刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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专家论坛

  • 氧化锌非线性电阻的特性方程

    张南法;王茂华;束静;

    为了寻找一个能满足工程计算要求的氧化锌非线性电阻的伏安特性方程,对其电阻特性进行了研究,结果发现这种元件的电阻与电流之间有着确定的数量关系,可用"欧安特性方程"来表述。由欧安特性方程推导得到的伏安特性方程能满足工程计算的要求,已成功地应用于新特性产品的开发和浪涌过电压保护设计计算。此外还介绍了非线性电阻器一些特有的物理现象。

    2012年05期 v.31;No.243 1-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 472K]
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研究与试制

  • 添加Bi_4Ti_3O_(12)对BST陶瓷性能的影响

    黄新友;李言;高春华;林榕;黄瑞南;

    采用固相法制备了添加Bi4Ti3O12(BIT)的(Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST)陶瓷,研究了BIT的加入量对所制BST陶瓷的微观结构和介电性能的影响。结果表明:随着BIT添加量的增加,BST陶瓷的晶粒尺寸先减小后增大,相对介电常数(εr)逐渐减小,介质损耗(tanδ)先减小后增大。当添加质量分数26%的BIT于1 120℃烧结,制得的BST陶瓷综合性能较好:εr为1 700,tanδ为0.006,容温特性符合X7R的要求,耐直流电压强度为5.0×103V/mm。

    2012年05期 v.31;No.243 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 753K]
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  • CuO/CeO_2共掺杂Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.1)Ti_(0.9)O_3无铅压电陶瓷性能研究

    轩敏杰;刘心宇;马家峰;袁昌来;崔业让;

    采用固相反应法制备了CuO、CeO2共掺杂Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3(BCZT)无铅压电陶瓷,研究了CuO的掺杂量对所制陶瓷晶体结构、压电及介电性能的影响。结果表明:CuO的加入,进一步降低了预先经0.05%(质量分数)CeO2掺杂的BCZT陶瓷的烧结温度;在1 250℃烧结时,仍可获得纯钙钛矿结构的BCZT陶瓷。当CuO掺杂量为质量分数0.2%时,所制BCZT陶瓷具有最佳的压电性能:d33=370 pC/N,tC约为93℃,tanδ=0.0147。

    2012年05期 v.31;No.243 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 654K]
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  • 凝胶注模成型氧化铝陶瓷反射体的制备

    徐斌;赵巍;周彩楼;白戈俊;王希婷;

    以微米级氧化铝为原料,采用AM-MBAM凝胶体系,制备出了流动性良好、高固相体积比的浆料,然后采用凝胶注模成型工艺制备出了中空氧化铝陶瓷反射体。研究了分散剂、引发剂、单体浓度及固相含量等关键因素对凝胶注模成型氧化铝陶瓷反射体的影响。结果表明:当分散剂、引发剂、单体的质量分数分别为0.4%,0.08%,7%时,浆料的固相体积分数为55%,黏度达到710 mPa.s,并可制备出表观形貌好,结构致密的氧化铝陶瓷反射体。

    2012年05期 v.31;No.243 15-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 372K]
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  • 氧氩流量比对高介电薄膜Ta_2O_5电学性能的影响

    郑丹;王中林;

    利用反应溅射的方法沉积Ta2O5高介电薄膜,研究了溅射过程中氧气与氩气的体积流量比Ψ(O2:Ar)对薄膜电学性能的影响。结果表明,制备的薄膜退火后为多晶态四方结构的β-Ta2O5。随着Ψ(O2:Ar)的增大,薄膜的沉积速率逐渐减小,积累电容逐渐增大,等效氧化层厚度逐渐减小,平带电容增大,氧化层中可动离子电荷密度逐渐减小。当Ψ(O2:Ar)=6:5时,所沉积Ta2O5薄膜的相对介电常数r最大,为38.32;当Ψ(O2:Ar)=2:5时,漏电流密度最小,仅为7.7×10–7A/cm2。

    2012年05期 v.31;No.243 18-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 318K]
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  • SnO_2-ZnO的乙醇气敏特性研究

    刘宏;张晓武;谷云峰;

    为了解决乙醇传感器灵敏度不够高和选择性较差的问题,使用稀土金属氧化物代替贵金属及其化合物作为催化剂和添加剂制成了以SnO2-ZnO为主体的气敏材料,并对其气敏性能进行了研究。结果表明,此方法可有效提高SnO2-ZnO气敏材料对乙醇气体的灵敏度及选择性;利用制成的SnO2-ZnO气敏材料,可以生产出高灵敏度、高选择性的乙醇传感器。

