刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • TiO_2光阳极染料敏化太阳能电池的研究进展

    马洪芳;王小蕊;马芳;丁严广;王振;

    通过介绍染料敏化太阳能电池(dye-sensitized solar cells,简称DSSC)的研究背景,指出了DSSC的研究意义。从光阳极、染料敏化剂、电解质和对电极等基本构成要素方面综述了DSSC的研究现状,并展望了其未来的发展方向。

    2013年04期 v.32;No.254 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 723K]
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研究与试制

  • 熔制温度对CBS系微晶玻璃结构与性能的影响

    韦鹏飞;杨晓莉;郝凌云;叶原丰;冯志强;

    采用高温熔融法制备CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃,考察不同熔制温度对该体系微晶玻璃结构和性能的影响。结果表明:熔制温度1 400~1 450℃,试样中存在少量未熔融的SiO2,有利于CaSiO3晶相的析出和晶粒细化,加速CBS系微晶玻璃致密化。熔制温度为1 450℃粉料,850℃烧结保温15 min所制CBS性能较优:体积密度为2.54 g.cm–3,相对介电常数为6.42,介电损耗为0.000 9。

    2013年04期 v.32;No.254 6-8+15页 [查看摘要][在线阅读][下载 955K]
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  • 石墨烯微波制备的改进及其电化学性能研究

    朱勇利;曾葆青;蔡文博;郭靖;

    为寻找高效、环保的方法制备出性能优异的石墨烯超级电容器电极,采用制备氧化石墨的改进法得到酸、中性氧化石墨(S-GO、Z-GO),经微波膨胀得到不同形貌的石墨烯纳米片(WS-GO和WZ-GO),对WS-GO活化得样品HWS-GO;通过SEM、FT-IR和电化学工作站对样品的形貌、组成和电化学性能进行表征分析。结果显示:WS-GO比电容可达222 F/g,可逆性好,商业应用潜力大。

    2013年04期 v.32;No.254 9-11+15页 [查看摘要][在线阅读][下载 763K]
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  • 磁控溅射工艺参数对Cu薄膜电阻率的影响

    陈皓帆;杨丽红;

    在确定Cu薄膜临界尺寸的基础上,选定基底温度、靶基距、溅射功率和工作气压为影响因素设计正交试验,研究了磁控溅射制备工艺对Cu薄膜电阻率的影响。研究结果表明:基底温度是影响薄膜电阻率的最主要因素,电阻率随着基底温度的升高而减小;在工艺条件为基底温度200℃、靶基距45 mm、溅射功率100 W、工作气压0.5 Pa时,所制薄膜的电阻率将会达到最小。最后,结合薄膜微观形貌对试验结论进行了分析,并对最佳工艺条件进行了实验验证。

    2013年04期 v.32;No.254 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 791K]
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  • 氩氧分压比对ZnO薄膜的结构及电学性能的影响

    李星活;王聪;彭强;

    采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFTS),研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明:氩氧分压比为40/16和40/8时制得的ZnO-TFT样品,都存在氧过量现象,生长晶向都存在一定左偏移,有源层沟道都为n型,均工作在增强型模式下,饱和特性都较好,且都呈现出一个较大的负方向漏电流,但氩氧分压比为40/16时制备的ZnO薄膜结晶性更好,其所对应的ZnO-TFT具有更高的场效应迁移率和开关电流比,以及更低的亚阈值摆幅。

    2013年04期 v.32;No.254 16-19+23页 [查看摘要][在线阅读][下载 816K]
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  • 双层钙钛矿Sr_2TiMnO_6的溶胶–凝胶法合成和介电性研究

    张润兰;申丽华;赵顺省;

    采用溶胶–凝胶法制备了Sr2TiMnO6陶瓷粉末,利用X射线衍射、红外光谱、扫描电子显微镜对其结构进行了表征,并研究了Sr2TiMnO6的介电行为。结果表明,煅烧温度为1 473 K时即可合成具有四方结构的双层钙钛矿Sr2TiMnO6,且样品结晶性良好。在125~475 K时材料的介电行为表现出频率弥散现象并出现两处介电弛豫。低温介电弛豫满足Arrhenius公式,表明该弛豫行为由热激活引起;而在高温下,材料缺陷(气孔)及大的漏导导致介电损耗迅速增大。

