- 戴中华;杜楠;
采用固相烧结法制得了不同粒径的铁酸铋(BiFeO3)粉末,随后,采用混杂工艺与放电等离子烧结技术(SPS)结合的方法对BiFeO3单相粉末进行二次烧结,制得了BiFeO3陶瓷。研究了所制陶瓷的介电性能。结果表明,所制BiFeO3陶瓷具有很好的相组织及致密的结构,其相对密度达到97.3%,压电系数d33为13.6 pC/N.经氧气退火处理后,BiFeO3陶瓷具有明显的介电频率弥散及高温与低温两个阶段的介电弛豫行为;但经真空退火处理后,陶瓷的低温介电弛豫现象消失。
2011年06期 v.30;No.232 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1113K] [下载次数：306 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：120 ] - 王杰;周洪庆;韦鹏飞;张一源;曾凤;
采用经过不同球磨时间制备的硼硅玻璃与氧化铝复合,低温烧结制备了硼硅玻璃/氧化铝系复相陶瓷。利用XRD和SEM,研究了硼硅玻璃粉料球磨时间对流延成型及所制复相陶瓷的烧结性能、介电性能(10 MHz)的影响。结果表明:随着球磨时间增加,粉料粒径减小,硼硅玻璃复相陶瓷烧结温度降低,密度增加,介电常数和介质损耗降低。球磨90 min在850℃烧结的试样性能较佳:密度为3.22 g.cm–3,10 MHz下的相对介电常数和介质损耗分别为7.92和1.2×10–4。
2011年06期 v.30;No.232 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 1205K] [下载次数：194 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：128 ] - 王丽娜;陈国华;
采用固相反应法制备了Bi4Ti3O12(BIT)掺杂的BaTiO3-Nb2O5-ZnO(BTNZ)陶瓷,研究了BIT掺杂对所制陶瓷晶体结构、烧结性能及介电性能的影响。结果表明:BIT掺杂改善了BTNZ陶瓷的烧结特性。随着BIT量的增加,四方率c/a增大,电容变化率减小。当质量分数w(BIT)为1.0%,1 230℃烧结的BTNZ陶瓷样品在–55,125,150℃的电容变化率分别为–7.95%,0.11%,–17.97%,完全符合EIA X7R标准,有望用于X8R型多层陶瓷电容器的制备。
2011年06期 v.30;No.232 9-12+15页 [查看摘要][在线阅读][下载 1401K] [下载次数：169 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：101 ] - 杨艳;
采用磁控溅射制备了结构为Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si的PZT铁电电容,并对样品用去离子水处理,通过测试其电滞回线以及漏电流,并结合XPS分析,研究了去离子水对PZT铁电电容的性能影响。结果表明,在去离子水清洗后,由于在PZT表面有吸附,PZT电容电滞回线沿电压轴发生漂移,电子势垒降低,漏电流增大,经过高温热处理后,性能可恢复。
2011年06期 v.30;No.232 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 827K] [下载次数：104 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：81 ] - 赵莉;沈春英;丘泰;
采用固相反应法制备了(1–y)(Mg0.7Zn0.3)1–xCoxTiO3-yCaTiO3(MZCCT)(x=0~0.2,y=0.03~0.09)微波介质陶瓷。研究了Co和Ca掺杂对所制陶瓷的相结构、烧结性能和介电性能的影响。Co掺杂后,MZCCT陶瓷的密度增大,Q.f值从90 000 GHz提高到152 000 GHz;Ca掺杂后,MZCCT陶瓷的介电常数增大,温度系数接近于零。当y=0.05,x=0.075,1 200℃烧结时,MZCCT陶瓷具有较优的微波介电性能:εr≈21.9,Q.f≈62 460 GHz,τf≈–1×10–6/℃。
2011年06期 v.30;No.232 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 1035K] [下载次数：180 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：98 ] - 李远亮;段文创;曲远方;张庆军;王冉然;
以碳酸钡、二氧化锡和二氧化钛等为原料,制备了掺杂Sm2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3(BTS)陶瓷,研究了所制陶瓷的介电性能。结果表明:当摩尔分数x(Sm2O3)<0.60%时,Sm3+主要进入BTS陶瓷晶格A位,随着x(Sm2O3)的增加,Sm3+倾向于进入晶格B位。Sm2O3的掺杂量对BTS陶瓷的相对介电常数和介质损耗影响显著,x(Sm2O3)=0.60%时,BTS陶瓷的相对介电常数达到最大值5 560;当x(Sm2O3)=0.10%时,BTS陶瓷的综合性能最佳:介质损耗降至最低值0.005 0。
