刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • Al_2O_3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响研究

    江丰;沈鸿烈;鲁林峰;杨超;罗军;

    采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜。借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响。结果表明:Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1~3 nm厚的过渡层后,160 nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响。

    2010年12期 v.29;No.226 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1221K]
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  • BaBiO_3/SrFe_(0.9)Sn_(0.1)O_(3–δ)厚膜NTCR的电性能研究

    袁昌来;李擘;巫秀芳;黄静月;刘心宇;

    以SrFe0.9Sn0.1O3–δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻(NTCR)。借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3–δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2~3μm范围内;随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000 k?降至372 k?,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K。

    2010年12期 v.29;No.226 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 1847K]
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  • 溶胶pH值对CoFe_2O_4/SiO_2复合薄膜结构和磁性能的影响

    刘宇;李季;华杰;沈维霞;李海波;

    采用sol-gel法制备了纳米CoFe2O4/SiO2复合薄膜(样品)。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、振动样品磁强计对样品的结构、形貌和磁性能进行了研究。结果表明:随着溶胶pH值的减小,样品中CoFe2O4的平均晶粒尺寸变小,CoFe2O4晶粒沿(111)晶面择优取向生长。样品的矫顽力随着平均晶粒尺寸的减小明显变大,当溶胶pH值为0.29时,垂直和平行膜面的矫顽力分别为290 kA.m–1和250 kA.m–1,样品具有较明显的垂直磁各向异性。当溶胶pH值为0.59时,样品垂直和平行膜面的剩磁比(Mr/Ms)分别为53.2%和51.5%。

    2010年12期 v.29;No.226 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 879K]
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  • 丁二酸作分散剂制备球形银粉的研究

    秦智;张为军;匡加才;李文焕;杨鹏彪;

    以硝酸银为原料,甲醛为还原剂,丁二酸为分散剂,通过液相还原法制备了球形银粉。研究了丁二酸用量、硝酸银浓度、甲醛浓度、反应体系pH值对所制得银粉粒径的影响。结果表明:在c(硝酸银)为0.02 mol/L,c(甲醛)为1.44 mol/L,反应体系pH值为12.5~13.0的条件下,制备出了平均粒径为3μm的高纯球形银粉。

    2010年12期 v.29;No.226 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1037K]
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  • 添加γ-氨丙基三乙氧基硅烷的LiFePO_4/C的制备及性能

    黄有国;杨伟伟;龚阳辉;周妥记;王红强;

    采用固-液相球磨法,在原料中加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH—550)为分散剂和掺杂剂,制备了LiFePO4/C正极材料。用XRD,SEM及电化学综合测试仪研究了所制材料的结构、表观形貌及电化学性能。结果表明:制备的LiFePO4为标准的橄榄石型结构,添加KH—550后,颗粒无团聚现象,材料的倍率性能和循环性能明显改善:在0.1 C时,首次放电比容量达到157.9 mAh/g,,比未添加KH—550样品高出6.5 mAh/g,,5 C倍率放电时,容量保持在110.3 mAh/g。经过100次循环后,容量保持率为97.3%,比未添加KH—550样品高出6.4%。

    2010年12期 v.29;No.226 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 1688K]
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  • 低声阻抗0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料的研制

    熊贵;张洋洋;

    压电陶瓷材料的高声阻抗制约着其在水听器和超声成像方面的应用。为了对压电陶瓷材料的声阻抗和声速进行调节,本研究以聚偏氟乙烯(PVDF)及钛酸铅(PT)和锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷粉体为原料,经过流延、热压等工艺制得了4种含有不同量PT及PZT的0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料。研究了所制压电复合材料的声学、压电和介电性能。结果表明:所制压电复合材料的声阻抗均小于140 MPa.s/m,最优压电应变常数d33达43 pC/N,相对介电常数为185~210,介质损耗约为2×10–2。

    2010年12期 v.29;No.226 18-20+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 953K]
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  • 低损耗高介电常数CCTO陶瓷的制备与性能研究

    邵守福;董凡;张家良;

