研究与试制

• K_(0.9)Mo_6O_(17)新型导电陶瓷的制备与导电性研究

  李亚玲;张鸿;夏俊霄;李志成;

  利用湿化学方法,以碳酸钾和钼酸为原料,聚乙二醇为分散剂和螯合剂,制备了K0.9Mo6O17前驱体。在碳粉保护环境及500℃温度下对所得前驱体进行煅烧后,获得了K0.9Mo6O17粉体。最后,利用此粉体制得了导电陶瓷。借助差示扫描量热仪、XRD、SEM、电化学测试系统等仪器研究了材料的相组成、微观结构及导电性。结果表明,K0.9Mo6O17粉体和陶瓷体均具有单斜晶系结构;该多晶K0.9Mo6O17陶瓷材料的室温电导率达到了0.1S/cm,且其电导率随着温度的升高而升高。利用电子跃迁和晶体场理论对K0.9Mo6O17陶瓷的导电机理进行了分析。

  2010年10期 v.29;No.224 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 859K]
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• 添加CuO对Ba_(3.99)Sm_(9.34)Ti_(18)O_(54)陶瓷烧结及微波介电性能的影响

  方志远;李兆喜;沈春英;丘泰;

  采用传统固相工艺制备了Ba3.99Sm9.34Ti18O54(BSTO)微波介质陶瓷,研究了烧结助剂CuO对BSTO的结构及介电性能的影响。结果表明,添加CuO能较好促进BSTO晶粒致密化,降低烧结温度约140℃。当添加质量分数1.0%的CuO时,1220℃保温3h烧结的BSTO样品的介电性能较好:εr=86.87,Q·f=5138GHz(f=4.95GHz),τf=–10.84×10–6℃–1。

  2010年10期 v.29;No.224 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 1552K]
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• Na掺杂Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5基陶瓷的性能

  李在映;丁士华;宋天秀;郭丽华;

  采用固相反应法制备了(Bi2–xNax)(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷,研究了Na+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷烧结性能、显微结构和介电性能的影响。替代后样品的烧结温度从960℃降至约880℃;当替代量x≤0.20时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,随替代量进一步增加出现立方相;温度为–30～+130℃,替代后样品出现明显的介电弛豫现象,弛豫过程中的激活能约为0.40eV。用缺陷偶极子和晶格畸变对Na掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷的介电弛豫现象作出简要解释。

  2010年10期 v.29;No.224 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 1411K]
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• 掺杂Sm_2O_3对BaSrTiO_3介电陶瓷性能的影响

  李远亮;曲远方;张庆军;王冉然;

  以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷。利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能。结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm2O3掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位。在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4800;随着Sm2O3掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.0070。

  2010年10期 v.29;No.224 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1692K]
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• CaO-MgO-SiO_2-B_2O_3低温助烧BaZrO_3微波介质陶瓷的性能

  吴继伟;胡志强;张立;许芳怡;

  以CaO-MgO-SiO2-B2O(3CMSB)玻璃为烧结助剂,低温烧结制备了BaZrO3微波介质陶瓷,研究了CMSB加入量对BaZrO3陶瓷的烧结温度、结构及性能的影响。结果表明,CMSB的加入大幅度降低了BaZrO3陶瓷的烧结温度,当CMSB质量分数为33%时,所制陶瓷烧结温度降低到910℃,瓷体致密,密度为4.32g/cm3。1MHz频率下,Q值达4000,该陶瓷已用于批量生产高Q值的微波陶瓷电容器。

  2010年10期 v.29;No.224 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 1299K]
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• 双碱金属氧化物对钙硼硅微晶玻璃性能的影响

  吴路燕;周洪庆;朱海奎;韦鹏飞;宁革;

  向CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加双碱金属氧化物Na2O和Li2O。研究了Na2O和Li2O的总体质量分数和二者的质量比对玻璃试样性能的影响。采用DSC、XRD、SEM分析了玻璃的性能和微观形貌。结果表明:烧结后试样晶相主要为硅灰石;当w(双碱金属氧化物)为1.5%,ζ(Na2O∶Li2O)为2∶3时,试样能在950℃烧结,εr为6.16,tanδ为3.5×10–3(1MHz)。

  2010年10期 v.29;No.224 17-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 1956K]
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• 低电阻率高透过率TAZO透明导电膜的制备及性能

  史晓菲;郭美霞;

