刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
本刊被以下数据库收录:
中文核心期刊
中国科技核心期刊
CA化学文摘(美)
SA科学文摘(英)
JST日本科学技术振兴机构数据库(日)
EBSCO学术数据库(美)

CSCD中国科学引文数据库来源期刊
核心期刊:
中文核心期刊(2020)
中文核心期刊(2017)
中文核心期刊(2011)
中文核心期刊(2008)
中文核心期刊(2004)
中文核心期刊(2000)
中文核心期刊(1996)
中文核心期刊(1992)


研究与试制

  • 冲击压力和温度老化对PZT95/5铁电陶瓷放电的影响

    陈学锋;刘雨生;冯宁博;贺红亮;董显林;

    利用轻气炮作为冲击波加载手段,分别在高冲击压力1.81,3.20和4.18GPa下,研究了低温老化、高温老化和未老化的自制PZT95/5铁电陶瓷的短路放电i-t曲线。结果显示:由于气孔洞塌缩的影响,1.81GPa时i-t曲线存在上升沿和下降沿;3.20GPa时i-t曲线与理论设想的方波基本吻合;4.18Gpa时,由于超过了PZT95/5铁电陶瓷的Hugoniot弹性极限,i-t曲线与理论设想的方波有较大差别;温度老化对其性能有一定的影响,特别是高温老化。

    2009年07期 v.28;No.209 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1059K]
    [下载次数:226 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:7 ] |[阅读次数:95 ]
  • 添加MgLiSi玻璃对BNT陶瓷介电性能的影响

    吉岸;刘祥峰;袁纪烈;卞德东;

    采用传统固相反应法,制备了钨青铜结构BaO·Nd2O3·4TiO2(BNT)陶瓷,并添加质量分数为1%~6%的MgO·Li2O·SiO2(MgLiSi)玻璃。对其显微结构和介电性能进行了研究。结果表明:在BNT陶瓷中添加适量的MgLiSi玻璃,可以使BNT陶瓷的烧结温度从1250℃以上降低到1150℃,并提高其介电性能。当添加质量分数为4%的MgLiSi玻璃时,BNT陶瓷可获得最佳的介电性能:εr=95,tanδ=5×10–4,击穿场强为16.7×103V/mm。

    2009年07期 v.28;No.209 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 952K]
    [下载次数:95 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:101 ]
  • Bi基BNT-BKT-BiFeO_3陶瓷的准同型相界和电性能

    杨桂华;周昌荣;

    采用固相反应法,制备了Bi基(1–x–y)(Bi0.5Na0.5)TiO3-x(Bi0.5K0.5)TiO3-yBiFeO3(x=0.12~0.24,y=0~0.07)钙钛矿型三元系无铅压电陶瓷,研究了该陶瓷组分与其晶相结构、电性能的关系。结果表明:除x=0.24,y=0.03的组分析出第二相外,其他组分均能形成纯钙钛矿固溶体,陶瓷三方、四方相共存的准同型相界(MPB)组分范围为x=0.18~0.21,y=0~0.05。在MPB附近陶瓷具有较好的压电性能,其d33和kp在x=0.18,y=0.03达到最大值:d33=171pC/N,kp=0.366。

    2009年07期 v.28;No.209 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 862K]
    [下载次数:158 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:127 ]
  • 钠过量对铌酸钾钠基陶瓷结构及性能的影响

    臧国忠;孙天华;王文文;孙洪元;仪修杰;

    用常规氧化物固溶法制备了(Na0.520+xK0.480)0.915Li0.085NbO3(x=0~0.025)无铅压电陶瓷,研究了过量Na的掺杂量对其烧结温度、微观结构及压电性能的影响。结果表明,过量Na掺杂在烧结过程中促进液相的产生,导致样品烧结温度显著降低。室温下样品均为四方结构。随x的增加,样品的斜方-四方相变温度tO-T趋向低温。当x从0.010增大到0.025时,Qm从131提高到238,tanδ和d33分别从0.034和125pC/N下降至0.012和105pC/N,表明过量Na实际上起到了"硬性掺杂"的作用。

    2009年07期 v.28;No.209 11-13+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 1201K]
    [下载次数:280 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:140 ]
  • Sm_(0.9)Sr_(0.1)FeO_3的制备及其气敏性能

    陈林富;胡季帆;韩周祥;秦宏伟;

