- 刘超英;刘心宇;江民红;刘久元;马家峰;
采用传统固相合成法制备了BiCrO3掺杂Na0.5K0.5NbO3无铅压电陶瓷。借助XRD、SEM等手段对该陶瓷的显微结构与电性能进行了研究。结果表明,当BiCrO3掺杂量为0.2%～1.0%(摩尔分数),样品均为ABO3型钙钛矿结构。当BiCrO3掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,所得陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因素Qm、斜方–四方相变温度tO-T和居里温度tC分别为138pC/N,0.32,30,175℃和410℃。
2010年03期 v.29;No.217 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 2059K] [下载次数：184 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：91 ] - 权微娟;刘敏;周洪庆;
采用固相反应法制备了Mg4Nb2O9微波介质陶瓷,研究了添加V2O5对其烧结温度、微观结构和介电性能的影响。结果表明:当添加0.5%(质量分数)的V2O5时,Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度从1350℃降低到1150℃,烧结温度范围拓宽为1150～1300℃;在1150℃烧结5h后,其介电性能达到最佳:εr=11.86,Q·f=99828GHz(11.2GHz),τf=–57×10–6/℃(10～90℃,1MHz)。当w(V2O5)增大到1.5%时,Mg4Nb2O9陶瓷的介电性能变差。
2010年03期 v.29;No.217 4-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 1107K] [下载次数：183 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：135 ] - 郑兴华;刘馨;汤德平;刘旭俐;郑可炉;
采用固相反应法制备了BiFeO3掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对CCTO陶瓷的烧结性能、晶体结构和介电性能的影响。结果表明,BiFeO3掺杂改善了CCTO陶瓷的烧结性能。随BiFeO3掺杂量的增加,CCTO陶瓷的晶格常数和εr均先增大而后减小;而tanδ先几乎不变而后增大。当x(BiFeO3)为0.5%,1040℃烧结的CCTO陶瓷样品在1kHz时具有巨介电常数(εr=14559)和较低的介质损耗(tanδ=0.12)。
2010年03期 v.29;No.217 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 1630K] [下载次数：174 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：93 ] - 张志德;林霖;金玲;
采用传统固相反应法制备了Sr1–xBaxBi4Ti4O15(x=0～1.0)铁电陶瓷,研究了Ba取代量对其烧结性能和介电性能的影响。结果表明,适量Ba取代促使陶瓷样品烧结温度由1240℃降至1130℃左右,tanδ降至20×10–4,体积电阻率ρv提高一个数量级,同时居里峰显著展宽,居里温度tC下降。当x=0.7时,在1130℃烧结6h获得的陶瓷样品综合介电性能较好:εr≈150,tanδ=53×10–4,ρv=1.7×109Ω·m,tC≈430℃。
2010年03期 v.29;No.217 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 771K] [下载次数：92 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：108 ] - 魏轶博;段利兵;刘广耀;王通;冯晓梅;
采用固相反应法制备了Nd0.5Sr0.5Co1–xMnxO3多晶样品(0≤x≤1)。利用X射线衍射仪和Rietveld方法精修程序分析了样品的晶体结构;对样品的磁性和电输运性能进行了测量。结果表明:样品均为斜方晶系单相结构,空间群为Imma。样品的晶格常数a、b、c,晶格平均扭曲率D和有效磁矩μeff随着Mn含量x的增加而增大,促使Co离子向高自旋态转变。在x≥0.6时,样品中Co离子都处于高自旋态。在样品中,Mn替代了Co,Mn—O—Co的反铁磁性超交换作用与Co3+—O2–—Co4+的铁磁性双交换作用相互竞争破坏了样品的金属导电行为,致使当x≥0.2时,样品表现出半导体导电行为。
2010年03期 v.29;No.217 15-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 1034K] [下载次数：107 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：109 ] - 徐超;卢佃清;刘学东;熊远禄;
为了提高NiCo铁氧体Ni1–xCoxFe2O4(x=0,0.1,0.3和0.5)的抗电磁干扰特性,采用柠檬酸sol-gel自蔓延法制备了纳米晶粒的NiCo铁氧体样品。利用XRD、VSM和矢量网络分析仪,测定了样品的晶体结构和磁性能及电磁性能。结果表明:在0.1～1.5GHz频段,Co含量x=0.1时样品的tanδ比x=0时提高了一倍以上。但Co含量的进一步增加却使样品的损耗特性变差,例如x=0.5时的tanδ仅为x=0时的40%,这与Co2+占位和晶粒度大小有密切关系。
2010年03期 v.29;No.217 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 904K] [下载次数：139 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：122 ] - 施文;姜涛;邹继伟;钟武;余大斌;
