刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • Li过量对M-相固溶体Li_2O-Nb_2O_5-TiO_2陶瓷微波介电性能的影响

    徐宁;李恩竹;周晓华;张树人;

    含有M-相固溶体Li2O-Nb2O5-TiO2(LNT)的微波介质陶瓷具有烧结温度(约1100℃)低,介电常数εr(65~70)及Q·f值(约5000 GHz)高的特点,但其频率温度系数τ却往往偏高(约23×10–6/℃)。为此,系统研究了非化学计量比下Li含量对LNT陶瓷微波介电性能的影响。实验结果表明,Li含量增加能有效调节LNT陶瓷的频率温度系数至近零而不影响其他性能。当Li含量过量5%(质量分数)时,LNT陶瓷具有最佳性能:εr=69.73,Q·f=5 543GHz(=3.518 GHz),τf=–4.4×10–6/℃。

    2012年12期 v.31;No.250 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 317K]
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  • Co_2O_3掺杂对0.965MgTiO_3-0.035SrTiO_3微波介质陶瓷性能的影响

    李月明;汪婷;沈宗洋;洪燕;王竹梅;汪启轩;

    采用传统电子陶瓷制备方法研究了Co2O3(1.5%~5.0%,质量分数)掺杂的0.965MgTiO3-0.035SrTiO3(MST0.035)微波介质陶瓷,分析了Co2O3含量对MST0.035陶瓷的烧结性能、晶相结构、显微形貌以及微波介电性能的影响。结果表明:Co2O3的掺杂促进了MST0.035陶瓷的烧结。随着Co2O3掺杂量的增加,陶瓷介电常数略有下降,谐振频率温度系数以及品质因数增加,同时中间相MgTi2O5逐渐减少直至完全消失。当Co2O3掺杂量为质量分数3.0%时,MST0.035陶瓷的烧结温度由1 380℃降低到1 290℃,其烧结所得的样品具有优良的微波介电性能:谐振频率温度系数τf=–2.53×10–6/℃,高的品质因数Q·f=19 006 GHz和介电常数εr=20.5。

    2012年12期 v.31;No.250 4-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 1241K]
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  • Li_2ZnTi_3O_8微波介质陶瓷烧结工艺的研究

    周斌;郑勇;吕学鹏;周伟;赵毅杰;

    采用传统固相反应法制得Li2ZnTi3O8微波介质陶瓷,研究了主要烧结工艺参数对所制陶瓷的物相组成、显微组织及微波介电性能的影响。结果表明:经900℃预烧并在1 075℃保温4 h所得陶瓷试样只含有单一的Li2ZnTi3O8相;另外,其显微组织均匀,气孔等缺陷较少,相对密度达到98.5%,且具有良好的介电性能:εr=26.6,Q·f=75 563 GHz,τf=–12.4×10–6/℃。

    2012年12期 v.31;No.250 9-13+17页 [查看摘要][在线阅读][下载 647K]
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  • Zn位非化学计量对BaNb_(0.69)(Zn_(0.116)Co_(0.217))O_3微波介电性能的影响

    廖培君;丘泰;沈春英;

    采用传统固相反应法制备BaNb0.69[Zn0.116(1+0.025x)Co0.217]O3(BCZN)(x=0~4)微波介质陶瓷。研究了Zn位离子的微量添加对BCZN陶瓷性能的影响。结果表明:少量添加Zn,可以促进烧结致密化,改善BCZN陶瓷的介电性能。在1300℃下烧结3h,可以获得τf近零,介电常数εr为33、Q·f为51322 GHz的陶瓷。

    2012年12期 v.31;No.250 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 1019K]
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  • CaTiO_3含量对PTFE/TiO_2复合材料性能的影响

    周德;袁颖;

    采用类似于粉末冶金的工艺,制备了金红石型TiO2填充的聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,研究了CaTiO3掺杂量对所制复合材料热学、介电性能的影响。结果表明:随着CaTiO3含量的增加,复合材料的密度减小,吸水率增大,介电常数和损耗增大,线膨胀系数增大到一个最大值后减小;当CaTiO3添加量达到质量分数16%时,复合材料的相对介电常数达到最大值11.60,损耗为0.002 0。

    2012年12期 v.31;No.250 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 531K]
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  • La_2O_3掺杂对Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻材料性能的影响

    王忠兵;汶建彤;唐伟;甘中东;张大伟;