    2013年04期 v.32;No.254 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 780K]
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  • 退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响

    吴涛;江先锋;周旻超;郭栓银;张丽芳;

    采用磁控溅射的方法在p型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影响。结果表明:p-GaAs上制作的Ti/Pt/Au金属系统能在很短的退火时间(60 s)内形成很好的欧姆接触。过分延长退火时间,并不能改善系统的欧姆接触性能。退火温度在400~450℃时均可得到较好的欧姆接触。当退火温度为420℃,退火时间为120 s时,比接触电阻率达到最低,为1.41×10–6.cm2。

    2013年04期 v.32;No.254 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 997K]
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  • 预烧工艺对MnZn功率铁氧体的影响

    豆小明;黄爱萍;谭福清;

    采用传统的陶瓷工艺制备了MnZn功率铁氧体,研究了预烧工艺对预烧料的磁化率和振实密度的影响,并在此基础上,探讨了预烧温度对烧结样品微观结构和磁性能的影响。结果表明,升温速度和保温时间对预烧料的磁化率和振实密度的影响都很小,预烧温度对其起决定性作用。当预烧温度从700℃提高至1 000℃时,预烧料的磁化率提高了近10倍,振实密度提高约20%。当预烧温度为900℃时,所得MnZn功率铁氧体具有良好的烧结微观结构和最低的功率损耗。

    2013年04期 v.32;No.254 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1191K]
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  • 纯化条件对多壁碳纳米管功能化的影响

    张转芳;闫尔云;

    分别采用浓HNO3,混酸(浓HNO3与浓H2SO4体积比为1:3)和酸性高锰酸钾法对多壁碳纳米管(MWCNTs)进行了纯化处理。利用超声法用醋酸铜和纯化好的碳纳米管在碱性条件制备了Cu2O/MWCNTs纳米复合材料。通过XRD、FT-IR、XPS、TEM对三种纯化方法所获得的MWCNTs和Cu2O/MWCNTs进行了对比分析。结果表明,酸性高锰酸钾法纯化处理的MWCNTs功能化效果最好,引入的活性基团相对较多且在表面分布均匀。

    2013年04期 v.32;No.254 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 796K]
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  • 基于液态金属的频率可重构天线新设计

    夏林艳;李校林;田海燕;

    提出一种新型的液态金属频率可重构天线设计方法。以对称振子天线为原型,采用镓铟液态合金(EGaIn)为辐射元,将其包裹在微流体通道内。在天线适当位置开口添加绝缘片,呈断路状态;撤掉绝缘片,利用液态金属自我修复性能,加热挤压切口使其愈合,呈通路状态;通过调节绝缘片的位置实现1.6~3.0 GHz频率范围内的重构,并通过曲线拟合提出了适合该天线的工作频率估算公式。仿真结果表明天线具有良好的带宽、阻抗特性,并保持较高增益,辐射性能良好。

    2013年04期 v.32;No.254 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 691K]
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  • 一种全向圆柱共形螺旋阵列天线

    曹卫平;宁丹;

    基于圆柱共形阵列天线的基本理论,提出了一种螺旋圆柱阵列天线,该阵列由两层沿圆柱外壁交错排列的螺旋单元组成,采用矩量法分析了天线的辐射特性。通过优化螺旋单元的个数及分布,得到最优的单层单元数N=18,层间距H=60 mm,使阵列天线在实现高增益的同时,在θ=90°平面上产生360度全向辐射,最大增益Gmax可达7.5 dBi,不圆度C<1.6 dB。

    2013年04期 v.32;No.254 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 637K]
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  • 具有三阻带特性的新型平面超宽带天线研究

    石亚伟;陈孟刚;刘东卓;

