- 张亚磊;杨成韬;于永杰;解群眺;
以铁和钴的硝酸盐为主要原料,采用sol-gel旋涂法在Si(001)基片上制备了不同厚度的CoFe2O4(CFO)薄膜。研究了薄膜厚度对其结构、形貌及磁性能的影响。结果表明:随着其厚度的增大,薄膜的结晶度变好,薄膜晶粒度逐渐增大到70nm。Ms随着薄膜厚度的增大先增大后减小;Hc的变化规律和Ms相反。当薄膜厚度为800nm时,Ms达到最大值59.2A·m2/kg,此时Hc最小为106.7kA/m。该薄膜具有高度的平行各向异性。
2010年02期 v.29;No.216 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 713K] [下载次数：220 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：107 ] - 郭红霞;罗柏平;李永卿;王澈;王群;
将镀银导电纤维填料与硅橡胶复合,制备了柔性导电橡胶复合材料。研究了导电橡胶电导率、电阻蠕变行为及压阻性能随填料长径比、含量的变化。结果表明:导电橡胶的渗流阈值,随着镀银导电纤维填料长径比的增大而减小;恒定应力下,导电橡胶的电阻蠕变表现为电导率随时间非线性增加;在1.0MPa应力范围内,导电橡胶电导率的变化呈现出正压阻变化效应(PPCR);随着填料质量分数的增大,压应力的增加,导电橡胶的压阻效应变得不明显。
2010年02期 v.29;No.216 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 764K] [下载次数：538 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：102 ] - 宋杰;陈志钢;许乃岑;王丽熙;张其土;
采用sol-gel燃烧法制备了稀土Dy3+掺杂的LiZnMg铁氧体[Li0.1Zn0.8Mg0.06(Fe2.04–xDyx)O4]。借助XRD、SEM和Agilent 8722ET网络分析仪等表征手段,研究了Dy3+掺杂量对其显微结构及电磁性能的影响。结果表明,当Dy3+掺杂量x为0.01时,其晶格常数a由未掺杂时的0.84478nm增加到0.84494nm;μ''和tanδ峰值分别由未掺杂时的0.307和0.53增加到0.330和0.61。
2010年02期 v.29;No.216 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 811K] [下载次数：108 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：94 ] - 汪婧妍;高兆芬;潘庆谊;徐甲强;
采用溶剂热–退火反应法合成了氧化铟空心球。所获空心球用XRD,TEM和SEM等表征。发现所合成的氧化铟空心球直径介于0.5~1.0μm,且该空心球是由粒径约50nm的氧化铟纳米块堆积而成。研究了用此空心球制备的气敏元件的气敏性能。结果表明,氧化铟空心球结构有益于提高元件的响应性能。此外,该元件对NO2气体有较快的响应(8s)并且恢复时间较短(15s)。
2010年02期 v.29;No.216 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 790K] [下载次数：428 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：105 ] - 魏少红;冯青琴;牛新书;
采用共沉淀法制备了w(ZnS)为0~0.2%的ZnS-WO3纳米粉体,利用X射线衍射仪分析了粉体的微观结构,探讨了ZnS掺杂量、工作温度对由所制粉体制成的气敏元件的气敏性能的影响。研究发现:适量的ZnS掺杂抑制了WO3晶粒的生长,提高了粉体对H2S的灵敏度。其中,掺杂ZnS的质量分数为1.0%的烧结型气敏元件,在160℃时对体积分数为0.001%的H2S的灵敏度达到87,响应时间7s,恢复时间12s。
2010年02期 v.29;No.216 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 705K] [下载次数：205 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：107 ] - 赵霞妍;袁昌来;黄静月;刘心宇;李擘;
以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明:烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98~13.40kΩ、931~1855K和0.08~0.16eV。
2010年02期 v.29;No.216 17-19+23页 [查看摘要][在线阅读][下载 911K] [下载次数：241 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：88 ] - 张蓓;黄焱球;宛新武;晏秋实;刘甜甜;
分别采用熔盐法和固相反应法预制的Ba0.85Sr0.15TiO3(BST)粉体,制备了BST-ZnO复合陶瓷。对陶瓷的晶相组成、微观形貌特征及介电性能进行了研究。结果表明,BST-ZnO复合陶瓷微观结构及介电性能受BST粉体性质的影响显著。以熔盐法预制BST粉体时,陶瓷的ZnO晶粒显著长大,其εr可达104量级。而以固相反应法预制BST粉体时,陶瓷的ZnO晶粒较小。当r(BST:ZnO)=0.4时产生纤维状ZnO晶粒,并在16~20℃附近出现与BST材料相似的相变特征。
