- 刘俊永;孙文超;崔嵩;张浩;
使用Ansoft HFSS软件设计了一种微波多芯片组件(MCM)用陶瓷外壳,并采用AlN多层共烧陶瓷工艺制作了样品。微波输入输出(I/O)端子采用微带线直接穿墙形式,并与陶瓷外壳一体设计、制作。试验结果表明,在2～12 GHz内驻波比(VSWR)<1.3,测量漏率R1≤1×10–3Pa.cm3/s(He)。
2012年07期 v.31;No.245 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1768K] [下载次数：248 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：98 ] - 皮鑫鑫;黄宝玉;王丽熙;张其土;
以Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷为基础,掺杂Lu2O3进行改性,形成固溶式为Ba4(Sm1–yLuy)9.33Ti18O54的结构。结果表明,掺杂Lu2O3能很好地把Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷的烧结温度降至1 260℃,当y=0.05时Ba4Sm9.33Ti18O54为类钨青铜结构,能得到介电性能较佳的微波介质陶瓷:4.33GHz时εr约为76,Q.f约为2532,τf为–42×10–6/℃;y<0.5时生成了类钨青铜结构晶相,y≥0.5主晶相变成烧绿石相,不具备介电性。
2012年07期 v.31;No.245 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 1229K] [下载次数：108 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：116 ] - 胡耀斌;刘心宇;江民红;崔业让;
采用固相烧结法制备了K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-xBi(Fe0.9Mn0.1)O3+σ(KNN-LS-BF9M1)无铅压电陶瓷,研究了不同BF9M1掺杂量(x分别为0,0.002,0.004,0.006,0.008)对所制陶瓷的显微结构、物相组成及电性能的影响。结果表明,少量BF9M1掺杂能有效抑制KNN陶瓷晶粒的生长,促进组织致密化。当x从0增加到0.006时,样品发生正交-四方相变,同时正交-四方相变温度to-t从95℃降低到40℃;另一方面,压电性能得到明显提高、介质损耗有所降低。当x=0.006时,样品具有最好电性能:d33=260 pC/N,tanδ=2.03×10–2,kp=51.9%,εr=1 241,Qm=44.7,tC=345℃,to-t=45℃。
2012年07期 v.31;No.245 8-10+14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1675K] [下载次数：108 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：122 ] - 祁红艳;肖明;
用熔盐法合成了掺Nd钛酸钡(Ba0.99Nd0.01TiO3)纳米颗粒,用X射线衍射、透射电镜和拉曼光谱研究了所制Ba0.99Nd0.01TiO3纳米颗粒的晶体结构,讨论了Nd掺杂对BaTiO3结构的影响,并分析了纳米颗粒的紫外–可见光吸收和光致发光性能。结果表明:合成的纳米颗粒是单晶的四方结构,平均粒径约为200 nm,光学带隙为3.23 eV。在近红外波段900 nm和1 060 nm附近有强烈发光,其分别是由Nd3+的4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2跃迁辐射导致。
2012年07期 v.31;No.245 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1203K] [下载次数：68 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：89 ] - 张庆国;石丽敏;王双龙;蔡克迪;金振兴;
以1-甲基-3-乙基咪唑四氟硼酸离子液体和果糖为原料,微波作用下一步制得一种新型碳点离子液体复合物,用此复合物代替部分导电剂和粘结剂制成新型炭基超级电容器,并与传统的炭基超级电容器进行了比较研究。结果表明:所制复合物中有大量直径小于4nm的碳纳米粒子,70℃时电导率达到13.26×10–3S·cm–1。所制超级电容器充放电效率由传统炭基超级电容器的89.1%提高到97.3%,比电容由115.7 F.g–1提高到251.1 F·g–1,内阻由1.95Ω 降低为1.23Ω ,且循环性能显著提高。
2012年07期 v.31;No.245 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 1019K] [下载次数：353 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：135 ] - 丁姣;尹国强;冯耀邦;赵国鹏;
