- 尹娜;王春明;王矜奉;
采用普通陶瓷工艺制备了由稀土元素Pr替位改性的高温Ca1-xPrxBi2Nb2O9(x=0～0.100)无铅压电陶瓷,研究了Pr含量对CaBi2Nb2O9(CBNO)压电陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:Pr对Ca的替换明显提高了CBNO压电陶瓷的压电性能。其中,Pr含量x为0.050的Ca0.95Pr0.05Bi2Nb2O9压电陶瓷表现出最好的压电性能,其压电常数d33高达14pC/N,且在800℃以下表现出良好的温度稳定性。
2011年02期 v.30;No.228 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 806K] [下载次数：366 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：16 ] |[阅读次数：122 ] - 刘立峰;何航;陈林;陈情泽;李珍;
采用液相包覆法制备了(1-x)(0.5NaNbO3-0.5KNbO3)-x(0.8Na0.5Bi0.5TiO3-0.2K0.5Bi0.5TiO3)(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)(KNN-BNKT)无铅压电陶瓷。研究了BNKT掺杂量x对KNN陶瓷的结构、介电、压电性能的影响。结果表明,制备的KNN陶瓷均为单一的钙钛矿结构,其介电、压电性能受BNKT掺杂量的影响显著,热稳定性良好。x=0.03时,室温εr达到最大值991,且tanδ较小,为0.033;此时,d33和kp达到最大,分别为205pC/N和41.2%。
2011年02期 v.30;No.228 4-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 993K] [下载次数：241 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：116 ] - 杜磊;李晓云;丘泰;陆鑫翔;
在1500～1600℃氢气气氛下常压保温1h制备了Mg2SiO4-SiC复相材料,研究了烧结助剂[Al2O3+Y2O3](r(Al2O3:Y2O3)=5:3)添加量对该复相材料烧结性能的影响。结果表明:Mg2SiO4-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4、6H-SiC、Y3Al5O12,最佳烧结温度为1550℃,当[Al2O3+Y2O3]质量分数从0到7%逐渐增加时,该复相材料的显气孔率明显减小并趋于平稳;w(Al2O3+Y2O3)=5%时显气孔率最低达到0.36%。
2011年02期 v.30;No.228 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 1337K] [下载次数：104 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：115 ] - 贾素兰;陈朝阳;范艳伟;从秀云;
以Mn3O4和Co3O4为原料,ZnO和CuO为掺杂剂,采用固相反应法制备了Mn2.3Co3.7-x-yZnxCuyO(4x=0,0.03和0.06;y=0,0.05,0.08,0.10和0.20)单层片式NTC热敏电阻材料。研究了该材料的微观结构和电性能。结果表明:通过掺杂ZnO和CuO,可以制备低阻高B型Mn-Co-O系NTC热敏电阻材料。随着ZnO掺杂量的增加,其电阻率先减小后增大,B25/50值一直增大;而随着CuO掺杂量的增加,电阻率和B25/50值都迅速减小,同时部分Cu2O在晶界发生偏析。当x=0.03,y=0.05时,该材料具有较好的NTC特性:其ρ25为719.34Ω·cm,B25/50值为3954.9K。
2011年02期 v.30;No.228 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1172K] [下载次数：418 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：118 ] - 李刚;王茂华;吴斌;
以Zn(NO3)2和NaOH为原料,采用sol-gel法制备了Pr系ZnO压敏陶瓷。研究了所制压敏粉体和压敏陶瓷的性能。结果表明:干凝胶在700℃下煅烧2h,得到球状Pr系ZnO粉体颗粒,平均粒径为200nm。1220℃烧结制备的Pr系ZnO压敏陶瓷性能优异:晶粒大小约为3.2μm,压敏电压为910V/mm,非线性系数为40.2,漏电流为0.3μA,比传统固相合成工艺的烧结温度降低了约80℃。
2011年02期 v.30;No.228 15-17+28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1316K] [下载次数：166 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：94 ] - 周洪庆;戴斌;韦鹏飞;邵辉;朱海奎;
研究了组分变化对CaO-B2O3-SiO2(CBS)系多元微晶玻璃微观结构、介电性能及相组成的影响。以CBS系微晶玻璃为基础配制生料带,并借助LTCC技术制备了多层微电路基片。探讨了影响LTCC多层微电路低温共烧金属化匹配的相关因素。结果表明:添加不同形态的SiO2均可有效降低微晶玻璃的相对介电常数εr,添加高硅氧玻璃则可增加微晶玻璃的介质损耗。经850℃烧结获得的w(SiO2)为15%的微晶玻璃的εr为6.0且在1～10MHz范围内随频率变化不大,介质损耗为1.2×10-3。CBS系微晶玻璃与金、银浆料能形成匹配良好的LTCC多层微电路。