    用Sr对SmFeO3进行A位掺杂,用柠檬酸盐sol-gel法制得Sm0.9Sr0.1FeO3粉体。对其进行XRD表征,并制成气敏元件。采用静态配气法测试其气敏性能。结果表明:该粉体为斜方晶系钙钛矿结构,平均晶粒尺寸约为25nm。在空气中的电导较SmFeO3高50倍左右,最佳工作温度下降160℃。在220℃的最佳工作温度下,气敏元件对体积分数为5×10–4乙醇的灵敏度高达56,且其选择性好,响应–恢复时间分别为40s和50s,有望开发成为对乙醇检测的气敏材料。

    2009年07期 v.28;No.209 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 770K]
    [下载次数:122 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:106 ]
  • NTC热敏陶瓷Ni_(0.66)Mn_(2.34-x)Co_xO_4的电性能研究

    王忠兵;吴蕾;韩效钊;赵肃莹;张大伟;

    采用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了Ni0.66Mn2.34-xCoxO4(0<x<2.00)系列NTC热敏陶瓷的相结构和电性能参数与Co掺入量的关系。结果表明:当0<x<1.00时,形成尖晶石固溶体,ρ25和B值均随着Co掺入量的增加而降低;1.00<x<2.00时,尖晶石相和Co1-xNixO岩盐相共存,ρ25出现波动,B值则先急剧增加随后基本保持不变。尤其在1.60<x<2.00时,此陶瓷具有较低ρ25(600Ω·cm)和较高B值(4220K)。

    2009年07期 v.28;No.209 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 996K]
    [下载次数:488 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:16 ] |[阅读次数:108 ]
  • 成核/晶化隔离法制备ZnO气敏材料

    葛文;葛秀涛;王丁;李永红;徐甲强;

    分别用成核/晶化隔离法和化学共沉淀法制备了ZnO纳米颗粒。用XRD、DSC-TGA表征其微结构和成相温度,静态配气法研究两种方法所制备ZnO纳米颗粒的气敏性能差异。结果表明:成核/晶化隔离法所制备的ZnO纳米颗粒相对于化学共沉淀法制备的ZnO纳米颗粒对酒精和汽油具有更好的气敏性能。290℃工作温度下,成核/晶化隔离法制备的ZnO纳米颗粒对体积分数均为50×10–6的酒精和汽油灵敏度分别高达34和68,远高于化学共沉淀法制备的ZnO纳米颗粒的17和28。

    2009年07期 v.28;No.209 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 845K]
    [下载次数:308 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:6 ] |[阅读次数:120 ]
  • 基于SETMOS的CNN结构分析及实现

    张南生;何花;金贵梅;蔡理;

    分析了单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)的混合器件——SETMOS所具有的特性,利用补偿原理设计了细胞神经网络(CNN)结构的细胞体电路、分段线性模块、A模板和B模板电路,得到了由SETMOS构成的CNN具体电路。仿真结果表明,所设计的硬件电路结构简单,静态功耗低,约200nW,有利于进一步提高集成电路的集成度,为相关工程领域的实际应用提供了新方法。

    2009年07期 v.28;No.209 24-26+29页 [查看摘要][在线阅读][下载 817K]
    [下载次数:37 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:69 ]
  • 片状FeCoZr合金吸收剂吸波性能的正交实验

    郭欣;王鲜;廖章奇;龚荣洲;冯则坤;

    采用气雾化和机械球磨结合的方法制备片状FeCoZr合金磁粉吸收剂,利用正交实验综合研究了球磨时间、吸收剂粒径和含量对吸波材料在2~18GHz内吸波性能的影响。结果表明:在设计范围内,各因素对吸波材料反射损耗的影响顺序从大到小为:球磨时间、粒径和质量分数;获得的最佳工艺条件:球磨时间为15h、吸收剂粒径小于48μm及其质量分数为75%,从而实现了对吸波材料性能的优化设计。

    2009年07期 v.28;No.209 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 667K]
    [下载次数:211 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:6 ] |[阅读次数:142 ]
  • 铁基非晶软磁合金的制备及磁性能研究

    姜少宁;雷建民;张敏刚;贾明武;

    研究了铁基非晶(Fe1–xCox)78.4Nb2.6Si9.0B9.0Cu1.0(x=0,0.15,0.35,0.55或0.75)软磁合金的制备工艺及磁性能。结果表明:采用熔体快淬法制备的非晶薄带宽约3mm,厚20~40μm;最佳工艺参数为铜轮转速35m/s,熔体射流压力0.14MPa;借XRD分析了合金的相结构,发现合金薄带为非晶态;通过振动样品磁强计(VSM)测量了磁性能,其Bs大于1.00T,Hc为2.31~5.17kA/m。用畴壁钉扎效应分析了Hc偏高的原因。