2011年06期 v.30;No.232 20-22+25页 [查看摘要][在线阅读][下载 1978K] [下载次数：130 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：90 ] - 王晓平;
采用微波烧结,在常压、纯氧气氛条件下制备了ITO陶瓷。通过XRD、SEM和金相分析等方法研究了烧结温度和保温时间对ITO陶瓷相对密度的影响。结果表明,微波烧结具有升温速度快、保温时间短的优点,大幅缩短了ITO陶瓷的烧结周期。1 550℃微波烧结并保温20 min的ITO陶瓷相对密度达到了99.5%,晶粒大小均匀,结构紧密,没有单相析出,晶粒尺寸为3~8μm。
2011年06期 v.30;No.232 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 849K] [下载次数：193 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：87 ] - 庞驰;叶萃;费自豪;张雷;
为了研究ZnO压敏防雷芯片的工频过电压耐受特性和8/20μs通流能力的相关性,在生产线上抽取同批次产品进行工频过电压耐受试验和8/20μs通流能力试验。研究结果表明:工频过电压老化后会使压敏电阻的通流能力下降,但经过8/20μs雷电流峰值20 kA冲击后,压敏电阻的工频过电压耐受能力会增强,在冲击15次左右时达到最大值,随着冲击次数的增多,工频过电压耐受能力会降低。
2011年06期 v.30;No.232 26-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1183K] [下载次数：183 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：70 ] - 张希涛;陈朝阳;范艳伟;丛秀云;
采用开管涂源法,对ρ25为7?.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明:扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000 K左右,ρ25恒定在(2~3)×103?.cm。
2011年06期 v.30;No.232 29-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 806K] [下载次数：169 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：108 ] - 许伟;刘南柳;
探讨了发光层厚度以及复合阴极材料对聚合物电致发光器件稳定性的影响,并通过对同一器件在不同初始亮度下的寿命进行测试比较,得到了该器件寿命的加速老化因子。然后,通过计算得知,结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Ba/Al的聚合物电致发光器件在初始亮度为100 cd/m2情况下的寿命高达10 124 h,基本上达到了实用化要求。
2011年06期 v.30;No.232 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 719K] [下载次数：101 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：72 ] - 李贺;顾德恩;王涛;吴志明;蒋亚东;
利用反应溅射法,在Si(100)衬底上沉积了掺N氧化钒薄膜。借用SE850椭偏仪对薄膜进行了近红外波段(1 300~2 300 nm)的光谱测量,运用Tauc-Lorentz模型对薄膜的椭偏光谱数据进行了拟合,并计算了薄膜的光学参数(n,k)和厚度。结果表明:随着掺N量的增加,氧化钒薄膜的光学参数(n,k)随之增加,而其沉积速率则随之降低。这可能源于掺N增加了薄膜的致密度,同时减小了氧化钒的光学带隙。
2011年06期 v.30;No.232 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 863K] [下载次数：168 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：90 ] - 富笑男;程莉娜;罗艳伟;刘琨;王信春;
采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同。通过测试分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲线,研究了沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响。结果表明:在沉积时间小于30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而减小;而当沉积时间超过30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而增大。这种电学特性变化主要是由Au/Si-NPA的表面形貌及成分出现变化引起的。