采用混合支链多元羧酸铵盐作为主电解质,乙二醇为主溶剂,配合辅助溶剂,添加多种功能防护剂,制作了新型高温、高压、长寿命铝电解电容器工作电解液,研究了以此电解液所制铝电解电容器的性能。结果表明,所制电容器具有耐高温、长寿命、耐大纹波、低漏电流等特点,用于节能灯、电子整流器时,通过了150℃2 000 h高温负荷寿命试验。
2012年07期 v.31;No.245 19-22+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 734K] [下载次数：334 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：125 ] - 张鹏;张枨;鞠晓雨;李祥超;
采用电子扫描显微镜对SnO2压敏电阻和ZnO压敏电阻内部结构进行了综合比较,并结合离子迁移理论,利用冲击发生器和热稳定仪器进行了大量实验,结果表明:SnO2压敏电阻较ZnO压敏电阻内部相态更简单、结构更均匀,在冲击老化和工频老化中表现更好;在大电流冲击时,SnO2压敏电阻的残压远远高于ZnO压敏电阻,这一缺陷限制了其在低压浪涌防护中的应用,因此今后在如何减低SnO2压敏电阻的残压方面还有待更加深入的研究。
2012年07期 v.31;No.245 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 1070K] [下载次数：251 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：89 ] - 王中强;赵肃莹;王忠兵;
采用均匀共沉淀法制备了Ni-Mn草酸盐前驱体,使用XRD、SEM、激光粒度分析和TG等分析手段对最佳条件下所获得的前驱体进行表征,将该前驱体煅烧成型后,再烧结成致密陶瓷体并测量其电学性能。结果表明:最佳的共沉淀工艺条件如下:n(草酸二乙酯)/n(金属盐)=2,反应温度为80℃,反应时间为4 h。该最佳条件下制备的前驱体形成了与MnC2O4.2H2O结构相似的(Ni,Mn)C2O4.nH2O的固溶体,其呈现近八面体形貌,尺寸分布均匀,为2~10μm,基本无团聚现象。前驱体约在700℃失重完全,并可形成具有高活性的尖晶石结构的Ni0.6Mn2.4O4物相。其在1 200℃烧结可获得致密的陶瓷体,电阻率约为2 030.cm,B值为3 930 K。
2012年07期 v.31;No.245 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 2682K] [下载次数：328 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：91 ] - 吴毅强;邓淼;廖昆明;曾永安;周辉林;
通过单极子和高介电常数(相对介电常数为38)陶瓷介质谐振器的耦合设计了一种新型类齿状UWB单极子天线,以实现天线超宽频带的目的。采用软件HFSS进行仿真,并对天线模型参数进行优化,得到最佳设计效果。结果表明,该天线频带宽度为2.6~20.0 GHz(S11≤–10 dB),相对带宽达到了154%,满足超宽带天线要求。该天线实现小型化超宽带的同时,在整个UWB匹配频段内,具有良好的驻波比和方向图特性,较好地兼顾了各方面的性能。
2012年07期 v.31;No.245 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 755K] [下载次数：670 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：139 ] - 李勃;陈兵洋;孟令宝;张晓青;庞新锋;张华;伍隽;郭海;周济;李龙土;
通过低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出禁带位于超宽带(UWB)范围的电磁波禁带(EBG)天线陶瓷基板,其电磁波禁带位于4.0~5.5 GHz。在基板上制备了片式天线,在微波暗室中对天线方向性进行测试。结果发现,与没有EBG结构的片式天线相比,其在H面主瓣方向上的增益提高了约4 dB,背瓣方向辐射强度平均降低了10 dB左右,证明EBG结构能够有效改善天线在空间辐射的方向性。
2012年07期 v.31;No.245 34-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 1308K] [下载次数：172 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：149 ] - 曹卫平;朱继宏;
基于复合右左手传输线的非线性相移特性,提出了一种左手加载的共面波导激励槽环天线。该天线由四个简化的复合左右手传输线结构单元构成,通过调整单元的并联电感值,可以改变天线的谐振频率和输入阻抗,利用仿真方法分析了天线的性能。结果表明,相比于传统天线,新天线尺寸减小了30.25%,总辐射效率达到98.34%,同时交叉极化比提高了2.9 dB。
2012年07期 v.31;No.245 37-39+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 1101K] [下载次数：144 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：95 ] - 张友俊;王丽平;