    2009年07期 v.28;No.209 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 753K]
    [下载次数:583 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:8 ] |[阅读次数:85 ]
  • sol-gel法制备掺Al的ZnO薄膜及其表面形貌表征

    戴结林;

    用原子力显微镜,观察了sol-gel法制备之掺Al的ZnO薄膜的表面形貌,计算了薄膜的表面高度–高度相关函数H(r)-r,并用分形表面高度–高度相关函数的唯象表达式,对薄膜表面高度–高度相关函数进行拟合。结果表明:掺Al的ZnO薄膜表面具有典型的分形特征,Al掺杂量的增加和退火温度升高,使掺Al的ZnO薄膜的表面粗糙度w从1.39增大到5.47,分形维数Df由2.12减小到2.08,水平相关长度ξ从31.25增到76.17。

    2009年07期 v.28;No.209 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 873K]
    [下载次数:223 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:9 ] |[阅读次数:89 ]
  • 脉冲激光沉积制备NiO(111)外延薄膜及其结构研究

    贝力;朱俊;赵丹;郑润华;李言荣;

    采用脉冲激光沉积法(PLD)在具有六方纤锌矿结构的蓝宝石衬底上制备了NiO外延薄膜,研究了沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。在650℃、20Pa氧分压的条件下制得了高结晶质量的单晶NiO薄膜。高能电子衍射分析发现,该NiO薄膜沿Al2O3[11–20]方向入射的衍射图像为清晰的斑点,说明NiO薄膜的生长模式为岛状模式,薄膜与衬底的外延匹配关系为:(111)[11–2]NiO//(0001)[11–20]Al2O3。

    2009年07期 v.28;No.209 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1000K]
    [下载次数:187 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:5 ] |[阅读次数:118 ]
  • 电解电容器高压阳极用高纯铝箔织构研究

    黄丽颖;吕晓芳;何红升;

    采用蚀坑法、EBSD微观取向分析法,研究了电解电容器高压阳极用高纯铝箔制备过程中的织构演变。结果表明:热轧高纯铝板织构主要类型是高斯织构、立方织构和铜织构。随着冷轧变形率的增加,冷轧织构中的立方织构含量增加,冷轧变形率为96.3%时,立方织构体积分数为14%。再结晶织构中的立方织构含量随再结晶退火温度的增加而增加,再结晶退火温度为530℃时,立方织构体积分数为86%。

    2009年07期 v.28;No.209 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1186K]
    [下载次数:194 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:4 ] |[阅读次数:101 ]
  • 化成箔时间电压参数的测试精度与效率研究

    宋荣;

    介绍一种化成箔上升时间(tr)、到达电压(Vt)自动测试方案,包括电压取样电路的改进、压控恒流源设计及基于Kingview实现自动测试等技术。与目前行业标准相比,该方案Vt测试精度由0.5%提高到0.5‰,测试效率提高6倍;可同时测试3片样品,自动获取tr、Vt,并实时显示升压曲线。经六年的实际应用证明,该方案在技术指标和自动化程度方面达到了国外同类产品先进水平,可确保质量控制更准确、更及时,大大降低了报废率与次品率,同时为企业节省大量人力成本。

    2009年07期 v.28;No.209 42-45+49页 [查看摘要][在线阅读][下载 913K]
    [下载次数:114 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:61 ]
  • 新型铝电解电容器阳极箔耐水合试剂研究

    夏英杰;丁甲;冯哲圣;

    基于密度泛函的第一性原理计算,采用新型膦酸盐乙二胺四甲叉膦酸钠作为耐水合试剂对化成后的铝电极箔进行耐水合处理。研究了γ-Al2O3(110)面上水分子的吸附机理以及铝电极箔的耐水合性能。计算结果显示水分子在γ-Al2O3(110)面上的Al原子上方可发生吸附,且四面体位置上的Al原子吸附活性优于八面体位置上的Al原子。红外光谱及原子力显微镜检测表明铝电极箔耐水合性能优良。新方法处理后,升压时间从15.1s缩短到7.8s。

    2009年07期 v.28;No.209 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 1282K]
    [下载次数:235 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:85 ]
  • 预处理对阳极铝箔腐蚀特性的影响

    王跃;