  利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上制备了透过率高、电阻率相对较低的钛铝共掺杂ZnO(TAZO)透明导电膜。用XRD和SEM等研究其结构、应力和光电性能与靶基距之间的关系。结果表明:TAZO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当靶基距为42mm时,薄膜样品晶格畸变最小,具有最小压应力(绝对值)0.270GPa,同时具有最小方块电阻4.21?/□;靶基距为48mm时,薄膜样品具有最小电阻率3.09×10–4?·cm。所有薄膜样品的可见光区平均透过率都超过了91%。

  2010年10期 v.29;No.224 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 820K]
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• 金属有机盐热分解法制备铌酸钾钠无铅压电薄膜

  阎鑫;任巍;

  选用乙醇铌、乙酸钾、乙酸钠为原料,通过金属有机盐热分解法制备了Na0.5K0.5NbO3(NKN)无铅压电薄膜。研究了不同退火温度对NKN薄膜的晶体结构和形貌的影响。结果表明:当退火温度低于500℃时,所制NKN薄膜为无定形结构。650℃制备的NKN薄膜具有(100)晶面生长的择优取向;该薄膜的表面致密,颗粒尺寸分布均匀,10kHz的相对介电常数为258,介电损耗为0.05。该薄膜具有铁电体典型的电滞回线,剩余极化强度(Pr)和矫顽场强(EC)分别为3.45×10–6C/cm2和160×103V/cm。

  2010年10期 v.29;No.224 25-27+31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1509K]
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• Ni添加量对FeCoNiB-SiO_2薄膜电磁性能的影响

  邱景;龚荣洲;冯则坤;聂彦;王鲜;

  采用RF溅射工艺制备了FeCoNiB-SiO2系薄膜。研究了Ni添加量对该种薄膜微结构和电磁性能的影响。结果表明,添加适量的Ni有利于FeCoNiB-SiO2薄膜获得优良的微波电磁性能。通过控制Ni的添加量,可以得到在GHz频段同时具有高磁导率和高损耗的薄膜样品,其磁导率实部μ'和虚部μ"在0.5~2.0GHz的宽频带范围内分别大于240和100,在2.1GHz处更是均大于400,其电阻率也达到了868×10–6?·cm。该薄膜可应用于微波吸收材料或抗电磁干扰的设计中。

  2010年10期 v.29;No.224 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 990K]
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• La_2O_3掺杂对TiO_2系压敏陶瓷结构和性能的影响

  王天国;覃群;周志刚;

  采用传统的固相法制备了La2O3掺杂的TiO2系压敏陶瓷,通过XRD和SEM分析,测试其结构及压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:La2O3掺杂对所获陶瓷的结构和性能有显著的影响,在1380℃烧结条件下,掺杂x(La2O3)为0.70%的陶瓷表现出优良的综合电性能,其压敏电压为7.6V/mm,非线性系数为5.2,相对介电常数εr为9.96×104,介电损耗tanδ为0.32,这与该陶瓷具有最高的晶界势垒高度相一致。

  2010年10期 v.29;No.224 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 2062K]
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• ZnO压敏电阻冲击电流寿命分布的试验研究

  丁留华;束静;

  对氧化锌压敏电阻(MOV)样品进行了最大放电电流下的冲击电流寿命试验,得出了每只样品在失效前所能承受的冲击次数;通过对大量样品冲击电流寿命的统计分析,证明了MOV在冲击电流作用下的失效率服从威布尔(weibull)分布,从而为确定MOV的失效前平均寿命和保证寿命提供了依据。

  2010年10期 v.29;No.224 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 782K]
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• MnO_2掺杂量对BaCo_(0.05)Co_(0.1)Bi_(0.85)O_3厚膜NTCR电性能影响

  李擘;刘心宇;袁昌来;赵霞妍;巫秀芳;

  以新型BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3材料为基体,掺杂不同摩尔分数x(MnO2),在840℃下烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和直流阻温特性测试仪,研究x(MnO2)对电阻相组成、微结构及电性能的影响。结果表明:所得的NTC厚膜热敏电阻主要物相为具有钙钛矿结构的BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3,且表面致密。当x(MnO2)超过5%时,有新相BaMnO3开始沿晶界析出,获得小尺寸晶粒;厚膜电阻的室温电阻率ρ25及B25/85值随x(MnO2)增加而升高;当x(MnO2)为10%时,ρ25从初始的13.5?·mm升高为810.0?·mm,B25/85值从600K升高到2049K。

  2010年10期 v.29;No.224 39-41+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 2119K]
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• Nb掺杂量对SrBiFeO基陶瓷NTC特性的影响