    为了降低CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料的介质损耗,采用传统固相反应法制备了组分为CaCu3–yZry/2Ti4O12(CCZTO)的陶瓷样品。研究了ZrO2掺杂对CCTO陶瓷性能的影响。结果表明:所制CCZTO陶瓷样品在维持了CCTO陶瓷材料介电常数大、低频介电常数随频率和温度变化小的优点的同时,介质损耗大幅降低;其介电常数和介质损耗的指标满足美国电子工业协会EIAZ5U标准,而温度系数αc性能指标优于EIAX7A标准所规定的±55×10–6/℃,是一种综合性能技术指标优良的新型高介电常数陶瓷材料。

    2010年12期 v.29;No.226 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1527K]
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  • 一种新颖的脊波导功分器

    张晓峰;王锡良;曹晋;罗旭荣;

    针对通常波导传输的功率分配器中T形接头体积大的不足,基于脊波导和阶梯阻抗变换对导波系统中电磁波传播性能的影响,提出了一种新颖的脊波导H面T形分支结构,利用高频仿真软件HFSS进行仿真优化,结果显示该结构在全X波段内匹配。以此结构为基础,设计加工一个一分六的脊波导功分器,得到较好的实测结果。实际内部尺寸比普通波导功分器减小46%,回波损耗小于20 dB,单路信号波动在±0.35 dB内。这种脊波导H面T形分支结构简单,适合于实际的工程应用。

    2010年12期 v.29;No.226 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 782K]
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  • 宽带Wilkinson功分器的设计仿真与制作

    赵海;刘颖力;张怀武;胡嵩松;

    利用Ansoft公司的HFSS软件对设计宽带Wilkinson功分器模型进行仿真,制作出了工作频带为0.8~2.5 GHz,尺寸为4.0 cm×3.0 cm×0.5 cm的宽带功分器并进行了测试,仿真结果和实物测试结果比较接近。该功分器在整个频带范围内具有良好的性能指标,传输损耗<0.8 dB,隔离度>20 dB,该功分器实现了宽带化以及小型化。由于其工作频率处于ISM频段内,因此可广泛应用于GPS、蓝牙等通讯系统中。

    2010年12期 v.29;No.226 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 939K]
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  • pH值和灼烧温度对Fe_2O_3粒子结构及磁性能的影响

    郭巍;吴行;郑振忠;张新利;孙友谊;

    以FeCl3为原料,尿素为添加剂,NaOH为pH值调节剂,采用sol-gel法制备出前驱体Fe(OH)3胶液。将其烘干、高温灼烧制备了磁性粒子Fe2O3。研究了pH值和灼烧温度对Fe2O3相成分和磁性能的影响。结果表明:当pH值为3,4,灼烧温度为450℃时,产物为高纯度γ-Fe2O3,饱和磁化强度Ms为12.8A·m2·kg-1;当pH值为7,灼烧温度为500℃时,产物是单相的α-Fe2O3,结晶完好,产物的饱和磁化强度Ms为3.1A·m2·kg-1。

    2010年12期 v.29;No.226 31-33+36页 [查看摘要][在线阅读][下载 1088K]
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  • 基于钛酸锶钡变容管的可调匹配网络

    陈湘亮;蒋书文;姜斌;王元;

    采用钛酸锶钡(BST)薄膜变容管作为可调电容元件,在LaAlO3基片上采用微细加工技术制备了共面波导结构的C-L-Cπ型可调匹配网络。仿真及测试结果表明,通过在BST薄膜变容管上施加直流偏置电压对BST变容管的电容进行调节,可以在740~770 MHz频率范围内,实现该匹配网络与终端负载之间良好的阻抗匹配。其中,在760 MHz时测得的匹配网络的反射系数S11达到–45.8 dB。

    2010年12期 v.29;No.226 34-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 881K]
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  • 提高小功率白光LED热特性的新方法

    宋国华;王玮;姜斌;缪建文;纪宪明;

