成了单相的亚微米级MnZn铁氧体粉体,利用XRD、TG-DTA及热膨胀仪表征了空气环境下铁氧体的物相、质量和尺寸随温度改变的变化规律,研究了加热过程中铁氧体的氧化特性及其对烧结的影响。结果表明,铁氧体的Mn、Fe离子在升温过程中易发生氧化还原反应,从而在500℃时析出Fe2O3,离子变价使得尖晶石结构中的部分金属离子在四面体位和八面体位之间发生迁移,导致立方结构晶格畸变,使铁氧体产生质量变化和形变,进而引起烧结过程中出现裂纹。
2014年01期 v.33;No.263 15-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 430K] [下载次数：257 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：92 ] - 颜铄清;刘卫沪;聂彦;王鲜;冯则坤;
分别采用传统陶瓷制备工艺和流延法制备了NiCuZn系铁氧体材料以及长宽为125 mm×125 mm、厚度为50~200μm的NiCuZn铁氧体电磁屏蔽片。研究了NiCuZn铁氧体材料中的Zn含量对铁氧体电磁屏蔽片磁导率的影响。测试并分析了RFID卡可读写距离恢复比例与其S11曲线以及RFID卡S11曲线与紧贴其背后的铁氧体电磁屏蔽片的磁导率之间的关系。结果表明,适当提高铁氧体材料中的Zn含量,可以提高其电磁屏蔽片的磁导率,从而降低RFID卡S11曲线吸收峰频率的偏移,进而提高RFID卡可读写距离恢复比例。
2014年01期 v.33;No.263 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 933K] [下载次数：317 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：121 ] - 黄维刚;李磊;李卓;
采用共沉淀法制备了Gd0.95(BO3)x(VO4)1–x:Eu0.053+红色荧光粉体,利用X射线衍射仪和荧光分光光度计,较系统地研究了B3+掺杂量对荧光粉的晶体结构和发光性能的影响规律。结果表明,Gd0.95(BO3)x(VO4)1–x:Eu0.053+的晶体结构与GdVO4:Eu3+的相同,均为四方锆型。但由于B3+的半径比V5+的小,则B3+的掺杂会使荧光粉体的X射线衍射峰峰位出现稍微右移。与GdVO4:Eu3+相比,掺入适量B3+后荧光粉的发光强度显著提高,当x=0.6时,所得样品的发光强度最高,其最强的发射峰均来自Eu3+的5D0→7F2的红色光发射峰。
2014年01期 v.33;No.263 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 139K] [下载次数：238 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：105 ] - 杨虹;周艳;向高林;
对宽阻带高温超导滤波器进行了研究,借助IE3D软件设计出了一款中心频率位于S波段,带宽为100MHz的九级宽阻带带通滤波器。此滤波器采用阶梯阻抗梳状线谐振器,将滤波器的谐波频率提高到基波频率的3倍以上,实现了宽阻带的要求。优化仿真后的结果是:带内插损小于0.3 dB,带外抑制:在0~BW内大于70 dB,在BW~3f0内大于60 dB;通带内S11<–20 dB。该设计很好地实现了宽阻带,解决了干扰问题,并且设计结构简单,易于实现。
2014年01期 v.33;No.263 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 287K] [下载次数：220 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：114 ] - 陈林;李民权;汪炜;何家全;黄魏;
提出一种W型缺陷地结构(WDGS)单元,该WDGS单元性能优越,结构简单,便于加工。将该单元结构应用于带阻滤波器设计中,有效地提高了滤波器的阻带特性并减小了滤波器的尺寸。详细分析了WDGS单元几何参数对频率和带宽的影响。将三个相同WDGS级联,有效地增大了带阻滤波器的带宽并提高了其对信号的抑制效果。结果表明:该带阻滤波器在2.6~3.4 GHz,对信号的抑制从–25 dB到–37 dB。
2014年01期 v.33;No.263 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 243K] [下载次数：364 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：137 ] - 张友俊;曹雨露;马健;
提出了一种新颖、简单的六边环内增加微扰小环的双模带通滤波器结构。微扰小环具有两个可调参数,增加了调整双模的自由度,采用垂直结构的馈电方式,并对其进行优化。优化后的滤波器在通带两侧都产生衰减极点,提高了阻带的抑制能力。该滤波器仿真结果表明通带中心频率为5 GHz,3 dB带宽为27.87%,实测和仿真结果相一致,滤波器尺寸为26 mm×26 mm,保证了滤波器的小型化。