2011年06期 v.30;No.232 40-42+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1169K] [下载次数：59 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：139 ] - 曹卫平;林光华;李思敏;刘慧涓;
提出了一种结构简单、损耗小、阻带宽的新型异向介质单元。在对该异向介质单元进行等效电路分析的基础上,研究了其结构参数对电磁波传输的影响,并利用S-参数提取法对其等效磁导率和介电常数进行了提取,揭示了该异向介质单元的带阻工作原理并进一步验证了其等效电路和分析的合理性。采用该异向介质单元设计出的截止频率为9.6 GHz的波导高通滤波器具有非常紧凑的尺寸(20.00 mm×22.86 mm×10.16 mm)、小于0.17 dB的通带损耗和陡峭的阻带过渡曲线,这是常规介质滤波器所无法比拟的。
2011年06期 v.30;No.232 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 861K] [下载次数：163 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：138 ] - 姜斌;宋国华;缪建文;袁莉;纪宪明;
根据大功率LED板上封装(COB)技术的结构特点,提出三种COB方法。第一种方法是把芯片直接键合在铝制散热器上(COB—III型),另外两种方法是分别把芯片键合在铝基板上和铝基板的印刷线路板上(COB—II和COB—I型),并对三种COB的热特性进行有限元模拟、实验测量和对照分析。结果表明:在环境温度为30℃时,采用第一种封装方法的芯片结温比第二、三种方法分别下降21.5,42.7℃,热阻也分别下降25.7,58.8 K/W;采用第一种封装方法的芯片光衰小于第二、三种封装方法。
2011年06期 v.30;No.232 48-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 897K] [下载次数：630 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：30 ] |[阅读次数：120 ] - 刘平;顾小龙;姚琲;赵新兵;刘晓刚;
研究了复合无铅焊料Sn3.8Ag0.7Cu-xNi(x=0.5,1.0,2.0)与Au/Ni/Cu焊盘在不同回流次数下形成的焊点的性能。结果表明,Ni颗粒增强的复合焊料具有良好的润湿性能,熔点小于222℃;x为0.5的焊料界面IMC由针状(CuNi)6Sn5演化为双层IMC,即多面体状化合物(CuNi)6Sn5和回飞棒状(NiCu)3Sn4。当x超过1时,焊点界面只有单层回飞棒状(NiCu)3Sn4生成。并且,复合焊料焊点的剪切强度高于非复合焊料。
2011年06期 v.30;No.232 53-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 3837K] [下载次数：142 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：89 ] - 樊应县;高永毅;许杨生;丁晓鸿;杨邦朝;
叠层片式大电流磁珠是为了适应电子设备尤其是电源部分电磁兼容的需要而提出研制的。它具有:尺寸小、质量轻、耐电流高、磁路闭合、抗电磁干扰能力强;独石结构、便于元件的高密度表面贴装生产等优点。主要介绍了一种叠层片式大电流磁珠的材料和结构设计的研究工作。并研制出了一种耐电流9 A的4532型叠层片式大电流磁珠。
2011年06期 v.30;No.232 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 2639K] [下载次数：132 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：94 ] - 李传玲;康雪雅;吐尔迪;李程峰;华宁;
以LiOH.H2O为锂源,草酸(H2C2O4.2H2O)为还原剂,采用液相还原法制得LiFePO4的前驱体,再结合短时间高温烧结,制备了锂离子电池正极材料LiFePO4/C。研究了不同碳源、FePO4.xH2O(x=0,2,4)以及不同烧结时间对所制备LiFePO4/C正极材料电化学性能的影响。结果表明,最佳制备条件是以蔗糖为碳源,FePO4.2H2O为铁源和磷源,烧结2 h(700℃,N2气氛),所得样品在0.1 C和10.0 C充放电循环时,首次放电比容量分别为169 mAh.g–1和90 mAh.g–1,循环性能良好。
2011年06期 v.30;No.232 62-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 1331K] [下载次数：158 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：128 ]
- 张煜;
<正>2011年5月17日,第一届中国国际新材料产业博览会新闻发布会在北京举行。工业和信息化部党组成员、总工程师朱宏任出席发布会并致辞。据悉,本届博览会布局按照国际展区、行业展区、企业(院校)展区和综合展区等4个分区设置。博览会
2011年06期 v.30;No.232 8页 [查看摘要][在线阅读][下载 499K] [下载次数：46 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：68 ] -
