刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • Cr_2O_3掺杂TiO_2纳米粉体的制备及气敏性能研究

    牛新书;邓伟娜;孙静霞;

    以钛酸四丁酯、硝酸铬为原料,采用sol-gel法制备了w(Cr2O3)为0~30%的Cr2O3-TiO2纳米粉体。利用XRD、TEM等测试手段分析了粉体的微观结构,采用静态配气法测试了由所制粉体制成的气敏元件对乙醇、CO、NO2等气体的气敏性能。结果表明:用该法得到的粉体材料颗粒粒径小,且均匀;工作电压为4.0 V时,由w(Cr2O3)为20%的粉体在800℃烧结制得的气敏元件对体积分数为30×10–6的乙醇的灵敏度最高可达282,且具有较好的响应–恢复特性,响应时间和恢复时间分别是10 s和24 s。

    2010年01期 v.29;No.215 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 950K]
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  • 压力对W-Cu合金电场快速烧结的影响

    李娅;冯可芹;吴金岭;柯思璇;文敏;周翔;

    采用Gleeble—3500D热模拟机,用电场快速烧结的方法制得W-Cu合金。通过对烧结压坯的密度、显微结构以及硬度的分析,研究了压力对W-Cu合金烧结的影响。结果表明:W-Cu合金在800℃、3 min内快速烧结可获得晶粒较细小、显微组织较均匀的烧结体;在10~30 MPa范围内加压能有效促进烧结体的致密化,可获得相对密度为92.60%~94.84%的W-Cu合金烧结体。但是随着压力的增加,烧结体的相对密度增加不明显。压力可使该烧结体显微硬度增高。

    2010年01期 v.29;No.215 4-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 896K]
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  • 锰(Ⅱ)化合物对二氧化锰结构及电化学性能的影响

    陈喻娟;阮湘元;杭义萍;

    采用氧化还原水热法合成二氧化锰。研究了在氧化剂及反应温度等条件相同的情况下,不同反应时间和还原剂对二氧化锰晶型及电化学性能的影响。通过对产物进行XRD分析发现,还原剂为MnSO4时,仅生成单相α-MnO2;而在Mn(NO3)2和MnCl2溶液中,随着反应时间由2~24 h增加到48 h,产物由含有γ-MnO2的α-MnO2转变为单相β-MnO2。对反应时间为12 h生成的二氧化锰进行了循环充放电测试。结果显示,在Mn(NO3)2和MnCl2溶液中生成的含有γ-MnO2的α-MnO2,其初次放电容量分别为203和186.3 mA.h/g,均比在MnSO4溶液中生成的单相α-MnO2的容量140 mA.h/g高;7次循环充放电后,在Mn(NO3)2,MnCl2和MnSO4溶液中生成的MnO2的容量分别保持在初次放电容量的51%,54%和49%。

    2010年01期 v.29;No.215 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 1175K]
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  • 硫掺杂对ZnO热电性能的影响

    左连勇;沈鸿烈;朱云广;

    采用固相反应法制备了ZnO1-xSx块体材料(0≤x≤0.05);通过对样品X射线衍射谱(XRD)、电导率和Seebeck系数的测量,研究了S掺杂对ZnO晶体结构及热电性能的影响。结果表明:所有试样均为六方纤锌矿结构。在573 K时,ZnO1-xSx(0<x≤0.05)材料的电导率(1 723 S.m–1)比ZnO材料的电导率(3.02 S.m–1)大得多,同时二者的Seebeck系数相差较小。在1 073 K下,试样ZnO0.97S0.03具有最高的功率因子2.5×10–4 Wm–1K–2,是同温度下未掺杂ZnO功率因子的10倍。

    2010年01期 v.29;No.215 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 864K]
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  • SrBiFeO基NTC陶瓷的制备及其电性能研究

    马家峰;刘心宇;石雨;袁昌来;

    以Bi2O3、Fe2O3和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有NTC特性的SrBiFeO(SBF)陶瓷。研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能。结果表明:试样由BiFeO3、SrFeO3-x和三方晶系的Sr2.25Bi6.75O12.38相组成,试样的室温电阻率ρ25随Fe2O3掺杂量的增加呈现先减小后增大的趋势,而B25/85值却呈现单调递增趋势,陶瓷试样SBF30即:n(Bi2O3):n(SrCO3):n(Fe2O3)=50:70:15时具有较好的NTC特性,ρ25为1.192×103Ω.cm,B25/85值为3 604 K。

    2010年01期 v.29;No.215 15-17+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 1326K]
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  • 掺钇(Ba,Sr,Ca)TiO_3纳米粉体及细晶陶瓷的制备与性能