2014年01期 v.33;No.263 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 357K] [下载次数：153 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：92 ] - 仝晓刚;敖辽辉;石秀锟;成彦;
为了验证Parylene N在毫米波电路防护上应用的可行性,对35 GHz的薄膜滤波器和Ka频段的低噪声放大器进行了Parylene处理。测试结果表明,5μm的Parylene N膜层使薄膜滤波器中心频率下偏了约0.4%,10μm膜层使其中心频率下偏了约0.7%;5μm的Parylene N膜层使低噪放的噪声系数略有增大、增益略有降低。最后,对Parylene处理后的低噪放进行了湿热试验,高、低温贮存试验,发现其噪声系数曲线、增益曲线与试验前的走势一致性较好。因而,Parylene处理技术在毫米波电路防护上的应用是可行的。
2014年01期 v.33;No.263 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 475K] [下载次数：94 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：95 ] - 于岩;朱彦俊;王守绪;何为;徐缓;
运用有限元数值分析法对三种PCB散热结构,分别是芯片下方的PCB中埋置铜块(PCB-II型)、PCB底部压合铜板(PCB-III型)、PCB中间加入导热铝层(PCB-IV型)进行稳态、瞬态热分析、热阻分析以及不同对流系数下的热分析,并与不经过散热处理的PCB参照组(PCB-I型)进行对比。结果显示:在稳态和瞬态热分析中,II型、III型、IV型较参照组PCB-I型板面最高温度分别降低了3.22,9.66,7.86℃,其中III型升温幅度最平缓,II型与III型在10~30 s温度差距小,在30 s后逐渐拉大;在改变对流系数时,III型散热效果最好,而II型随着对流系数增加散热效果趋近于IV型。
2014年01期 v.33;No.263 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 326K] [下载次数：313 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：103 ] - 刘培生;仝良玉;沈海军;陶玉娟;黄金鑫;缪小勇;
采用有限元分析法,就一款1-block形式的FBGA封装阵列产品在注塑成型过程中所经历的带状翘曲现象进了预测分析,并用测试结果验证了有限元分析的有效性。在此基础上,从理论方面分析了材料性能对封装翘曲的影响,并对塑封料CTE参数进行了优化分析和仿真验证。最后,分析了芯片的排列形式对封装翘曲的影响。
2014年01期 v.33;No.263 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 251K] [下载次数：312 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：165 ] - 温桂琛;雷永平;林健;刘保全;白海龙;秦俊虎;
通过无铅焊膏的回流焊工艺窗口实验和工艺参数正交实验,分析了升温速率、峰值温度和熔点以上驻留时间对焊点形态的影响,确定了自制SAC305焊膏的合适工艺窗口和推荐工艺曲线参数。结果表明,自制焊膏的合适工艺窗口为峰值温度在焊料熔点以上20~30℃,熔点以上驻留时间60~80 s,长360 cm,宽30 cm的铁丝网型传送带速度为28 Hz。温区设定温度分别为190,210,230,260,285,300,280,265℃,这为工程实践中同类无铅焊膏的相关工艺制定提供了参考。
2014年01期 v.33;No.263 52-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 287K] [下载次数：879 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：112 ] - 尹立孟;姚宗湘;耿燕飞;林捷翔;陆宇浩;
采用基于动态力学分析仪(DMA Q800,TA-Instruments)的精密蠕变实验方法,研究了Sn-0.3Ag-0.7Cu无铅钎料微尺度焊点在恒定应力(15MPa)与不同温度(80,100,125℃),以及恒定温度(125℃)与不同应力水平(8,10,15 MPa)情况下的蠕变性能,实验用微尺度焊点的直径为400μm,高度为200μm。结果表明,所有微焊点的蠕变曲线均呈现初始蠕变、稳态蠕变和加速蠕变三个典型阶段,并且随着温度升高或应力水平提高,微焊点的稳态蠕变速率增加,而蠕变寿命降低。125℃下,微焊点的蠕变应力指数为4.9,15 MPa下的蠕变激活能为86.5kJ/mol。