为了提高Bi2Te3热电材料的性能,采用Bi2Te3纳米粉体前驱物快速熔炼烧结法,制备了在室温条件下具有温度敏感性的Bi2Te3合金材料,在425K时此材料的热电优值达到0.548。在此基础上,研制了热电模块,并对其性能进行了测试。结果表明,以该Bi2Te3合金材料制备的热发电模块具有良好的伏安特性和稳定的内阻,当热冷端温度分别为140和60℃时,模块的最大输出功率可达到0.39W,显现出潜在的应用前景。
2010年03期 v.29;No.217 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 936K] [下载次数：178 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：95 ] - 刘世杰;丘泰;黄东;冯永宝;
为了提高石墨吸收剂的阻抗匹配能力,改善其吸波性能,采用化学镀法对石墨表面进行镀Ni-P改性。研究了镀层的相组成、形貌、成分和样品的电磁吸波性能。结果表明:石墨表面包覆了一层非晶态Ni-P镀层;与原始石墨相比,在2GHz时,镀Ni-P非晶石墨复合材料的ε′和ε″分别明显降低至6.6和0.4,μ′和μ″分别略微增加至1.08和0.26,其吸收频带得到展宽,在14GHz的最小反射率为–7.0dB,反射率小于–5dB的吸收频带宽达4GHz。
2010年03期 v.29;No.217 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1380K] [下载次数：221 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：87 ] - 赵敬伟;刘保亭;郭颖楠;边芳;陈剑辉;
采用磁控溅射法制备La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜、sol-gel法制备Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)薄膜,在玻璃和Ti-Al/Si衬底上构架了LSCO/PZT/LSCO电容器,研究了衬底对LSCO/PZT/LSCO电容器结构和铁电性能的影响。研究发现:虽然生长在两种衬底上的PZT薄膜均为钙钛矿结构多晶薄膜,但是,生长在玻璃衬底上的LSCO/PZT/LSCO电容器具有更好的铁电性能。玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度(Pr)为28×10–6C/cm2,矫顽电压(Vc)为0.96V;而硅基LSCO/PZT/LSCO电容器的Pr为25×10–6C/cm2,Vc为1.05V。
2010年03期 v.29;No.217 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 1182K] [下载次数：128 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：130 ] - 龙博;唐伟;杨邦朝;
为了减小LTCC微带传输线损耗,提升电路传输性能,设计了一个LTCC50Ω标准匹配微带线实验。利用矢量网络分析仪测量了微带线损耗,并依据电子显微镜对电路的检测结果分析了损耗产生的原因。结果显示,在10GHz频率下,微带线损耗约为0.6dB。提出了减小微带线高频损耗的有效方法,如提高光绘膜精度和丝网精度等。
2010年03期 v.29;No.217 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1181K] [下载次数：462 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：97 ] - 祝蕾;雷永平;夏志东;林健;尹兰礼;
通过筛选试验,调整溶剂、松香和活化剂的含量,确定助焊剂中主要成分的最佳配比。根据国标GB/T9491—2002,测试助焊剂的扩展率、腐蚀性及其他性能,并根据日本工业标准JISZ3198—4—2003进行润湿力测试。结果表明:当助焊剂中有机酸活化剂质量分数为9%、m(水白松香):m(聚合松香)为2:3时,助焊剂具有良好的物理稳定性和润湿性,平均扩展率最高能达到76.00%。焊后铜片无腐蚀,残留物少且成透明膜状。
2010年03期 v.29;No.217 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 992K] [下载次数：664 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：20 ] |[阅读次数：125 ] - 代宣军;吴兆华;
通信微波多芯片组件(MCM)内不合理的芯片布局将会导致电磁干扰加剧。对具有不同布局的MCM多层布线基板的电磁场进行了仿真分析,并以仿真分析结果作为样本数据,建立了基于LMBP神经网络的MCM布局电磁场预测模型,然后用该模型对两种单面芯片布局下的MCM的坡印廷矢量数值进行了预测。结果显示,MCM电磁场的仿真与模型预测差值分别为0.332e–7W/m2和0.263e–7W/m2,证明了该预测模型的可用性。
2010年03期 v.29;No.217 42-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 1286K] [下载次数：123 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：73 ] - 李靖;丁君;郭陈江;徐千;
提出一种以人工电磁材料作为介质基板的矩形微带贴片天线。通过改变人工电磁材料各单元的几何尺寸来控制介质基板的参数变化,以构成非均匀介质基板,使得贴片辐射边的辐射性能提高,从而有效提高了带宽。对设计的非均匀介质微带天线使用HFSS软件仿真。结果表明,普通均匀介质微带天线电压驻波比VSWR≤2时带宽只有0.5GHz,相对带宽为6.7%,而以人工电磁材料为非均匀介质基板的微带天线VSWR≤2时带宽达到1.6GHz,相对带宽达到20.0%。
2010年03期 v.29;No.217 47-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 1159K] [下载次数：382 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：92 ] - 米远祝;颜学敏;
