刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • 微球状ZnO纳米粉体的制备与气敏性能研究

    孙彦刚;陈志钢;

    以Zn(CH3COO)2·2H2O为原料,无表面活性剂存在时,利用水热法合成了微球状ZnO纳米粉体。采用XRD,SEM和TEM等测试手段,对其物相、结构进行了表征。结果表明:此粉体为六方晶系的ZnO,结晶良好,直径小于4μm。利用该粉体制成气敏元件,并用静态配气法测试了元件的气敏性能。研究发现:元件在180℃工作温度下,对体积分数为50×10–6的丙酮和乙醇气体的灵敏度分别达到5.9和8.6。

    2010年06期 v.29;No.220 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 1245K]
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  • La_(0.6)Sr_(0.4)CoO_3薄膜的制备及NTC特性研究

    娄非志;杨传仁;杨莉军;张继华;陈宏伟;

    为研制具有较低室温电阻值的NTC薄膜热敏电阻,以La0.6Sr0.4CoO3陶瓷为靶材,采用RF磁控溅射法,在Al2O3基片上沉积了La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)薄膜。研究了溅射过程中氩氧体积流量比对LSCO薄膜结晶性能和方阻的影响以及LSCO薄膜的阻温特性。结果表明:随着氩氧体积流量比的增加,LSCO薄膜的主晶相衍射峰强度及方阻均先增大后减小。LSCO薄膜具有显著的NTC特性,室温时的电阻温度系数α25为2.24×10–5;其lnR-T–1曲线具备良好的线形度,线性偏差仅为2.09%;另外,其室温时的电阻R25仅为18.75k?。

    2010年06期 v.29;No.220 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 1111K]
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  • CuO掺杂BFS基厚膜热敏电阻的研制

    石雨;刘心宇;李川;

    以固相法制备的BaFe1–xSnxO3(BFS)材料为功能相、BaBiO3为粘结相、CuO为掺杂剂,制备了新型BFS基厚膜热敏电阻浆料,并用此浆料制备了BFS基厚膜热敏电阻。借助SEM和ρ-t特性测试仪,研究了CuO掺杂量对所制电阻显微结构及电性能的影响。结果表明:随着CuO掺杂量的增加,BFS基厚膜热敏电阻的方阻逐渐降低,其B25/85值则先缓慢上升,接着迅速降低,而后又逐渐增加。当CuO质量分数为14%时,所得电阻样品性能较好且具有明显的NTC特性,其方阻、B25/85值及电阻温度系数αR分别为:2.8×105?·□–1,3285K和3.69×10–2℃–1。

    2010年06期 v.29;No.220 7-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 1669K]
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  • Ti~(4+)-Zn~(2+)复合取代对Co_2Z六方铁氧体电磁性能的影响

    宫磊;唐英明;罗俊;贾利军;张怀武;

    采用固相反应法制备Co2Z型六方铁氧体材料Ba3Co2TixZnxFe24–2xO41。研究了Ti4+-Zn2+复合取代对其显微结构和电磁性能的影响。结果表明:随Ti4+-Zn2+取代量的增加,材料磁导率实部μ'与介电常数实部ε'先增加后减小;矫顽力Hc先减小后增加。当取代量x=0.50时,具有最大的μ'(约17)以及最小的Hc(1700.64A/m)。Ti4+-Zn2+复合取代改变了晶粒的大小和形状,从而改变了材料的体密度和择优取向,进而提高其磁导率实部μ'。

    2010年06期 v.29;No.220 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 981K]
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  • Al-N共掺杂ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能

    赵德友;徐光亮;刘桂香;彭龙;

    采用反应磁控溅射法在室温下沉积前驱体氮化物,在大气环境、500℃下氧化退火30min后获得了Al-N共掺杂ZnO:Mn薄膜。研究了直流与射频反应磁控溅射对氧化退火薄膜结构和性能的影响。结果表明:两种工艺制备的退火薄膜均具有ZnO纤锌矿结构,且均为n型导电。射频溅射退火样品具有很好的c-轴择优取向,其表面光滑平整,表面粗糙度RMS值为1.2nm,且具有室温铁磁性,饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)分别为46.8A·m–1和4.9×103A·m–1;而直流溅射退火样品表面凹凸不平,RMS值为25.8nm,室温下是反铁磁性的。