    采用传统陶瓷工艺制备了Mn1.6Co0.8Ni0.6O4–xLa2O3(x=0,0.01,0.03,0.05,0.07)系列NTC热敏电阻样品,运用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了La2O3掺杂对样品相结构和电性能的影响。结果表明:所制掺杂样品均由尖晶石相和钙钛矿相组成,其中钙钛矿相的名义组成可用化学式La(Mn-Co-Ni)O3表示,随着La2O3掺杂量x由0增加到0.07,Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻材料的电阻率由643.cm增加到912.cm,相反地材料常数B值却由3 464 K减小到3 393 K。

    2012年12期 v.31;No.250 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 329K]
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  • 水热法制备Co掺杂WO_3气敏材料及其性能研究

    桂阳海;赵建波;王焕新;田俊峰;张永辉;

    采用水热法合成了Co掺杂的纳米WO3气敏材料,研究了不同含量Co掺杂的WO3气敏材料的气敏性能以及环境湿度对其性能的影响。结果表明,少量Co掺杂可以提高WO3的气敏性能,Co掺杂量为质量分数0.8%的WO3基气敏元件对H2S和NOx具有很好的选择性,灵敏度分别高达183.214和1 619.726,并且该元件具有很好的抗湿性。

    2012年12期 v.31;No.250 26-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 386K]
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  • 连续工艺合成高纯碱式碳酸镍的研究

    付向辉;薛生晖;张翔宇;危亚辉;

    为得到高纯碱式碳酸镍,以电解镍新液为镍源,工业碳酸钠为沉淀剂,开展了连续反应工艺合成碱式碳酸镍的研究,并利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对产品的形貌和结构分别进行了表征。试验结果表明,在镍离子质量浓度50 g/L、反应温度55℃、pH值8.30、沉淀剂Na2CO3质量浓度120 g/L、停留时间25~30 h以及搅拌速度500 r/min的条件下进行合成反应,可得到一种类球形、致密且表面光滑的高纯碱式碳酸镍产品。

    2012年12期 v.31;No.250 30-34+38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1838K]
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  • CaO掺杂对NiCuZn系铁氧体性能的影响

    余捷;周洪庆;徐志明;赵建新;沈伟;

    采用传统陶瓷制备工艺制备了CaO掺杂的低温烧结(Ni0.2Cu0.2Zn0.6)1.02(Fe2O3)0.98(NiCuZn)系铁氧体材料,研究了CaO掺杂量对NiCuZn铁氧体电磁性能和微观结构的影响。结果表明:适量的CaO掺杂可以显著改善NiCuZn铁氧体的烧结性能和微观结构,进而影响其电磁性能。在CaO掺杂量为质量分数0.4%时,经885℃烧结3 h制得的NiCuZn铁氧体内部结构均匀致密并具有最佳的综合电磁性能,其起始磁导率、电阻率和功率损耗分别为354,5.6×1011.cm和214.5 kW/m3,另外,其与Ag电极的共烧匹配性良好。

    2012年12期 v.31;No.250 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 818K]
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  • TaN微波功率薄膜匹配负载的设计及制备

    李会容;张雪峰;

    基于有耗传输线理论设计了频率为DC-3GHz的TaN微波功率薄膜匹配负载,采用HFSS软件仿真了匹配负载的频率特性。根据设计仿真结果,采用反应磁控溅射和掩模图形化方法制备了TaN微波功率薄膜匹配负载样品,基片为6 mm×9 mm×1 mm的BeO陶瓷基片,TaN薄膜的直流电阻为50。结果表明,实验结果与仿真结果基本一致,在DC-3 GHz频率范围内,样品的电压驻波比(VSWR)都小于1.2。

    2012年12期 v.31;No.250 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 212K]
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  • 复合埋层上的薄层SOI-LDMOS功率器件

    阳小明;蔡育;李天倩;王军;卿朝进;

    为了提高SOI-LDMOS功率器件击穿电压及相关性能,针对薄层SOI-LDMOS功率器件提出了一种新结构,在新结构中引入了复合埋层,它由p埋层与Si3N4绝缘介质埋层构成。复合埋层不仅改善了比导通电阻与耐压的关系,而且还缓解了自热效应。仿真结果表明,在漂移区长度为57 m时,新结构耐压达到了1052 V,与CamSemiSOI相当,而比导通电阻与表面最高温度分别比CamSemi SOI降低了233.05.mm2和64 K。

    2012年12期 v.31;No.250 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 214K]
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  • 覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究

    葛微微;张国俊;钟志亲;王姝娅;戴丽萍;

    通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。

    2012年12期 v.31;No.250 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 222K]
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  • 脊双模波导滤波器的分析及设计

    陈冰洁;王锡良;胡大成;

