- 田斌;马强;梁培;江建军;
采用张应力–焦耳热方式对玻璃包覆钴基非晶丝进行退火,测量其退火后的磁滞回线和磁阻抗值,研究张应力退火对玻璃包覆钴基非晶丝静磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明:通过处理,其各向异性场降低,其中经140MPa张应力退火的样品GMI峰值最大可达80%,所对应的磁场强度降至60A/m。随着玻璃包覆钴基非晶丝内应力的改变,导致样品壳内畴的体积增加,引起应力感生横向各向异性,从而影响GMI效应。
2009年10期 v.28;No.212 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 747K] [下载次数：143 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：102 ] - 罗俊;贾利军;陈世钗;张怀武;薛钢;
采用固相反应法,制备了Ba3(Co0.4Zn0.6)2Fe24O4Z型六方铁氧体。研究了Bi2O3-MgO复合掺杂对低温烧结Ba3(Co0.4Zn0.6)2Fe24O4Z型六方铁氧体的显微结构和电磁性能的影响。结果表明:在固定w(Bi2O3)为3.0%的基础上,当掺入的w(MgO)为0.6%时,此Z型六方铁氧体可在900℃下低温烧结,高频电磁性能得到了显著的提高,材料在300MHz时的磁品质因数Q值从7.1提高到14.5,εr和tanδ分别从16.0和0.04100降低到10.8和0.00355,有望成为高频片式电感用材料。
2009年10期 v.28;No.212 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 1330K] [下载次数：113 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：85 ] - 陈世钗;贾利军;罗俊;张高磊;张怀武;
首先用sol-gel法制得了Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3纳米粉料(简称PZT),然后采用固相反应法制备了ζ(PZT:NiCuZn)为1:9和3:7的两种复合材料。研究Ni0.26-xCu0.19+xZn0.55Fe2O4铁氧体的组成对低温烧结复合材料的显微结构、电磁性能的影响。结果表明:当x=0.02的化学组成为主配方时,复合材料可实现900℃低温烧结,且ζ(PZT:NiCuZn)为1:9的复合材料的μi高达92,Q值为39,ε′为19;而ζ(PZT:NiCuZn)为3:7的复合材料的μi为26,Q值为19,ε′为32。
2009年10期 v.28;No.212 7-10+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1564K] [下载次数：116 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：98 ] - 吕垚;李宝霞;万里兮;
为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻p型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射Al电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10–9F/mm2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。
2009年10期 v.28;No.212 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1474K] [下载次数：280 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：71 ] - 杨常玲;孙彦平;邴雪飞;吕永根;
以酚醛树脂为原料,采用水蒸气活化,制备了炭纤维和泡沫炭粉两种活性炭作为超级电容器电极材料。采用扫描电镜和物理自动吸附仪对两种活性炭的形貌与孔结构进行了表征;另外采用循环伏安法和恒流充放电法,对其充放电性能进行了研究。结果表明,在1.0mA电流下充放电,炭纤维和泡沫炭粉的充电比电容分别为176.7和144.4F.g–1,放电效率分别为88.2%和85.1%;随着充放电电流的增大,二者充放电容量减小,放电效率提高。循环伏安测试表明在600mV.min–1扫描速率下炭纤维的电化学窗口大于泡沫炭粉。
2009年10期 v.28;No.212 15-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 1586K] [下载次数：455 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：151 ] - 许娟;周益明;王文昌;朱晔;陈智栋;
采用固相反应法合成了摩尔比为4∶1的NiO-Co3O4复合物,用XRD和SEM表征了样品的相结构和形貌,采用循环伏安(CV)法和恒流充放电测试两种方法研究了纯NiO、纯Co3O4和NiO-Co3O4复合物电极的电化学性能。结果表明:所得复合物样品为立方相结构,Co3O4的掺入增加了NiO样品的孔穴率。在6mol.L–1的KOH电解液中,复合物的比电容达到了476F.g–1,远高于纯NiO(约93F.g–1)和纯Co3O4的比电容(约148F.g–1)。在充放电1000次后,NiO-Co3O4的比容量仅衰减了3.4%,显示出该复合物的电化学性能明显优于纯NiO和纯Co3O4。
2009年10期 v.28;No.212 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 1261K] [下载次数：352 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：95 ] - 姚睿;沐运华;袁伟刚;
