刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • BaWO_4掺杂对BMT陶瓷介电性能的影响

    彭森;吴孟强;肖勇;陈黎;姜锐;

    采用传统电子陶瓷工艺合成了BaWO4掺杂的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)微波介质陶瓷,研究了质量分数w(BaWO4)从2%~8%变化对BMT微波介质陶瓷结构和微波特性的影响。实验结果表明:添加少量的BaWO4能明显改善BMT陶瓷的烧结性能,当w(BaWO4)=4%时,BMT陶瓷的烧结温度由纯相时的1 650℃以上降至1 400℃,其体积密度为7.562 g/cm3,相对密度达到99%,同时BMT陶瓷体系获得了良好的微波性能:εr=26.7,Q.f=98 THz(8 GHz),τf=6.5×10–6/℃。

    2011年11期 v.30;No.237 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1256K]
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  • 液相包覆法引入B_2O_3对Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷介电性能的影响

    李谦;金彪;黄金亮;李丽华;

    以BaCO3和TiO2粉末为原料,采用固相反应法合成Ba2Ti9O20主晶相,以H3BO3溶液为前驱液,通过液相包覆技术引入B2O3助烧剂以降低Ba2Ti9O20陶瓷的烧结温度。研究了液相包覆B2O3对Ba2Ti9O20陶瓷的烧结和介电性能的影响。结果表明,液相包覆B2O3后,Ba2Ti9O20陶瓷的烧结温度从1 400℃降至1 250℃,相对密度达98.3%。当H3BO3溶液的浓度为1.0 mol/L,1 250℃烧结4 h所制Ba2Ti9O20陶瓷的介电性能良好:相对介电常数εr=42,介质损耗tanδ=0.002,频率温度系数τf=–4×10–6/℃(1 MHz)。

    2011年11期 v.30;No.237 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 1462K]
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  • 真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响

    李瑶;陈寅之;唐永旭;蒋洪川;刘兴钊;

    采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了NiCrAlY薄膜,并对NiCrAlY薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响。结果表明:经过真空热处理的NiCrAlY薄膜,高温氧化后表面生成了单一、稳定的α-Al2O3相,Al和O的粒子数分数分别约为32%和50%;而未经过真空热处理直接氧化的NiCrAlY薄膜表面含有θ-Al2O3和α-Al2O3两种物相,且分布不均匀。

    2011年11期 v.30;No.237 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 1369K]
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  • 溅射气压对Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜结构及介电性能的影响

    黎彬;赵华;杨天应;蒋书文;

    采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大。薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大。且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值。在基片温度为675℃,溅射气压为5 Pa,体积比??(O2:Ar)为15:85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6×106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26%,介质损耗约0.8%;在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10–8 A/cm2。

    2011年11期 v.30;No.237 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 1129K]
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  • 基于尺寸效应的Cu/CuNi薄膜热电偶灵敏度研究

    杨丽红;赵源深;

    采用磁控溅射法在镀有SiO2阻挡层的基底上制备了一系列的Cu/CuNi薄膜热电偶,其厚度分别为0.5,1.0,1.5和2.0μm,测得四种Cu/CuNi薄膜热电偶的灵敏度,分别为46.47,45.23,44.32和43.98μV/℃,通过实验和理论研究了薄膜热电偶灵敏度S与厚度δ之间的关系。结果表明:Cu/CuNi薄膜热电偶的灵敏度高于普通Cu/CuNi热电偶;在薄膜厚度大于临界厚度的情况下,薄膜热电偶的灵敏度S随着厚度的倒数1/δ增大而升高。

    2011年11期 v.30;No.237 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 688K]
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  • 退火温度对Cr-Si压阻薄膜电性能的影响

    唐永旭;李瑶;冯琳;刘治君;刘兴钊;

    采用射频磁控溅射法在氧化铝陶瓷基底上制备了Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜,研究了不同退火温度对薄膜电性能的影响。结果表明:在溅射态及退火温度低于600℃时,薄膜为非晶态。随着退火温度的升高,薄膜的电阻温度系数(TCR)逐渐增大,应变因子(GF)先增大后减小,室温电阻率(ρ)则逐渐降低。在退火温度为300℃时,Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜的电性能最好:TCR为–1.1×10–6/℃,GF为2.2,ρ为0.662?.cm。

    2011年11期 v.30;No.237 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 918K]
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  • 溶胶-凝胶法制备H_2S气敏材料LaFeO_3

    赵晓华;娄向东;李萌;李新莉;