    2010年06期 v.29;No.220 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 939K]
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  • 铝阳极氧化膜耐电压机制研究

    梁孜;孙保瑞;冯哲圣;

    建立了(+)Al/Al2O3/电解液(-)系统耐电压模型。在该模型中,耐电压测试时施加于样品系统上的恒稳测试电流被分离成了介质层充电电流及缺陷漏电流两部分。使用该模型对恒稳电流下铝阳极氧化膜耐电压随时间的变化进行了模拟,模拟结果与实测值几乎完全重合,并准确预测出了铝阳极氧化膜升压时间及180s时的耐压值。另外,对铝阳极氧化膜耐电压曲线进行了初步解释。

    2010年06期 v.29;No.220 18-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 756K]
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  • 氧化物掺杂ZnO-BST复合陶瓷的复阻抗分析

    马凤凯;于东云;赵旭荣;张蓓;宛新武;

    采用复阻抗分析方法研究了Sb2O3、MnO及Cr2O3掺杂对复合陶瓷ZnO-0.17Ba0.8Sr0.2TiO3(ZnO-0.17BST)晶粒相、晶界相电阻的影响,采用XRD、SEM测量了试样的晶相、微观形貌。结果表明:掺杂并没有改变复合陶瓷的相组成,Sb2O3掺杂,Sb2O3-MnO共掺杂和Sb2O3-MnO-Cr2O3共掺杂的三组试样,其晶粒相电阻随掺杂试剂种类的增多依次减小,晶界相电阻先减小后增加。掺杂氧化物不同,其晶粒、晶界相电阻对复合体系电阻的贡献不同。考虑到晶界相的含量,在掺杂ZnO-0.17BST复合陶瓷电导中,晶粒相起主导作用。

    2010年06期 v.29;No.220 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1002K]
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  • 铝电解电容器电极箔与引线间接触电阻的改进

    梁亚芹;

    铝电解电容器的内部电阻直接影响产品电性能,生产过程中必须降低并稳定电极箔与引线间的接触电阻。通过对铆接过程的分析和研究,提出改进铆接工艺的方法,即采用电极箔预冲孔的铆接工艺。实物测试表明,电极箔与引线间的接触电阻较工艺改进前降低8%~15%,其阻值离散度显著缩小,且后续制造工序及产品使用中的阻值也更稳定,有利于保证产品质量,延长产品寿命。

    2010年06期 v.29;No.220 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 704K]
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  • 微波法制备超级电容器用高性能活性炭电极材料

    刘永;吴孟强;张树人;

    以石油焦为原料,KOH为活化剂,经微波加热活化,制备出了超级电容器用高性能活性炭电极材料。以制得的活性炭制成的电极片为电极,6mol/L的KOH溶液为电解液,组装了模拟电容器。研究了加热时间和碱焦比对活性炭比表面积及电容器性能的影响。研究表明:在KOH与石油焦按3∶1的质量比混合,微波辐射时间为15min时,制备的活性炭比表面积达2683m2/g,模拟电容器单电极比电容量达361F/g。

    2010年06期 v.29;No.220 28-30+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1358K]
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  • 正交实验制备基站天线移相器用陶瓷基板材料

    吴坚强;王群;

    以CaO-Al2O3-SiO2系氧化铝陶瓷为基础,通过正交实验研究了CaCO3、MgCO3﹑BaCO3和ZrO2的添加量对该系统陶瓷性能的影响,制备出基站天线移相器用BaO-CaO-MgO-Al2O3-SiO2氧化铝陶瓷材料。XRD结果表明,所制陶瓷主晶相是α-Al2O3,未发现新相,这些添加物形成了低共熔物,起了促进烧结、降低烧结温度的作用。正交实验结果表明,最佳添加量摩尔分数分别是x(CaCO3)为0.006,x(BaCO3)为0.004,x(MgCO3)为0.009和x(ZrO2)为0.005,其相对介电常数εr为9.66,tanδ为1.8×10–4,体积密度为3.65g/cm3,抗电强度为25×103V/mm。

    2010年06期 v.29;No.220 31-33+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1191K]
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  • 钙硼硅系LTCC材料性能研究

    宁革;刘敏;周洪庆;朱海奎;