    杜锋涛;程花蕾;崔斌;畅柱国;杨爱武;

    采用sol-gel法制备了Y3+掺杂Ba0.90Sr0.08Ca0.02TiO3(BSCT)纳米粉体及细晶陶瓷。通过TG-DTG、XRD、SEM和TEM对样品结构及形貌进行了表征,并测试了陶瓷的介电性能。研究表明,Y3+掺杂BSCT纳米粉体主要为立方相BaTiO3,烧结后陶瓷晶粒尺寸在0.68~2.24μm可控,Y3+掺杂可以抑制陶瓷晶粒的生长,使陶瓷的tC向低温方向移动。随Y3+掺杂量的增大,陶瓷的介电温谱εr-t趋于平缓,当x(Y3+)为7.0%时,陶瓷的室温εr大幅度提高到9 176。

    2010年01期 v.29;No.215 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 1923K]
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  • Ca-B-Si掺杂对Ba(Mg_(l/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响

    王冬梅;毛宏;吴孟强;张树人;

    采用传统电子陶瓷工艺合成了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的Ba(Mgl/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷,研究了CBS掺杂量对陶瓷微波介电性能的影响。结果表明:CBS掺杂可促进陶瓷烧结并提高B位1:2有序度,进而降低微波介质损耗。当w(CBS)=3%时,陶瓷烧结温度由纯相时的1 500℃以上降至1 250℃,表观密度提高到6.32 g/cm3以上,陶瓷的微波介电性能达到最佳值:εr=26,Q.f=67 800 GHz(8 GHz),τf=25×10–6/℃。该陶瓷有望成为用于高频段微波器件的材料。

    2010年01期 v.29;No.215 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1677K]
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  • 同质缓冲层厚度对掺铝氧化锌薄膜性能的影响

    杨斌;王连杰;张平;宋淑梅;杨田林;

    室温下,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备具有同质缓冲层的ZnO∶Al(AZO)薄膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针探测仪等对薄膜的结构和光电性能进行了研究。结果表明:当薄膜总厚度为400 nm时,制备具有66 nm同质缓冲层的AZO薄膜的方块电阻为26Ω.□–1,与单层AZO(400 nm)薄膜的方块电阻(63Ω.□–1)相比,下降了59%,其在可见光范围内的平均透过率为91%。

    2010年01期 v.29;No.215 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1049K]
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  • 非晶ErAlO高k栅介质薄膜的制备及性能研究

    陈伟;方泽波;谌家军;

    采用射频磁控溅射法在p型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质复合氧化物薄膜。研究了ErAlO薄膜的结构及电学特性。XRD测量显示,ErAlO薄膜具有良好的热稳定性,样品经过900℃氧气氛退火30 min后仍保持非晶态结构。AFM照片显示,其表面粗糙度小于0.2 nm,平整度良好。ErAlO栅MOS结构在氧分压为1%时,薄膜的有效相对介电常数为9.5,外加偏压(Vg)为–1 V时样品的漏电流密度为7.5×10–3 A/cm2。非晶ErAlO薄膜是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质候选材料。

    2010年01期 v.29;No.215 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 948K]
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  • 磁场退火对FePt/Ag薄膜磁性能的影响

    赵书华;刘梅;王永红;张玉梅;李海波;

    采用磁控溅射法室温沉积获得FePt/Ag薄膜,然后在500℃下,于真空磁退火炉中对薄膜进行退火处理。利用XRD和振动样品磁强计(VSM),研究了磁场退火对薄膜结构和磁性能的影响。结果表明,500℃零磁场退火获得了矫顽力为0.763 4 MA.m–1、平均晶粒尺寸21 nm的L10-FePt薄膜。磁场提供了FePt成核生长的驱动力,0.8 MA.m–1磁场退火后FePt的平均晶粒尺寸为26 nm,矫顽力增大至0.804 3 MA.m–1。非磁性Ag的掺杂可有效抑制磁性FePt晶粒的团聚生长。

    2010年01期 v.29;No.215 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 867K]
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  • 在共面波导上加载集总电容电感制备单负材料

    冯团辉;范丽波;张春丽;冯志波;

    为了探索实现单负材料的方法,研究了在共面波导上加载集总电容和电感元件制备单负材料。首先通过理论分析和微波实验,证实了在共面波导上周期性地加载集总电容和电感元件能够实现两种单负材料(电单负材料和磁单负材料)。然后,针对该制备方法,进一步研究了加载电容电感周期性的破坏及加载电感对称性的破坏对单负带隙的影响。结果表明:周期性的破坏对单负带隙基本没有影响;对称性被破坏后,如果电感分布在共面波导中心导带的两侧,仍然能够获得单负材料。