    以La(NO3)3.6H2O、Fe(NO3)3.9H2O和柠檬酸为原料,采用溶胶–凝胶法制备了纳米LaFeO3。利用XRD和SEM对所合成材料的结构和形貌进行了表征,利用静态配气法测试了材料的气敏性能。研究了不同煅烧温度对LaFeO3气敏性能的影响。结果表明,600和800℃煅烧2 h均可得到不规则的块状纯钙钛矿相的LaFeO3,其中600℃煅烧得到的LaFeO3对H2S气体具有良好的灵敏度和选择性。在295℃的工作温度下,LaFeO3(600℃)对体积分数为100×10–6的H2S气体的灵敏度达到141.6,对体积分数为10×10–6的H2S气体的灵敏度也可达13.0。

    2011年11期 v.30;No.237 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 942K]
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  • 环氧树脂/氧化铝复合材料的制备及导热模型

    李攀敏;钟朝位;童启铭;庞祥;

    采用浇注成型法制备了环氧树脂/氧化铝复合材料,研究了氧化铝含量对所制复合材料导热、介电以及力学性能的影响。结果显示:当氧化铝含量小于体积分数0.3时,所制复合材料导热系数与Maxwell方程的计算值比较吻合,而混联模型更适合于预测氧化铝含量较高时的导热系数;该复合材料的介电常数随着氧化铝含量的增加而增加,弯曲强度随氧化铝含量的增加而先升高后降低;当氧化铝体积分数为0.375时,所制复合材料的弯曲强度达到160 MPa。

    2011年11期 v.30;No.237 26-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 696K]
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  • 偶联剂对LiFePO_4的分散及掺杂性能的影响

    覃晓捷;龚阳辉;熊义梅;季晶晶;李庆余;

    以Li2CO3和FePO4.2H2O为原料,葡萄糖为碳源,同时添加偶联剂作分散剂及杂质源来合成LiFePO4正极材料,研究了偶联剂的种类及添加量对所制LiFeO4材料性能及分散效果的影响。结果表明:添加TC-Wt钛酸酯偶联剂且质量分数为3.0%时,所制LiFeO4具有更好的电化学性能,其0.1 C,0.5 C,1.0 C,3.0 C放电比容量分别达161.8,148.6,136.0,112.1 mAh.g–1。

    2011年11期 v.30;No.237 30-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 1540K]
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  • 圆形开槽贴片微带双模带通滤波器

    张友俊;邹黔;

    提出了一种新颖、简单的圆形贴片上刻蚀小方槽的微带双模带通滤波器结构。该滤波器仿真的通带中心频率为5.9 GHz,最大回波损耗优于–31.5 dB,通带内最小插入损耗为–0.7 dB,3 dB带宽为23.73%。实测和仿真结果相一致。

    2011年11期 v.30;No.237 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 980K]
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  • 基于Hamming函数变迹加权SAW温度传感器设计

    卢小荣;刘文;王磊;

    选取特定切向的压电晶体,用Hamming函数对叉指换能器的电极长度进行变迹加权,制作了一个谐振频率为431.5 MHz的声表面波温度传感器,研究了Hamming加权函数对叉指换能器频率响应旁瓣的抑制效果,并进行了温度–频率特性测试实验,研究了传感器的灵敏度、精度等性能。仿真和测试结果表明:基于Hamming函数变迹加权的叉指换能器带外抑制大于50 dB,旁瓣抑制效果显著。其声表面波温度传感器的测量误差小于0.5℃,灵敏度(7.79 kHz/℃)较好,在–20~+120℃范围内,频率–温度特性呈现出良好的线性特征。

    2011年11期 v.30;No.237 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1018K]
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  • 一种适用于RFID的小型圆极化天线

    吕洪光;邓腾彬;肖马辉;

    设计了一种适用于RFID手持机的小型圆极化天线。通过在天线贴片上加缝隙实现天线的小型化,并选择适当的馈点位置,实现单馈点圆极化,在此基础上通过加载金属层,扩展了天线的带宽。仿真和实验表明,天线贴片尺寸为128 mm×128 mm(即0.37λ)时,在907~920 MHz,该天线的输入驻波比小于2,最高增益为7 dB。

    2011年11期 v.30;No.237 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 908K]
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  • 新型FSS缝隙阵列结构的分析与仿真设计

    吕冬翔;刘立国;丁国文;

    提高传输特性一直是频率选择表面(FSS)缝隙阵列设计的主要方向。由于介质加载而引起栅瓣干扰则是设计过程中难以回避的问题。针对综合提高带通型频率选择表面阵列的带宽、陡截止性、极化和角度不敏感性等传输特性,通过数值计算和仿真分析设计了特性良好的外侧保护层厚度为0.3 mm,介质材料相对介电常数为1.5,夹层介质厚度为4.58 mm,夹层介质相对介电常数为2.2的新型单层介质加载双层频率选择表面缝隙阵列结构和以此为基础的双层介质加载三层频率选择表面缝隙阵列结构,并打破传统,采用了薄介质加载方式,从而有效地解决了各类栅瓣过早、连续出现的问题。

