刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • Sm_2O_3掺杂对铌镁酸铅铁电陶瓷介电性能的影响

    李涛;刘敬松;李惠琴;许有超;王友平;

    为了改善铌镁酸铅(PMN)的介电性能及温度稳定性,采用铌铁矿法制备了Sm2O3掺杂的PMN陶瓷(PSMN)。研究了Sm2O3掺杂对PMN铁电陶瓷介电性能的影响。结果表明:随着钐掺杂量x(Sm)的增加,PSMN陶瓷的晶粒尺寸减小、分布均一,材料的相变温度向远离居里点的低温方向移动,相对介电常数峰值εm及室温下的介质损耗减小,介频稳定性增强。相变弥散度则随x(Sm)的增加而增加。x(Sm)=0.01时,PSMN陶瓷的性能最佳:εm=15567,tanδ=0.127×10-2。

    2011年05期 v.30;No.231 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 7662K]
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  • 添加BaCu(B_2O_5)和ZnO的CaO-Li_2O-Sm_2O_3-TiO_2陶瓷低温烧结研究

    赵怀昆;付亚东;李谦;黄金亮;顾永军;

    采用固相反应法制备了添加复合助烧剂BaCu(B2O5)-ZnO的16CaO-9Li2O-12Sm2O3-63TiO2(CLST)陶瓷,研究了所制CLST陶瓷的烧结特性、微观结构及介电性能。结果表明:低熔点的BaCu(B2O5)-ZnO复合助烧剂的加入,使CLST陶瓷的烧结温度由1 300℃降至1 000℃,能和Cu共烧。当掺入质量分数1.00%的ZnO和4%的BaCu(B2O5)时,CLST陶瓷的介电性能较好:εr=69.53,tanδ=0.025 9,τf=8×10–6/℃(1 MHz)。

    2011年05期 v.30;No.231 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 1424K]
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  • Fe_2O_3掺杂量对BaBiO_3基陶瓷电性能的影响

    阚京森;刘心宇;袁昌来;刘思佳;

    为改善BaBiO3基热敏陶瓷的NTC性能,采用固相合成法制备了Fe2O3掺杂的BaBiO3基热敏陶瓷。研究了Fe2O3掺杂量对BaBiO3基陶瓷微结构与电性能的影响。结果表明:随着Fe2O3掺杂量的增加,BaBiO3基陶瓷的B25/85值与室温电阻率均先减小后增大;当Fe2O3摩尔分数为1.5%时获得了较好的电性能,其室温电阻率为305Ω·cm,B25/85值为3466K。

    2011年05期 v.30;No.231 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 2158K]
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  • 原位生长钙长石/莫来石复合材料的制备

    董伟霞;包启富;顾幸勇;胡克艳;江俊;

    采用高岭土、氢氧化铝和碳酸钙等为主要原料,通过原位生长法制备了钙长石/莫来石复合材料。研究了烧结温度以及钙长石/莫来石质量比对复合材料性能的影响。结果表明:当烧结温度为1 400~1 420℃,钙长石/莫来石质量比为30:70时,所制复合材料的抗折强度达到128.9~151.7 MPa。该复合材料与低介玻璃粉末复合制备出了力学强度高和介电性能较优的玻璃/陶瓷复合材料,可望用于低温共烧陶瓷基片材料。

    2011年05期 v.30;No.231 12-14+30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1239K]
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  • 原位制备PZT/ZrO_2纳米复相陶瓷强韧机制研究

    李建华;任永道;

    采用聚合物B位前驱体法制备了锆钛酸铅基(PZT/ZrO2)纳米复相陶瓷,研究了所制陶瓷的力学性能。采用残余应力场模型讨论了纳米ZrO2粒子强韧化PZT基体的机制。结果表明:四方和单斜ZrO2纳米粒子在原位析出,PZT/ZrO2纳米复相陶瓷的断裂韧性和抗弯强度相对于纯PZT分别提高了79%和41%,同时压电性能稍微降低。

    2011年05期 v.30;No.231 15-17+30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1023K]
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  • 铜掺杂氧化锌薄膜的阻变特性

    董清臣;贾彩虹;张伟风;

    采用脉冲激光沉积法在SnO2:F(FTO)衬底上制备了单一c轴取向生长的ZnO和ZnO:Cu薄膜,并对具有Au/ZnO/FTO和Au/ZnO:Cu/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性测试。结果显示:两种器件在室温电场作用下均显示出双极可逆变阻特性;Cu掺杂使ZnO薄膜的开关比大幅增加,电流–电压曲线拟合结果显示这是由Schottky结界面机制产生的高低阻态引起的。

    2011年05期 v.30;No.231 18-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 1051K]
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  • 衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响

    王书昶;张春伟;刘振华;刘拥军;何军辉;