    介绍了一种能实现脊双模波导滤波器的新型结构,分析了其腔内模式的耦合极性,利用不同的耦合极性对频率响应的影响可实现具有一对传输零点的双模滤波器,也可实现无传输零点的双模滤波器。以相同脊谐振单元不同的放置方向组成的两种带通滤波器为例,利用AnsoftHFSS仿真得到了两种不同的频率响应,结果与理论分析一致。最后设计出了一个六阶三传输零点的双通带滤波器,带内插损均小于0.6 dB,回波损耗小于–15 dB。

    2012年12期 v.31;No.250 49-51+55页 [查看摘要][在线阅读][下载 274K]
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  • 叠层片式射频EMI滤波器的研制

    刘季超;马国超;樊应县;李建辉;徐鹏飞;李耀坤;

    以LTCC制造技术为基础,自主研制了一种叠层片式EMI滤波器。在研制过程中,通过选择合适的高频介质陶瓷和优化的内电极材料与走线方式,使滤波器获得了超低直流电阻值。测试结果表明:在测试频率为700 kHz时,所制滤波器(2012-103型)的插入损耗值均超过3 dB,而在20~200 MHz的测试频率范围内,其插入损耗值则均超过25 dB。该滤波器的综合性能完全达到使用要求。

    2012年12期 v.31;No.250 52-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 262K]
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  • 时效对Sn3.0Cu0.15Ni/Cu界面组织的影响

    钟海峰;刘平;顾小龙;

    研究了150℃时效0,200,500 h对Sn3.0Cu0.15Ni/Cu界面组织结构的影响。结果表明:界面金属间化合物层由Cu6Sn5层和Cu3Sn层组成,质量分数为0.15%的Ni的加入会使IMC层最初变厚,但在时效过程中,热稳定性强的界面化合物(Cu,Ni)6Sn5的生成,会抑制Cu3Sn化合物层的生长;同时Ni的加入会降低Cu6Sn5颗粒的长大速度,并且随着时效时间的延长,Cu6Sn5颗粒的形貌呈多面体结构。

    2012年12期 v.31;No.250 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 365K]
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  • ZnO微球的自组装及其发光性能研究

    王学华;蔡鹏;许永;刘文琪;林志东;

    采用水热法合成了不同形貌的ZnO微球,利用XRD、TG-DSC、FT-IR、PL和SEM等分析了水热产物及其焙烧产物的形貌、结构和光致发光性能。结果表明,水热温度及焙烧过程对产物有显著影响,随着水热温度的升高,水热产物的形貌逐步由牡丹花状向鹅卵石状转变,经600℃焙烧1 h后得到形貌各异、直径10~20μm的ZnO微球,其中水热温度较低的ZnO微球为细纳米片组成的海胆状,水热温度较高的为ZnO纳米棒组装成的鹅卵石状。PL分析表明不同形貌的ZnO微球均具有绿光发射特性。

    2012年12期 v.31;No.250 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 451K]
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  • 超薄PCBM层提高有机太阳电池效率

    木丽萍;谢勇;谢再新;

    为研究超薄PCBM层对有机太阳电池的影响,制备了含和不含超薄PCBM层的两种不同结构的体相异质结太阳电池,电池结构分别为:ITO/PEDOT:PSS/P3HT+PCBM/PCBM/Al,ITO/PEDOT:PSS/P3HT+PCBM/Al。测试结果表明:所制备电池的开路电压分别为0.5992 V和0.5727 V,能量转换效率分别为2.24%、1.21%,超薄PCBM层起到了电子传输的作用。

    2012年12期 v.31;No.250 64-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 118K]
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  • 高压薄膜脉冲电容器放电性能的研究

    陈景忠;

    高压薄膜脉冲电容器是放电触发电路中的重要储能器件,通常用于产生高功率大电流脉冲。分析高压薄膜电容器性能检测指标及实际放电过程,找出了高压薄膜电容器样本失效原因,采取提高卷绕电容器芯工艺水平措施后,所制高压薄膜电容器常规指标合格,放电触发次数可靠性指标达到系统要求的6000次以上。

    2012年12期 v.31;No.250 67-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 364K]
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综合信息

  • 湖南仁海在提高承烧板使用寿命上的研究进展

    秦云娟;

    <正>针对国内刚玉莫来石承烧板耐火材料的市场使用情况,湖南仁海公司经过多年的不断研究,终于取得了技术上的突破。6月1号开始在厦门某公司试用的新研发的承烧板到目前为止仍在正常使用范围之内,未出现变形、断裂等现象,使用寿命已经达到4个多月,而这个公司曾经使用的从日本进口的承烧板一般正常为3个月,该公司新研发的承烧板已经超过日本进口承烧板的使用寿命达一个半月之久,估计使用5个月是没问题的。该公司在承烧板使用寿命上的重大突破,为氧化铝、氧化锆陶瓷生产商摆脱对日本进口承烧板的依