2011年02期 v.30;No.228 18-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 1599K] [下载次数：382 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：92 ] - 吴路燕;周洪庆;朱海奎;韦鹏飞;钱俊岑;
在CaO-B2O3-SiO2(CBS)系微晶玻璃中,添加P2O5和ZnO两种晶核剂制成试样,采用XRD和SEM分析了试样相组成和微观形貌。研究了热处理工艺对试样烧成性能、力学性能和电学性能的影响。结果表明:试样主晶相为CaSiO3和CaB2O4,随着晶化时间的延长,介稳态的Ca2SiO4相逐渐减少,主晶相增加,核化温度升高,试样的抗弯强度增加。核化温度高于700℃,晶化时间超过2h,试样的析晶能力降低,密度降低。690℃核化1h,875℃晶化15min所得试样的性能较佳:密度为2.43g/cm3,εr为6.24,tanδ为1.2×10-3(10kHz)。
2011年02期 v.30;No.228 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1074K] [下载次数：320 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：90 ] - 易江龙;张宇鹏;许磊;刘凤美;杨凯珍;
向Sn-0.70Cu-0.05Ni无铅钎料中添加微量混合稀土元素RE(主要是La和Ce),研究了RE添加量对该钎料合金显微组织及性能的影响。结果表明,添加微量的RE能显著细化该钎料合金组织,抑制金属间化合物的生长,改善合金的组织分布,提高钎料的润湿性及力学性能。当w(RE)为0.10%时,钎料的润湿力、拉伸强度分别为3.02mN和31.3MPa。但随着RE的增加,钎料的溶铜速率会逐渐增大,抗氧化性变差。综合考虑,该钎料中w(RE)应控制在0.05%～0.10%。
2011年02期 v.30;No.228 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1318K] [下载次数：160 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：74 ] - 常红;李明雨;
通过热风回流焊制备了Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu对接互连焊点,测试了未通电及6.5A直流电下通电36h和48h后焊点的剪切强度。结果表明,电迁移显著地降低了焊点的剪切强度,电迁移36h使剪切抗力降低约30%,电迁移48h降低约50%。SEM观察断口和界面形貌表明,界面金属间化合物增厚使断裂由韧性向脆性转变。
2011年02期 v.30;No.228 29-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1546K] [下载次数：300 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：89 ] - 吴敏;刘政军;
运用莱卡显微镜、X射线衍射仪及电化学测试系统等仪器设备,对(Sn-9Zn)-xBi(x=0,1,3和5)钎料组织性能进行研究。结果表明:当x小于5时,Bi可明显影响(Sn-9Zn)-xBi钎料中富Zn相尺寸及分布,钎料的熔化温度随Bi含量的增加而降低至188℃;钎料的润湿性随Bi含量增加而得到改善,其中以x在1～3为最明显;与Sn-9Zn钎料相比,当x为3时,钎料显微硬度提高了31%,达到最大值22.3HV;钎料腐蚀电位随x变化不大,但x为5时腐蚀电流密度却减小至未添加Bi的Sn-9Zn钎料的25%。
2011年02期 v.30;No.228 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 862K] [下载次数：153 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：118 ] - 薛静;赵麦群;范欢;张金凤;
以SnAgCu无铅焊膏铺展性能和焊点形貌作为评价的主要指标,通过回流焊接实验,对常用于焊膏的10种溶剂进行了单一溶剂优选,并对两种性能较好的溶剂进行复配优化研究。结果表明:A醇、二缩三乙二醇和B醚作为单一溶剂时焊膏的润湿性较好、焊点外形较饱满,铺展率都大于83%;A醇和B醚按质量比3:2复配时得到的焊膏铺展率达到93%以上,抗塌落性好,且焊点外观规则、光亮饱满、表面氧化物较少。
2011年02期 v.30;No.228 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1260K] [下载次数：238 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：112 ] - 郑家春;杨晓军;雷永平;
通过无铅焊料的焊点铺展及润湿力实验考察了活性剂对助焊剂润湿性能的影响,并据此研制出了一种以乙醇为溶剂、以有机酸和有机胺为活性剂并使用复合表面活性剂的免清洗助焊剂。结果表明:使用复合表面活性剂的助焊剂的润湿效果要好于使用单一表面活性剂的助焊剂。其中,以使用Op—4与壬基酚聚氧乙烯醚质量比为8:1的复合表面活性剂的助焊剂的润湿效果最好,最大润湿力可达6.14mN。制备的免清洗助焊剂无色透明,无刺激性气味,残留物少,润湿性能好,w(不挥发物)小于2%,得到的焊点饱满。
2011年02期 v.30;No.228 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 992K] [下载次数：355 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：86 ] - 蓝满玉;王晨;汪炜;