    利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响。研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜。随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶粒尺寸增大。当衬底温度为450℃时,薄膜的最低电阻率为8.5×10–4Ω.cm,在可见光区平均光透过率达到87%以上。

    2011年05期 v.30;No.231 23-25+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 1480K]
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  • Pd掺杂SnO_2气敏薄膜XPS分析及其气敏性能研究

    高兆芬;李辉;徐甲强;曾宇平;

    分别在氧气和氩气气氛下,于纯SnO2气敏薄膜上溅射金属Pd制备了Pd掺杂SnO2气敏薄膜。利用XPS分析了溅射气氛和老化处理对该气敏薄膜表面元素含量变化的影响。结果表明:溅射气氛和老化处理对气敏薄膜的表面吸附氧含量和其他元素的含量均有很大影响,如氩气气氛下制备的Pd/SnO2气敏薄膜在老化前与400℃/2 h老化后的表面吸附氧原子的摩尔比为11.632 9:4.341 6。Pd掺杂SnO2气敏元件的灵敏度比未掺杂的元件灵敏度提高数十倍。最后对气敏元件的敏感机理进行了探讨。

    2011年05期 v.30;No.231 26-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 845K]
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  • 掺锆Co_3O_4的制备及电容性能

    吴道明;陈范才;徐超;王子天;

    采用反相微乳液法制备了掺杂锆的Co3O4电极材料,并对其电容性能进行了研究。结果表明:掺锆Co3O4粉末由具有立方晶型的球形粉体组成;当锆的摩尔分数x为1%~3%时,掺锆能降低Co3O4电极材料的晶粒尺寸;当x为1%~5%时,掺锆能增强电极的可逆性、提高电极的比电容以及延长电极的循环寿命;当x为5%时,Co3O4电极材料的最大比电容达451 F.g–1,比未掺杂时提高了67%,另外,循环800次后,其比电容仅下降了4.21%。

    2011年05期 v.30;No.231 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 1546K]
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  • 热处理对片状Fe-Si-Al磁微粉微波电磁性能的影响

    陈旭明;江建军;别少伟;张传坤;姚剑平;

    以气体雾化Fe-Si-Al(Fe5.5Si9.5Al)合金粉末为原料,采用退火热处理和机械球磨相结合的方法制备出了片状Fe-Si-Al磁微粉,并研究了退火热处理对片状磁微粉微波电磁性能的影响。研究表明:通过对原料进行机械球磨可以获得片状形貌优良、磁性能良好的Fe-Si-Al磁微粉。机械球磨使Fe-Si-Al粉末的磁导率在微波低频段得到大幅度提升,而退火热处理可进一步调节粉末的磁导率;此外,对原料进行预退火热处理,更有利于获得高磁导率的Fe-Si-Al磁微粉。本研究所制磁微粉的磁导率实部μ′最大可达5.09,虚部μ″最大可达3.65。

    2011年05期 v.30;No.231 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1212K]
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  • SiC/Cu-Al复合材料无压浸渍制备工艺的研究

    杜双明;胡丞;王明静;赵维涛;

    利用化学镀法在SiC颗粒表面包覆Cu层制备了SiC/Cu复合粉体,然后将其压制成预制体并在熔融铝液中无压浸渍,制出了SiC/Cu-Al复合材料。研究了浸渍温度和时间对所制SiC/Cu-Al复合材料浸渍效果的影响。结果表明:SiC颗粒表面的Cu包覆层分布均匀;在800℃、保温2 h条件下制备的SiC/Cu-Al复合材料显微组织致密;在700~900℃的浸渍温度范围内,铝的浸渍深度随着浸渍温度的升高先增加后减小;随着浸渍时间的延长,复合材料的显微组织越来越致密;Cu包覆层有效地改善了SiC颗粒与铝熔体间的润湿性,抑制了Al4C3脆性相的生成。

    2011年05期 v.30;No.231 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1589K]
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  • 叠层片式铁氧体电感器银端电极匹配研究

    许杨生;高永毅;王昕;丁晓鸿;杨邦朝;

    通过对比实验,运用扫描电子显微镜分析了银端电极烧银后的显微结构,并用能谱分析仪对三种烧银后的银端电极进行成分分析,找出与自主研发的叠层片式铁氧体电感器用软磁铁氧体粉料相匹配的银端浆。实验结果和工艺验证表明:Ⅲ号ML78银端浆具有直流电阻低(≤0.61Ω)、温升低(≤16.2℃)等特点,完全满足MLCI批量化生产的要求。

    2011年05期 v.30;No.231 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 1304K]
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  • 基于AFSS的吸波性能可调的微波吸收体

    王鹏;江建军;别少伟;吴杨;陈谦;