    采用正交试验方法,研究了H3PO4溶液、HNO3溶液和A电解液(HCl和H2SO4组成的环保型体系)三种预处理方式分别对后道工序铝箔腐蚀发孔行为的影响。结果表明:用A电解液预处理不但易于生产控制,而且提高了铝箔产品的比容档次和质量一致性,较之H3PO4溶液、HNO3溶液处理,比容提高了2%,其离散率从9%下降到了6%,同时降低了制造成本和环保压力。

    2009年07期 v.28;No.209 50-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 1538K]
    [下载次数:225 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:7 ] |[阅读次数:79 ]
  • 电子浆料用Bi_2O_3-B_2O_3系无铅玻璃粉性能研究

    乔文杰;陈培;贺雅飞;陈小英;

    采用高温熔融水淬的方法,制备了w(Bi2O3)为50%~65%,w(B2O3)为25%~40%的Sb2O3掺杂Bi2O3-B2O3系玻璃粉体,研究了Bi2O3和B2O3含量对所制玻璃的玻璃转变温度tg、软化温度tf、线膨胀系数αl以及电阻率ρ等的影响。结果表明,随着w(Bi2O3)的增加,玻璃的tf缓慢下降并维持在490℃左右,熔封温度为550~600℃,αl从62.3×10–7/℃上升至69.1×10–7/℃;在80~200℃,玻璃的ρ为1011~1013Ω·cm。

    2009年07期 v.28;No.209 53-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 2563K]
    [下载次数:986 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:23 ] |[阅读次数:150 ]
  • ZrC改性碳/碳复合材料的氧化及烧蚀行为

    陈强;高拴平;张守阳;

    采用ZrOCl2·8H2O为改性添加剂前驱体,利用Zr与碳基体之间的原位反应制备了ZrC改性碳/碳(C/C)复合材料。借助热分析和氧乙炔烧蚀试验,研究了所得试样的抗氧化和抗烧蚀行为;用X射线衍射仪和扫描电子显微镜检验观察了改性前后C/C复合材料的烧蚀形貌和Zr的存在形式。结果表明:ZrC颗粒尺寸细小,在试样中分布均匀;改性C/C复合材料质量烧蚀率比改性前降低了43.6%。

    2009年07期 v.28;No.209 57-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 2507K]
    [下载次数:540 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:7 ] |[阅读次数:88 ]
  • TiO_2对AlN-C复相材料性能的影响

    吴华忠;李晓云;丘泰;

    以TiO2[0]为前驱体,采用热压烧结工艺,高温原位合成AlN-C-TiC复相材料。通过矢量网络分析仪、SEM和XRD等测试手段,研究了添加剂TiO2对AlN-C复相材料密度、热导率、电阻率、微波衰减特性和显微结构的影响。结果表明,添加TiO2后有新相TiC生成,热导率降低,改善了材料的衰减性能。通过调整参数,使得该复相材料在w(TiO2)为3%时,微波衰减达到-0.8dB。

    2009年07期 v.28;No.209 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 3467K]
    [下载次数:76 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:2 ] |[阅读次数:154 ]
  • 隔离器负载用微波吸收材料的研制

    邓晓东;彭承敏;徐光亮;李扬兴;王向楠;

    以环氧树脂为基体、羰基铁粉为吸收剂制备复合微波吸收材料。对获得的羰基铁粉/环氧树脂复合材料的击穿电压强度、密度和吸收损耗进行了测试,并对使用该材料的隔离器性能进行了研究。结果表明:羰基铁粉在树脂中分散性较好,颗粒之间的绝缘程度很高,吸收材料的吸收损耗大,承受功率高。密度为3.83g/cm3的试样,击穿电压强度达763V/mm,8~12GHz频率内吸收损耗在2.5~4.5dB/mm。隔离器负载中使用该材料,器件电压驻波比(VSWR)≤1.2时,隔离度≥20dB,相对带宽为25%,承受功率≥5W。

    2009年07期 v.28;No.209 65-67+72页 [查看摘要][在线阅读][下载 813K]
    [下载次数:239 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:11 ] |[阅读次数:75 ]

综合信息

  • 德科学家研制出世界最快硅芯片

    <正>德研制世界最快芯片,速度英特尔4倍德国卡尔斯鲁尔大学日前宣布,该校的一个国际研究小组成功研制出目前世界上最快的超速硅芯片,这种芯片可以同时处理260万个电话数据,其运算速度是目前记录保持者Intel(英特尔)芯片的4倍。

