- 刘兴述;钟朝位;张树人;
采用轧膜成型工艺制备了掺杂有稀土氧化物的钛酸锶钡(BST)陶瓷,研究了不同稀土(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd和Sm)氧化物掺杂对其微观形貌、介电性能和热释电性能的影响。结果表明,Sc掺杂大幅降低了BST陶瓷的εr,严重劣化了BST陶瓷的热释电性能,并引起了长条状晶粒在BST陶瓷中的出现;Y掺杂则显著提高了BST陶瓷的热释电性能,并最终获得了εr为7111、tanδ为0.65×10–2、热释电系数p为5.5×10–7C·cm–2·℃–1、探测率优值Fd为8.49×10–5Pa–1/2的热释电BST陶瓷材料,有望在红外探测领域得到应用。
2010年05期 v.29;No.219 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 947K] [下载次数：356 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：93 ] - 尹丹;周昌荣;刘心宇;成钧;
以准同型相界组成Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3(BNT)为基础配方,In2O3为改性剂,研究了In2O3掺杂量对Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅陶瓷晶体结构和电性能的影响。XRD分析表明,所有样品的相结构均为纯钙钛矿固溶体。陶瓷的晶粒尺寸随掺杂量的增加而增加。介电常数-温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰tf和tm,在tm的介电常数εm随掺杂量的增加而下降,tf和tm都随掺杂量的增加向高温移动。当In2O3摩尔分数为0.1%时,压电性能达最大值:d33=141pC/N,kp=0.32。
2010年05期 v.29;No.219 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 1777K] [下载次数：161 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：185 ] - 吕贤亮;钟朝位;张树人;
分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料,对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响。研究表明:对于轧膜工艺而言,电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应,瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料。和流延工艺相比,轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料εr较大,电容量温度变化率较小。
2010年05期 v.29;No.219 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 1020K] [下载次数：327 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：93 ] - 何春中;张树人;唐斌;周晓华;
为实现低温烧结,采用固相反应法制备了H3BO3掺杂改性的BaO-3TiO2微波介质陶瓷,研究了H3BO3掺杂量对其烧结温度和介电性能的影响,并与H3BO3掺杂改性的BaTi4O9陶瓷进行了对比研究。结果表明,H3BO3掺杂能使BaO-3TiO2陶瓷的烧结温度降低到950℃,原因是烧结过程中形成了熔点约为899℃的液相BaB2O4。当掺杂质量分数为3%的H3BO3时,制备的BaO-3TiO2微波介质陶瓷具有良好的介电性能:εr=34.1,Q·f=9000GHz(4.0GHz),略优于H3BO3掺杂改性的BaTi4O9陶瓷。
2010年05期 v.29;No.219 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1394K] [下载次数：145 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：97 ] - 曹良足;殷丽霞;
为了改善ZnTiO3介电陶瓷的性能,研究了Nd2O3和Sm2O3掺杂对ZnTiO3陶瓷结构与介电性能的影响,借助TEM型同轴谐振器测量陶瓷的微波介电性能。研究表明,掺杂Sm2O3形成新相Sm2Ti2O7,少量Sm2O3掺杂能有效抑制ZnTiO3分解;掺杂Nd2O3形成新相Nd2Ti2O7和Nd4Ti9O24;Nd2O3和Sm2O3掺杂均能提高谐振器的无载Q值,且Nd2O3的掺杂效果优于Sm2O3:Nd2O3掺杂能使陶瓷的τf从正值向负值变化,通过调整Nd2O3掺杂量(质量分数5%～10%),可获得τf近零、无载Q值大于260的陶瓷组成,可用于制备分米波段的滤波器。
2010年05期 v.29;No.219 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 1744K] [下载次数：220 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：102 ] - 谷睿;魏灵灵;杨祖培;
以SrCO3、BaCO3和Nb2O5为原料,采用传统固相法制备了SrxBa1-xNb2O6(SBN,x=0.49～0.56)无铅压电陶瓷。研究了SBN陶瓷组分及烧结温度对其相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,所有陶瓷组分在1380℃下烧结均可获得钨青铜结构单相。随着x值的增大,陶瓷致密化速度减慢,晶粒生长趋向均匀,介电性能提高,居里温度向低温方向移动。借助居里外斯公式证明了所有陶瓷组分均为典型的弛豫型铁电体。
2010年05期 v.29;No.219 18-21+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 2227K] [下载次数：277 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：100 ] - 刘晗;张树人;周晓华;李波;
研究了SiO2-MgO-CaO-BaO-TiO2-WO3烧结助剂作用下Nb2O5对氧化铝陶瓷性能和显微结构的影响(烧结温度1350℃),并用扫描电子显微镜观察了不同Nb2O5含量的氧化铝陶瓷的显微结构。结果发现:未加入Nb2O5时氧化铝的抗弯强度为365MPa,加入质量分数为0.4%或0.6%的Nb2O5后氧化铝陶瓷中晶粒出现异向生长,抗弯强度明显提高,超过400MPa。