    从传统的Salisbury屏结构出发,设计了一种由半圆和三角图形组合而成的频率选择表面(FSS)单元,随后将PIN二极管与FSS图形相结合,制得了一种AFSS吸波结构体。利用电抗加载方式对该结构体进行了仿真,并在微波暗室下对实物进行了测试。结果表明:测试结果和仿真结果变化趋势相似。在2~8 GHz内,结构体吸收峰从–4 dB到–16 dB动态可调;而在8~18 GHz内,–8 dB以下的结构体吸波带宽从1 GHz到5 GHz动态可调。

    2011年05期 v.30;No.231 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1173K]
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  • 具有多传输零点的微波陶瓷滤波器设计

    黄文彪;孔超然;陈婉君;

    低温共烧陶瓷(LTCC)滤波器具有体积小、插损小和衰减大的特性,为了抑制其阻带信号,研究并设计了具有带外多个传输零点的多层LTCC带通滤波器,分析了传输零点对滤波器性能的影响。最后利用HFSS仿真软件设计了一个具有三级耦合谐振器、尺寸为2.5 mm×2.0 mm×0.9 mm、中心频率为2.45 GHz的带通滤波器。仿真结果表明,该滤波器带内插损小于2 dB,达到设计要求。

    2011年05期 v.30;No.231 49-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 1445K]
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  • 无铅玻璃粉及硅基银导电浆料的制备

    胡小冬;陈范才;黎展荣;王恒孝;

    为了解无铅玻璃粉中各组分含量对玻璃粉性能的影响,采用正交实验法对各组分含量进行筛选,得到流动性为32.80 mm、转变温度为446℃的性能较好的无铅低熔玻璃粉,其组成为:w(Bi2O3)62.7%、w(B2O3)18.8%、w(ZnO)1.5%、w(碳族氧化物A)6.0%、w(碳族氧化物D)8.0%。以该玻璃粉与银粉和乙基纤维素松油醇溶液配制银导电浆料,在多晶硅片上经720℃烧渗。结果表明,得到的银层表面光洁,厚为(15±3)μm时,方阻为4.2×10–3Ω/mm2,附着力为4 N,能满足硅基电子元器件的使用要求。

    2011年05期 v.30;No.231 53-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 776K]
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  • 添加MnO_2对ZnO-B_2O_3-P_2O_5-R_nO_m玻璃性能的影响

    李胜春;陈培;李耀刚;

    在ZnO-B2O3-P2O5-RnOm(R=Na、Al、Li)系玻璃中掺杂摩尔分数1%~5%的MnO2,分析了MnO2掺杂对玻璃的耐水性和流散性的影响,通过XRD分析了晶相的变化,通过摄像照片观察了玻璃试样受水侵蚀后表面形貌的变化。结果表明:当x(MnO2)=3%时玻璃耐水性能的提高最为显著,溶解质量分数低于0.001 5%,这是由于易溶解的非桥氧P==O键与锰离子链接,生成具有良好耐水性的P—O—Mn键的缘故。

    2011年05期 v.30;No.231 57-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 1035K]
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综合信息

  • 综合信息

    <正>多晶硅副产物高值利用规模化据报道,四川银邦硅业有限责任公司通过艰苦努力,探索出一条规模化、连续化高值利用多晶硅副产物四氯化硅的有效途径,建成了国内第一条连续、封闭、节能、高效的塔式化学法处理四氯化硅中试生产线。这项成果于3月4日通过四川省科技

    2011年05期 v.30;No.231 11+34+45+48+56+60+71+80页 [查看摘要][在线阅读][下载 1358K]
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编读通信_新书信息

  • 《有机介质电容器选集》内容简介

    <正>该选集包含专题论文篇、已获得的专利和未申请的专利资料篇、重要试验篇和"有机介质电容器设计资料"篇等四部分共计专题论文136篇,共523页。其中论文篇包含《聚苯硫醚塑料薄膜及其电容器》、《MKV换流用功率电子电容器》、《聚丙烯及电容器用聚丙烯薄膜》

    2011年05期 v.30;No.231 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 458K]
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编读通信

可靠性

  • 可伐合金的可控氧化对封接质量的影响

    罗大为;沈卓身;

    研究了可伐合金表面氧化膜的类型和厚度对玻璃与可伐合金封接质量的影响。结果表明,氧化膜的类型和厚度直接影响金属与玻璃的封接质量。相对于工厂氧化条件,在可控条件下氧化的可伐合金与玻璃封接后的气密性一致性和可靠性较高。随着氧化膜厚度的增加,玻璃沿引线的爬坡高度逐渐增加,当控制氧化膜厚度不超过1.5μm时,爬坡高度都小于200μm;而结合强度先增加而后逐渐减小,最高结合强度可达到约66 N。当将氧化膜厚度控制在0.5~1.0μm,可以保证产品的封接质量较高。