    2009年07期 v.28;No.209 23页 [查看摘要][在线阅读][下载 512K]
    [下载次数:33 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:37 ]
  • 2009年中国国内对MLCC的需求量将达5640亿只

    <正>我国内地已是全球MLCC的主要生产与消费地之一,国内市场需求靠大量进口来满足。与此同时,国内产品也有大量出口。国内MLCC市场规模在不断高速扩大,1999年国内MLCC市场需求约280亿只,到2003年已增长到约3000亿只,约占全球需求量一半,增长超过了10倍。到2005年,中国国内对MLCC的需求量已经接近4700亿只,2006年约为6100亿只,

    2009年07期 v.28;No.209 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 650K]
    [下载次数:145 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:53 ]
  • 2009年全球NTC热敏电阻市场规模将达14.13亿美元

    <正>根据智多星顾问的数据,2007年全球电阻器市场规模约达到60亿美元,估计NTC热敏电阻占据22.63%的市场份额,市场规模达到了13.58亿美元,2008年全球NTC热敏电阻市场规模达到了13.85亿美元,增长速度为2%左右,主要是因为受全球金融危机

    2009年07期 v.28;No.209 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 650K]
    [下载次数:127 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:73 ]

编读通信

可靠性

  • 基于电阻应变临界点的无铅焊点失效分析

    蒋礼;刘方林;周孑民;陈晓敏;王天云;

    利用特制的焊点在线测试系统,测试了不同载荷条件下单个无铅焊点的电阻应变曲线,推导出电阻应变和损伤量之间的定量关系式,分析了焊点失效特性。结果表明:无铅焊点电阻应变曲线包括线性变化区和指数变化区;两个区域临界点处的电阻应变值为0.05左右,临界点至失效的时间约占焊点寿命的20.00%~30.00%;热循环条件下,40℃的电阻应变曲线临界点滞后于125℃的临界点,滞后时间约占焊点寿命的7.50%。

    2009年07期 v.28;No.209 68-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 811K]
    [下载次数:150 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:10 ] |[阅读次数:84 ]
  • 回流焊对SnAgCuBi/Cu焊点IMC及剪切强度的影响

    权延慧;孙凤莲;王丽凤;刘洋;

    利用金相显微镜和扫描电镜对多次回流焊后的Sn-0.3Ag-0.7Cu-xBi/Cu焊点IMC和剪切断口形貌进行了观察和分析。结果表明:Bi的加入提高了接头剪切强度,且随着Bi含量的增加而增加,当w(Bi)为4.5%时达最大值45.07MPa,同时Bi的加入有效抑制了焊点IMC的增长。经过5次回流焊后,未加入Bi的焊点剪切强度由24.55MPa下降到20.82MPa,而加入w(Bi)为3.0%的焊点剪切强度由35.95MPa下降到32.46MPa。

    2009年07期 v.28;No.209 73-76页 [查看摘要][在线阅读][下载 2075K]
    [下载次数:292 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:5 ] |[阅读次数:87 ]

综述

  • 传统PAA成孔理论的局限性和新生长模型

    杨修丽;王晨雨;姜月;王剑秋;朱绪飞;

    综述了多孔阳极氧化铝(PAA)的成孔理论,分析了传统"酸性场致溶解"理论多方面的局限性,其无法解释PAA的六棱柱元胞结构。笔者根据PAA的氧气气泡生长模型,对PAA规则的六棱柱结构进行了合理的解释:电解液中阴离子使氧化膜变成了壁垒层和污染层两层,雪崩电子电流导致了在壁垒层/污染层界面上O2的析出,PAA的圆柱形孔道和六棱柱元胞是Al2O3抱紧氧气气泡生长的结果。

    2009年07期 v.28;No.209 77-81页 [查看摘要][在线阅读][下载 1047K]
    [下载次数:155 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:10 ] |[阅读次数:83 ]

  • “第22届中国电子元件百强论坛”在宁波召开

    <正>6月16日,由中国电子元件行业协会主办的"第22届中国电子元件百强论坛暨2009中国电子元件产业峰会"在宁波召开。工业和信息化部电子信息司肖华司长、商务部产业损害调查局杨益局长、工业和信息化部运行监测协调局高素梅副局长、工业和信息化部财务司王秉科副司长、宁波市政府陈炳荣副秘书长、宁波市

    2009年07期 v.28;No.209 81页 [查看摘要][在线阅读][下载 492K]
    [下载次数:24 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:48 ]
  • 下载本期数据