    2010年01期 v.29;No.215 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1196K]
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  • 耐高温BNT-BT陶瓷电容器的制备及性能研究

    王力;袁颖;张树人;周晓华;李波;

    采用氧化铋、碳酸钠、二氧化钛和钛酸钡为原料,制备了0.05Na0.5Bi0.5TiO3-0.95BaTiO3(BNT-BT)二元体系陶瓷。研究了BiNbO4和Nb2O5掺杂量对BNT-BT陶瓷的介电性能和容温变化率的影响。结果发现,对BNT-BT陶瓷掺杂摩尔分数为3.0%的BiNbO4和4.0%的Nb2O5时,获得了在–55~+200℃容温变化率都在±15%以内,且常温1 kHz下εr为1 297,tanδ为1.25×10–2的高稳定性、高性能MLCC。

    2010年01期 v.29;No.215 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1528K]
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  • AlCl_3溶液浸泡对非铬酸系铝箔化成速度及比电容的影响

    杨静;何业东;杨宏;

    在室温下,先用NaOH溶液对非铬酸系高纯阳极铝箔进行预处理,再用0.1 mol/L的AlCl3溶液浸泡20 min,然后对铝箔进行腐蚀,清洗及化成。研究了AlCl3溶液浸泡对铝箔化成速度及化成箔比电容的影响。结果显示:在530 V电压化成时,与普通铝箔相比,经AlCl3溶液浸泡过的铝箔的化成时间缩短约了3 min,化成箔的比电容提高了大约4.6%,达到0.612×10–6 F.cm–2。

    2010年01期 v.29;No.215 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 868K]
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  • VCO电路测试新型BST电容器的可变电容特性

    李黎;尹锁柱;章兴良;刘健余;唐永军;

    基于新型BST电容器的变容机理,采用集成芯片MC12148设计VCO(压控震荡器)测试电路,通过测量不同控制电压对应的频率,计算出材料的电容与介电常数,研究了新型BST的压控特性,推导出该BST材料的电压与电容关系式。结果显示:新型BST材料加正反偏压电容都发生变化;最大耐压值为40 V;其电容调谐率与压控灵敏度都很小,分别为10.691%和5.717 kHz/V;材料应用在频率合成器的微调上,可提高合成频率的灵敏度与精度。

    2010年01期 v.29;No.215 45-47+51页 [查看摘要][在线阅读][下载 815K]
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  • 缓蚀剂在高压阳极箔电解扩孔中的作用机理

    王志申;何业东;

    将高压阳极发孔铝箔在70℃、质量分数为3%的硝酸液中阳极电解扩孔,研究了添加大分子缓蚀剂聚苯乙烯磺酸(PSSA)后高压阳极箔的腐蚀机理。结果显示:添加PSSA后,腐蚀箔减薄量明显降低,质量损失率减小,并孔率降低,520 V化成的比容提高了约23%。隧道孔由孔口大、孔内小的"锥子"状转变为孔口小、孔内大的"垒球棒"状。铝箔表面的电位显著上升,而隧道孔内的电位基本保持不变,从而证明了,大分子缓蚀剂PSSA提高了铝箔表面和隧道孔口附近的电化学反应的阻力,电流主要分布到孔内,加速了孔内的扩孔过程。

    2010年01期 v.29;No.215 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 1632K]
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  • 一种新型SIR结构LTCC带通滤波器设计与制作

    张鹏;尉旭波;杨邦朝;

    采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术及SIR结构,设计制作了一种新型LTCC带通滤波器,采用ADS和HFSS软件进行三维建模和电磁场优化仿真及测试。结果表明:该滤波器中心频率为2.46 GHz左右,3 dB带宽为2.28~2.71 GHz,带外抑制≥25 dB(偏离中心频率±500 MHz),外形尺寸为3.20 mm×1.61 mm×1.03 mm。

    2010年01期 v.29;No.215 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 3399K]
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  • 一种新型可控低通滤波器的研制

    李怀良;庹先国;任家富;王诗东;葛维亮;

    针对工程地震数据采集系统中程控滤波器设计时所需控制引脚较多的弊端,研制出一种仅三线控制且品质因数Q为8的可调截止频率高速低通滤波器。通过设定开关电容滤波器MAX263可编程引脚固定的编码值,并利用分频器和高速模拟开关选取MAX263的时钟输入频率,以达到其截止频率可调的目的。测试结果表明,该滤波器对阻带信号幅度衰减稳定在–21 dB以下,且截止频率切换时延稳定在3μs以内,已成功运用于浅层数字地震仪。