    设计了一款具有三阻带特性的紧凑型超宽带天线。该天线采用共面波导结构进行馈电且能覆盖3.05~11.05 GHz的频率范围。通过在地表面加载两个对称的L形槽可以滤除WiMAX和卫星通信系统对超宽带系统的干扰,同时5.15~5.25 GHz和5.725~5.825 GHz的WLAN系统对超宽带系统的干扰分别被加载在辐射贴片上的倒C形和馈线上的倒U形槽滤除。天线经过设计,优化和制作,并对其进行了测试。测试结果表明,该天线尺寸为23mm×30 mm,其在3.05~11.05 GHz内VSWR小于2,并在3.30~4.16,5.0~5.4和5.6~6.0 GHz处形成了三个阻带。

    2013年04期 v.32;No.254 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 804K]
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  • 基于平面微带结构超介质天线设计与分析

    张莉;竹锦霞;唐瑜;

    利用开槽曲流技术构建了一种工作频段位于S、C波段内的多频微带贴片天线,根据传统立体左手材料的变型结构设计了一种新型平面微带结构的超介质。在微带贴片天线的介质基板内加载超介质覆层后,天线工作频率降低,频带展宽以及辐射性能得到改善。HFSS和Matlab仿真实验结果表明,新型平面微带结构的超介质在2.7~4.9GHz和5.0~5.5 GHz两个频段内具有等效介电常数和等效磁导率均小于0的左手特性,工作频率在2.66,3.67,4.66和5.49 GHz的微带贴片天线加载超介质覆层后,其谐振频率分别降低了140,140,210和270 MHz,同时4.60~4.78GHz的工作频带展宽了160 MHz。该超介质微带天线可以运用于实际的WLAN或WIMAX通信中。

    2013年04期 v.32;No.254 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 1210K]
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  • 圆形IDT结构声表面波滤波器的设计与实现

    王代强;姚祖铭;陈雨青;杨发顺;龚红;刘桥;

    采用硅基AlN薄膜作为压电衬底,利用改进的δ函数模型对变迹加权圆形IDT结构进行建模仿真,根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,并在实验室制作了中心频率为300 MHz,带内插损8 dB的SAW带通滤波器样品。测试结果表明,其仿真结果与试验结果一致性较好。

    2013年04期 v.32;No.254 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 1135K]
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  • 新型的方形贴片双模微带带通滤波器

    张友俊;岳澄;

    提出了一种新型的方形贴片双模微带带通滤波器。该滤波器结构有一个切角,并且在贴片中心处开了一个两臂等长的十字槽,采用正交直接馈电方式,并在每条馈线上引入了一节与谐振腔有一定耦合的开路短截线。该结构在上下阻带都产生衰减极点,馈线上引入的微带线有效地抑制了寄生通带,提高了阻带抑制特性。仿真结果表明,该滤波器在中心频率2.9 GHz处,回波损耗优于–30.9 dB,通带内最小插入损耗为–0.1 dB,与实测结果基本一致。

    2013年04期 v.32;No.254 54-56+60页 [查看摘要][在线阅读][下载 702K]
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  • 双层基片集成波导双通带滤波器设计

    程孝奇;李国辉;鉴浩;吴昊;郑新元;

    根据频率变换法的双通带滤波器综合理论,采用矩形基片集成波导谐振腔作为基本谐振单元,通过谐振器之间直接耦合设计了一种双层结构的双通带基片集成波导滤波器,利用Ansoft HFSS建立滤波器模型并进行全波仿真。仿真结果表明,两个通带内回波损耗均大于20 dB,插入损耗小于0.5 dB,通带之间的阻带衰减特性良好,同时其尺寸压缩了约50%,较好地实现了滤波器的小型化,满足了工程需要的技术指标。

    2013年04期 v.32;No.254 57-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 688K]
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编读通信

综合信息_书讯

  • 《有机介质电容器选集》内容简介

    <正>该选集包含专题论文篇、已获得的专利和未申请的专利资料篇、重要试验篇和"有机介质电容器设计资料"篇等四部分共计专题论文136篇,共523页。其中论文篇包含《聚苯硫醚塑料薄膜及其电容器》、《MKV换流用功率电子电容器》、《聚丙烯及电容器用聚丙烯薄膜》、《冲击

    2013年04期 v.32;No.254 31页 [查看摘要][在线阅读][下载 816K]
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综合信息

