刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • 晶型和形貌对NaDyF_4在1.06μm激光吸收能力的影响

    周健;倪亚茹;张文妍;陆春华;

    采用水热法,以油酸和EDTA-2Na为络合剂,合成了NaDyF4微纳米晶。利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计(UVPC)对产物的晶型结构、形貌和漫反射吸收光谱进行了表征,讨论了晶型和形貌变化以及不同长径比等对产物在1.06μm波长附近光谱吸收性能的影响。结果表明,在1.05~1.15μm波长范围内,六方相较立方相NaDyF4的吸收峰位置蓝移了0.008μm至1.078μm附近,随着产物的形貌由短棒状变成六棱柱状和管状,Dy3+的特征吸收峰相继发生蓝移。六方相,管状,长径比较大的产物吸收性能较好。

    2011年07期 v.30;No.233 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1474K]
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  • Ta_2O_5及Nb_2O_5掺杂NdAlO_3-CaTiO_3陶瓷的介电性能研究

    吴坚强;吴迪;李彬;余乐思;

    采用固相反应法制备0.3NdAlO3-0.7CaTiO(3CTNA)介质陶瓷。研究了Ta2O5及Nb2O5掺杂对所制CTNA陶瓷性能的影响。结果表明:Nb2O5和Ta2O5掺杂后,CTNA陶瓷的氧空位缺陷减少,显微结构改善,介电常数提高、介质损耗降低。同时加入质量分数w(Nb2O5)为0.1%,w(Ta2O5)为0.8%时,获得的CTNA陶瓷的综合性能较好:介质损耗为1.2×10-4,相对介电常数为46.36,体积密度为4.845g/cm3。

    2011年07期 v.30;No.233 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 1000K]
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  • 掺杂MgO和La_2O_3对Al_2O_3陶瓷性能的影响

    王文瀚;李晓云;丘泰;

    以高纯硫酸铝氨分解的无定形Al2O3为原料,MgO、La2O3为烧结助剂,在N2气氛下热压烧结制备Al2O3陶瓷。研究了MgO和La2O3掺杂量对所制Al2O3陶瓷的相组成、显微结构、烧结性能、力学性能、热导率和介电性能的影响。结果表明:随着MgO或La2O3掺杂量的增加,Al2O3晶粒尺寸均逐渐减小而抗弯强度逐渐升高,热导率和介质损耗则分别呈现为先增大后减小和先减小后增大的变化规律。当MgO或La2O3掺杂量均为质量分数2.0%时,Al2O3陶瓷呈现较佳的综合性能:抗弯强度均达518MPa以上,热导率均在30.1W·m-1·K-1左右,介质损耗分别低至4.60×10-4和6.70×10-4。

    2011年07期 v.30;No.233 9-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 2192K]
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  • K_4CuNb_8O_(23)对K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-LiSbO_3压电陶瓷结构及性能的影响

    李桧林;黄焱球;张双;高涛;唐红平;

    采用固相反应法制备了0.96(0.99K0.5Na0.5NbO3-0.01Bi0.5Na0.5TiO3)-0.04LiSbO3-xK4CuNb8O23(0≤x≤3.00%)(简称KNN-BNT-LS-KCN)无铅压电陶瓷,研究了其晶体结构、压电、介电以及铁电性质。结果表明,KCN的加入使所制陶瓷的晶体结构从四方相转变为斜方相,当KCN摩尔分数x在0.25%附近时,出现了准同型相界(MPB)。陶瓷表现出"硬性"掺杂特征,机械品质因数Qm显著提高。当x=0.75%时,Qm值达到了278,压电常数d33为135pC/N,机械耦合系数kp、kt分别为35.6%,33.6%。

    2011年07期 v.30;No.233 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 747K]
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  • B-Si-Pb玻璃掺杂PBSNF-PZT压电陶瓷的性能研究

    吕文中;王莹;范桂芬;