    2010年01期 v.29;No.215 55-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 803K]
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  • 主动空间映射算法设计滤波器

    陈文莲;金龙;姜煜斌;吴建忠;杜宇;

    应用ADS和HFSS软件,分别建立了一种PCB(Printed Circuit Board)多层滤波器的粗糙模型和精确模型,采用主动空间映射算法,对其进行优化设计,制作出样品,并进行了检测。结果表明,该滤波器的中心频率为1.85 GHz,带宽为300 MHz,插入损耗小于2.3 dB,证明了主动空间映射算法的可行性。

    2010年01期 v.29;No.215 59-61+65页 [查看摘要][在线阅读][下载 1003K]
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综合信息

  • 美利用纳米技术生产生物燃料

    <正>据报道,美国路易斯安那理工大学日前发表新闻公报说,该大学研究人员在生产生物燃料工艺过程中采用纳米技术,从而大大节省了生产成本。公报说,秸秆等农林废弃物作为生物燃料的原料具有巨大潜力,用它们生产的生物燃料被称为第二代生物燃

    2010年01期 v.29;No.215 14页 [查看摘要][在线阅读][下载 555K]
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  • 中国首创太阳炉精炼多晶硅技术

    <正>利用新型太阳炉生产太阳能级高纯硅,这项由中国科学院理论物理研究所特聘研究员陈应天教授开发的技术引起了业内人士的广泛关注。中国科学院院士何祚庥表示,这项世界首创的技术将使高效廉价冶炼高纯硅成为现实,可望大幅降低光伏发电成本。

    2010年01期 v.29;No.215 14页 [查看摘要][在线阅读][下载 555K]
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  • 高导性碳纳米管可转换为半导体

    <正>据报道,近日,美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式,可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

    2010年01期 v.29;No.215 21页 [查看摘要][在线阅读][下载 672K]
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  • 比亚迪投资扩建锂离子电池隔膜项目

    <正>据报道,10月22日,中国电池和汽车生产商比亚迪股份落实与在深交所挂牌的佛山塑胶集团股份有限公司合资扩建锂离子电池隔膜项目,涉资的总投资额约1.05亿元。

    2010年01期 v.29;No.215 34页 [查看摘要][在线阅读][下载 508K]
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  • 金川集团携手湖南科力远向新能源领域迈进

    <正>据报道,镍氢二次电池作为可循环利用的新兴能源材料发展迅猛,市场前景广阔。10月16日上午,金川集团有限公司与湖南科力远新能源股份有限公司在兰州签署合作框架协议,就镍氢二次电池、动力电池等产品开发进行全面合作,将产业链伸向新能源领域。

    2010年01期 v.29;No.215 34页 [查看摘要][在线阅读][下载 508K]
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  • 长春应化所制备出高效免退火聚合物太阳能电池器件

    <正>据报道,近日,中国科学院长春应用化学研究所研究员杨小牛等科研人员发明的"一种聚合物太阳能电池的制备方法"专利获得了国家知识产权局授权。在国家基金委和中科院的大力支持下,杨小牛课题组采用往P3HT的良溶剂溶液中缓慢加入不良溶

    2010年01期 v.29;No.215 38页 [查看摘要][在线阅读][下载 704K]
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  • 工信部将组织行业制定光伏产品标准

    <正>国内产能过剩、海外面临反倾销诉讼,中国太阳能光伏产业近期受到了前所未有的压力。为规范行业发展,工信部将组织行业制定产品标准,对产品及企业进行认证,尽快出台多晶硅产业发展指导意见,并配合企业积极应对反倾销诉讼。

    2010年01期 v.29;No.215 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 645K]
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  • 我国成功研制大尺寸高纯二氧化碲晶体

    <正>据报道,我国独立研制的大尺寸、高纯二氧化碲晶体,已被大型国际科研项目CUORE(低温地下观测稀有物理现象)独家采用,我方目前已提供数百块晶体。这—科研

    2010年01期 v.29;No.215 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 508K]
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  • 湖北省加快推进硅基液晶产业化

    <正>据报道,LCOS(硅基液晶)属新型反射式投影技术,具有成像质量更好、解析度超高、色彩饱和度高和综合成本低廉等优势。据预测,未来3年,LCOS显示产品消费市场将增长40倍。该显示技术领域目前仅有索尼、全真光电具备从芯片、光引擎、整机的研发和生产的完整产业技术。武汉全真光电科技有限公司已具备产业化