    在传统直插式LED封装方法的基础上,提出了一种在环氧树脂中添加氮化硼(BN)填料的改进LED封装工艺。测量了BN填料质量分数与导热系数的关系,利用有限元分析软件ANSYS分析和实验测试了采用改进封装工艺φ5 mm白光LED的芯片结温、热阻等参数,并与传统封装方法的白光LED进行比较。结果表明:采用改进封装结构φ5 mm白光LED结温比传统封装方法下降4.5℃,热阻下降了17.8%,同时提高了初始光通量,降低了光衰。

    2010年12期 v.29;No.226 37-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 1115K]
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  • 基于LTCC技术的WLAN射频前端的研制

    王莎鸥;尉旭波;李力力;曾志毅;杨邦朝;

    采用低温共烧陶瓷(LTCC)集成技术,设计和制作了具有立体化新型结构的无线局域网(WLAN)射频前端,并对制得的产品模块进行了测试。结果表明:采用LTCC技术制得的WLAN射频前端的外形尺寸仅为29 mm×18 mm×5 mm,远小于传统同类型WLAN射频前端的尺寸。在2.4~2.5 GHz的工作频率范围内,所制WLAN射频前端的最大输出功率为27 dBm,噪声系数小于1.7 dB,接收增益大于15 dB,发射增益大于20 dB。

    2010年12期 v.29;No.226 40-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 1634K]
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  • 铁硼加入量对NdFeB材料吸波性能的影响

    杨涛;潘顺康;林培豪;王磊;

    采用高能球磨和微氧化热处理方法制备了铁和硼含量不同的钕铁硼(NdFeB)吸波粉体,研究了铁硼加入量对NdFeB粉体吸波性能的影响。结果表明:所制NdFeB粉体和NdFe粉体均由α-Fe、Nd2O3和Fe2O3相组成;向Nd2Fe14B粉体添加30%的Fe后,其反射率最小值从–7.02 dB降低到–13.63 dB,吸收峰频率从6.80 GHz升高到10.6 GHz;NdFe粉体对电磁波的损耗以介电损耗为主,而NdFeB粉体对电磁波的损耗以磁损耗为主。向70%Nd2Fe14+30%Fe粉体加入B后,其反射率最小值降至–13.63 dB、吸收峰频率升至10.6 GHz。

    2010年12期 v.29;No.226 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 921K]
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  • 阶跃阻抗同轴介质滤波器的研究

    罗春娅;胡明哲;顾豪爽;楼文杰;

    为了有效减小均匀阻抗同轴滤波器的尺寸,并优化性能参数,设计了阶跃阻抗同轴滤波器。该滤波器基于一种BaO-Nd2O3-Sm2O3-Al2O3-TiO2(BNSTA)五元系高介电常数、低损耗、近零温度系数的微波介质材料,提出阶跃阻抗同轴滤波器的设计流程和方案,采用HFSS高频仿真软件对该滤波器的传输特性进行了整体仿真。结果表明所制滤波器通带特性优异:中心频率为2.01 GHz,带宽为15 MHz,插入损耗小于1.15 dB,带内纹波为0.23 dB。

    2010年12期 v.29;No.226 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 1155K]
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  • 低温烧结BaO-TiO_2-ZnO系陶瓷的研究

    黄刚;吴顺华;张宝林;李世春;王新;

    将ZnO-H3BO3(ZB)玻璃作为烧结助剂添加到BaO-TiO2-ZnO系(BTZ)陶瓷中,以实现BTZ陶瓷的低温烧结。研究了ZB玻璃的加入及球磨时间对BTZ陶瓷的烧结性能和介电性能的影响。结果表明:ZB玻璃的加入,明显降低了BTZ陶瓷的烧结温度。添加质量分数6%的ZB玻璃、球磨10 h时,BTZ陶瓷能够在950℃下致密烧结,获得良好的介电性能(1 MHz):εr=35.55,tanδ=2.2×10–4,–10×10–6/℃<α<+10×10–6/℃(–55~+125℃)。

    2010年12期 v.29;No.226 52-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 1057K]
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编读通信