  • 中国科学家造出世界最轻材料 仅相当空气密度1/6

    <正>浙江大学的科学家们研制出了一种超轻材料,这种被称为"全碳气凝胶"的固态材料密度仅每立方厘米0.16毫克,是空气密度的六分之一,也是迄今为止世界上最轻的材料。"气凝胶"是半固体状态的凝胶经干燥、去除溶剂后的产物,外表呈固体状,内部含有众多孔隙,充斥着

    2013年04期 v.32;No.254 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 438K]
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综合信息_理事会新成员

  • 深圳市柏瑞凯电子科技有限公司

    <正>柏瑞凯是一家专注于固态铝电容器研制、生产和销售的高科技企业,拥有完备而先进的固态铝电容器制造技术和生产线,当前产品系列齐全,包括DIP型和SMD型卷绕式固态铝电容器,产品工作电压范围涵盖2.5~63V,最长工作寿命可达105℃/5000 h,最高工作温度可达125℃,

    2013年04期 v.32;No.254 53页 [查看摘要][在线阅读][下载 769K]
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行业资讯_开栏寄语

行业资讯_产业透视

  • 我国电子信息百强企业利润不抵“一个苹果”重组已箭在弦上

    目前我国电子信息企业普遍规模较小,企业经营能力和一些海外知名跨国公司相比仍存较大差距,中国电子信息百强企业年利润总额现在尚不抵美国苹果公司一家企业的年利润。再如集成电路行业,中国近500家IC设计公司的总销售额也远不如全球最大IC设计企业高通公司。如何做强做大,已是一个全行业面临的难题。

    2013年04期 v.32;No.254 62-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 548K]
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行业资讯_新材料

  • 硅芯片大限将至碳纳米管能否粉墨登场

    <正>迟早有一天使用硅为材料制造日益变小的电路的极限将会到来,从而终结摩尔定律。碳纳米管技术可将半导体缩小至5 nm的极限。在未来十年的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的

    2013年04期 v.32;No.254 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 494K]
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行业资讯_新元件

  • 忆阻器 初露峥嵘

    《电子元件与材料》近年发表的《第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展》及《忆阻器研究进展及应用前景》,下载量领先于同类研究论文,据《第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展》一文的导师清华大学教授周济反馈的信息,已有厂家咨询生产事宜。该专业的论文发表量呈逐年上升趋势。

    2013年04期 v.32;No.254 65-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 493K]
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行业资讯_会议

  • 《电子元件与材料》第七届编委会议预备会圆满召开

    <正>2013年2月22日,《电子元件与材料》第七届编委会议预备会在电子科技大学微固学院圆满召开。该次会议应编委会主任清华大学教授周济和电子科技大学李言荣院士的提议召开,共同讨论研究了《电子元件与材料》今后发展的思路和必要措施。应邀参会的代表有:远程而来的山东大学教授

    2013年04期 v.32;No.254 67页 [查看摘要][在线阅读][下载 564K]
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行业资讯

行业资讯_学科人物

  • 樊慧庆教授和他的著作《电子信息材料》

    <正>樊慧庆教授任职于西北工业大学材料学院,博士生导师,《电子元件与材料》编委。主要从事新型电子、光电子信息功能材料与器件的应用基础研究。曾任韩国Seoul National University研究员、BK21助教授,应邀出访了美国、日本、韩国、英国、新加坡和香港等地的实验室和大学,进行学术交流。

    2013年04期 v.32;No.254 69页 [查看摘要][在线阅读][下载 662K]
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行业资讯_咨询报告

  • 2013年版电子信息新材料产业园区定位规划及招商策略咨询报告

    <正>产业园区是区域经济发展、产业调整和升级的重要空间聚集形式,担负着聚集创新资源、培育新兴产业、推动城市化建设等一系列的重要使命。园区的具体形式多种多样,主要包括高新区、开发区、科技园、工业区、产业基地、特色产业园、孵化器、加速器以及近期各地陆续提出的产业新城、科技新城等。近年来

    2013年04期 v.32;No.254 70页 [查看摘要][在线阅读][下载 458K]
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