    2012年05期 v.31;No.243 21-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 904K]
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  • 基于三氯氧磷液态源扩散技术的太阳能电池转换效率研究

    赵洪涛;严研;胡伟伟;刘家骏;

    通过对太阳能电池片扩散工艺中扩散端POCl3流量的控制实验,研究了POCl3流量对所制太阳能电池的等效串联电阻RS、漏电阻RSH以及转换效率的影响。结果表明:RS和RSH都随POCl3流量减小而增大。当POCl3流量为950 mL/min时,所制太阳能电池转换效率达到最大值16.69%,比常规生产(POCl3流量为1 000 mL/min)的转换效率提高了0.35%。

    2012年05期 v.31;No.243 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 1062K]
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  • n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构薄膜太阳能电池的模拟研究

    林家辉;彭启才;

    运用AMPS-1D软件对n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构的异质结薄膜太阳能电池进行了模拟,探讨了补偿掺杂i-ZnO层厚度变化以及界面态的引入对太阳能电池的开路电压、短路电流密度、填充因子以及转换效率的影响,并对其机理进行了分析。结果表明:界面态的存在会大幅降低太阳能电池的效率,在理想情况下太阳能电池的转换效率可以达到25.381%。

    2012年05期 v.31;No.243 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 279K]
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  • 光阳极的前后处理对DSSC性能的影响

    付瑜;黄希明;赵伟明;

    为抑制染料敏化太阳能电池(DSSC)光生电子的背反应,分别利用钛酸四丁酯(TBT)和TiCl4制备了两种TiO2溶胶对DSSC光阳极导电玻璃进行前处理,另外,以TBT制备的TiO2溶胶对光阳极TiO2薄膜进行了后处理。在AM1.5和暗环境下分别考察了前后处理对DSSC性能的影响。结果表明,光阳极的前后处理均有效提高了DSSC的光电转换效率,其中以采用TBT制备的TiO2溶胶进行前处理时的效果最佳;DSSC的光电转换效率随后处理次数的增加而增大;后处理3次时,DSSC的光电转换效率达到5.98%。

    2012年05期 v.31;No.243 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 482K]
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  • 不同表面活性剂对高导电态聚苯胺形貌与性能的影响

    马超云;李玲;

    以过硫酸铵为氧化剂,采用自稳定分散聚合法(SSDP)合成高导电态聚苯胺(PANI)。研究了不同种类的表面活性剂对PANI形貌与性能的影响,通过TEM、FT-IR、XRD、UV-Vis及四探针实验分别对PANI进行分析表征。结果表明,添加阴离子型表面活性剂十二烷基苯磺酸(DBSA)所得的PANI呈纳米纤维状,添加非离子表面活性剂聚乙二醇(PEG400)和阳离子表面活性剂三乙醇胺(TEA)所得的PANI分别呈扇形树枝状和薄膜状;添加DBSA所得PANI电导率最高,为8.7 S.cm–1,而添加PEG400所得聚苯胺产率最高,为78.3%。

    2012年05期 v.31;No.243 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 386K]
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  • 基于LTCC技术的Ku波段金丝线匹配的研究

    杨海峰;邢孟江;

    基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,设计了Ku波段金丝键合线宽带匹配电路,该电路应用多节1/4波长传输线对两根金丝键合线在Ku波段进行了具有二项式响应的宽带匹配。三维电磁场仿真表明,匹配后在Ku波段的回波损耗达到–20 dB以下,有效提高了信号的通过率。该匹配电路在LTCC基板上所占面积小、实现较为简单。

    2012年05期 v.31;No.243 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 258K]
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  • 硅基微型超级电容器三维微电极结构制备

    文春明;温志渝;尤政;王晓峰;李东玲;尚正国;

    为增大硅基微型超级电容器电极结构表面积,以提高电极的电荷存储能力,采用感应耦合离子刻蚀(ICP)技术制备了超级电容器三维微电极结构,研究了刻蚀、钝化气体流量和射频功率及电极电压等工艺参数对所制电极结构的影响。要取得较理想的结果,须根据刻蚀的一般规律和所用设备的具体特点,结合实际要求来确定工艺参数。在掩膜宽度为25μm时,所制三维电极结构表面规则平整,比二维电极结构表面积增大8.38倍。