2014年01期 v.33;No.263 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 241K] [下载次数：250 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：151 ] - 魏子陵;陈旭;周健;
为解决电子产品中大面积薄板对焊易产生焊接缺陷等问题,尝试采用圆形及方形开孔模版进行印刷,研究了印刷模版、印刷和回流焊工艺。采用X射线断层扫描对焊接面进行了检测分析,结果表明:圆形孔设计较方形孔设计产生的焊接面缺陷减少23.5%,且使用分步印刷结合三段式升温方法可以进一步减少焊接面缺陷。
2014年01期 v.33;No.263 60-62+66页 [查看摘要][在线阅读][下载 960K] [下载次数：175 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：120 ]
-
<正>超级电容器作为新型储能器件,具有功率密度高、充电时间短、使用寿命长等优点,但其能量密度一直受限于电极材料的性能。中科院电工研究所马衍伟课题组通过金属镁热还原二氧化碳气体,成功制备出富含孔道结构的石墨烯电极材料。基于此石墨烯研制的超级电容器,在水系和有机电解液中表现出优异的功率特性和循环寿命,在功率密
2014年01期 v.33;No.263 31页 [查看摘要][在线阅读][下载 65K] [下载次数：75 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：120 ] <正>实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法,而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表面热氧化的硅片,一般氧化层(SiO2层)结晶性好、漏电流小、避免影响目标纳米结构本身的光电信号。然而,目前该方面的研究却忽略了硅本身作为一种很好的吸光半导体和光电转换的优势。
2014年01期 v.33;No.263 38页 [查看摘要][在线阅读][下载 49K] [下载次数：37 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：56 ] -
<正>据物理学家组织网近日报道,石墨烯是由碳原子组成的二维片状材料,因物理化学性质独特,已经在许多领域显示出了巨大的应用潜力。但其许多可以预见的应用都需要经过复杂且昂贵的处理才能实现,增加了走向应用的难度。日前,美国麻省理工学院和加州大学伯克利分校的科学家发现了一种简单、廉价的处理方法,有望帮助石墨烯发挥潜力,更快走向商用。相关论文发表在本周出版的《自然·化学》杂志上。
2014年01期 v.33;No.263 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 33K] [下载次数：43 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：99 ] <正>由中科院新疆理化所技术研究所科研人员完成的"一种高B值负温度系数热敏电阻材料的制备方法"获国家发明专利授权(专利号:ZL 201210250492.0)。负温度系数热敏电阻是一种电阻值随温度的升高而减小的电子元件,热敏电阻具有灵敏度高、互换性好、受磁场影响小、可靠性高、响应时间短等优点,已被广泛应用在温度测量、温度控制和补偿等方面。
2014年01期 v.33;No.263 59页 [查看摘要][在线阅读][下载 62K] [下载次数：105 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：95 ] -
<正>在国家自然科学基金、福建省科技重大专项支持下,中科院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室王元生研究员领衔的课题组在大功率照明白光LED材料取得了关键技术突破。在揭示发光微晶玻璃组分-结构-性能关系规律的基础上,通过控制原子扩散与反应过程,改善非晶-晶体两相界面缺陷结构,优化YAG
2014年01期 v.33;No.263 66页 [查看摘要][在线阅读][下载 105K] [下载次数：74 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：87 ] <正>该专辑收入《电子元件与材料》2009年第1期至2011年第12期,有关铝电解电容器的工艺技术,原辅材料,应用技术及发展趋势方面的重要论文及特约稿件1篇,共30篇,104页,约20多万字。是铝电解电容器及其相关行业中,从事科研、生产、教学及应用人员收藏、查阅的重要参考资料。定价:80元,邮资费:6元(其中包括挂号费3元)。
2014年01期 v.33;No.263 66页 [查看摘要][在线阅读][下载 105K] [下载次数：35 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：71 ]