基于传统的T形贴片双模微带带通滤波器,提出了一种新型的加入缝隙耦合的T形双模微带带通滤波器。在T形贴片谐振器的两侧以缝隙耦合的方式插入馈线,并对其进行了优化。优化后的滤波器能在通带两侧都产生衰减极点,提高了阻带的抑制能力,对其进行了仿真。仿真结果表明,该滤波器通带的中心频率为5.0 GHz,与实测结果基本一致,滤波器尺寸为34 mm×24 mm,保证了滤波器的小型化。
2012年07期 v.31;No.245 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 966K] [下载次数：162 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：100 ] - 孙盼;梁飞;吕文中;倪猛;王志勇;
提出了一种全新的谐振器结构——非对称共地λ/4谐振器对。此谐振器对由一个λ/4 UIR谐振器和λ/4 SIR谐振器通过共用一个接地通孔组合而成。其中SIR谐振器工作于2.4 GHz与5.2 GHz频段,UIR谐振器工作于3.6 GHz频段,据此设计制作了一个四级三频带切比雪夫型滤波器并进行了测试和仿真。结果表明,该滤波器的测试结果与仿真符合良好。利用此谐振器对设计的滤波器不仅体积大大减小,而且每个通带的位置及其耦合特性都能够独立调谐。
2012年07期 v.31;No.245 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 2266K] [下载次数：112 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：120 ] - 文亚南;李琳;陈士荣;史成武;梁齐;
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。
2012年07期 v.31;No.245 47-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 1617K] [下载次数：299 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：105 ] - 于仕辉;丁玲红;张伟风;
采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明,在300~600℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO(SnO2/ITO)薄膜具有相对好的热学稳定性。在600℃退火后,ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3Ω/□和2.5×10–3.cm,而此时,SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8Ω/□和1.2×10–3Ω.cm。最后,阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制。
2012年07期 v.31;No.245 51-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 1248K] [下载次数：259 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：109 ] - 胡士齐;林培豪;潘顺康;
采用高能球磨和微氧化气氛热处理制备了Nd2(Fe1–xNix)17(x=0,0.05,0.15,0.50)吸波粉体,研究了Ni的含量对NdFeNi粉体的相组成和吸波性能的影响。结果表明:当x=0,0.05,0.15和0.50时,样品的组成相均是Nd2Fe17、α-Fe和Nd2O3相。NdFe样品对电磁波的损耗以介电损耗为主;NdFeNi样品对电磁波的损耗以磁损耗为主。随着Ni含量的增加,样品对微波的吸收峰逐渐向低频移动,且其反射率逐渐升高。
2012年07期 v.31;No.245 55-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 847K] [下载次数：124 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：122 ] - 马超云;李玲;范焕新;房辉;
利用盐酸和四氯化碳的水/油两相界面,以过硫酸铵(APS)和重铬酸钾为复合氧化剂,首次采用复合氧化剂界面聚合法制备纳米纤维状聚苯胺(PANI)。研究了复合氧化剂配比对掺杂态聚苯胺电导率和产率的影响。结果表明,在室温下,当采用摩尔分数90%APS和10%重铬酸钾复合氧化剂时,产物形貌呈网状纤维状,直径为50～80 nm,长度为500 nm至几微米不等,电导率和产率分别为1.89 S/cm,49.03%。
2012年07期 v.31;No.245 59-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 1303K] [下载次数：282 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：87 ]