- 范晓明;权利;张延伟;江理东;于明洁;
通过分析宇航元器件应用验证指标体系的特点,建立了一套面向宇航元器件应用验证的指标体系构建方法,该方法分别应用专家遴选系统、头脑风暴法和德尔菲法,解决了宇航元器件应用验证指标体系构建中的专家遴选、因素识别和指标体系构建问题。最后,应用该方法建立了宇航元器件应用验证综合评价指标体系基本结构。
2013年03期 v.32;No.253 18-21+25页 [查看摘要][在线阅读][下载 206K] [下载次数：410 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：129 ] - 代海洋;陈镇平;薛人中;李涛;许继峰;
采用固相反应法制备了(1–x)BiFeO3-xBaTiO3多晶陶瓷样品,研究了BaTiO3添加对BiFeO3陶瓷结构、电学性能的影响。结果表明:当x由0增加到0.4时,样品的相结构由三方钙钛矿结构逐渐转变为立方结构,杂相有效消除;漏电流密度从1.1×10–5A.cm–2下降至1.1×10–7A.cm–2,相对介电常数提高了2.6倍,剩余极化强度增加了近20倍。
2013年03期 v.32;No.253 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 595K] [下载次数：330 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：101 ] - 晏忠;黄金亮;顾永军;李谦;
采用传统固相反应法制备了ZnNb2O6陶瓷,研究了复合添加BaO-CuO-V2O5(BCV)烧结助剂对ZnNb2O6陶瓷的烧结特性、物相组成、微观组织形貌及微波介电性能的影响。结果表明:掺杂少量BCV的ZnNb2O6陶瓷物相组成并未改变,仍为ZnNb2O6单相。添加质量分数2%的BCV可使ZnNb2O6陶瓷的烧结温度降至950℃,并且在950℃烧结3 h具有较佳的微波介电性能:εr=24.7,Q.f=75 248 GHz,τf=–50.4×10–6/℃。
2013年03期 v.32;No.253 26-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 844K] [下载次数：219 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：121 ] - 李冉;王啸;马涛;王会;
采用固相法制备了添加B2O3的Li2MgSiO4陶瓷,研究了添加B2O3助剂对降低Li2MgSiO4陶瓷烧结温度的作用,以及B2O3对所制陶瓷的密度、相结构与微观形貌、微波介电性能的影响。结果表明,添加质量分数2%的B2O3就可在810℃的低温下实现Li2MgSiO4陶瓷的致密烧结,并获得较佳的介电性能:εr=5.84,Q.f=107 000 GHz(f=8 GHz),可用于制作LTCC材料。
2013年03期 v.32;No.253 30-32+41页 [查看摘要][在线阅读][下载 699K] [下载次数：189 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：108 ] - 莫兴婵;韦小圆;韦成峰;郑少英;覃远东;刘来君;
采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12(Cu-CCTO)陶瓷。采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征。研究了保温时间对Cu-CCTO陶瓷的介电性能和晶界特征的影响。结果表明:保温时间从1 h延长到30 h,Cu-CCTO陶瓷在100 kHz下的介电损耗保持在0.135,相对介电常数由3 600增至20 000以上。随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的I-V非线性系数由1.8增至3.37,但击穿电场强度却由1 500 V/cm降至约700 V/cm。随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的势垒高度和耗尽层宽度均增加。
2013年03期 v.32;No.253 33-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 759K] [下载次数：232 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：143 ] - 陈艺灵;张帆;葛桂宾;庄剑勇;黄锦涛;
使用专业高速摄像机,在线观察研究了中高压陶瓷电容材料在电场作用下被击穿破坏过程。结果表明,中高压陶瓷电容材料的击穿通常发生在0.17～0.25 ms。在电场强度逐渐增强的过程中,还可以观察到陶瓷样品的放电、气体放出以及陶瓷介质的燃烧等现象。击穿前出现的放电频率越高,材料的击穿电场强度越低,而气孔率的减小有助于材料击穿电场强度的提高。
2013年03期 v.32;No.253 37-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1236K] [下载次数：313 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：91 ] - 殷锐;董新刚;