  杨华斌;刘心宇;马家峰;

  采用传统固相法,按化学式Sr0.65Bi1-xFe0.35NbxO3(x=0.01,0.02,0.05,0.10和0.20)制备了具有NTC特性的Nb掺杂SrBiFeO基陶瓷试样。研究了Nb掺杂量对其NTC特性的影响。结果表明:试样的ρ25和B25/85值随着Nb含量的增加都呈现增加趋势;在25~200℃的测试温区内,其电阻率–温度特性呈现近似的线性关系;当x为0.05时,线性关系较好,其中ρ25的值约为6700?·cm,B25/85值约为3540K。

  2010年10期 v.29;No.224 42-44+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1552K]
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• 乙二醇纳米硅溶胶的制备及应用

  任之君;陈姚;于欣伟;赵国鹏;曾婉仪;

  将由离子交换法制备的SiO2水溶胶进行溶剂置换,得到了乙二醇纳米硅溶胶。借助纳米粒度分析仪、TGA-DSC、FT-IR对溶胶中粒子的粒度分布、溶胶的热稳定性和化学结构分别进行了表征。结果表明:所制乙二醇纳米硅溶胶的平均粒径为30nm,热稳定性非常好,化学结构为无定形的水合二氧化硅。另外,其含水量低于0.8%,稳定期超过一年半。添加该溶胶到铝电解电容器的工作电解液中,电解液的闪火电压提高了约50V,电导率提高了约90×10–6S/cm。

  2010年10期 v.29;No.224 45-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 821K]
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• 硅烷偶联剂对太阳电池铝浆性能的影响及分析

  韩鹏;张宏;马亚红;徐晓宙;

  在晶体硅太阳电池制造过程中,铝电极是通过丝网印刷-烘干-烧结制成的。该过程中铝电极膜层与传送网带发生相对摩擦,易导致铝膜表面产生划痕、起灰。重点研究了添加不同质量分数w(硅烷偶联剂)(0.5%~3.0%)对铝浆有机载体的表面张力、铝膜表面划痕、起灰、导电性能的影响规律。结果表明:当w(硅烷偶联剂)为2.5%时,有机载体的表面张力可从约30mN/m降低至25.69mN/m,提高了铝粉颗粒之间以及铝膜与硅片之间的黏附作用,从而减少划痕和灰化,进而可使铝电极的接触电阻由0.60?降低至0.19?。

  2010年10期 v.29;No.224 49-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 804K]
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综合信息

• 综合信息

  <正>碳纳米管生物复合材料电驱动性能研究获重要进展据报道,最近,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈韦研究员课题组在碳纳米管和生物聚合物分子的复合材料的可控电驱动性能研究上取得新进

  2010年10期 v.29;No.224 24+35+38+48+57页 [查看摘要][在线阅读][下载 871K]
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• 加快转变经济发展方式 材料科技界义不容辞——胡锦涛总书记在院士大会上的讲话明确了材料科技界发展重点

  <正>2010年6月7日,中国科学院第十五次院士大会、中国工程院第十次院士大会在人民大会堂隆重开幕。1400多位两院院士,中央和国家机关有关部门负责人出席大会。中共中央总书汜、国家主席、中央军委主

  2010年10期 v.29;No.224 72页 [查看摘要][在线阅读][下载 542K]
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经验点滴

• 低压铝箔交流腐蚀工艺中的超声波辅助应用

  钟勇湘;曾建皇;

  采用国产铝箔,在超声波辅助条件下,对铝箔进行交流腐蚀,研究了超声波辅助腐蚀对腐蚀箔比容和力学性能的影响。结果发现:当腐蚀箔保持率为1.63g/dm2,采用磁力搅拌的腐蚀箔比容只有71.8×10–6F/cm2,而采用超声波辅助腐蚀的腐蚀箔比容为79.4×10–6F/cm2,提高了10.6%,且抗拉强度提高约20%。

  2010年10期 v.29;No.224 52-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 845K]
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应用技术

• 高可靠性发夹型带通滤波器的设计与制作

  李艳江;吴孟强;彭森;周晓华;张树人;

  依据微带发夹型带通滤波器的原理,进行了数学建模,并结合ADS2008的优化仿真功能对滤波器进行了优化设计。根据仿真结果,在高介电常数的陶瓷基板[MgTiO3-CaTiO3-Nd2O3,εr=18,Q·f=65000(7GHz),板厚度0.8mm]上制作了中心频率f0=3.5GHz、带宽为3.25~3.75GHz的滤波器。经测试发现,制得的滤波器具有良好的端口反射特性,可靠性高,基本满足3.25~3.75GHz频率范围内的特殊通讯要求。这表明本研究所用设计方法合理,适合于工程应用。