2010年05期 v.29;No.219 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1359K] [下载次数：237 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：108 ] - 朱道云;周方桥;丁志文;
采用耗尽层近似理论,分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性,并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较。结果表明,在晶界势垒不太高(一般为零点几电子伏)及晶界电场强度不太大(约106V/m量级)的情况下,TiO2系压敏陶瓷晶界的电子传输机制不同于ZnO系压敏陶瓷,而与SrTiO3系压敏陶瓷的导电机制相似,属于肖特基热电子发射机制。
2010年05期 v.29;No.219 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 786K] [下载次数：140 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：71 ] - 牛新书;孙静霞;邓伟娜;周建国;
以胶溶法制备的WO3和sol-gel法制备的La2O3为原料,采用固相研磨法制备了掺杂剂质量分数w(La2O3)为0.5%～7.0%的La2O3-WO3纳米粉体,利用XRD、TEM等测试手段分析了粉体的微观结构,采用静态配气法测试了由所制粉体制成的气敏元件对丙酮的气敏性能。结果表明,制得的La2O3-WO3纳米粉体结晶良好,平均粒径为60nm;当工作电压为4.5V,w(La2O3)为5.0%时,粉体在600℃下烧结制得的气敏元件对体积分数为50×10–6的丙酮的灵敏度可达37.6,响应时间和恢复时间分别是1s和11s。
2010年05期 v.29;No.219 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1268K] [下载次数：184 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：114 ] - 桂阳海;崔瑞立;莫元妙;牛连杰;
采用水合肼法制备WO3粉体,再以无水FeCl3作氧化剂,通过原位化学氧化聚合制备了不同聚噻吩(PTh)掺杂量的PTh/WO3复合纳米材料。并研究了用其制备的气敏元件的气敏性能。结果表明:气敏元件对H2S和NOx有较高的灵敏度和较好的选择性。用质量分数w(PTh)为5%的PTh/WO3复合纳米材料制备的气敏元件,在加热电压为2.25V时,对体积分数φ(NOx)为5×10–6的灵敏度可达77.14;用w(PTh)为20%的PTh/WO3复合纳米材料所制之气敏元件,在加热电压为2.43V时,对φ(H2S)为20×10–6的灵敏度达63.27。
2010年05期 v.29;No.219 32-34+40页 [查看摘要][在线阅读][下载 824K] [下载次数：407 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：80 ] - 范莉莉;王荣;孟建新;曹丽伟;彭文芳;
以CaCl2、TiCl4和NaOH为原料,在葡萄糖存在下用水热法制备了球形CaTiO3粉体。研究了合成条件对CaTiO3粉体结构和形貌的影响。XRD、SEM分析表明:添加葡萄糖后纯CaTiO3形成的温度由100℃提高到160℃以上,最佳制备条件是反应温度200℃,反应时间2h,c(葡萄糖)为1.25mmol/L,c(NaOH)为0.5mol/L。在此条件下可获得结晶性很好、粒径分布为200～300nm的球形CaTiO3粉体。该粉体高温煅烧后,产物的形貌和粒度变化不大,并保持了良好的分散性。
2010年05期 v.29;No.219 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 2567K] [下载次数：417 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：91 ] - 陈梓贤;岑远清;蒋建新;
采用矢量网络分析仪测量片式电容器的S参数、射频电路设计模拟仿真软件和Y参数二端口网络模型提取等效串联电路的C、L、R参数,研究了片式电容器在射频电路中的分布参数,并由此计算出不同频率下片式电容器的Q值。结果表明:该方法能够准确地得出片式电容器在射频电路中的分布参数,并能反映出片式电容器的频率特性。
2010年05期 v.29;No.219 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 847K] [下载次数：108 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：85 ] - 郭永兴;李泽胜;林琳;李庆余;王红强;
以Mn(NO3)2、活性中间相碳微球(活性MCMB)为原料,采用KBrO3氧化法,成功制备了MnO2/活性MCMB新型复合电极材料;以该材料制成电极,并以质量分数为30%的KOH溶液为电解液,组装成扣式电容器。通过XRD和SEM分析了MCMB,活性MCMB及MnO2/活性MCMB的晶相结构和表面形态;采用循环伏安、交流阻抗和恒流充放电法研究了电容器的电容性能。结果表明:以MnO2/活性MCMB复合电极制成的电容器电容性能优良。在0.5A/g电流密度下,其充放电曲线表现出典型的电容行为,初始比容量高达403.5F/g,相应能量密度为12.5Wh/kg;其循环伏安曲线关于零电流线对称,呈现为较规则的矩形;其等效串联电阻约为0.7Ω。
2010年05期 v.29;No.219 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 1755K] [下载次数：435 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：115 ] - 余为国;杨传仁;陈宏伟;娄非志;张继华;
在被釉氧化铝陶瓷基片上,采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au/NiCr电极薄膜及氮化硅(SiNx)介质薄膜,并对薄膜进行光刻图形化,制成了Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr结构的MIM电容器。研究了所制电容器的介电性能、介温性能和I-V特性等电学性能。结果表明:所得MIM电容器具有很低的介电损耗(1MHz时tanδ为0.00192)及很高的电压稳定性;在–55～+150℃的范围内其1MHz时的电容温度系数为258×10–6/℃;另外,其I-V特性曲线显示出较好的对称性,漏电流密度较低,可承受较高的电压。