    在低软化点钙硼硅玻璃(LG)[r(Ca:Si)>1]中添加高软化点钙硼硅玻璃(HG)[r(Ca:Si)<1],经低温烧结制备了钙硼硅(CaO-B2O3-SiO2,CBS)LTCC材料(又称CBS微晶玻璃)。利用XRD和SEM,研究了HG的添加量及烧成温度对钙硼硅LTCC材料的物相和微观结构的影响。结果表明,HG玻璃的引入有效提高了LG的烧结性能及拓宽了烧结范围,且有效降低了该材料的相对介电常数。w(HG)为20%时,CBS微晶玻璃能够在850~910℃烧结致密;在1MHz测试频率下,相对介电常数小于7.25,介质损耗小于2×10–3。

    2010年06期 v.29;No.220 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1610K]
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  • 机械活化燃烧合成AlN-Al_2O_3复合陶瓷粉

    刘建平;张晖;

    在催化剂氯化铵的作用下,将高能球磨机械活化后的工业铝粉置于空气中自燃,制备出了AlN质量分数约为80%的AlN-Al2O3复合粉体。通过对原始铝粉和球磨铝粉的形貌进行对比分析,探讨了球磨对铝粉的机械力化学效应。借助XRD和扫描电镜分析了燃烧产物的物相、形貌和结构,结果表明,生成的AlN颗粒主要集中于燃烧产物中心部,粒径为2μm;生成的Al2O3颗粒则主要分布于燃烧产物外表面,粒径为100nm。

    2010年06期 v.29;No.220 38-40+43页 [查看摘要][在线阅读][下载 1398K]
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  • K_2O-B_2O_3-SiO_2/Al_2O_3 LTCC复合基板材料性能研究

    卢中舟;张树人;周晓华;李波;

    采用K2O-B2O3-SiO2玻璃与Al2O3复合烧结,制备了K2O-B2O3-SiO2/Al2O3低温共烧陶瓷(LTCC)复合基板材料,研究了不同组分含量对体系微观结构和性能的影响。结果表明,复合基板材料的相对介电常数εr和介质损耗均随着Al2O3含量的增加而增加,当Al2O3质量分数为45%时,复合基板材料的介质损耗为0.0085,εr为4.55(1MHz)。抗弯强度可达到160MPa。

    2010年06期 v.29;No.220 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 1399K]
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  • 频率选择表面谐振特性在吸波材料中的应用

    廖章奇;聂彦;王鲜;王韬;龚荣洲;

    利用等效电路法(ECM)及时域有限差分(FDTD)算法分析了频率选择表面(FSS)在2.0~18.0GHz的传输特性,并进行自由空间法测试;同时对含FSS复合吸波材料进行了仿真分析与弓形法反射率测试。结果表明,利用FSS谐振特性与吸波材料吸收特性相互作用,反射率小于–10.0dB的合格带宽可达到7.2GHz(5.0~12.2GHz),有效展宽了反射率曲线的合格带宽,实现了吸波材料吸收性能的宽频化设计。

    2010年06期 v.29;No.220 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 837K]
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  • 低维Bi_2Te_3热电材料的制备与性能研究

    赵晴;王寅岗;

    用溶剂热法制备了直径在100nm以内的一维针状及厚20~30nm、长几微米的二维花朵状Bi2Te3热电材料,分析了不同形貌产物的生长机理,并对其热电性能进行了比较。结果表明,添加剂的分子结构对产物形貌起决定性作用。不同形貌产物的热电性能随温度变化的机制不同,一维纳米结构Bi2Te3产物的功率因子随温度升高而增加,最大值为143.1μΩ·m–1K–2。而二维纳米结构的Bi2Te3产物虽然在室温附近有较大的Seebeck系数,约100μV/K,但由于其电导率较低,功率因子在较宽的温度范围内保持在23μΩ·m–1K–2左右。

    2010年06期 v.29;No.220 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 1477K]
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  • 烧结温度对CFO/PMN-PT磁电复合陶瓷性能的影响

    裴颖;郭红力;石维;肖定全;朱建国;

    采用传统固相法制备了质量比为1∶4的CoFe2O4/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(CFO/PMN-PT)磁电复合陶瓷,研究了烧结温度(900~1100℃)对所制复合陶瓷性能的影响。结果表明,复合陶瓷中尖晶石结构的CFO与钙钛矿结构的PMN-PT共存,没有其他杂相生成,复合陶瓷的密度以及压电常数d33在1000℃时达到最大值,分别为7.07g/cm3和212pC/N。磁电电压系数αE33随烧结温度的增加逐渐增大,在1100℃烧结时达到最大值8.4mV/A,而磁电电压系数αE31随烧结温度的增加先增大后减小,在1000℃烧结时达到最大值4.8mV/A。

