- 周东祥;孙荣光;胡云香;
采用3ZnO-2B2O3玻璃与Al2O3和TiO2复合烧结制备了锌硼玻璃基低温共烧陶瓷复合材料,研究了TiO2/Al2O3质量比对所制复合材料相组成和微波介电性能的影响。结果表明:随着TiO2/Al2O3质量比减少,复合材料中ZnAl2O4相含量增多,TiO2相含量减少,4ZnO·3B2O3相的含量基本不变。随着TiO2/Al2O3质量比增大,复合材料的介电常数和介质损耗增大。当TiO2的质量分数为8%时,复合材料的谐振频率温度系数接近于零。
2011年04期 v.30;No.230 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 1563K] [下载次数：185 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：119 ] - 王应;黄金亮;杨留栓;顾永军;李谦;
采用传统的固相反应法制备了0.4CaTiO3-0.6(Li1/2Nd1/2)TiO3(CLNT)微波介质陶瓷,研究了复合添加BaCu(B2O5)(BCB)和2ZnO-B2O3(ZB)玻璃对CLNT陶瓷的烧结特性、相组成、微观形貌及介电性能的影响。结果表明:复合添加质量分数3%的ZB玻璃和5%的BCB能使CLNT陶瓷的烧结温度从1 300℃降至925℃。随着BCB添加量的增加,介电常数先增大后减小,介质损耗先下降后趋于稳定,频率温度系数减小。添加3%的ZB和5%的BCB的CLNT陶瓷在925℃烧结2 h,获得了最佳综合介电性能:εr=83.2,tanδ=0.013,τf=35.7×10–6/℃,满足高介多层片式微波元器件的设计要求。
2011年04期 v.30;No.230 6-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 1986K] [下载次数：122 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：81 ] - 喻佑华;李海南;夏萌;
以分析纯ZnO和TiO2为原料,NaCl-KCl为熔盐,采用熔盐法合成了纯相ZnTiO3粉体。研究了煅烧温度、保温时间以及盐与原料的质量比等因素对所制粉体的微观结构的影响。结果表明:当盐与原料质量比为1∶1,800℃煅烧1 h后所得粉体显微形貌较好,晶粒生长充分,呈片状,无明显团聚,尺寸分布均匀。
2011年04期 v.30;No.230 10-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 1439K] [下载次数：241 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：87 ] - 汪小红;史霄;何建平;吕文中;
采用普通陶瓷工艺制备了0.4Ba0.6Sr0.4TiO3-0.6MgO-xSiO2(0≤x≤5.0%)陶瓷,研究了SiO2含量对所制BST-MgO(BSTM)陶瓷微观结构以及低频、微波介电性能的影响。XRD分析表明,随着掺杂量的增加,SiO2在BSTM陶瓷中首先以SiO2的形式存在,然后与MgO反应生成Mg2SiO4。质量分数x为0.5%的SiO2掺杂提高了BSTM陶瓷的致密度及可调率,并降低了其微波损耗,此时,陶瓷样品的可调率为16.21%,Q.f=109.5 GHz。随着SiO2掺杂量的进一步增加,BSTM陶瓷的可调率有所提高,介电常数逐渐降低,微波品质因数先降后升。在x=3.0%时,BSTM陶瓷的可调率达17.6%,Q.f=89 GHz。
2011年04期 v.30;No.230 13-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 2533K] [下载次数：213 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：127 ] - 游桥明;杜峰涛;牛瑞媛;畅柱国;崔斌;
为了提高BaTiO3陶瓷的介电性能并降低烧结温度,采用溶胶–凝胶法合成的Zn-B-Si-O(ZBSO)纳米复合物和BaTiO3粉体为原料制备了BaTiO3陶瓷。通过XRD、SEM、EDXA和介电性能测试系统研究了ZBSO的煅烧温度、掺杂量和烧结温度对BaTiO3陶瓷的组成、结构和性能的影响。结果表明:ZBSO掺杂量为质量分数0.40%的BaTiO3陶瓷,室温相对介电常数约为3 700,居里峰相对介电常数达9 000以上,介质损耗为0.17×10–2,烧结温度降低至1 200℃。
2011年04期 v.30;No.230 17-20+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1446K] [下载次数：140 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：104 ] - 阎鑫;任巍;