2010年02期 v.29;No.216 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 1000K] [下载次数：388 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：104 ] - 焦向全;钟朝位;张树人;
采用固相反应法,在0.92MgTiO3-0.08CaTiO3配比的基础上,制备了不同Mg2SiO4添加量的MgO-TiO2-CaO-SiO2复合陶瓷体系,研究了Mg2SiO4添加量对其物相结构、微观形貌及微波介电性能的影响。结果表明,体系中不存在杂相,其致密化烧结温度随Mg2SiO4添加量的增加而提高,添加适量Mg2SiO4能够降低体系的εr和谐振频率温度系数τf。当添加质量分数为35%的Mg2SiO4,体系在1360℃烧结2h可获得优异的微波介电性能:εr=15.5,Q·f=42640GHz(6GHz),τf=–13×10–6/℃。
2010年02期 v.29;No.216 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 925K] [下载次数：313 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：120 ] - 李兆喜;沈春英;丘泰;
以柠檬酸为络合剂,通过sol-gel法制备了Ba3.99Sm9.34Ti18O54陶瓷前驱体;经1100℃预烧2h压片成型后,再在1300℃保温3h,即得到了烧结致密的陶瓷样品。与传统固相法相比,其烧结温度降低了50℃,且陶瓷晶粒细小,晶粒分布均匀,具有更加优良的微波介电性能:εr=79.56,Q·f=9636GHz(4.71GHz),τf=–1.23×10–6/℃。
2010年02期 v.29;No.216 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 830K] [下载次数：153 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：131 ] - 高旭芳;丘泰;
采用固相反应法,在不同温度(1100~1250℃)下预烧后烧结制备了Ba4La9.33(Ti0.95Zr0.05)18O54微波介质陶瓷,研究了预烧温度对其相组成、显微结构以及微波介电性能的影响。结果表明:不同预烧温度下制备的陶瓷样品主晶相均为类钨青铜结构的BaLa2Ti4O12晶相。1200℃预烧制备的陶瓷样品晶粒为典型的柱状晶,分布均匀,且晶粒尺寸最大。1200℃预烧后,于1400℃烧结制备的陶瓷样品具有最佳的微波介电性能:εr=86.83,Q·f=5875GHz(4.482GHz),τf=81.99×10–6/℃。
2010年02期 v.29;No.216 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 934K] [下载次数：150 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：124 ] - 路标;张树人;周晓华;李波;唐斌;
用行星球磨机把相同原料球磨不同时间后,制得了不同粒度的CaO-B2O3-SiO2系用于制造LTCC的粉体材料;采用统一的固相烧结陶瓷工艺过程把LTCC粉体材料制备成陶瓷;研究了粉体粒度对瓷体晶相组成、微观形貌及析晶温度等物理性能的影响。结果表明,粉体粒度减小有助于烧结,但粒度过小会使液相在烧结过程中过早出现并包裹住未及排出的气体,从而导致瓷体结构不致密。最终确定球磨时间为7h,中位径为1.29μm,比表面积为7.344m2/g的粉体有较好的综合性能,用其制得的LTCC εr为6.053,tanδ为2.33。
2010年02期 v.29;No.216 34-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 879K] [下载次数：306 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：121 ] - 郭坚;丘泰;
采用机械球磨法,以Al(H2PO4)3和H3PO4为改性剂,制备了具有较高抗水解能力的AlN粉末,研究了改性AlN粉末在水基球磨过程中的稳定性。通过XRD,FT-IR,SEM,TG-DSC和氮含量测定对改性前后AlN粉末进行了表征。改性AlN粉末在60℃水中浸泡24h后,其w(N)为32.97%,且其XRD谱中未发现Al(OH)3相,其抗水解能力得到显著提高。改性AlN粉末在水中高速球磨16h后,其w(N)约为32%,AlN悬浮液的pH值约为6,说明改性AlN粉末在水中球磨过程中具有较好的稳定性。
2010年02期 v.29;No.216 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 929K] [下载次数：148 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：88 ] - 陈远强;张易宁;程贤甦;
采用化学聚合和电化学聚合两步法制作聚吡咯(PPy)铝电解电容器,研究了电化学聚合温度对PPy的微观形貌及聚吡咯铝电解电容器的电容和等效串联电阻Res的影响,结果表明:在10～20℃聚合所得到的聚吡咯铝电解电容器的电性能都比较理想,尤以15℃电化学聚合的为最优,其电容最大为12.6μF,Res最小为32mΩ。并且在此温度条件下制备的PPy致密性高,颗粒大小均匀。