<正>制造业向服务领域延伸,其原因主要有5个方面:过剩经济的发展、高新技术行业特性的要求、世界各国制造业的竞争、企业提升竞争力的要求、差异化战略的实施。这些因素的共同作用,促使企业竞争优势开始变迁,服务能力提升成为企业竞争优势转移的基础。
2011年06期 v.30;No.232 19页 [查看摘要][在线阅读][下载 537K] [下载次数：247 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：54 ] <正>顺络电子日前与贵阳国家高新技术产业开发区管理委员会签署了《投资协议书》,拟由公司或公司全资子公司贵阳顺络迅达电子有限公司在该开发区投资10亿元,建设顺络迅达电子工业园。项目建设用地位于贵阳国家高新区沙文生态科技产业园内,用地面积约200亩。顺络电子计划未来在整
2011年06期 v.30;No.232 28页 [查看摘要][在线阅读][下载 519K] [下载次数：38 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：52 ] -
<正>鉴于日本在地震海啸之后无法满足苹果对产品组件的供应需求,苹果不得不转向台湾兴勤电子(Thinking Electronic)保证元件供应。此前苹果绝大多数的防护元件,诸如热敏电阻之类,都是从日本Murata公司采购的,不过在日本遭受今
2011年06期 v.30;No.232 32页 [查看摘要][在线阅读][下载 555K] [下载次数：27 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：41 ] <正>钒是典型的中国优势资源。从储量来看,中国钒占全球钒矿的比例为35%,居全球第一位,其他钒矿资源丰富的国家是俄罗斯和南非;从产量来看,中国钒产量占到全球产量的48%,其他钒产量较大国家是俄罗
2011年06期 v.30;No.232 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 504K] [下载次数：83 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：62 ] -
<正>电力谐波是现代化工业的主要副产品之一,随着工业现代化程度提高,谐波的问题日益严重。这主要是现代化工业的用电方式发生了巨大的变化。传统工业的主要电力负荷是电动机和电阻加热设备,这些设备是
2011年06期 v.30;No.232 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 502K] [下载次数：48 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：76 ] <正>LED光电产业是一个新兴的朝阳产业,具有节能、环保的特点,非常符合现今世界的主题。LED光电产业符合我国的能源、减碳战略,也将会获得其他产业的支持与市场需求。LED产业链总体分上、中、下游,分别是LED外延芯片、LED封装及LED应用。作为LED产业链中
2011年06期 v.30;No.232 52页 [查看摘要][在线阅读][下载 477K] [下载次数：142 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：73 ] -
<正>在成功推出《铝电解电容器专辑》前六辑之后,电子元件与材料杂志社近期将编辑出版《铝电解电容器专辑(七)》,新专辑除了秉承前六辑的特点,即收录近两年来发表的铝电解电容器工艺技术、原辅材料、应用技术及发展趋势的优秀论文以外,还将提供产业链上的技术与市场信息,诚邀参与欢迎合作。
2011年06期 v.30;No.232 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 523K] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：99 ] <正>"十一五"期间,江苏省集成电路封装技术创新能力显著提高,承担国家科技重大专项"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"(02专项)等重大科技项目60多项,全面掌握了晶圆级芯片尺寸封装技术(WL-CSP)、硅通孔技术(TSV)、系统级封装技术(SiP)等当今世界三大主流封装技术,技术水平与国际主流同步发展。
2011年06期 v.30;No.232 73页 [查看摘要][在线阅读][下载 439K] [下载次数：88 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：79 ] -
<正>记者近日从南昌市高新区管委会获悉,台湾绿扬光电总投资1亿美元的大功率LED封装项目正式落户南昌高新区。目前,项目正在进行前期准备工作,预计今年下半年将试生产。据介绍,台湾绿扬光电大功率LED封装项目将分三年建设,完成投资后将建设11条超高亮度大功率LED
2011年06期 v.30;No.232 83页 [查看摘要][在线阅读][下载 500K] [下载次数：64 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：103 ]