研究与试制

• 0.7CaTiO_3-0.3(La_xNd_(1–x))AlO_3微波介质陶瓷的研究

  梁飞;叶方平;吕文中;王志勇;万丰;

  利用传统固相反应法制备了具有不同LaAlO3含量的0.7CaTiO3-0.3(LaxNd1–x)AlO3(以下简称CTLNA)系微波介质陶瓷,研究了所制CTLNA陶瓷的微观结构和微波介电性能。结果表明,用x=0.5的La3+取代Nd3+能有效促进样品晶粒的均匀分布,降低样品的气孔率。少量添加SrTiO3能进一步增加样品的致密度,提高CTLNA系微波陶瓷的介电性能。经原料组分及工艺优化,制备的0.7(Sr0.01Ca0.99)TiO3-0.3(La0.5Nd0.5)AlO3样品密度高、晶相均匀,其微波介电性能如下:εr=45.87,Q.f=41 612 GHz(4 GHz),τf=10×10–6/℃。

  2012年11期 v.31;No.249 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 1146K]
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• 碱金属氧化物添加剂对(Mg_(1–x)Ca_x)TiO_3陶瓷微波性能的影响

  曾凤;周洪庆;朱明康;谢文涛;

  采用固相反应法制备了(Mg1–xCax)TiO3微波介质陶瓷。探讨了复合添加Na2O和K2O对(Mg1–xCax)TiO3陶瓷烧结性能和介电性能的影响。结果表明:复合添加碱金属氧化物,陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3,同时,可以抑制中间相MgTi2O5的产生,有效降低陶瓷的烧结温度至1280℃。当Na2O和K2O添加总量为质量分数1.2%,且Na2O/K2O质量比为2∶1时,所制陶瓷介电性能最佳:εr=19.71,Q.f=3.59×104GHz(7.58 GHz),τf=–1.40×10–6/℃。

  2012年11期 v.31;No.249 6-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 1241K]
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• TiO_2掺杂量对PTFE/SiO_2复合材料性能的影响

  黄全全;袁颖;

  采用新型化学工艺,制备了SiO2与TiO2共同填充的PTFE复合材料,系统研究了TiO2掺杂量对所制复合材料显微结构、微波介电性能和热膨胀系数的影响。结果表明,复合材料的密度、介电常数和热膨胀系数都随着掺杂量的增大而增加,吸水率随着掺杂量的增大而减小,介电损耗随着掺杂量的增大先减小后增大。当TiO2掺杂量为质量分数7%时,PTFE很好地包覆在SiO2表面,复合材料结构致密,具有与铜箔较为匹配的线膨胀系数(17.76×10–6/℃),且介电性能优良(εr=2.94,tanδ=0.000 82)。

  2012年11期 v.31;No.249 10-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1101K]
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• 织构化BaBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷的制备与性能研究

  李丽华;顾永军;黄金亮;李谦;陈冠羽;

  以熔盐法制备的BaBi4Ti4O15片状粉体作为模板,流延法制备了BaBi4Ti4O15压电陶瓷,并与传统固相法制备的BaBi4Ti4O15压电陶瓷进行比较。通过XRD分析不同工艺制备的陶瓷样品相结构,SEM观察其微观形貌。结果表明:流延法制备的BaBi4Ti4O15陶瓷在(00l)方向实现了定向排列,且随着模板含量的增加,(00l)晶面的定向度f增加,模板质量分数为20%时,f=57.7%。另外,流延法制得的BaBi4Ti4O15陶瓷样品容易致密,当烧结温度从1 140℃到1 145℃时,密度由5.39 g.cm–3增大到6.64 g.cm–3,在1 150℃达到最大密度7.39 g.cm–3。

  2012年11期 v.31;No.249 15-17+27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1478K]
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• BaTiO_3基无铅PTC热敏电阻材料的制备与研究

  蒋悦清;邓昭平;杨敬义;刘清;胡浩;