CBB65型金属化聚丙烯交流电容器的薄膜之间由于存在间隙,薄膜在电磁力的作用下发生周期性形变,导致薄膜共振,从而引起了交流声。通过试验研究了卷绕压力和热处理条件对交流声的影响。结果发现:选用厚度偏差4%内的薄膜材料、控制卷绕压力为30N,在真空100℃下对芯子进行热处理、保温5h后缓慢冷却,可使电容器交流声控制在允许范围30dB以下,且无一失效。
2009年10期 v.28;No.212 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 797K] [下载次数：112 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：80 ] - 孙健;李娜;刘英;
用电子陶瓷工艺制备了三种不同掺杂比例的临界热敏电阻CTR(Critical Temperature Resister),根据样品对应的热谱中的相变点,找出Fe2O3掺杂量与相变点的关系。从微观半导体理论分析晶粒体电特性,求解泊松方程,得出晶粒体中电势垒与受主杂质Fe2O3掺杂量的关系。结果表明:当x(Fe2O3)为10%～25%时,相变温度增加值?t和摩尔分数增加值(?x)2呈线性关系。
2009年10期 v.28;No.212 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 826K] [下载次数：138 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：73 ] - 丁士文;张圆圆;张红军;
以TiCl4和Sr(OH)2.8H2O为原料,采用低温固态反应法制备了钛酸锶纳米粉体。利用XRD和TEM对所制粉体进行了表征,研究了研磨时间、反应时间和反应温度对钛酸锶纳米粉体相结构的影响。结果表明:制备钛酸锶纳米粉体的最佳研磨时间、反应温度和反应时间分别是1h,40℃和5h。在该条件下制得的钛酸锶纳米粉体为纯立方相SrTiO3晶体,颗粒呈均匀方形,分散性较好,平均粒径为40nm左右。该低温固态反应的速度控制步骤为化学反应。
2009年10期 v.28;No.212 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 779K] [下载次数：372 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：72 ] - 石雨;刘心宇;马家峰;
为改善BaBiO3基陶瓷的NTC特性,选择Sb2O3为掺杂剂,以固相法合成了BaBiO3基陶瓷。研究了Sb2O3掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:Sb2O3掺杂BaBiO3基陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着n(Sb2O3)的增加呈现先减小后增大的趋势;当n(BaBiO3):n(Sb2O3)=1000:3时,获得了具有较好NTC特性的样品,其室温电阻率ρ25为416Ω.cm,B25/85值为2378K。
2009年10期 v.28;No.212 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 2299K] [下载次数：132 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：125 ] - 韦鹏飞;周洪庆;朱海奎;宁革;刘敏;
采用高温熔融法,制备了不同硼含量(w(B2O3)为30%～40%)的CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。考察硼含量对该体系微晶玻璃熔制过程中B2O3挥发率及其性能的影响。结果表明:随w(B2O3)增加B2O3挥发率增大,从4.27%增至6.91%。w(B2O3)为35%时,试样的烧结温度范围较宽,在最佳烧结温度850℃下,体积密度为2.54g/cm3;10MHz下,εr为6.42,tanδ为9×10–4;试样的εr随w(B2O3)变化不大,处于6.2～6.5,w(B2O3)为30%或40%时,tanδ显著增大至10–2量级。
2009年10期 v.28;No.212 34-36+40页 [查看摘要][在线阅读][下载 1194K] [下载次数：344 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：92 ] - 张毓隽;童震松;沈卓身;
采用SPS(放电等离子烧结)工艺制备了高体积分数铜/金刚石复合材料,研究了SPS中主要的工艺参数烧结温度、保温时间和烧结压强对复合材料相对密度和热导率的影响。结果表明:最佳的烧结温度为930℃;热导率和相对密度随保温时间延长有所提高,20min后趋于稳定;而随烧结压强由10MPa提高到70MPa,热导率约上升15%。经过优化工艺后,所制备的铜/金刚石复合材料最高热导率达到354.1W(m.K)–1,最高相对密度为98.4%。
2009年10期 v.28;No.212 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 1049K] [下载次数：438 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：20 ] |[阅读次数：212 ] - 刘汉法;袁玉珍;张化福;袁长坤;类成新;
采用直流磁控溅射法,在水冷7059玻璃衬底上制备了具有高透射率和相对低电阻率的掺钛氧化锌(ZnO∶Ti)透明导电薄膜,研究了溅射偏压对ZnO∶Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响。结果表明,ZnO∶Ti薄膜为六角纤锌矿多晶结构,具有c轴择优取向。溅射偏压对ZnO∶Ti薄膜的结构和电阻率有重要影响。当溅射偏压为10V时,电阻率具有最小值1.90×10–4?.cm。薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透射率超过90%。该ZnO∶Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。