针对使用高压电容器的几种放电回路,开展了回路参数仿真分析研究。参数辨识结果表明采用高压陶瓷电容和固态开关组成的放电回路参数明显优于采用高压固体电容器和触发管的放电回路,改进装配方式后回路参数也比改进之前明显减小。该改进技术的提出,在不改变既定电性能指标的基础上大大改善了整个回路电路的体积与质量。该改进技术已成功应用于多个爆破项目中。
2013年03期 v.32;No.253 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 333K] [下载次数：158 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：96 ] - 杨涛;钟朝位;
采用传统陶瓷方法制作了Mg1+xAl0.8Cr0.6Fe0.6Lay(x=–0.10,–0.05,0,0.05,0.10,0.15,0.20;y=0,0.05)系高温NTC陶瓷材料,借用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了MgO含量及La2O3掺杂对陶瓷材料相结构和电学性能的影响规律。结果表明:适当增加MgO的含量可以有效提高陶瓷材料的常温电阻率和B值(材料常数),La2O3掺杂可改善高温NTC陶瓷材料B值的稳定性。当x=0.15,y=0.05时,在1 873 K烧结可获得ρ25=7.55×1010.cm,B=8 795 K的高温NTC陶瓷材料。
2013年03期 v.32;No.253 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 1210K] [下载次数：169 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：109 ] - 李艳琼;曾文;谢国亚;
为准确在线监测电力变压器油中溶解气体,预测其潜伏性故障,通过水热法合成了多种一维纳米SnO2材料,并以其作为气敏材料制作了旁热式气体传感器,研究了其对变压器油中析出气体乙炔的气敏性能。结果显示,各元件表现出不同的气敏性能,其中花状纳米SnO2对乙炔气体的敏感性能最优,在360℃的工作温度下,其对体积分数为1×10–4的乙炔的灵敏度达到38,响应和恢复时间分别为15 s和28 s。
2013年03期 v.32;No.253 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 981K] [下载次数：333 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：111 ] - 常春;唐雁坤;
采用溶胶–凝胶法制备了纳米La0.67Sr0.33MnO3样品,通过XRD、TEM及PPMS(物理性质测量系统)研究了样品的结构、磁性和电输运特性。结果表明,样品为单相菱方钙钛矿结构,平均晶粒大小为61 nm,在10 K到300 K间样品具有铁磁性和绝缘体导电行为,在温度小于60 K时因库仑阻塞效应样品电阻随温度降低急遽增加。纳米晶粒尺寸导致样品具有强的磁电阻效应,其中低场磁电阻效应由晶粒间自旋极化电子隧穿界面引起,高场磁电阻效应由界面磁无序引起。
2013年03期 v.32;No.253 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 471K] [下载次数：175 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：69 ] - 席国喜;敦长伟;许会道;
以硫酸溶解废旧镍氢电池所得溶液为原料,采用溶胶–凝胶法制备出纳米晶镍钴铁氧体。借助于XRD、TG和VSM对产品的相结构和磁性能进行研究,并进一步探讨制备过程中的影响因素。结果表明,溶胶–凝胶法制备镍钴铁氧体的适宜条件为:柠檬酸与金属离子总量的摩尔比1:1,溶液的pH值7.0,煅烧温度850℃,煅烧时间3 h。该条件下所制得产品的剩余磁化强度为13.635 A.m2/kg,矫顽力为32.5 kA/m,饱和磁化强度为50.713 A.m2/kg。
2013年03期 v.32;No.253 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 220K] [下载次数：138 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：107 ] - 张峥;刘兴泉;马慎思;寇丹;陈凯;
以Li2CO3为锂源、Fe2O3为铁源、Si(OCH2CH3)4为硅源、羟乙基纤维素和蔗糖分别为碳源,采用碳热还原法制备了Li2FeSiO4/C锂离子电池复合正极材料,考察了羟乙基纤维素和蔗糖分别作为碳源对合成的Li2FeSiO4/C电化学性能的影响。结果表明:当烧结温度为600℃、烧结时间为10 h时,由羟乙基纤维素作为碳源制备的Li2FeSiO4/C样品在1.5～4.7 V、0.2C和20℃时的首次放电比容量为113.6 mAh/g,20次循环后放电比容量仍保持在102.3 mAh/g。较之蔗糖碳源样品,颗粒更小、分布更均匀,其电荷转移阻抗减小了80%、锂离子扩散系数增加了20%。