  2010年10期 v.29;No.224 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 937K]
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• 一种二阶LTCC微波带通滤波器的仿真设计

  郭云胜;

  根据低温共烧陶瓷技术的特点,提出了一种二阶微波带通滤波器的三维结构设计方法,设计的滤波器结构简单、尺寸小、工作频率可调。按照该设计方法,通过电磁仿真软件AnsoftHFSS10设计了一款带通滤波器。结果表明,该滤波器的中心频率为5.2GHz,带宽为0.4GHz,通带内插损小于2.1dB,尺寸为2.5mm×2.2mm×0.4mm,能够满足微波无线通信系统的要求。

  2010年10期 v.29;No.224 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 817K]
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可靠性

• Sn-3.7Ag-0.9Zn无铅钎料合金压入蠕变性能研究

  刘家麟;曾明;张聪正;廖慧敏;

  采用自制的压入蠕变装置,研究了共晶型Sn-3.7Ag-0.9Zn无铅钎料合金在333~418K,压入应力为34.1~75.3MPa时的压入蠕变性能,并获得其稳态压入蠕变速率的本构方程;利用XRD和SEM对合金蠕变前后的成分和微观组织进行了分析。结果表明:Sn-3.7Ag-0.9Zn无铅钎料合金的应力指数n为4.6,蠕变激活能Qc为82.03kJ/mol,材料的结构常数A为1.74×10–5,其压入蠕变机制主要是由位错攀移运动控制的蠕变;金属间化合物Ag3Sn、AgZn提高了合金的抗压入蠕变性能。

  2010年10期 v.29;No.224 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 1712K]
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综述

• PLD法制备基于缓冲层的ZnO薄膜及纳米棒研究进展

  梁金;梁齐;安宁宁;饶晓俊;王莉;

  综述了脉冲激光沉积(PLD)法基于缓冲层制备ZnO薄膜及ZnO纳米棒的研究进展,分析了缓冲层对于生长高质量ZnO薄膜及纳米棒的作用,得到结论:引入缓冲层可以减少沉积物与衬底晶格失配以及热膨胀系数不匹配的问题。

  2010年10期 v.29;No.224 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 900K]
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• BaTiO_3系PTC热敏电阻材料的研究进展

  方志远;沈春英;丘泰;

  从配方、工艺等方面阐述了最近几年钛酸钡系PTC热敏电阻材料的最新研究进展,并且展望了其发展前景。无铅高居里点、片式叠层化、湿化学法制备粉体、金属/陶瓷复合是近几年钛酸钡系PTC热敏电阻材料的主要研究热点。

  2010年10期 v.29;No.224 69-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 671K]
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• 《电子元件与材料》征稿简则

  <正>《电子元件与材料》是中国电子学会、中国电子元件行业协会和国营715厂共同主办的科技期刊,国内外公开发行。本刊报道国、内外有关电子陶瓷及器件、新型阻容元件、敏感元件与传感器、混合微电子及组装技术、磁性材料及器件、薄膜技术、电子封装及相关电子材料等领域,在科研、生产及应用开发方面的最新

  2010年10期 v.29;No.224 74页 [查看摘要][在线阅读][下载 260K]
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• 电池材料激光衍射粒度分析

  <正>引言电池市场正在迅猛发展。便携式电子产品(包括电话和笔记本电脑)的需求与日俱增,为了提供轻质、耐久且稳定的电源,电池技术必须实现重大发展。同样,在电动汽车领域,为了开发出重量更轻、功率更大的快速充电电池,电池技术也必须取得进一步的突破。

  2010年10期 v.29;No.224 78-79页 [查看摘要][在线阅读][下载 625K]
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• 2010年中国(成都)电子展胜利闭幕 全球领军厂商集中展示,收获西部市场产业升级商机

  <正>2010年中国(成都)电子展于9月9日在成都世纪城新国际会展中心胜利闭幕,展会为期三天,参展商近400家,共接待观众10748人,达到12099人次,包括来自成都、绵阳、德阳、乐山、重庆等地,从事航空航天、工业过程控制、机械制造、汽车制造、通信广电等行业的专业观众。本届中国(成都)电子展得到国家工业和信息

  2010年10期 v.29;No.224 80页 [查看摘要][在线阅读][下载 344K]
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