    通过传统固相反应法合成了Pb0.95Ba0.05[(Sb0.6Fe0.4)0.5Nb0.5]0.02Zr0.52Ti0.48O3(PBSNF-PZT)压电陶瓷,研究了B-Si-Pb(B2O3-SiO2-PbO)玻璃掺杂对PBSNF-PZT陶瓷结构及性能的影响。结果表明,掺杂少量B-Si-Pb玻璃后,所制PBSNF-PZT陶瓷的结构未改变,仍为四方相的钙钛矿型铁电体,晶粒尺寸降低,压电性能和介电性能改善,烧结温度降低。玻璃掺杂量为质量分数0.5%,在1150℃烧结所制的PBSNF-PZT陶瓷综合性能较好:εr=1950,tanδ=0.016,d33=470pC/N,k31=0.40,适用于对灵敏度要求较高的压电驱动器件。

    2011年07期 v.30;No.233 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 1521K]
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  • 降温速率对Mn-Ni-Fe-O系热敏陶瓷电学性能的影响

    王忠兵;许海燕;汶建彤;刘原平;左艳波;

    采用草酸盐共沉淀法制备了Mn-Ni-Fe-O体系NTC(Negative Temperature Coefficient)热敏陶瓷,并运用XRD,SEM和电学性能测试等手段研究陶瓷样品的相结构和电学性能,重点考察了降温速率对电学性能的影响。结果表明:慢速降温条件下样品的电阻率低于快速降温的电阻率,降温速率对Mn-Ni-Fe-O系NTC热敏陶瓷的电学性能影响很大,尤其是当Fe元素含量较高时这种影响更大。

    2011年07期 v.30;No.233 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 883K]
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  • Al_2O_3掺杂对MnCoNi系NTC热敏电阻材料性能的影响

    黄霞;姚金城;常爱民;刘力;彭昌文;

    采用传统固相法制备了Co1.5–xMn1.2Ni0.3AlxO4(x=0,0.02,0.04,0.06)NTC热敏电阻材料。借助XRD、SEM和几种电性能测试手段,研究了Al2O3掺杂对MnCoNi热敏电阻材料相结构及电性能的影响。结果表明:随着Al2O3掺杂量的增加,MnCoNi热敏电阻材料的晶体结构不变,晶粒减小,电阻率和材料常数B值由339.07Ω·cm、3489.07K分别增加到3723.89Ω·cm、3956.80K,电学稳定性由1.65%提高至0.17%。

    2011年07期 v.30;No.233 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1131K]
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  • CaO-B_2O_3-SiO_2系LTCC基板材料的制备及烧结

    龙承毅;张树人;周晓华;李波;

    通过高温熔融法制备的CaO-B2O3-SiO2(CBS)系玻璃粉体(A料)与固相合成法制备的CaO-B2O3-SiO2-Al2O3粉体(B料)按照质量比7:3混合,烧结制备CBS系LTCC材料,研究不同烧结温度对材料性能的影响。结果表明:在850℃下烧结的CBS玻璃陶瓷致密性好,x-y方向收缩率为15.16%,密度为2.642g/cm3,εr=5.99(1MHz),tanδ<3.93×10-4(1MHz),抗弯强度σ=165MPa,具有良好的综合性能,可用作LTCC基板材料。

    2011年07期 v.30;No.233 29-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1331K]
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  • Ce~(4+)掺杂对LiFePO_4/C正极材料微观结构和性能的影响

    侯娟;殷保祥;刘国明;张清龙;王帆;

    采用碳热还原法合成了LiFe1-2xCexPO4/C(0≤x≤0.03)锂离子电池正极材料。利用X射线衍射、扫描电镜、恒流充放电、循环伏安法等手段对Ce4+掺杂前后磷酸铁锂正极材料的结构和电化学性能进行了表征。结果表明,随着Ce4+掺入量的增加,LiFe1-2xCexPO4/C材料的电化学性能,特别是较高倍率(5~10C)下的电化学性能,获得了一定程度的改善。在x=0.02时,LiFe1-2xCexPO4/C材料的充放电性能达到最佳,其在10C下的放电容量为120mAh·g-1。

    2011年07期 v.30;No.233 32-34+38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1308K]
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  • 共沉淀法制备GdVO_4:Tm~(3+)蓝色荧光粉及其发光性能

    李磊;黄维刚;童冰聪;