2009年10期 v.28;No.212 41-43+53页 [查看摘要][在线阅读][下载 1127K] [下载次数：303 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：83 ] - 石亮;闫金良;刘建军;李爱丽;
用磁控溅射法在室温条件下制备了Al膜、Ga2O3膜及Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜,对其光学和电学性能进行了表征。单层Al膜厚度大于7nm时,光学透射率在近紫外光区域大于可见光区域;Ga2O3膜在深紫外光区域(<300nm)透明,光学带隙4.96eV;Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜透射率截止波长在245nm左右,随着顶层Ga2O3厚度增加,电导率减小,紫外光透射率峰位、吸收边、截止波长红移,透射率峰值先稍微增加,然后逐渐降低。顶层Ga2O3厚度为34nm时,Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜在275nm处的透射率达70%,电导率为3346S.cm–1。
2009年10期 v.28;No.212 44-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 756K] [下载次数：148 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：91 ] - 吴坚强;曹良足;
讨论了TE011谐振模式的圆环形介质谐振器的研制过程。固定ZnO添加量为质量分数1.00%,考察了WO3改性剂对(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波陶瓷介电性能的影响。当w(WO3)为0.25%时,可得到εr为38.0、Q值大于5800(7GHz)、τf小于2.0×10–6/℃的瓷料。以该瓷料为原料制作谐振器,研究了制作工艺和支撑物高度对谐振器性能的影响。发现采用冷等静压成型工艺所制谐振器的Q值比采用干压成型工艺提高了4%。获得了谐振频率为2200MHz的高Q值、高功率、高稳定性圆环形介质谐振器,完全满足设计要求。
2009年10期 v.28;No.212 47-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 709K] [下载次数：161 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：92 ] - 陈忠道;白书欣;张树人;郭曙光;
为提高铁电阴极材料的电子发射电流密度及电子束品质,采用等静压成型工艺制备PZT铁电阴极样品,研究了真空度、温度、极间距、收集极和极间铜网等测试条件对其电子发射性能的影响。结果表明:利用等静压成型工艺制备样品,并进行硅橡胶绝缘层保护,在真空度高于10–3Pa,极间距为2.5mm,并在极间添加铜网,采用石墨收集极情况下进行电子发射实验,可获得铁电阴极样品测试最佳效果。
2009年10期 v.28;No.212 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 863K] [下载次数：106 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：70 ]
<正>TD-LTE是TD-SCDMA长期演进及向IMT-Advanced发展的重要路径。我国正在大力推动TD-LTE关键技术及产品的研发工作,重点突破终端芯片、仪表等薄弱环节,形成相对完整的产业链。TD-SCDMA与TD-LTE
2009年10期 v.28;No.212 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 540K] [下载次数：43 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：58 ] -
<正>物联网是在计算机互联网的基础上,利用RFID、无线数据通信等技术,构造一个覆盖世界上万事万物的"Internet of Things"。在这个网络中,物品(商品)能够彼此进行"交流",而无需人的干预。其实质是利用射
2009年10期 v.28;No.212 53页 [查看摘要][在线阅读][下载 542K] [下载次数：1892 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：105 ] <正>日本京都大学大学院工学研究科的一个研究小组发布消息称,他们开发出一种能够大大缩短三维电子晶体制造时间的新工艺。三维电子晶体是一种
2009年10期 v.28;No.212 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 474K] [下载次数：33 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：58 ] -
<正>2个新LED控制器,LDS9001和LDS9003具有正在申请专利的LED感应温度补偿引擎。这一创新性能允许在现场直接监测LED结温,无需外接温度传感器,从而在LED的整个工作温度范围优化LED
2009年10期 v.28;No.212 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 474K] [下载次数：49 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：84 ] <正>7月27日,由河北省省政府与中电集团第十三研究所(以下简称十三所)共同投资的半导体照明(简称LED)产业化项目正式投产。该项目位于石家庄信息产业基地,投资达3.9亿元,占地4.7万m2。这是