采用正交设计法优化了脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的工艺参数,并通过分析薄膜的微观结构、透射光谱和循环伏安曲线等研究了最佳工艺条件下制备的WO3薄膜的电致变色性能。结果表明,脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的最佳工艺参数为平均电流密度0.2×10-3A/cm2,沉积时间6min,占空比75%,脉冲周期10ms。最佳工艺条件下制备的WO3薄膜厚度约为251nm,呈非晶态;在可见光区(550～800nm),光调制幅度(?T)可达76%～80%;表现出良好的电化学活性,离子存储能力达27.8×10-3C/cm2;着色/褪色响应不对称,可逆性稍低(75.1%)。
2011年02期 v.30;No.228 43-46+49页 [查看摘要][在线阅读][下载 1133K] [下载次数：244 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：69 ] - 刘飞飞;唐云;张万里;蒋洪川;司旭;
采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12?/□增加到24?/□,TCR从15×10-6/℃下降到-80×10-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时间的增长,R□及TCR略有变化。
2011年02期 v.30;No.228 47-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 773K] [下载次数：215 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：120 ] - 周华;陈苑明;何为;周国云;莫芸绮;
讨论了制造薄膜开关的材料性能与网印工艺条件,通过金相显微镜观察并分析了印刷层的厚度与均匀性关系,研究了薄膜开关导电银浆线路的电阻性能。选择恰当的印刷工艺参数,如括板压力0.3～0.4MPa、移动速度0.2～0.3m/s等,制造出厚度均匀、与电阻匹配的薄膜开关,其导电银浆各处线路的参数均匀,方阻为28.01mμ/□,厚度为4.33μm,锯齿边缘的平均深度约为23.53μm,且外观无明显色差,实现了薄膜开关的低成本与高可靠快速制造。
2011年02期 v.30;No.228 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 1126K] [下载次数：388 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：100 ] - 师凯旋;苏桦;张怀武;荆玉兰;
采用传统的陶瓷工艺,低温烧结制备了Bi2O3-H3BO3-SiO2-ZnO(BBSZ)玻璃掺杂的NiCuZn铁氧体材料,研究了BBSZ掺杂量对铁氧体材料烧结密度、微观形貌和电磁性能的影响。研究表明,适量的BBSZ掺杂可以显著改善铁氧体的烧结性能和微观结构,进而对其电磁性能产生明显的影响。当BBSZ掺杂量为质量分数0.75%时,获得的铁氧体样品均匀致密且具有最佳的综合电磁性能,其烧结密度ρ、起始磁导率μi、品质因数Q以及饱和磁感应强度Bs分别为5.19g/cm3,164,122和403mT,均达到最大值,而其矫顽力Hc则达到最小值217A/m。
2011年02期 v.30;No.228 54-56+61页 [查看摘要][在线阅读][下载 1180K] [下载次数：225 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：107 ] - 王长宏;陈颖;朱冬生;
针对微电子芯片热管理技术的现状和传统冷却技术的不足,建立微电子芯片热电冷却装置及其性能测试系统,采用热阻分析模型对传热过程进行研究。结果表明:在热电冷却过程中,帕尔帖效应占主导作用,TEC(热电冷却系统)自身热阻θ2随工作电流I的增大而降低。当芯片功率为20W时,芯片与TEC冷面的界面热阻θ1在I为2.1A时取得最小值0.461℃·W-1。系统总热阻θtotal随I的增大先减小后增大,当芯片功率为20W时,θtotal在I为2.1A时取得最小值0.344℃·W-1,系统的最佳工作电流和系统总热阻都随芯片功率的增加而增大。
2011年02期 v.30;No.228 57-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 900K] [下载次数：596 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：64 ] - 潘应君;刘涛;宣圣柱;柯德庆;
用有机粘结剂将导电炭黑做成浆料预涂覆在铝箔表面,随后将箔片置于真空炉中进行热处理,制成了一种具有良好界面结合的C/Al复合负极箔。研究了制备工艺对C/Al复合负极箔比容及结合力的影响,并建立了C/Al复合负极箔比电容与碳层厚度的简单数学模型。结果表明,该复合负极箔的比容随着表面碳层厚度的增加而增加。当碳层厚度为35μm左右时,碳层与铝箔的结合力较好,比容高达2200×10-6F/cm2左右。
2011年02期 v.30;No.228 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 1131K] [下载次数：240 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：77 ]