采用溶胶–凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸锶钡/铋锌铌多层复合薄膜样品。研究了不同退火温度下多层复合薄膜的结构、微观形貌及介电性能。结果表明:在退火温度高于700℃时,所得复合薄膜中会出现立方焦绿石结构的铋锌铌和钙钛矿结构的钛酸锶钡。750℃退火处理得到的多层复合薄膜,表面致密、无裂纹,其相对介电常数为146,介电损耗为0.004;在频率为10 kHz,电场强度为6×105 V/cm时,其介电可调率达到13%,品质因子(FOM)达到32.5。
2011年04期 v.30;No.230 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 983K] [下载次数：219 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：83 ] - 廖海玮;郝永德;宋胜胜;高峰;
利用水热法制备了纳米TiO2粉体,分别利用该粉体和经过氢氧化钠溶液水热处理后的粉体涂覆在导电玻璃上制备成薄膜,然后组装为染料敏化太阳能电池。利用XRD和SEM对该薄膜进行表征,并用I-V测试仪对电池的光电性能进行研究。结果表明:未经处理的粉体制备的薄膜粒径小,分布均匀,为纯锐钛矿晶型,组装的电池光电转化效率为4.09%;经过处理后的粉体制备的薄膜粒径分布展宽,分布不均匀,为锐钛矿和金红石相共存,组装的电池光电转化效率为4.16%。处理后的粉体晶体取向的杂化和粒径分布的展宽是光电转化效率提高的主要原因。
2011年04期 v.30;No.230 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1525K] [下载次数：424 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：82 ] - 周东祥;郑亚楠;简刚;龚树萍;
利用电泳沉积法在Pt/Al2O3衬底上成功制备了纳米CoFe2O4厚膜,分析了电泳沉积纳米CoFe2O4厚膜的影响因素。利用Zeta电势测试仪测试了悬浮液的Zeta电势和电导率,利用X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜分析了厚膜的组分和微观形貌,利用振动样品磁强计和漏电流测试仪测试了厚膜的性能。结果表明,电泳沉积法制备CoFe2O4厚膜是可行的,且沉积条件的选择对形成良好CoFe2O4厚膜有重要影响。CoFe2O4厚膜的矫顽力和比饱和磁矩分别为225.1 kA/m和31.17 A·m2/kg,漏电流密度为3.0×10–6 A/cm2。
2011年04期 v.30;No.230 29-32+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1572K] [下载次数：280 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：78 ] - 王加仟;杨建;金宇龙;丘泰;
采用传统氧化物法制备了Y2.7Ca0.3Zr0.3Fe4.70-δO12(0≤δ≤0.15,YCaZrIG)石榴石型铁氧体,研究了烧结温度及缺铁量对铁氧体相组成、烧结性能、显微结构及电磁性能的影响。结果表明,制得的YCaZrIG铁氧体均为单相石榴石结构。缺铁越多,越难烧结。缺铁对介电常数影响不大,但可显著降低介电损耗。适量缺铁和提高烧结温度可促进铁氧体中晶粒生长。于1 475℃烧结的缺铁量δ=0.15的样品,结构致密,晶粒尺寸最大(15~20μm),综合性能最佳:介电常数εr=14.6,介电损耗tanδe=2.4×10–4,饱和磁化强度4πMs=187.9 mT,矫顽力Hc=37 A/m,剩磁Br=85.8 mT,共振线宽?H=5.09 kA/m。
2011年04期 v.30;No.230 33-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1837K] [下载次数：84 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：101 ] - 张家文;于欣伟;陈姚;郑文芝;赵国鹏;
实验合成了支链多碳二元羧酸(SCPDA),并研究了其性能。结果表明:SCPDA的分解温度超过200℃,耐热稳定性比癸二酸好。相同条件下,支链多碳二元羧酸铵(SCPDAA)电解液的性能(σ30℃≈1.9×10–3 S/cm,Us=483 V,pH=6.0)比癸二酸铵电解液(σ30℃≈1.7×10–3 S/cm,Us=469 V,pH=5.9)的性能优良。经过1 500 h的纹波试验(135℃下进行)后,以SCPDAA做成的电容器(?C.C–1=–4.61%t,anδ=8.31%)具有比以癸二酸铵做成的电容器(?C.C–1=–7.71%,tanδ=16.04%)更加优越的电气性能;另外,前者可通过135℃、1 500 h的整灯高温负荷实验。
2011年04期 v.30;No.230 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 785K] [下载次数：284 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：92 ] - 李琛;张莉;王凯;苏二勇;