    2012年05期 v.31;No.243 42-45+59页 [查看摘要][在线阅读][下载 1188K]
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  • 引线式400V缩体铝电解电容器电解纸选用研究

    梁亚芹;

    为满足铝电解电容器的缩体要求,对比研究了使用6种电解纸制作引线式缩体105℃400V68μm铝电解电容器(φ18 mm×25 mm)时的电容器芯包外径、芯包短路、芯组浸渍、一次老化合格情况以及电解纸对电容器电参数和可靠性的影响。结果表明,使用总厚度为60μm的W165-40和W180-20电解纸,并调整浸渍工艺,可使产品具有良好的性价比。

    2012年05期 v.31;No.243 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 268K]
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  • 基于不均匀超介质的宽带高增益天线研究

    曹卫平;彭黎黎;李思敏;宁丹;

    提出了一种由双层不均匀频率选择性表面(FSS)结构组成的领结型高增益天线,对其进行了仿真分析。结果显示该天线在不加外匹配网络情况下,|S11|≤–6 dB的阻抗带宽可达到72%,同时有很好的辐射方向图。与均匀频率选择性表面组成的天线相比较,该不均匀性天线带宽为均匀频率选择性表面组成的天线的1.5倍,并且仍然保持低轮廓。这种特性适用于点对点弱信号通信。

    2012年05期 v.31;No.243 50-52+70页 [查看摘要][在线阅读][下载 360K]
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  • 一种新型介质谐振天线设计

    杨虹;刘哲;

    采用双层磁电复合材料为基板,制作了一款小型(38 mm×38 mm)宽带介质谐振天线。为减小尺寸并提高带宽,天线采用了共面波导馈电及倒L形金属片加载。通过理论分析,给出了天线的等效电路,并对其进行了仿真分析。结果表明:在回波损耗S11<–10 dB时,该天线的工作频段为4.93~6.75 GHz,实现了宽频带的设计目的。

    2012年05期 v.31;No.243 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 412K]
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  • 对称L型缺陷微带结构可调带通滤波器研究

    朱玉峰;孙洪文;肖建康;

    设计了一种由对称L型缺陷微带结构实现的新型频率可调带通滤波器,并给出了相应的等效电路;对具有该结构的单频带带通滤波器的S参数频响特性进行了仿真与分析,并计算了耦合系数;依据上述结构设计制作了一种可调谐的双频带带通滤波器,并对其谐振频率的可调性进行了分析。结果表明:所制滤波器的谐振频率分别为2.4 GHz和3.5 GHz,相对带宽分别为4.63%和4.95%,有效电路尺寸仅为26.0 mm×1.2 mm。该L型缺陷微带结构带通滤波器具有结构简单紧凑、尺寸小、频率选择性好和谐振频率独立可调等优点。

    2012年05期 v.31;No.243 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 307K]
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编读通信_新书信息

  • 《有机介质电容器选集》内容简介

    <正>该选集包含专题论文篇、已获得的专利和未申请的专利资料篇、重要试验篇和"有机介质电容器设计资料"篇等四部分,共计专题论文136篇,共523页。其中论文篇包含《聚苯硫醚塑料薄膜及其电容器》、《MKV换流用功率电子电容器》、《聚丙烯及电容器用聚丙烯薄膜》、

    2012年05期 v.31;No.243 11页 [查看摘要][在线阅读][下载 182K]
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综合信息

  • 科学家首次成功在硅上集成50微米厚锗

    <正>据物理学家组织网3月29日报道,瑞士和意大利科学家在3月30日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破,成功在硅上集成了50微米厚锗,新结构几乎完美无缺,

    2012年05期 v.31;No.243 26页 [查看摘要][在线阅读][下载 881K]
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  • 大规模生产纳米石墨烯薄片新方法

    <正>据美国物理学家组织网3月26日报道,韩国和美国的研究人员近日表示,通过混合固态二氧化碳和相应溶剂,能简单、经济地大规模生产出高质量的纳米石墨烯薄片。相关研究报告发布在本周出版的美国《国家科学院院报》网络版上。

    2012年05期 v.31;No.243 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 108K]
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  • 科学家拍摄量子电影展现复杂分子物质波

    <正>据美国物理学家组织网3月26日(北京时间)报道,最近,一个由奥地利维也纳大学、以色列特拉维夫大学等机构研究人员组成的国际小组,成功地为一种染料分子拍摄了一段量子电影,揭示了分子物质波相