2010年05期 v.29;No.219 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1123K] [下载次数：357 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：101 ] - 尹立孟;刘亮岐;杨艳;
对比研究了三种典型标称成分的Sn-Ag-Cu钎料(即日本JEIDA推荐的Sn-3.0Ag-0.5Cu、欧盟IDEALS推荐的Sn-3.8Ag-0.7Cu和美国NEMI推荐的Sn-3.9Ag-0.6Cu)的显微组织特征、熔化特性、润湿性以及钎焊接头微焊点的力学性能等。结果表明,三种钎料的组织和性能非常接近。然而从性价比等方面综合考虑,Sn-3.0Ag-0.5Cu为三种钎料中最具优势的替代传统Sn-Pb钎料(共晶和近共晶钎料)的无铅合金。
2010年05期 v.29;No.219 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 1874K] [下载次数：405 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：109 ] - 蒋文军;李宏杰;卫海民;张志旭;
为了提高电子器件封接玻璃材料的性能,采用固相烧结法制备了B2O3-ZnO-CaO无铅电子封接玻璃材料,并研究了其成分与性能的关系。结果表明:当w(B2O3)为45%,w(ZnO)为34%,w(CaO)为10%,w(Na2O)为2%,w(K2O)为3%,其他成分为质量分数6%时,可制得一种封接温度低于600℃,tk–100≥300℃,击穿场强≥23×106V/mm,线膨胀系数为≤7.0×10–6,抗折强度在117.65～146.57MPa的低熔点无铅电子封接玻璃材料。
2010年05期 v.29;No.219 51-53+56页 [查看摘要][在线阅读][下载 786K] [下载次数：288 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：89 ] - 杨颖;何为;王守绪;陈苑明;胡可;
导电油墨(导电银浆等)是以全印制电子技术制作印制电路板的关键材料。研究了以环氧树脂为连结剂、自制超细银粉为填料、聚乙二醇等材料为添加剂的复合导电银浆配方及制备方法。研究获得的最佳配方为:w(银粉)为70%～80%,其他各组分之间的质量比ζ(环氧树脂∶四氢呋喃∶固化剂∶聚乙二醇)=1.00∶(2.00～3.00)∶(0.20～0.30)∶(0.05～0.10)。在最佳配方范围内,复合导电银浆室温固化后电阻率小于100Ω/cm,有机物挥发少,对环境友好,符合实际应用要求。
2010年05期 v.29;No.219 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 765K] [下载次数：2162 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：32 ] |[阅读次数：108 ] - 秦俊虎;李树祥;刘宝权;吕金梅;
针对当前高卤素无铅焊锡膏腐蚀性较大的缺点,研制出一种低卤素无铅焊锡膏,并测试其主要性能参数,如黏度、润湿性、卤素含量、坍塌性等。结果表明:该焊锡膏的黏度为195Pa·s,卤素质量分数为0.023%,其他性能符合IPCJ—STD—005等行业要求。
2010年05期 v.29;No.219 57-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 788K] [下载次数：341 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：67 ] - 贺海平;邓宏;陈金菊;
以CaO-Al2O3-SiO2-Y2O3玻璃作为基础玻璃(添加微量Ce),采用不同的热处理方法制备了白光LED荧光微晶玻璃。通过对比样品的测试数据,总结出了较为理想的热处理工艺。研究表明,采用整体析晶工艺,在1150℃、热处理1h,得到了主晶相为Ce:YAG的荧光微晶玻璃。其激发波长为462.2nm,发射波长为530.2nm,适合作为白光LED的封装材料。
2010年05期 v.29;No.219 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 1144K] [下载次数：619 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：95 ] - 任凌云;佘希林;王士财;孙瑾;
为了制备结构规整的Fe纳米线阵列,以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用直流电沉积法制备了Fe纳米线阵列,并利用SEM、TEM、XRD等测试手段对其微观形貌和结构进行了表征。结果表明:所得的Fe纳米线阵列结构规整、直径与模板孔径基本一致,约为250nm,是结构紧密的多晶体。
2010年05期 v.29;No.219 64-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 1134K] [下载次数：255 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：107 ] - 罗玉亮;林培豪;杨涛;
采用HDDR方法制备了磁各向异性NdFeCoB合金磁粉,并研究了添加Cu、Mo、Ni对其磁性能和磁各向异性的影响。结果表明:加入少量的Cu、Mo可以增加该合金的剩磁Br和矫顽力Hci,但随着其含量的增加,Br与Hci降低,当铜摩尔分数x为0.1时,Br达到最大值1.12T;钼摩尔分数y为0.7时,Hci可达到752.4kA/m;磁各向异性(以取向度cosθ计)会随x的增加而增加,在x为0.7时cosθ达到0.73;随着Mo摩尔分数y的增加,cosθ先增大后减少。随着Ni摩尔分数z的增加,Br变化很小,Hci降低,cosθ增加。
2010年05期 v.29;No.219 67-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 1749K] [下载次数：67 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：112 ]