为了精确表征双电层超级电容器在静态储能过程中的电荷分布情况及其时间常数,根据电磁场理论建立了一种矩阵式系数的数学模型。所建立的模型以四阶矩阵中的元素来描述双电层电容量与其上电压、电荷的关系,并且各元素值只与电极材料有关。该建模方法所需参数少,同时从原理上揭示了双电层超级电容器独特的储电机理和自放电特性,从根本上解释了在相同参数条件下,双电层电容器较常规平板电容器自放电速率较高的原因。
2011年04期 v.30;No.230 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 824K] [下载次数：424 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：14 ] |[阅读次数：102 ] - 史洪宾;吴金昌;钱原贵;
采用印制电路板级集成电路进行剪切试验,对比了十组使用不同粘结材料及不同点胶方式的薄型球栅阵列封装(TCBGA)组件和一组未使用粘结材料的组件的剪切特性。结果表明,这些粘结材料均不同程度地提高了组件的剪切强度,其中底部部分和完全填充点胶方式效果较佳,相对于无粘结材料,组件所能承受的最大剪切力分别提升了87.51%和53.41%。且随着粘结材料使用量的增加,失效位置呈现从强度较弱的PCB焊盘-基板界面向较强的元件焊盘-焊球界面转移的趋势。
2011年04期 v.30;No.230 45-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 949K] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：107 ] - 常红;李明雨;
为了研究电迁移过程中焊点与焊盘界面金属间化合物(IMC)的变化,在28℃下,对无铅Sn3.0Ag0.5Cu焊点进行了6.5 A直流电下的电迁移实验。结果发现,通电144 h后,阳极侧IMC层变厚,平均达到10.12μm;阴极侧IMC层大部分区域变薄至0.86μm,局部出现Cu焊盘的溶解消失,但在界面边缘处出现Cu6Sn5 IMC异常堆积现象。焊点温度分布的有限元模拟分析表明,阴极界面IMC的异常堆积是温度梯度引起的热迁移控制了阴极区局部迁移过程的结果。
2011年04期 v.30;No.230 50-52+58页 [查看摘要][在线阅读][下载 900K] [下载次数：242 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：105 ] - 田君;李东南;李巍;郝虎;
于Sn3.8Ag0.7Cu钎料中添加过量的稀土Ce会在其内部形成大尺寸的稀土相CeSn3,将稀土相CeSn3暴露于空气中,研究在时效处理过程中时效温度对其表面Sn晶须生长的影响规律。结果表明:时效温度对稀土相CeSn3表面Sn晶须的生长产生显著影响。室温时效20 min后,其表面会形成少量的白色Sn颗粒;75℃时效20 min后在其表面会出现一些杆状及扭结状的Sn晶须;然而,当高于100℃时,时效20 min后在其表面不会出现Sn晶须,周围的钎料基体发生了明显的隆起现象。
2011年04期 v.30;No.230 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 1339K] [下载次数：81 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：82 ] - 王亚盛;
不同BGA封装结构的元器件在回流焊过程中,由于其焊球的受热路径和热阻不同,导致焊球受热不均匀、PCB变形甚至引起IC芯片的"虚接触",严重影响BGA元器件的焊接质量。通过对BGA封装元器件受热模型、热阻的分析,提出了不同BGA封装结构的元器件回流焊温度设置和控制要点:PBGA元器件峰值温度在235~245℃时焊接时间10~15 s最佳,CBGA元器件在峰值温度在235~245℃时焊接时间15~20 s最佳。
2011年04期 v.30;No.230 56-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 744K] [下载次数：275 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：82 ] - 邓腾彬;吴君;
通过奇偶模分析方法,得到了可变阻抗任意分贝二分支集总元件定向耦合器的设计公式,并给出了8种拓扑结构,然后通过级联得到了三分支可变阻抗任意分贝集总元件定向耦合器的设计公式及拓扑结构。经ADS仿真验证,设计所得结果与仿真结果完全一致,隔离度和反射都在20 dB以上,(3±0.5)dB带宽达到了20 MHz。
2011年04期 v.30;No.230 59-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 2100K] [下载次数：226 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：71 ]