    采用共沉淀法制备了GdVO4:Tm3+蓝色荧光粉,通过差热-热重(TG-DSC)分析仪,X射线粉末衍射仪、扫描电镜(SEM)及荧光分光光度计研究了前驱体晶化行为及不同制备条件对荧光粉晶体结构、颗粒形貌及发光性能的影响。研究表明:所得前驱体已有GdVO4:Tm3+晶体形成,但结晶度较低。沉淀剂的滴定速度对荧光粉体的形貌和发光性能均有影响,较合适的滴定速度为8.0mL/min。实验所得GdVO4:Tm3+荧光粉的激发光谱为位于200~350nm的宽带,主激发峰位于270nm左右,发射光谱波长位于476nm处,呈明亮的蓝光。

    2011年07期 v.30;No.233 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1858K]
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  • 腐蚀频率对铝电解电容器用低压铝箔性能的影响

    郭敏;

    采用变频腐蚀工艺以及正交实验法,制备了铝电解电容器用低压铝箔,研究了腐蚀电源频率对所制低压铝箔腐蚀形貌及性能的影响。结果表明:腐蚀孔径随着电源频率的升高而变小,腐蚀电压随着频率升高而降低;频率25Hz为最佳工艺条件,所得腐蚀样品耐压值为83.2V,比容达16.07×10-6F/cm2。

    2011年07期 v.30;No.233 39-41+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 2117K]
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  • 三维螺旋极板电容传感器的静态分析与设计

    彭继慎;高爽;孟祥海;

    针对电容传感器检测场较为复杂的特点,借助ANSYS软件对其进行三维静态模拟,分析了传感器结构参数对三维检测场的均匀性与灵敏度等指标的影响。通过有限元计算和优化设计,得到了最优的传感器结构参数,如屏蔽罩半径R3=27.37mm,极板长度L=207.39mm,极板旋转角度θp=270°,极板张角θ=135°等。优化后的传感器检测场均匀性误差SVP=2.794%。在试验室条件下对传感器进行试验。结果表明,经过优化设计的传感器其性能指标均优于未优化设计的传感器。

    2011年07期 v.30;No.233 42-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 895K]
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  • 用第三代电流传送器设计n阶有源滤波器

    吴先明;何怡刚;方葛丰;

    提出了一种基于第三代电流传送器(CCIII)的电流模式n阶通用滤波器的设计方法,导出了设计公式,利用该方法可生成n阶高通、低通、带通滤波器,所产生的n阶滤波电路由n个CCIII+、2n个无源元件构成。以二阶滤波器为例分析了高通、低通、带通滤波电路,结果显示各滤波电路的无源灵敏度和有源灵敏度都很低,以极点角频率106rad/s为例,用PSPICE软件对电路进行了仿真。结果表明,高通滤波器的截止频率为790kHz,低通滤波器的截止频率为149kHz,带通滤波器的中心频率为139kHz。数据表明该设计方法可行。

    2011年07期 v.30;No.233 47-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 768K]
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  • 基于复合左右手传输线相移器的串馈相控阵天线

    曹卫平;温金芳;李思敏;

    基于电调复合左右手传输线相移器,提出了一种新型相控阵天线波束控制方式:通过电压控制相移器的相移,从而使相控阵天线中心频率工作在边射方向,并允许向边射外的两个方向进行扫描。作为实例,设计制造了一个应用在ISM波段的平面串联馈电贴片相控阵天线,并对其进行了测试。结果表明:该相控阵天线可实现连续扫描,边射方向波束倾斜小(2°/100MHz),并具有体积小(236.0mm×65.8mm)、制作简单、易于集成等优点。

    2011年07期 v.30;No.233 52-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 1097K]
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  • 宽频太赫兹异向介质吸收器研究

    陈康;文岐业;张怀武;

    利用异向介质吸收器的传输线模型及CST仿真软件对其太赫兹波段的宽频吸收特性进行了研究。结果表明:异向介质吸收器对太赫兹电磁波的吸收主要来源于开口环共振单元(SRR)的LC共振。提出了两种使异向介质吸收器获得宽频太赫兹吸收的方法:一是增加LC共振中的等效电阻R,能有效扩展吸收带宽到100GHz以上;二是通过优化具有双吸收峰的吸收器的结构,使吸收峰相互靠拢并叠加,使吸收率在99%以上的带宽达243GHz。