    2012年12期 v.31;No.250 25页 [查看摘要][在线阅读][下载 125K]
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  • 美国海军科学家取得新型抗磁性材料专利

    程之年;

    <正>美国海军水面战中心成功申请了一种名为"Galfenol"的新型智能抗磁性材料的专利。Galfenol是一种磁致伸缩性智能材料,可用于传感器、制动器和结构支撑。该材料由海军水面战中心和能源部艾姆斯实验室于1999年共同发现。美国边缘技术公司在过去13年中共同参与了开发。据海军水面战中心资深科学家解释,铁本身就被认为是一种磁致伸缩性材料,可通过施加磁场和压力改变其形状。1999年,研究人员已经发现在铁中加入镓元素可以10倍计地增强其磁致伸缩性能力。铁镓(Galfenol)

    2012年12期 v.31;No.250 38页 [查看摘要][在线阅读][下载 116K]
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  • 美研制在微波下使圆柱物体隐形的斗篷

    悠悠;

    <正>美国杜克大学的研究员能够化科幻为现实,设计出一种真实的隐形斗篷,能够让一个厘米级圆柱体在微波下隐形。研究小组发表在《自然材料学》杂志上的一份研究报告讲解了如何利用一个菱形斗篷隐形物体。然而,这项技术距离真实版哈利–波特隐形斗篷仍有一定的差距,只能实现一个方向的隐形效果,研究小组称很难在可见光下隐形。据悉,杜克大学电子工程师首个研制的功能性隐形斗篷是于2006年,尽管当时该设计非常新颖独特,但并未达到完美的隐形效果。目前,杜克大学实验室研究人员提出了最新设计方案,可以解决最初设计所存

    2012年12期 v.31;No.250 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 174K]
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  • 富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

    <正>富士通半导体(上海)有限公司近日宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率

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  • 工信部发布重大技术评审结果

    <正>工信部日前公布2012年(第十二届)信息产业重大技术发明评审结果,共有7个项目入围,其中包括由清华大学与顺络电子共同完成的低温共烧陶瓷(LTCC)关键材料、工艺技术及器件设计等,此前曾连续两届入围的中兴通讯并未入围,而顺络电子成为本届评审唯一入围的A股上市公司。据证券时报报道,此次顺络电子入围项目是近年来兴起的一项整合组件技术,该项目今年上半年已为顺络电子创造了逾300万元的收益,而顺络电子预测该项目仍有良好的市场前景。

    2012年12期 v.31;No.250 55页 [查看摘要][在线阅读][下载 93K]
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  • 需求持续好转 高效电池受青睐

    <正>由于欧洲需求持续回暖,加之国内和日本需求升温,下游需求出现了明显恢复,企业产能利用率提升,但产能过剩仍在,所以下游组件价格微跌,受益组件需求好转,电池片硅片价格稳定,其中高效电池需求较好,最上游多晶硅由于库存较高,仍在下跌。虽然临近年末备货期,但整体硅料价格向上空间不大。由于库存的挤压不稳定因素的存在,价格短期内仍有可能震荡向下。并且近期市场反应,有部分厂家想采购单晶156硅片的B级片,但是由于单晶156硅片

    2012年12期 v.31;No.250 63页 [查看摘要][在线阅读][下载 93K]
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  • 全球六成太阳能电池组件供应商恐出局

    <正>美国市调机构GTM研究公司10月的一份报告分析,估计未来3年全球300多家太阳能企业生产的太阳能产品的供过于求将达每年平均35亿瓦(GW),制造成本高的市场可能受创最重,如美国、欧洲和加拿大。GTM报告指出,总部设在德国的Solarworld和Conergy,以及西班牙的Isofoton和Solaria Energia y MedioAmbiente是可能遭并购的目标。GTM研究分析师梅塔说:欧洲、美国、和日本业者的制造成本每瓦达80美

    2012年12期 v.31;No.250 66页 [查看摘要][在线阅读][下载 70K]
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  • 圆筒形锂离子电容器在智能电网中崭露头角

    <正>智能电网可藉由通讯功能实现多种多样的电力控制。为实现并确保防停电及供电调整等丰富多彩的供电方式,其使用的集中抄表系统和智能电表已搭载了无线通讯功能和实时锁定功能。在此背景下,传统电表的备用电源所使用的电池已无法满足日益丰富的使用需求,市场呼唤着一款具备更长寿命、无线通讯时能供应更大电流的电池。针对这样的特殊用途需要,具备高能量密度、长寿命、高耐压特征的圆筒型锂离子电容器