综合信息

  • 运营商比拼云计算

    <正>2010年,在中国举行的云计算重要会议几乎都出现了电信运营商的身影。9月28日,在美国匹兹堡举行的Open Cirrus峰会上,中国电信宣布正式加入全球云计算研发测试平台Open Cirrus,设在中国电信广州

    2010年12期 v.29;No.226 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 466K]
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  • LED产业:整合资源 向上突破

    <正>LED产业确实到了该认真思考未来如何发展的时候了。刚刚从国外回到国内、在一个月内连续参加了几个LED产业研讨会的苏州纳晶光电公司董事长梁秉文博士对记者表示。应用市场的不断扩大,让LED成为各路资金竞相投资的热点领域。我国LED产业近年来在重点应用工程的带动下,取得了快

    2010年12期 v.29;No.226 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 557K]
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  • 立足先进技术 打造国际领先封装企业

    <正>江苏长电科技股份有限公司(简称长电科技)是集成电路封测产业链技术创新战略联盟理事长单位,中国领先的半导体封装测试生产基地,为客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案,荣获国家重点高新技术企业、中国电子百强企业、中国半导体十大领军企业等称号,拥有国家级企业技

    2010年12期 v.29;No.226 55页 [查看摘要][在线阅读][下载 529K]
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可靠性

  • SMT电路板组件的动态特性分析

    许兆美;

    设计制作了一块由不同封装形式和材料参数的芯片集成的SMT电路板组件。根据各芯片和PCB板的参数建立了有限元模型,通过有限元仿真对该组件进行了不同约束条件下的模态分析及瞬态冲击动态响应分析,得到了该组件的前五阶固有频率(四角约束条件下分别为862.07,1144.70,1445.20,1915.50和1941.70Hz)及相应频率下的模态参数。并通过实验和仿真结果的对比验证了所建立的有限元模型基本正确,该模型可作为组件疲劳寿命估计和结构优化的基础。提出了芯片布局优化及提高可靠性的建议。

    2010年12期 v.29;No.226 56-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 1743K]
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综述

  • 石墨烯的制备及表征研究进展

    史永胜;李雪红;宁青菊;宁磊;陈阳阳;

    简述了石墨烯的力、热、电学特性;重点分析了制备石墨烯的几种不同方法,包括:机械剥离法、加热SiC法、石墨插层法、电弧放电法、化学气相沉积法、溶剂剥离法与溶剂热法等,并且评述了这几种方法的特点及存在的问题。介绍了石墨烯的几种表征方法,并阐述了其未来的发展前景。

    2010年12期 v.29;No.226 59-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 731K]
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  • LTCC低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

    岑远清;杜泽伟;陈梓贤;张韶鸽;

    简述了Al2O3系、MO-SiO2(M=Ca,Mg,Zn)系、MO-TiO2系等相对介电常数为6~30的低温共烧陶瓷(LTCC)的结构和微波介电性能,介绍了自主研发的Al2O3系和Mg5(Zn,Ti)4O15系材料制作的多层陶瓷电容器(MLCC)的电性能。分析和讨论了目前LTCC低介电常数微波介质陶瓷存在的问题,提出了其发展方向。

    2010年12期 v.29;No.226 64-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 836K]
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  • 陶瓷超级电容器的研究进展

    王婳懿;张继华;杨传仁;陈宏伟;

    介绍了新型电能储存单元陶瓷超级电容器,概述了其发展现状,以及较之现有几种电池的优势。详述了陶瓷超级电容器的结构及工作原理。从钛酸钡粉体的掺杂、粉体粒径、击穿电压三方面分析了陶瓷超级电容的关键技术。

    2010年12期 v.29;No.226 68-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 800K]
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  • 忆阻器研究进展及应用前景

    王乐毅;

    回顾了忆阻器的起源与发展,论述了忆阻器的物理特性,重点介绍了TiO2与TiO2–x材料制造的忆阻器特性。探索了忆阻器的功能、应用和有待解决的难题,讨论了忆阻器用于存储器件的优点和结构特点,以及其在模拟神经网络方面的应用前景。

    2010年12期 v.29;No.226 71-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 865K]
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