    2011年07期 v.30;No.233 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 831K]
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  • 非同轴微波器件测试夹具的设计与应用

    雷静;

    由于非同轴微波器件接口的特殊性,无法直接与同轴接口的矢量网络分析仪相连进行测试,非同轴器件的微波性能测试面临较大的困难,目前,国内非同轴器件的测试技术已严重滞后其设计开发工作。对非同轴微波器件接口进行了深入研究,设计了针对非同轴微波器件测试的分体式夹具,解决了去嵌入技术问题,并以实例验证了该测试装置的正确性。大量测试表明,该夹具测试传输准确度优于0.2dB。

    2011年07期 v.30;No.233 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 832K]
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  • 焊锡膏黏度的影响因素研究

    秦俊虎;刘宝权;古列东;吕金梅;

    黏度是焊锡膏的主要性能指标之一。研究了助焊剂含量、焊锡粉种类、焊锡粉粒度、温度等对其黏度的影响。结果表明:助焊剂的质量分数在9%~12%时,焊膏使用效果较好;温度对黏度的影响很大,每升高1℃,黏度降低约10Pa·s,其他因素也不同程度影响着焊锡膏的黏度。

    2011年07期 v.30;No.233 64-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 681K]
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综合信息

可靠性

  • 粘结材料对CTBGA封装组件热循环可靠性的影响

    史洪宾;蔡琳;吴金昌;

    对使用了8种粘结材料的12mmSAC305薄型球形栅格阵列(CTBGA)封装组件进行了热循环测试。结果显示,所有的粘结材料都降低了组件的热循环可靠性。具有较低线(热)膨胀系数,较高玻璃转化温度和储能模量的粘结材料可使组件热疲劳寿命相对更长,如使用了材料E(αll=48×10-6/℃;αl2=184×10-6/℃;θg=138℃;Es=3.660GPa)的组件比使用了同为边沿绑定材料D(αll=157×10-6/℃;αl2=198×10-6/℃;θg=78℃;Es=0.674GPa)的组件特征寿命增长了25.88%,首次失效时间延迟了57.71%。

    2011年07期 v.30;No.233 67-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 1778K]
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综述

  • 多层瓷介电容器失效模式和机理

    刘欣;李萍;蔡伟;

    系统介绍了开路、短路和电参数漂移这三种主要的MLCC失效模式,以及介质层内空洞和电极结瘤、介质层分层、热应力和机械应力引起介质层裂纹、其他微观机理等五种主要的失效机理。针对MLCC的失效分析技术,从生产工艺和使用设计上提出了预防MLCC失效的措施。

    2011年07期 v.30;No.233 72-75+80页 [查看摘要][在线阅读][下载 1596K]
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  • 多铁性材料BiFeO_3的掺杂改性研究进展

    卢岩;解振海;何剑;李建康;

    同时具有铁电、铁磁、铁弹特性的多铁性材料在功能器件中具有潜在的应用前景。BiFeO3是唯一居里温度和尼尔温度均在室温以上的多铁性材料。综述了多铁性材料BiFeO3的结构、制备、掺杂改性研究进展,指出了BiFeO3材料存在的问题,提出了BiFeO3材料今后可能的研究方向。

    2011年07期 v.30;No.233 76-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 895K]
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  • Zintl结构化学在热电材料研究中的应用

    操齐高;马光;郑晶;贾志华;姜婷;

    Zintl相化合物满足"电子晶体-声子玻璃"特征,能够通过化学掺杂和结构修饰来提高其热电性能,是理想的热电材料研究对象。阐明了热电材料性能优化的Zintl结构化学原理,介绍了Zintl结构化学在高性能热电材料研究中的应用,指出利用Zintl结构化学原理寻找高性能热电材料是今后热电材料研究的重要方向。

    2011年07期 v.30;No.233 81-84页 [查看摘要][在线阅读][下载 934K]
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