    2012年05期 v.31;No.243 34页 [查看摘要][在线阅读][下载 163K]
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  • 量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管 有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题

    <正>据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新

    2012年05期 v.31;No.243 38页 [查看摘要][在线阅读][下载 94K]
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  • 美证实碳纳米管生长控制理论

    <正>美国莱斯大学Yakobson教授在2009年提出了利用手性控制生长位错理论,描述了碳纳米管是如何由单原子线织成螺旋形状碳纳米管的。近期俄亥俄州空军研究实验室的实验已证实了该生长理论,纳米管的手性

    2012年05期 v.31;No.243 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 167K]
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  • 美开发出直接测量电子速度的技术

    <正>据美国物理学家组织网3月1日(北京时间)报道,美国物理学家表示,他们探索出了一种探测电流的新方法。这一方法基于二次谐波产生的过程,就像一个能远程监控电子速度的"雷达测速仪"一样,能直接

    2012年05期 v.31;No.243 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 177K]
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  • 首次捕捉到两原子在分子中运动即时影像

    <正>据国外媒体报道,美国科学家近日使用一种新的超高速摄像机,首次录得两个原子在分子中运动的即时影像,成功捕捉原子持续不到千兆分之一秒的运动瞬间。这项实验的详细报告发表在本周的《自然》杂志上。

    2012年05期 v.31;No.243 75页 [查看摘要][在线阅读][下载 150K]
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可靠性

  • 无铅回流焊焊点形成过程的实时监测与分析

    连钠;张冬月;徐广臣;郝虎;郭福;

    利用实时摄像、图像采集、转录装置等对电容、电阻、塑封有引线芯片载体(PLCC)、二极管等元器件的无铅回流焊过程进行了实时监测和同步拍摄,实时记录了回流焊过程中焊点形成的全过程。特别地,分析了回流焊过程中焊膏对元件所表现出的极强的自对中能力及一些焊接缺陷(如立碑现象)的形成过程。

    2012年05期 v.31;No.243 60-62+70页 [查看摘要][在线阅读][下载 546K]
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  • 冷热冲击下BGA焊接失效的分析研究

    胡友作;何为;薛卫东;黄雨新;徐缓;

    采用冷热冲击的方法,以温度改变率为90℃/min,温度循环范围为–65~+125℃,高低温段停留时间为15 min的条件对无铅焊接的BGA焊接位置进行可靠性测试,用金相显微镜,SEM和EDS进行表征分析。结果表明,冷热冲击下BGA的失效点多集中于焊料与焊盘间。SnAgCu焊料与焊盘以及形成的IMC之间的热膨胀系数(CTE)不匹配,还有IMC被氧化是导致在冷热冲击下BGA焊接位置失效的主要原因。

    2012年05期 v.31;No.243 63-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 557K]
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综述

  • 锂离子二次电池正极材料LiNi_(0.8)Co_(0.2)O_2的研究进展

    向小春;刘兴泉;刘宏基;王超;张峥;

    介绍了近年来国内外LiNi0.8Co0.2O2正极材料的研究进展;重点对LiNi0.8Co0.2O2正极材料的主要合成方法、掺杂与包覆改性的研究现状和进展进行了评述;提出了目前LiNi0.8Co0.2O2正极材料尚存在的一些问题,同时对LiNi0.8Co0.2O2正极材料的发展前景进行了展望。

    2012年05期 v.31;No.243 66-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 324K]
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  • 射频磁控溅射制备钛酸锶钡薄膜的研究进展

    林泽彬;蔡苇;刘行冰;宋云霞;符春林;

    综述了射频磁控溅射制备钛酸锶钡(BST)薄膜的国内外研究动态,详细阐述了溅射工艺参数(电极、溅射气压、氧分压、温度)对BST薄膜微结构和电性能的影响,提出了射频磁控溅射制备BST薄膜中亟待解决的问题。

    2012年05期 v.31;No.243 71-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 688K]
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编读通信

  • 《电子元件与材料》征稿简则

    <正>《电子元件与材料》是中国电子学会、中国电子元件行业协会和国营715厂共同主办的科技期刊,国内外公开发行。本刊报道国、内外有关电子陶瓷及器件、新型阻容元件、敏感元件与传感器、混合微电子及组装技术、磁性材料及器件、薄膜技术、电子封装及相关电子材料等领域,在科研、生产及应用开发方面的最新科研

    2012年05期 v.31;No.243 76页 [查看摘要][在线阅读][下载 260K]
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