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  • 阿科玛发展碳纳米管母料业务

    <正>阿科玛公司于2009年2月16日宣布加快发展碳纳米管母料业务。添加碳纳米管拓展了该公司的Graphistrength母料应用范围,可在较低温度下提供改进的可加工性,据称,采用低的碳纳米管含量就可取得明显的静电消散性质。它们可采用挤塑和注塑成型方法加工处理。

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  • 飞秒激光烧蚀制备大面积均匀纳米结构方面获重要进展

    <正>最近,在中国科学院院士徐至展领导下,中山大学光电材料与技术国家重点实验室与中国科学院上海光机所强场激光物理国家重点实验室展开合作研究,在飞秒激光烧蚀制备大面积均匀纳米结构方面取得重要进

    2010年01期 v.29;No.215 58页 [查看摘要][在线阅读][下载 540K]
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  • 甘肃敦煌拟建大型光伏并网电站

    <正>据报道,甘肃敦煌拟建大型光伏并网电站。国家能源局委托中设国际招标有限责任公司,日前正式启动子甘肃敦煌10 MW光伏并网发电示范工程特许权招标工作。

    2010年01期 v.29;No.215 69页 [查看摘要][在线阅读][下载 540K]
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  • 纳米技术让废机油变清洁能源

    <正>据报道,哈尔滨市每年产生20万吨废机油。如今,哈尔滨金武石化的综合利用技术,可将这些废机油循环再利用,变成质量达国家标准的燃料油及液化石油气。在第六届中国一东盟博览会上,这个项目引起了

    2010年01期 v.29;No.215 74页 [查看摘要][在线阅读][下载 557K]
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  • 中国二氧化碳制塑料技术获得推广

    <正>2009年2月上旬,由中海石油投资控股有限公司投资兴建的3 000吨/年二氧化碳制可降解塑料生产装置投料成功并产出合格产品。该项目总投资1.52亿元,于2007年7月动工建设。

    2010年01期 v.29;No.215 78页 [查看摘要][在线阅读][下载 555K]
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可靠性

  • 超薄芯片叠层封装器件热可靠性分析

    李莉;马孝松;周喜;

    采用通用有限元软件MSC.Marc,模拟分析了一种典型的多层超薄芯片叠层封装器件在经历回流焊载荷后的热应力及翘曲分布情况,研究了部分零件厚度变化对器件中叠层超薄芯片翘曲、热应力的影响。结果表明:在整个封装体中,热应力最大值(116.2 MPa)出现在最底层无源超薄芯片上,结构翘曲最大值(0.028 26 mm)发生于模塑封上部边角处。适当增大模塑封或底层无源芯片的厚度或减小底充胶的厚度可以减小叠层超薄芯片组的翘曲值;适当增大底层无源超薄芯片的厚度(例如0.01 mm),可以明显减小其本身的应力值10 MPa以上。

    2010年01期 v.29;No.215 62-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 723K]
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综述

  • 纳米TiO_2太阳能电池电极修饰研究进展

    佘希林;刘曦;宋国君;李建江;李晓茹;

    综述了近年来国内外在TiO2太阳能电池电极修饰技术方面的研究成果,重点介绍了有关纳米TiO2薄膜电极和TiO2纳米管电极修饰技术的研究进展,包括半导体复合掺杂、过渡金属离子掺杂、非金属离子掺杂、导电高聚物掺杂和贵金属沉积掺杂等。并对该工作和今后的研究问题进行了总结和展望。

    2010年01期 v.29;No.215 66-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 729K]
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  • 低温烧结介质基板材料研究进展

    朱建华;丁晓鸿;滕林;吕文中;雷文;

    从陶瓷基介质材料和微晶玻璃基介质材料两个方面进行综述,介绍了几种低温烧结介质基板材料的国内外研究进展,研究了低温烧结介质基板材料与内电极的异相匹配共烧的重要性,探讨了低温烧结介质基板材料主要存在的问题和发展趋势。

    2010年01期 v.29;No.215 70-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 782K]
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  • SAW氢传感器敏感薄膜的研究进展

    周俊静;周荣飞;

    氢敏薄膜的性质对SAW氢传感器的性能起着至关重要的作用。综述了SAW氢传感器敏感薄膜的国内外研究进展,比较了金属型和金属氧化物半导体(MOS)型薄膜材料的特点,着重阐述了金属氧化物半导体薄膜对SAW的作用机理和改性途径,以及纳米技术在SAW氢传感器敏感薄膜中的应用,展望了氢敏薄膜的发展方向。

    2010年01期 v.29;No.215 75-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 756K]
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