2009年10期 v.28;No.212 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 474K] [下载次数：44 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：61 ] -
<正>据报道,近日德国联邦教研部在网站公布,OPEG(有机光伏能源供给)项目研究取得重大突破:有机太阳能电池转化效率提高到5.9%,比5.4%的世界记录提升了0.5个百分点。
2009年10期 v.28;No.212 68页 [查看摘要][在线阅读][下载 517K] [下载次数：282 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：72 ] <正>近日,国家纳米科学中心的方英课题组发展了一种新颖的,可以直接、实时观测石墨烯在聚合物中相变的方法。他们巧妙地把Pristine石墨烯夹在只有几百个纳米厚的聚合物基质中。当体系温度高于聚合物的玻
2009年10期 v.28;No.212 73页 [查看摘要][在线阅读][下载 505K] [下载次数：357 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：76 ] -
<正>近日,由中国科学院基础局和计划局组织同行专家,对国家纳米科学中心、中国科学院过程工程研究所及中国电力科学研究院合作完成的"新型电力防污
2009年10期 v.28;No.212 77页 [查看摘要][在线阅读][下载 520K] [下载次数：44 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：59 ] <正>近来,中国科学院长春应用化学研究所王振新课题组,在金标纳米粒子的生物芯片应用研究方面取得重要进展。
2009年10期 v.28;No.212 77页 [查看摘要][在线阅读][下载 520K] [下载次数：88 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：74 ]
- 杨艳;尹立孟;张新平;
针对高度为100～300μm的无铅钎料Sn-3.0Ag-0.5Cu微焊点,研究了等温热时效和焊点尺寸对其在100℃下拉伸强度的影响。结果表明,保持焊点直径不变时,高度为100,200和300μm微焊点未经热时效的平均拉伸强度分别为53.75,46.59和44.38MPa;热时效时间延长使微焊点内钎料合金显微组织明显粗化,导致焊点拉伸强度降低,前述三种高度的微焊点96h热时效后平均拉伸强度分别为44.13,38.38和33.48MPa,但96h热时效对IMC厚度无明显影响。
2009年10期 v.28;No.212 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 1207K] [下载次数：279 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：152 ] - 钟礼君;杨道国;蔡苗;
为了探究造成微电子封装器件界面层裂的根源,选取了叠层QFN器件进行建模仿真,模拟了其在热加载条件下的器件应力分布情况。通过粘结强度实验,测出加载力与位移的关系,其中力的峰值为2.52N,裂纹开口位移为0.29mm,计算得到的界面断裂能为10.5N/m。采用内聚力模型(CZM)与J积分这两种数值预测方法,对芯片粘结剂与铜引脚层界面层裂失效作了研究,找到裂纹萌生的关键点;两者对裂纹扩展趋势的结论一致,在预测裂纹产生方面,CZM法比J积分法更方便。
2009年10期 v.28;No.212 57-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 1842K] [下载次数：233 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：80 ] - 李功科;秦连城;牛利刚;
利用有限元法研究了堆叠芯片封装(SCSP)器件在封装工艺过程中的热应力分布。将工艺过程中的固化温度、升温速率等工艺参数作为优化变量,采用均匀设计方法对其进行了优化组合,并为后续的回归分析产生样本点。通过回归分析得出工艺参数与最大等效应力之间的回归方程,并将回归方程作为优化算法近似的数学模型。结果表明:最大等效应力出现在EMC固化工艺中,所以在固化阶段SCSP器件容易产生可靠性问题。通过优化,最大等效应力由222.4MPa下降到了169.0MPa。
2009年10期 v.28;No.212 62-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 856K] [下载次数：74 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：98 ] - 高能武;徐榕青;李敬勇;
为研制可靠的高温超导微波组件设计了可靠性试验,研究了高温超导微波组件常用的微波混合集成电路工艺,如锡铅钎焊、共晶焊接和金丝焊接等在超导温度下的可靠性。结果表明:在经历温度循环、机械冲击、变频振动和恒定加速度试验后,所研究的工艺能满足GJB548B—2005的相关要求,其中锡铅钎焊的试样可以通过1×10–9Pa.m3/s的泄漏率要求,设计的环境试验对80Au-20Sn共晶焊接性能无显著影响。
2009年10期 v.28;No.212 66-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 699K] [下载次数：197 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：106 ]