    2010年06期 v.29;No.220 52-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 1296K]
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  • 铁氮共掺杂制备TiO_2及其蓝光下的光催化性能

    张来军;陈发云;邹如意;陈广大;张一兵;

    用硝酸铁和盐酸羟胺分别作Fe源和N源,在TiO2溶胶中同时引入Fe和N,一步合成得到Fe、N共掺杂的纳米TiO2粉末。用XRD等技术研究了焙烧温度和N源量对其晶相结构的影响,并用低功率蓝光LED作光源测试其光催化性能。结果表明,400℃焙烧的Fe、N共掺杂TiO2粉末具有最好的催化性能,2h内对若丹明B的降解率达68.0%。增加N源量,有利于Fe在TiO2晶格中扩散,减小晶粒度;Fe、N共掺杂对TiO2的催化性能具有协同作用,其催化能力明显优于单掺杂样品;降解机理可能与紫外光源有所不同。

    2010年06期 v.29;No.220 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 847K]
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  • 钛酸铋钾陶瓷的sol-gel法制备及性能表征

    何敏;赵苏串;

    以硝酸钾,五水硝酸铋,钛酸四丁酯为原料,采用sol-gel法制备了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)压电陶瓷,分别用DSC-TGA、XRD和FT-IR分析了凝胶的热演化、晶化与相变过程,研究了KBT陶瓷的介电性能。结果表明:600℃烧结即可合成纯钙钛矿相KBT粉体;sol-gel法比传统固相反应法的烧结温度降低约200℃,且能有效控制晶粒长大,抑制杂相生成。所制KBT陶瓷的介电温谱的分析结果显示KBT为典型的弛豫型铁电体。

    2010年06期 v.29;No.220 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 952K]
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  • TiO_2纳米管阵列对染料敏化太阳能电池性能的影响

    包祖国;陶杰;王玲;何雪婷;

    通过恒压阳极氧化法在Ti箔表面制备了结构规整的TiO2纳米管阵列,研究了氧化时间和退火温度对纳米管阵列的尺寸和晶体结构的影响。用制得的纳米管阵列电极组装了染料敏化太阳能电池(DSSC),研究了纳米管长度、退火温度和电极面积对DSSC光电性能的影响。结果表明,纳米管管径和壁厚均与氧化时间无关,而纳米管长度则随着氧化时间延长而增加。在450℃及更低温度退火时,纳米管中只出现锐钛矿相;而在500℃退火时,纳米管中则又出现了金红石相。由厚度为27μm、退火温度为450℃的纳米管阵列电极组装成的DSCC具有最佳的光电转化性能。DSCC的光电转化效率随电极面积的增加而降低。

    2010年06期 v.29;No.220 64-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 1078K]
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编读通信

综合信息

  • 光伏产业期待回归本土市场

    <正>历史学家唐德刚先生认为,自19世纪中叶以来、中国经历了一段由传统社会迈向现代社会的艰难转型期,他称之为"历史三峡",仿佛是沿长江顺流而下的航船,只要冲过三峡这段急流险滩,眼前就是一马平川。如今,中国的太阳能光

    2010年06期 v.29;No.220 17页 [查看摘要][在线阅读][下载 472K]
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  • 关于加快互联网电视产业健康发展的有关意见

    <正>为进一步推进三网融合,加快互联网电视产业健康发展,中国电子视像行业协会组织骨干彩电企业和会员单位积极响应,强化行业自律,并制订如下意见:一、电视机生产企业应与具有资质的视听节目

    2010年06期 v.29;No.220 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 443K]
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  • 2010年中国电视产量将达9550万台

    <正>调研公司iSuppli研究显示,中国电视市场已经是全球舞台上的主角,预计2010年还将有强劲表现。具体表现为电视产量将继续上升,同时液晶电视需求也将大增。作为全球最大的电视生产国,中国2010年电视产量预计将达9550万台,比2009年的8580万台增长11.3%。去年中国占全球整体电视出货量的