2013年03期 v.32;No.253 62-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 710K] [下载次数：188 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：127 ] - 刘超;孟工戈;孙凤莲;谷柏松;
采用Sn-Ag-Cu焊球(直径200,300,400和500μm),镀Ni盘,研究1,3,5次回流焊条件下焊点的IMC厚度及显微组织与焊球尺寸间的关系。结果表明:对于同一尺寸的焊球,随着回流焊次数的增加,IMC的厚度增大,形状由平直状逐渐过渡为体钎料一侧凹凸不平;在同一回流焊次数下,随着焊球尺寸的增大,IMC厚度减小,形貌相对没有明显差别。IMC的组成成分随着Ni向体钎料方向的不断扩散而从Sn、Ag、Cu合金变成Sn、Ag、Cu、Ni合金,其主要组成部分为(Cu,Ni)6Sn5。
2013年03期 v.32;No.253 67-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 954K] [下载次数：366 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：105 ] - 谷柏松;孟工戈;孙凤莲;刘超;刘海明;
用直径为200~500μm的Sn-3.0Ag-0.5Cu无铅焊球分别在Ni和Cu焊盘上制作焊点,并对焊后和时效200h后的焊点进行剪切测试,并采用SEM观察剪切断口形貌。结果表明,焊后和时效200 h后焊点接头的剪切强度都随焊球尺寸增大而减小。焊后断口处韧窝形状为抛物线型,断裂方式为韧性断裂;随着焊球尺寸的增大,剪切断口处的韧窝数量增多,韧窝的变小变浅。时效200 h后,韧窝变浅,趋于平坦,韧窝数量也明显减少,材料的韧性下降,脆性增加,断裂方式由韧性向脆性发生转变。
2013年03期 v.32;No.253 70-72+76页 [查看摘要][在线阅读][下载 529K] [下载次数：306 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：112 ] - 姚佳;郭福;左勇;马立民;
通过电迁移和热疲劳循环实验,研究了热循环和高电流密度耦合作用下Sn58Bi和Sn3.0Ag0.5Cu钎料焊接接头的失效形式。实验结果表明,在通电和高低温冲击的耦合作用下,两种钎料接头的失效都发生在升温阶段。热循环导致接头内部裂纹的萌生和扩展,导致局部电流密度持续增大,加速了电迁移的发生,最终导致焊点失效。在热电耦合作用下,Sn58Bi钎料接头的使用寿命要长于Sn3.0Ag0.5Cu钎料接头的使用寿命。
2013年03期 v.32;No.253 73-76页 [查看摘要][在线阅读][下载 1286K] [下载次数：232 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：121 ] - 曹秀华;熊康;
以环氧树脂为基体,银粉为填料,制备出IC封装用导电银胶。研究了环氧树脂与银粉的比例、银粉的形貌和粒径以及触变剂SiO2的用量对导电银胶触变性的影响。结果表明,银胶触变性随树脂/银粉质量比的减小而增大,当其为0.2时,触变指数达到5.68。在一定粒径范围内,银胶的触变性与银粉粒径呈反比关系;银胶触变性随SiO2的用量增大而增大。
2013年03期 v.32;No.253 77-79页 [查看摘要][在线阅读][下载 410K] [下载次数：536 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：106 ] - 赵莲清;陈元勋;段晓萌;
分析了高速电子电路产生的电磁干扰(EMI)及相关印刷电路板(PCB)上电磁骚扰源的模型特征。利用电偶极子与磁偶极子模型分别对PCB上的共模辐射源和差模辐射源建模,着重探讨近区场辐射特征。以一种500MHz的高速电路为例,在MATLAB平台上分别对其电场与磁场进行仿真。结果表明,其近区场电场与磁场强度最高分别可达5×1011μV/m和9×1011μA/m。依据所使用模型及其仿真结果,有针对性地提出几种降低高速PCB电磁骚扰的方案,并比较了这几种方案的优劣。
2013年03期 v.32;No.253 80-83页 [查看摘要][在线阅读][下载 286K] [下载次数：175 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：88 ] - 刘加凯;齐杏林;王波;
通过分析MEMS器件多层结构界面裂纹疲劳扩展的影响因素及温度应力对界面疲劳的影响机理,建立了温度应力对分层失效影响的理论模型,并建立了双材料结构层的有限元分析模型,研究了温度应力对界面裂纹疲劳扩展的影响规律。研究结果表明:在温度应力作用下,裂纹易沿界面方向扩展;温度幅值升高,裂纹疲劳扩展速率呈指数关系增大;裂纹从形成初期到扩展至分层失效的过程中历经较慢扩展、相对平稳扩展和快速扩展三个阶段。
2013年03期 v.32;No.253 84-87页 [查看摘要][在线阅读][下载 313K] [下载次数：407 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：127 ] 下载本期数据