  利用传统陶瓷工艺制备了掺杂(Bi0.5Na0.5)TiO3(BNT),CaCO3和Mn(NO3)2的钛酸钡基无铅PTC陶瓷材料(Bi0.5Na0.5)xBa1–xTiO3-yCaCO3-0.000 2Mn(NO3)2(x=0.005,0.020,0.040,0.080;y=0,0.02,0.04,0.06,0.08),研究了BNT和CaCO3的掺杂量对所制陶瓷微观结构和导电特性的影响。结果表明:试样的晶格常数比c/a、居里温度tC以及室温电阻率ρ25均随着BNT掺杂量的增加而增大;CaCO3的加入能有效降低样品的室温电阻率。当x=0.080,y=0.06时所制得材料的性能最好,其室温电阻率为7×102.cm,居里温度高于150℃,升阻比(ρmax/ρmin)达到103。

  2012年11期 v.31;No.249 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 1069K]
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• 旋磁基片DC-10GHz微波功率电阻器设计制作

  计量;张怀武;牛旭博;

  基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10 GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10 GHz电阻器,采用磁控反应溅射制作TaN薄膜,电压驻波比VSWR均小于1.25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器,可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中,从而能制作出更加小型化的微波隔离器,有效减小器件体积,符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。

  2012年11期 v.31;No.249 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 751K]
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• 熔断电阻器瞬态特性仿真分析

  邱文文;邓宏;邓雪然;姚建强;李觅;

  为了简单有效地改进熔断电阻器的性能,采用有限元分析软件ANSYS建立了熔断电阻器的模型,对其在过电流状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,并进行了实验验证。通过对熔断电阻器的热电耦合模拟,得到了不同电流下的熔断时间和温度分布云图。熔断时间的实验结果和模拟结果误差率为5%左右,这为熔断电阻器的设计和生产提供了方法和理论依据。

  2012年11期 v.31;No.249 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 778K]
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• 200微米DC腐蚀铝箔极限长度的研究

  王宪;罗向军;任碧野;陈锦雄;吕根品;

  为了探讨电子铝箔经直流电腐蚀后形成隧道孔的生长机理,进一步提高电子铝箔的腐蚀工艺水平,研究了200微米HEC光箔的极限长度在硫酸浓度、温度、二级腐蚀等条件下的影响。发现只改变一级硫酸浓度而不经过二级腐蚀,隧道孔的极限生长有限,不能贯穿整个夹芯层,这可能是光箔成分和立方织构影响蚀孔的生长方向。在不添加硫酸的条件下温度对极限长度的影响非常小,低于70℃下甚至不生长隧道孔,所形成的夹芯层非常厚。而经过0.8 mol/L游离酸的二级腐蚀,隧道孔径向生长可以贯穿整个夹芯层。

  2012年11期 v.31;No.249 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 2477K]
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• 一种新型的单面蚀刻技术制备埋容电路板

  吴会兰;黄勇;胡永栓;朱兴华;陈正清;

  介绍了一种新型的埋入电容电路板的单面蚀刻工艺。本工艺主要针对介质层厚度≤50μm的埋入电容材料,在制作单面图形时,不去掉未曝光一面的干膜及干膜保护膜,棕化后再过显影线将干膜去掉。对该工艺可行性进行了评估,并验证了其可靠性。实验结果表明,采用此工艺可以减少工艺难度,加工成本降低了3%,且产品合格率达86%以上。

  2012年11期 v.31;No.249 32-34+38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1260K]
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• Cr薄膜电阻桥的湿法腐蚀工艺参数研究

  杨生川;蒋洪川;邓新武;张万里;闫裔超;

  采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜,采用光刻–湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验,详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[(NH4)2Ce(NO3)6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明,Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为:硝酸铈铵浓度1.16 mol/L,pH值4,30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180 nm/min,侧蚀为400 nm,桥区边缘线条整齐,其在5A恒流作用下点火效果良好,点火时间约为27.4 ms。

  2012年11期 v.31;No.249 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1039K]
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• 0.7BiFeO_3-0.3PbTiO_3薄膜结构与电学性能的厚度效应

  张海波;孙冬梅;俞圣雯;