    2011年05期 v.30;No.231 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 1621K]
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  • 环氧树脂灌封材料的增韧研究

    张凯;范敬辉;马艳;黄琨;

    抗冲击精密电子元器件用灌封材料往往需要具有好的韧性。在综合考虑灌封材料力学性能与灌封工艺性的基础上,采用自制带液晶基团聚酯型环氧树脂对环氧树脂E—51进行了增韧改性研究。结果表明,优化配方的增韧型环氧树脂灌封材料在保持自身较高压缩强度的同时,抗冲击强度提高了4.1倍,且具有良好的灌封工艺性,其在25℃条件下的适用期(凝胶化时间)≥100 min。

    2011年05期 v.30;No.231 65-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 2069K]
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  • La对SnAgCu/Cu及Ni界面金属间化合物的影响

    王佳;王丽凤;刘学;

    利用扫描电镜、能谱分析仪对Sn0.3Ag0.7Cu-xLa/Cu(x=0~0.25)和Ni界面金属间化合物(IMC)形成及长大规律进行了研究。结果表明:微量La的添加使钎焊与时效后焊点/Cu界面生成的Cu6Sn5晶粒明显细化,当x超过0.10时,Cu6Sn5晶粒的上方出现大量的粒状Ag3Sn,晶粒表面粗化并出现孔洞。x为0.07的焊点/Ni的IMC厚度变化在时效过程中比较稳定,且超过300 h时效后,其IMC厚度最小,因此,La的最佳质量分数应为0.07%。

    2011年05期 v.30;No.231 68-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 3712K]
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综述

  • Sn基焊料/Cu界面IMC形成机理的研究进展

    刘雪华;唐电;

    锡基无铅焊料和Cu基材界面间容易形成Cu6Sn5、Cu3Sn及其他金属间化合物(IMC),而IMC将剧烈地影响焊接接头的性能,故对其的研究有助于了解IMC形成的本质,从而控制其形成和长大,以改善接头性能。综述了近期的研究结果,指出Cu6Sn5易形成扇贝状,而Cu3Sn常常为薄层状;其形成过程在固–固界面和固–液(焊料)界面上具有不同特点。热力学分析指出,IMC形成受扩散控制,不同的合金元素可改变IMC的形成驱动力△ G,对其形成和生长有不同的影响。无铅焊料与传统Pb-Sn焊料相比,更易产生IMC,也更易导致接头早期失效。

    2011年05期 v.30;No.231 72-76页 [查看摘要][在线阅读][下载 1317K]
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  • A_5B_4O_(15)型六方钙钛矿微波介质陶瓷的研究进展

    唐志兰;沈春英;丘泰;

    介绍了A5B4O15型六方钙钛矿陶瓷的结构,综述了该体系A位、B位和A、B位复合取代改性,以及添加烧结助剂和湿化学法制备高活性粉体低温烧结等方面的研究进展,基于目前研究中存在的问题,指出A5B4O15新型化合物的开发以及机理方面的研究是今后的主要研究方向。

    2011年05期 v.30;No.231 77-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 784K]
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编读通信_理事快讯

  • 第二届理事会成员确认及增补工作正在进行中

    <正>应理事会成员及其相关行业人士的要求,第二届理事会成员确认及增补工作已着手进行,理事会秘书处正在整理会员资料及新申请会员的入会登记工作。《电子元件与材料》是中国工业和信息化部主管的国家级科技期刊,由中国电子学会、中国电子元件行业协会、成都宏明电子股份有限公司共同主办,于1982年创刊,月刊,国内外公开发行。本刊以技术创新和实用为

    2011年05期 v.30;No.231 83页 [查看摘要][在线阅读][下载 406K]
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  • 电子学会吴基传:我国电子信息产业大而不强

    <正>近日,就我国电子信息产业大而不强的现状,中国电子学会理事长吴基传在演讲中指出:一要以更加理性的心态对待电子信息产业的现状和未来。既不能因为有成绩而沾沾自喜,对未来盲目乐观;更不要因为与发达国家的差距而却步停滞不前,要用科学的精神客观分析我国电子信息产业大而不强的现状,从核心技术的创新、企业的竞争

    2011年05期 v.30;No.231 84页 [查看摘要][在线阅读][下载 644K]
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  • 电子科技大学微电子与固体电子学院

    <正>微电子与固体电子学院的前身是电子科技大学建校初期的无线电零件系后更名为无线电材料与器件系。1989年2月,原无线电材料与器件系划分为两个单位:半导体材料与器件专业建成微电子科学与工程系;电子材料元器件、磁性物理与器件、应用化学3个专业建成材料科学与工程系。1992年7月在原电子材料工程系基础上成立信息

    2011年05期 v.30;No.231 84页 [查看摘要][在线阅读][下载 644K]
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