    2012年12期 v.31;No.250 70页 [查看摘要][在线阅读][下载 195K]
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  • Intel未来将停止提供LGA封装的CPU转为只提供BGA封装的SoC

    <正>根据日本PC Watch的报道,由OEM渠道的消息称,预定在2014年使用14 nm制程的Haswell后继产品Broadwell将不再以LGA封装的形式提供,而只专注于提供BGA封装的SoC。与此同时,Broadwell世代也将不再有台式机CPU,2014年的台式机CPU将继续由Haswell架构支持。如果上述消息属实,结合前不久Intel某经理的发言,可以推论出Intel将来的重心将完全转移到移动平台,

    2012年12期 v.31;No.250 80页 [查看摘要][在线阅读][下载 38K]
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  • 安徽理工大学教师在纳米尖晶石型铁氧体材料制备及性能研究方面取得新进展

    <正>安徽理工大学材料科学与工程学院刘银副教授采用一种改进的化学-共沉淀法规模化(日产公斤量级)合成了纳米尖晶石Ni-Zn、Co-Zn、Ni-Zn-Co铁氧体等粉体,突破了纳米铁氧体材料应用在粉体合成方面的瓶径,并采用微波烧结技术,实现了铁氧体材料低温快速烧结。相关研究成果已发表于J Am Ceram Soc(DOI:10.1111/j.1551-2916.2012.05437.x)(IF=2.272),Mater.Res.Bull.,2012,47:4174-4180.(IF=2.108)。

    2012年12期 v.31;No.250 86页 [查看摘要][在线阅读][下载 121K]
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综述

  • 超级电容器用NiO多孔薄膜电极材料的研究进展

    李纲;张文彦;李广忠;

    超级电容器是一类新型绿色储能器件,特别适合在有高功率密度需求场合下使用,具有极其广阔的应用前景。NiO因价廉、来源广泛、环境友好和电化学性能优良等优点而成为备受青睐的超级电容器用正极材料。综述了国内外有关NiO多孔薄膜电极材料制备方法的最新研究进展,归纳了提高和改善其电化学性能尤其是在大电流密度工作条件下电化学电容行为的方法,最后对这一领域未来的研究热点和发展方向进行了展望。

    2012年12期 v.31;No.250 71-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 610K]
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  • 硅通孔技术的发展与挑战

    刘培生;黄金鑫;仝良玉;沈海军;施建根;

    3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势。介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型;同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通孔制作、通孔填充材料、键合技术等;最后分析了其可靠性以及面临的挑战。TSV技术已经成为微电子领域的热点,也是未来发展的必然趋势,运用它将会使电子产品获得高性能、低成本、低功耗和多功能性。

    2012年12期 v.31;No.250 76-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 149K]
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  • Mn-Zn铁氧体掺杂与结构-性能的研究进展

    丁川;殷文慧;曹亮亮;曾燕伟;

    Mn-Zn铁氧体以其高磁导率、低损耗和低矫顽力等特点,在功能器件中具有潜在的应用前景。介绍了基本配方对Mn-Zn铁氧体的相组成及电磁性能的影响,综述了近年来不同添加剂掺杂对Mn-Zn铁氧体材料性能的影响,并就掺杂Mn-Zn铁氧体材料的相组成、结构和磁性能之间的关系进行了讨论,对该领域研究的发展趋势给予了展望。

    2012年12期 v.31;No.250 81-86页 [查看摘要][在线阅读][下载 205K]
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编读通信

  • 《电子元件与材料》征稿简则

    <正>《电子元件与材料》是中国电子学会、中国电子元件行业协会和国营715厂共同主办的科技期刊,国内外公开发行。本刊报道国、内外有关电子陶瓷及器件、新型阻容元件、敏感元件与传感器、混合微电子及组装技术、磁性材料及器件、薄膜技术、电子封装及相关电子材料等领域,在科研、生产及应用开发方面的最新科研成果论文、技术简报和专题综述。本刊为中文核心期刊,中国科技核心期刊,系美国《化学文摘》(CA)、《英国科学文摘》(IEE INSPEC)等检索系统收录源,目前正积极迎接《美国工程索引》(Ei)的遴选。1稿件要求*论点明确、论证严谨、数据可靠、层次分明、重点突出、文字简练。研究论文:含图表在内一般6 000字左右;技术简报一般2 000字左右;专题综述一般8 000字左右(综述文的撰写者一般应是正在从事该领域研究工作的专家,内容需包括作者对本人或本课题组研究工作的评述)。

    2012年12期 v.31;No.250 95页 [查看摘要][在线阅读][下载 260K]
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