以Ni(Ac)2·4H2O为原料,无水乙醇为溶剂和还原剂,利用乙醇热还原法,在不锈钢反应釜中,于230℃反应24h,制备了空心镍球(样品)。并用TEM、SEM和XRD研究其微结构及磁性能。结果表明:该球为单相的面心立方结构,含有约60%空心镍球结构及一些环状、半环状和半球状结构,直径在400～700nm;磁矫顽力为962.9A/m。最后探讨了空心镍球的形成机理。
2010年03期 v.29;No.217 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 1387K] [下载次数：238 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：104 ] - 黄啸谷;陈娇;王丽熙;宋杰;许乃岑;张其土;
采用sol-gel法合成了Ba(Zn0.3Co0.7)2Fe16O27六方铁氧体样品。通过XRD、SEM和Agilent8722ET网络分析仪等表征手段,研究了样品的显微结构、电磁特性及吸波性能。结果表明:在1250℃下制得的样品基本为单一相的Ba(Zn0.3Co0.7)2Fe16O27铁氧体。样品在14GHz附近出现介电损耗峰,在8～12GHz和15～17GHz内出现很宽的磁损耗。当吸波涂层厚度为1.85mm时,在15.3GHz左右反射损耗峰值可达到–23dB,并且在9～18GHz内反射损耗RL小于–10dB,具有优异的微波吸收性能。
2010年03期 v.29;No.217 54-56+61页 [查看摘要][在线阅读][下载 1071K] [下载次数：258 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：92 ] - 张阳;李建玲;韩桂梅;李文生;王新东;
以蔗糖为前驱体,SBA—15介孔分子筛为模板合成了有序介孔炭(OMC)。研究了OMC的结构及电容性能。结果显示:OMC具有二维六方(P6mm)有序结构,比表面积为1046m2/g,孔径为3.7nm,孔容为1.27cm3/g,在1mol/L的硫酸溶液中有良好的电容特性。在充放电电流密度为200mA/g时,OMC比容量达到127.2F/g,当电流密度增大到1200mA/g时,其比容量仍维持在109.8F/g,能够满足快速充放电的要求。较之普通活性炭,OMC的时间常数从10s缩短为5s,高频电容特性和功率性能优异。
2010年03期 v.29;No.217 57-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 2108K] [下载次数：283 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：131 ] - 韦佳;王贵欣;闫康平;严季新;
采用恒流恒压法化成制备高压铝阳极箔,研究了硼酸溶液中添加五硼酸铵对化成液的表面张力、电导率及化成铝箔耐电压和比电容的影响,探讨了五硼酸铵在铝箔高压化成液中的作用机理。结果表明:在硼酸化成液中添加的微量五硼酸铵提高了化成液的表面张力和电导率,改变了化成液的电离平衡,使化成铝箔的耐电压提高了约5%。
2010年03期 v.29;No.217 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 787K] [下载次数：361 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：82 ] - 吴松平;骆建辉;付贤民;丁晓鸿;
采用固相法在880～975℃下烧结制备了添加w(CuO)为2.00%,w(B2O3)为3.00%及w(SnO2)为0.15%的ZnNb2O6-1.75TiO2基复合微波介质陶瓷。研究了该陶瓷的低温烧结机理、微波介电性能及其在多层片式陶瓷电容器中的应用。结果显示:随着烧结温度的提高,物相由Zn2TiO4,Zn0.17Nb0.33Ti0.5O2,ZnNb2O6向ZnTiNb2O8转变,εr和τf减小,Q·f升高。但当t≥975℃时,出现过烧现象,晶体缺陷增多恶化了材料的Q·f。在950℃烧结4h时,得到最好的介电性能:εr=36.7,τf=–22.6×10–6/℃,Q·f=18172.2GHz。且在此温度下制备的多层片式陶瓷电容与内电极Ag90Pd10的兼容性良好,Res为0.3426Ω,tanδ为9×10–5,可靠性良好。
2010年03期 v.29;No.217 65-67+72页 [查看摘要][在线阅读][下载 1252K] [下载次数：310 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：155 ] - 王惠娟;万里兮;吕垚;李宝霞;高巍;
采用在半导体材料表面深刻蚀三维图形以形成稳固蜂窝结构的方法,研究了一种适用于解决高频电路和系统级封装中串扰耦合问题的高密度、低寄生电感、制作及排布容易的硅基电容。结果显示,所制作的电容,其密度可增大至普通平面半导体电容的10倍以上,并较大程度地降低了电容的寄生电感,使其性能大大优于常用商业陶瓷电容,更适用于高频电路和系统级封装中的有效退耦。
2010年03期 v.29;No.217 68-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 1149K] [下载次数：206 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：120 ] - 李恒;张建民;王艳坤;
采用化学沉淀法制备了MnO2/13X分子筛复合材料,并使用XRD对其结构进行了分析。在浓度为1mol·L–1、电位为–0.10～+0.58V的KOH电解液中,应用循环伏安和恒流充放电技术对该复合材料的电化学电容性能进行了研究。结果显示:在制得的MnO2/13X复合材料中,MnO2具有无定形结构。当MnO2质量分数为30%时,在100mA·g–1电流密度下,该复合材料的比电容达到134F·g–1,电化学电容性能良好。
2010年03期 v.29;No.217 73-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 906K] [下载次数：163 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：107 ]