    2011年11期 v.30;No.237 46-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 1264K]
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  • 考虑压电效应的石英晶体谐振器设计程序

    陈玉梅;王骥;阳丽君;杜建科;

    介绍了一种新颖的基于Mindlin板理论的AT切石英晶体谐振器设计程序及其计算过程。该程序根据已知的石英晶体谐振器频率、电极厚度等参数来推算出最佳石英晶体板尺寸、电极长度、电容比等参数;可以计算出石英晶体板的色散、频谱、温频、电容比与频率关系,为石英晶体谐振器的设计提供重要参考。所有计算都考虑了石英晶体的压电效应,并给出了电容比这一重要的电路参数,进一步提高了结果的精确性。该设计程序可减少产品设计过程中的盲目性和试验时间。

    2011年11期 v.30;No.237 51-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 841K]
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  • 射频高Q值MLCC的设计和工艺

    陆亨;王艳红;宋子峰;祝忠勇;

    为了提高射频多层陶瓷电容器(MLCC)的Q值,采用NPO瓷粉、钯银内电极浆料和银端电极浆料等为原材料制备MLCC。研究了设计和工艺对所制MLCC的固有寄生参数Rs和Ls的影响。结果表明:特殊的设计能减小内电极电阻和内外电极的接触电阻;合适的内电极厚度保证了烧结后内电极良好的连续性;合理的倒角和烧端工艺保证了内外电极的良好接触。这些设计和工艺有效降低了MLCC的Rs和Ls,从而提高了样品Q值和使用频率。

    2011年11期 v.30;No.237 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 982K]
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  • 基于LTCC工艺的DC-DC电源模块中电感的改进设计

    李建辉;阳皓;范启兵;杨邦朝;

    为了使电源模块小型化,基于LTCC铁氧体工艺,通过理论计算和软件仿真,对DC/DC电源模块中的电感进行了改进设计。用LTCC内埋置电感代替了传统线圈,最终成品的体积和高度都大大减小,体积约为改进前的五分之一,效率达到80%,测试结果基本符合设计要求(10 W,3μH)。

    2011年11期 v.30;No.237 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 895K]
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  • 纳米压痕法分析Sn-9Zn/Cu焊点力学性能

    陈永生;孟工戈;孙静;

    通过对Sn-9Zn/Cu焊点进行纳米压痕实验发现:在保载阶段,体钎料产生了明显的蠕变特征,蠕变深度随着加载速率的增加而增加。基于压痕做功概念确定了Sn-9Zn/Cu焊点中体钎料的蠕变应力指数n约为5.128。硬度和弹性模量测试结果表明:金属间化合物Cu5Zn8的压痕硬度(5.152±0.224)GPa约是体钎料压痕硬度(0.178±0.020)GPa的30倍;前者弹性模量(123.100±20.024)GPa又是后者弹性模量(25.615±9.077)GPa的5倍,显示了影响焊点可靠性的关键因素是焊点界面处的金属间化合物。

    2011年11期 v.30;No.237 65-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 798K]
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  • 倒装陶瓷球栅阵列电子封装的热模型研究

    谢秀娟;杨少柒;罗成;周立华;

    针对倒装陶瓷球栅阵列(flip chip ceramic ball grid array,FC-CBGA)封装,采用有限元数值方法,建立三维有限元的详细热模型。在5 W热负荷下,分析裸芯式、平板式和盖板式三种形式,不同芯片尺寸(5 mm×5 mm、15 mm×15 mm和20 mm×20 mm)以及不同润滑剂材料对系统热阻的影响。结果表明:采用盖板式能使芯片结点温度降低约10℃;芯片增大能使热阻降低88%~93%,改变导热润滑剂的材料热阻降低67%~80%。该模型结果与FLOPACK结果对比,误差在8%以内。

    2011年11期 v.30;No.237 68-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 871K]
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综合信息

  • 中国科大纳米多孔V_2O_5电极材料研究取得新成果

    <正>近日,中国科学技术大学化学与材料科学学院陈春华教授研究小组设计制备出具有优异大电流充放电性能的二维多孔钒氧化物锂离子电池正极材料。该研究小组采用静电喷雾沉积装置合成了一种由三维多孔V2O5亚微米球构成的钒氧化物薄膜材料。

    2011年11期 v.30;No.237 33页 [查看摘要][在线阅读][下载 502K]
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  • 规模应用最大尺寸薄膜组件 美国大型硅基薄膜电站并网