2010年02期 v.29;No.216 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 761K] [下载次数：373 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：92 ] - 李魁;曾振欧;赵国鹏;冯耀邦;高泉涌;
研制了以支链多元羧酸铵混合物为主电解质、癸二酸铵为辅助电解质、乙二醇和二甘醇为混合溶剂的工作电解液(σ30℃≈2.2×10–3S/cm,Us≥480V,pH值为5.8～6.3),并以此制备了铝电解电容器(400V、4.7μF(φ10mm×17mm));采用纹波实验和整灯实验方法考察了制得的铝电解电容器的性能。结果表明:所制得的电容器具有低漏电流、耐大纹波电流、耐高频和高温长寿命性能;采用该电容器的电子节能灯可通过125℃,3000h的整灯试验考核。
2010年02期 v.29;No.216 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 826K] [下载次数：336 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：91 ] - 袁玉珍;王辉;刘汉法;张化福;刘云燕;
室温下,采用直流磁控溅射法,在载玻片衬底上制备出了Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。研究了溅射功率对薄膜的组织结构、表面形貌和光电学性能的影响。结果表明,制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当溅射功率为150W时,薄膜电阻率达到最小值1.66×10–3Ω·cm,在可见光区平均透过率超过93%。
2010年02期 v.29;No.216 48-50+61页 [查看摘要][在线阅读][下载 965K] [下载次数：258 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：135 ] - 王程程;罗凌虹;吴也凡;程亮;石纪军;
在微波场作用下,采用柠檬酸盐法合成了阴极粉体La0.8Sr0.2MnO3(LSM)。用TG-DTA、XRD、TEM、SEM和电化学工作站对产物形成过程、微观结构和电化学性能进行分析和表征。结果表明,LSM溶胶在微波处理后,850℃煅烧能够形成单一的钙钛矿型结构;粉体粒径约为30nm,远小于采用传统烘箱加热方式的200nm,所得粉体电催化活性高,其制得的单电池在800℃时的最大功率密度达到0.82W/cm2,开路电压达1.1V,而采用传统烘箱加热方式所制得单电池的最大功率密度仅为0.71W/cm2。
2010年02期 v.29;No.216 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 905K] [下载次数：192 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：78 ] - 曹贵川;林祖伦;祁康成;王小菊;
采用液-固掺杂工艺,以Sc(NO3)3水溶液制备了Sc2O3掺杂的钨粉,研究了所获钨粉的形貌、Sc2O3的分布。扫描电镜显示掺杂钨粉颗粒表面和裂缝中均匀附着了Sc2O3粉末,选区能谱分析证明Sc2O3在钨颗粒的表面覆盖均匀。Sc2O3与钨接触面增多,增大了钪与钨的结合力,该掺杂钨粉能够用于制备热电子发射均匀、抗离子轰击能力强的含钪钡钨阴极。
2010年02期 v.29;No.216 54-55+61页 [查看摘要][在线阅读][下载 870K] [下载次数：162 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：76 ] - 李玉魁;邢文生;
采用钠钙玻璃作为衬底材料,在常规丝网印刷工艺的基础上,设计制作了新型栅极-阴极组控制结构,实现了单条栅极对三个碳纳米管(CNT)阴极电子发射的成组控制。借助玻璃粉封接技术,研究了三极结构场致发射显示器件(FED)的封装和测试。结果表明,CNT-FED器件显示亮度高,阳极电压为1.6kV时,其最大亮度达710cd/m2;栅控特性良好,开启电压约为315V;显示的静态字符发光图像不仅证实了该器件的矩阵寻址功能已经实现,且具有良好的图形显示功能。
2010年02期 v.29;No.216 56-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 674K] [下载次数：121 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：86 ] - 汤姆·亚丹斯;周俊;
半导体电子元器件的内部缺陷会影响其散热效率从而导致元器件失效。为了检测元器件的内部缺陷,采用声学显微镜来检测塑料封装集成电路器件的芯片胶接层和倒装芯片散热片与芯片间的热界面材料,结果显示,前者的胶接层的孔隙率达46.22%。而后者的热界面材料中发现有孔隙。对热界面材料的厚度通过参考回声的方法进行了测量,结果显示其厚度为30~75μm,均在要求范围之内。
2010年02期 v.29;No.216 59-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 721K] [下载次数：84 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：59 ]