    2010年06期 v.29;No.220 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 443K]
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  • 要掌握LED芯片发展客观规律

    <正>尽管我国LED芯片产业这几年有了长足的进步,但是经过了十多年的发展,还是缺少核心技术,发展不快,产品档次较低,这说明了很多问题。这些问题包括,大部分企业没能有效地组建一个高素质的技术团队、质量团队和管理团队;没能建立一个有效激励的体系;

    2010年06期 v.29;No.220 55页 [查看摘要][在线阅读][下载 523K]
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  • 2010年第一季度电子信息制造业增加值同比增长24%

    <正>从工业和信息化部了解到,2010年第一季度,我国电子信息产业延续去年下半年以来的回升向好态势,生产呈现较快增长,经济效益出现恢复性增长,软件产业收入保持平稳增长,总体走上恢复性上升通道。但出口仍未完全恢复危机前的水平,运行中面临的问题和不确定因素依然突出,仍需密切跟踪并及时采取对策。

    2010年06期 v.29;No.220 59页 [查看摘要][在线阅读][下载 555K]
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  • 自动化更多体现在电池和组件生产环节

    <正>光伏设备用户的首要任务之一,是最大限度地降低电池和组件每瓦的成本,一个方法是提高设备自动化的性能。日趋增大的市场需求,使太阳能电池的生产和工艺流程需要更加高效。越来越多的自动化设备用来降低光伏生产过程中的成本和破损率,同时提高效率和产量。

    2010年06期 v.29;No.220 63页 [查看摘要][在线阅读][下载 523K]
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  • 产业上规模 LED应用空间不断扩大

    <正>2009年中国LED显示应用市场持续增长。全国LED显示市场销售总额达到了140亿元。同时,LED显示应用产品走向国际市场,占据了一定的市场份额,基本形成了若干以出口业务为主的骨干企业。全行业技术不断进步,常规产品的标准化和技术体系基本形成,具备了特殊LED显示工程和重大LED

    2010年06期 v.29;No.220 68页 [查看摘要][在线阅读][下载 499K]
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  • 全球光伏产业持续高速成长

    <正>作为可再生能源的重要应用领域,太阳能光伏发电在过去的10年中得到了快速发展。最近10年,全球太阳能电池产量平均年增长率为48.5%;而最近5年,这一数据更是高达55.2%。2009年,全球太阳能电池产量达到10.5GWp,比上年增长33%。可见,光伏产业虽然在2008~2009年之间也受到国际金融危机的影响,但仍然处于快速增长的过程之中。预计2010年全球太阳能电池产量将达到15GWp,2011年则将增加到20GWp以上。

    2010年06期 v.29;No.220 73页 [查看摘要][在线阅读][下载 445K]
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  • 快速扩张中要有过硬创新技术

    <正>最近LED芯片的光效在持续提升,市场批量供货的1W大功率产品光效达到100lm/W以上。随着对封装结构设计的改进及大量新型散热材料的使用,LED封装层面的光衰控制和可靠性提升已达到一个新水平。LED封装所涉及的技术领域涵盖化学、材料学、光学、热学、力学、电子学等多个学科。一项先进

    2010年06期 v.29;No.220 78页 [查看摘要][在线阅读][下载 482K]
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综述

  • 石榴石型微波铁氧体材料的研究进展

    王加仟;杨建;金宇龙;丘泰;

    石榴石型铁氧体材料R3Fe5O12(R=Y,Gd)是微波技术中一种重要的功能材料。综述了高性能石榴石型铁氧体、石榴石型铁氧体材料的制备工艺和低温烧结石榴石型铁氧体等方面的研究进展,归纳了研究中存在的问题,同时对其未来的发展趋势做了展望。

    2010年06期 v.29;No.220 69-73页 [查看摘要][在线阅读][下载 728K]
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  • 低压压敏电阻器的研究进展

    宿元斌;孙丽昙;杨志坚;范坤泰;

    综述了目前国内外研究最多的低压压敏电阻器(ZnO系)、电容–压敏双功能压敏电阻器(SrTiO3系、TiO2系)及新型压敏电阻器(WO3系)的基本组分、掺杂种类、制备工艺、性能及主要应用的研究进展。讨论了在低压压敏电阻器研究和生产方面存在的问题,并对其发展方向进行了展望。

    2010年06期 v.29;No.220 74-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 723K]
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