  以溶胶–凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(111)基底上制备了厚度为30~1 110 nm的0.7BiFeO3-0.3PbTiO3(0.7BFO-0.3PT)薄膜,研究了薄膜厚度对0.7BFO-0.3PT薄膜的结构与电学性能的影响。结果表明,随着膜厚的增加,晶格常数c与a的比值c/a以及晶粒尺寸都呈现先增大后减小的趋势,但其剩余极化强度及介电常数却均与薄膜厚度呈正比。厚度为180 nm的0.7BFO-0.3PT薄膜具有最大的矫顽场(2.99×105V/cm)和晶粒均匀度(42 nm),同时其晶格常数比c/a也达到最大,为1.129 9。

  2012年11期 v.31;No.249 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 2346K]
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• ZnO缓冲层和退火处理对MgO薄膜结构的影响

  付伍君;孟祥钦;朱博;张遥;杨成韬;

  采用直流反应磁控溅射法在Si衬底上引入ZnO缓冲层制备了沿(200)晶面择优取向生长的MgO薄膜,然后分别采用快速退火和常规退火两种不同的方式对MgO薄膜进行晶化处理。利用X射线衍射仪(XRD)以及原子力显微镜(AFM)研究了ZnO缓冲层以及两种不同的退火方式对MgO薄膜的结构和形貌的影响。结果表明:具有合适厚度的ZnO缓冲层可以显著地提高MgO薄膜的结晶质量。另外,与快速退火相比,常规退火处理后得到的MgO晶粒均匀圆润,有着较大的(200)衍射峰强度以及较小的表面粗糙度。

  2012年11期 v.31;No.249 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 839K]
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• 玻璃粉含量对钡铁氧体厚膜磁性能的影响

  李会容;张雪峰;

  采用丝网印刷法制备了钡铁氧体厚膜,系统研究了玻璃粉含量对钡铁氧体厚膜磁性能的影响。结果表明,随着玻璃粉含量的增大,样品的致密度逐渐提高;饱和磁化强度、剩磁和矫顽力均呈现出先增大后减小的趋势;而剩磁比(Mr/Ms)单调上升。当玻璃粉含量增大到质量分数7%时,所制得样品的饱和磁化强度、剩磁和矫顽力均达到最大值,分别为151,76.6,310 kA/m。当玻璃粉含量为质量分数13%时,剩磁比达到0.615。

  2012年11期 v.31;No.249 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 953K]
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• 交叉耦合在直线型波导滤波器中的研究

  李玉娇;王锡良;

  利用相位关系和交叉耦合的模型,提出了直线型波导滤波器的一种关于交叉耦合的具体实现方法:即在不相邻的腔体之间直接用同轴线引入交叉耦合。采用这种方法设计了一种五腔滤波器,应用HFSS软件进行了仿真验证。结果表明,所设计的滤波器整体结构得到简化,中心频率为8.5 GHz,带宽为150 MHz。

  2012年11期 v.31;No.249 49-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 649K]
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• 低损耗贴片式独块状介质滤波器的设计与制作

  吴坚强;郭慧锋;吴迪;汪艳姬;

  设计制作了一种低损耗、贴片式(SMD)独块状的八级介质滤波器。该滤波器采用切比雪夫响应的方法设计,利用εr为45的高Q值独块状微波陶瓷制作,谐振器之间使用电容和电容加载耦合。制备出了中心频率为897.5MHz、插入损耗小于2.5 dB的介质滤波器。测试结果表明,该滤波器满足800~1 500 MHz频率范围通讯基站要求。

  2012年11期 v.31;No.249 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 841K]
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• 应用于模数转换的高精度带隙基准源

  朱欢;王向展;张弛;闫小艳;

  设计了一种应用于模数转换的高精度带隙基准电压源和电流源电路,利用温度补偿技术,该电路能分别产生零温度系数的基准电压VREF、零温度系数的基准电流IZTAT。仿真结果显示,采用标准0.18μm CMOS工艺,在室温27℃和2.8 V电源电压的条件下,电路工作频率为10 Hz和1 kHz时,电源抑制比(PSRR)分别为–107 dB和–69 dB,VREF及IZTAT的温度系数分别是20.6×10–6/℃和40.3×10–6/℃,功耗为238μW,可在2.4~3.6 V电源电压范围内正常工作。