    <正>据报道,新奥太阳能源集团世界最大的5.7 m2电池板日前在美国最大的并网硅基薄膜电站中得到规模应用。该项目位于宾夕法尼亚州艾伦镇,总装机容量达2 MW,全部采用硅基薄膜电池组件,于7月12日完成了并网。

    2011年11期 v.30;No.237 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 456K]
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  • 韩国将垃圾填埋场的可燃性气体转化为氢能燃料

    <正>据报道,韩国利用垃圾填埋场的可燃性气体生产出氢燃料,并为氢能源汽车建设了氢能供应站。据介绍,首尔市利用上岩洞(地名)世界杯公园内的兰芝岛垃圾填埋场产生的可燃性气体,建造了每天可生产720标准立方米氢能的氢能供应站。由于该氢能是从垃圾填埋场产生的气体中提取的,这与国外利用天

    2011年11期 v.30;No.237 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 456K]
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  • 第四届国际化工新材料(成都)峰会隆重召开

    <正>成都(2011年8月25~26日)——以"革新.突破"为主题的"第四届国际化工新材料(成都)峰会"(以下简称"峰会")在四川省成都市隆重召开,本届峰会由中国化工集团公司、成都市人民政府和德国化学工程与生物技术协会(DECHEMA)等单位举办。值此全球经济谨慎复苏时期和《新材料产业"十二五"发展规划》即将出台之际,350多名来自政府、行业协会、

    2011年11期 v.30;No.237 57页 [查看摘要][在线阅读][下载 398K]
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  • IBM研制出首款石墨烯集成电路 向研制石墨烯计算机芯片前进了一步

    <正>近日,美国IBM公司研出了首款由石墨烯圆片制成的集成电路,向开发石墨烯计算机芯片前进了一步。研究人员认为,这项突破可能预示着未来可用石墨烯圆片来替代硅晶片。这块集成电路建立在一块碳化硅上,并且由一些石墨烯场效应晶体管组成。2010年,IBM公司托马斯.沃森研究中心林育明

    2011年11期 v.30;No.237 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 508K]
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  • 美模拟发现3种稳定存在的碳结构

    <正>美国纽约州立大学石溪分校的研究人员通过模拟发现了3种可稳定存在的新型碳结构。这些材料的密度超过现有三维材料中密度最大的钻石,具有独特的电子和光学性能,如能成功合成。将成为材料学领域的一大突破。

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  • 美在氢燃料电池技术上获新突破

    <正>美国南加州大学的科学家研发出一种安全、有效提取和存储氢的方法,为推广使用氢燃料电池扫除了障碍。氢气是一种重要的燃料,燃料电池内的氢气很容易转化为电力,且不会排放出二氧化碳。不过身为气体,氢气只能存储于高压或低温容器内。

    2011年11期 v.30;No.237 81页 [查看摘要][在线阅读][下载 433K]
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可靠性

  • 宇航元器件极限评估技术研究

    张洪伟;夏泓;江理东;董宇亮;付琬月;

    极限评估技术是一种元器件可靠性的新型评估方法,目的在于探求元器件的能力是否能够满足宇航特定的应用环境要求,极限评估对应用于高可靠领域内的元器件质量保证尤为重要。提出了极限评估技术相关概念和理论,总结了极限评估的一般方法,这对元器件的研制和应用具有实用价值并可有效指导元器件质量保证工作。

    2011年11期 v.30;No.237 72-76页 [查看摘要][在线阅读][下载 790K]
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综述

  • 透明MgAl_2O_4陶瓷制备工艺研究进展

    付萍;吕文中;

    介绍了透明MgAl2O4陶瓷的优异性能及应用领域,综述了该陶瓷烧结工艺的最新研究进展,包括热压烧结/热等静压烧结、常压烧结、放电等离子烧结、微波烧结,并对透明MgAl2O4陶瓷离子掺杂及纳米透明MgAl2O4陶瓷的研究现状进行了介绍,展望了透明MgAl2O4陶瓷的研究方向。

    2011年11期 v.30;No.237 77-81页 [查看摘要][在线阅读][下载 754K]
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  • 电磁超材料吸收器的研究进展

    赵碧辉;文岐业;谢云松;张怀武;

    基于电磁超材料的电磁谐振吸收器通过合理设计器件的物理尺寸及材料参数可对入射到吸收器的特定频率的电磁波实现100%的完美吸收,因而受到国内外学术界的高度关注。综述了当前国内外基于电磁超材料的电磁波完美吸收器在微波和太赫兹波段的研究进展,分类介绍了吸收器的结构及性能特点,最后对电磁超材料吸收器的发展趋势和待解决的问题作了探讨。

    2011年11期 v.30;No.237 82-86页 [查看摘要][在线阅读][下载 906K]
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