  2012年11期 v.31;No.249 55-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 875K]
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• 基于PIN管的多路大功率宽带高线性射频开关的研制

  张光辉;石玉;何泽涛;

  设计制作了一款工作于100~400MHz的大功率宽带高线性单刀多掷PIN管收发开关。该开关采用1分6再分6的串联型结构,通过对PIN管的选取和微带线布局来实现对开关插损、隔离度和驻波比的要求。由于采用串联结构而非串并结构,该开关驱动部分大为简化。测试结果表明,该开关插损小于0.3 dB,隔离度大于50 dB,驻波比小于1.2,功率容量为100 W,二次谐波抑制大于70 dBc。

  2012年11期 v.31;No.249 59-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 896K]
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• 光子晶体微带天线的设计与仿真

  苗卉;刘建霞;白瑞欣;

  以传统的介质型光子晶体结构为基础,提出了一款新型的光子晶体微带天线,其介质板中空气孔洞按三角形点阵形式周期排列于介质板上下两层,其高度为原有高度的一半,研究该结构对天线性能的影响。结果表明:该结构的引入使天线的回波损耗降低到–44 dB,天线具有更好的阻抗特性和辐射效率,天线全向性增强,达到了改善天线性能的目的。此外,由于该结构的特殊性,讨论了天线加入缺陷结构后的禁带特性。

  2012年11期 v.31;No.249 63-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 927K]
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• ZnS微球的制备及吸光性能研究

  朱斌;袁浩;高延敏;潘华强;贾宁宁;

  采用溶剂热法,以醋酸锌和硫脲为原料,去离子水和无水乙醇的混合溶液为反应介质制备了ZnS微球。利用XRD、SEM、UV-Vis吸收光谱探讨了反应温度和时间对产物晶型、颗粒形貌以及吸光性能的影响。结果表明:ZnS微球的晶型和形貌对反应温度比较敏感,反应时间对晶体的结晶度和吸光率影响较大。采用溶剂热法的最佳合成温度为150℃左右,反应时间为12 h;该条件下生成的ZnS微球物相较为纯净、结晶完全,且分散性良好,带隙约为3.3 eV。

  2012年11期 v.31;No.249 67-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 1975K]
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• 电镀废液回收铜粉的化学镀银工艺及其电磁屏蔽性能

  寿奉粮;赵芳霞;杨博;张振忠;

  采用高频超声脉冲电解法从电镀铜废液中回收制备枝晶状的铜粉,并在铜粉表面进行化学镀银以制备电磁屏蔽用银包铜粉,采用SEM、EDS、XRD、TEM等对其进行形貌和组分分析,研究了银包铜粉复合涂层的导电性能和电磁屏蔽性能。结果表明,经过表面化学镀银可以有效地避免铜粉的氧化;涂层的电磁屏蔽性能与银包铜粉的添加量紧密相关,当涂层中银包铜粉质量分数为60%时,其电磁屏蔽效率高达52 dB。

  2012年11期 v.31;No.249 71-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 1297K]
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综合信息

• 综合信息

  <正>石墨烯及"多层糕"可做纳米变压器据物理学家组织网10月15日(北京时间)报道,英国曼彻斯特大学研究人员最新研究显示,把单原子层精确地堆叠起来,有望造出大量新型材料和设备,石墨烯及有关单原子厚度晶体为此提供了广阔的选择。

  2012年11期 v.31;No.249 14+31+48+58+62+70+78页 [查看摘要][在线阅读][下载 1634K]
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综述

• 有机太阳能电池结构研究进展

  张剑;杨秀程;冯晓东;

  有机太阳能电池因具有成本低、质轻、柔韧性好、可大面积印刷制备的优点而受到广泛关注,对电池结构进行优化可以改善有机太阳能电池的性能。综述了有机太阳能电池结构优化的最近研究进展,包括单层Schottky电池、双层异质结电池、本体混合异质结电池、叠层电池和p-i-n电池,讨论了有机太阳能电池的发展趋势和应用前景。

  2012年11期 v.31;No.249 75-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 767K]
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