- 黄晋;刘心宇;李川;王洋;
以BaCO3、SnO2和Bi2O3为原料,采用传统固相反应法制备了具有NTC特性的BaSnO3/BaBiO3复相陶瓷。借助XRD、SEM和R-t特性测试仪,研究了该陶瓷的相结构、断面形貌及n(BaBiO3)对其电性能的影响。结果表明:随着r(BaBiO3∶BaSnO3)从0.1∶1.0增大到0.9∶1.0,样品的B25/85值从4400K降低到3000K,同时室温电阻率ρ25从106Ω·cm降低到103Ω·cm。
2009年05期 v.28;No.207 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 989K] [下载次数：113 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：99 ] - 李川;刘心宇;石雨;王小军;
以BaCO3、Bi2O3为原料,Na2C2O4为掺杂剂,用传统固相法制备了具有NTC特性的BaBi1–xNaxO3陶瓷。用XRD,SEM和ρ-t特性测量仪,研究了Na+掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:BaBi1–xNaxO3陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着x(Na2C2O4)的增加呈现先减小后变大的趋势;当x(Na2C2O4)为0.050时,获得了具有较好NTC特性的试样,其ρ25为2200?·cm,B25/85值为3365K。
2009年05期 v.28;No.207 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 3044K] [下载次数：118 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：90 ] - 高峰;李鹏飞;王群;
对球磨后的FeSiAl合金粉末进行不同温度真空退火,并制备成软磁合金复合材料(SCM)。采用SEM、XRD和网络分析仪等分析手段,研究了退火后合金的相组成、超点阵结构有序度、平均晶粒尺寸和1MHz～1.5GHz的SCM的复磁导率,随退火温度变化的规律。结果表明:随着退火温度逐渐提高,DO3超点阵结构有序度由0.38增大到0.66、平均晶粒尺寸由36.93nm增大到71.41nm、SCM在同频率下的μ′和μ″均逐渐减小。
2009年05期 v.28;No.207 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1238K] [下载次数：482 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：124 ] - 王矜奉;亓鹏;王春明;郑立梅;盖志刚;
为降低成本,采用传统电子陶瓷工艺制备了(Na0.5K0.5–xLix)NbO3(x=0.057～0.066)无铅压电陶瓷。Li取代K可以明显提高样品的居里温度(tC),x=0.066时样品的tC高达510℃,比纯(Na0.5K0.5)NbO3陶瓷高70℃左右。x=0.064时样品的d33高达212pC/N,kp为45.7%。x=0.063～0.066时样品的tanδ均低于0.020。特别是,x=0.066的样品经450℃退火24h,d33仍高达125pC/N。实验表明,(Na0.500K0.434Li0.066)NbO3是高性能的高温无铅压电陶瓷。
2009年05期 v.28;No.207 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 2074K] [下载次数：269 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：97 ] - 陈敬艳;刘梅;华杰;尹基哲;李海波;
采用sol-gel法及经空气中热处理制备了CoFe2O4和CoFe2O4/SiO2纳米材料。利用XRD、SEM和振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、晶粒尺寸及磁性能进行了研究。结果表明:SiO2的加入有助于降低CoFe2O4的形成温度,有效抑制CoFe2O4晶粒的长大,并使CoFe2O4的Hc提高。经900℃热处理的CoFe2O4/SiO2样品中已不存在杂相Fe2O3;CoFe2O4的晶粒尺寸从无SiO2时的78nm减小到15nm;样品的Hc由41.1kA·m–1提高到73.1kA·m–1。
2009年05期 v.28;No.207 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 1305K] [下载次数：159 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：87 ] - 张一兵;汪建;江雷;
用硫酸钛水热法制备了纳米TiO2光催化剂,研究了纳米TiO2的形态结构特征及其光催化性能,并探讨了甲醛溶液的初始pH值和初始浓度、TiO2用量、降解温度和时间对光催化降解反应的影响。结果表明,制备的锐钛矿TiO2产物平整而密实,它由八面体结构的TiO2纳米晶大面积自组装而成。在35℃降解温度下采用254nm紫外光源照射1h后,锐钛矿TiO2对甲醛的降解率达到51.10%,2h后达68.42%。
2009年05期 v.28;No.207 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 1145K] [下载次数：390 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：104 ] - 梁晓军;巩会玲;李旺;黄伟军;刘宇;
以低εr的ZnNb2O6为基体,以高εr的CaCu3Ti4O12(CCTO)为增强体,研究了CCTO-ZnNb2O6复合材料体系的介电逾渗行为以及高温下的固相反应。结果表明:当CCTO体积分数超过51.0%时,εr突然跃迁,达到5600,表现为介电逾渗。CCTO与ZnNb2O6在900℃以上会发生固相反应,生成Cu0.5Ti0.5NbO4、CaNb2O6、Zn2TiO4及一种与CCTO衍射峰相似、晶格常数比CCTO略大的未知物质,分析认为该未知物质是Nb5+取代CCTO中部分Ti4+而形成的固溶体。
2009年05期 v.28;No.207 24-26+29页 [查看摘要][在线阅读][下载 1172K] [下载次数：188 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：92 ] - 张娟;袁昊;向群;徐甲强;
以Cu(NO3)2·3H2O为铜源,氢氧化钠为pH调节剂,CTAB为表面活性剂,在150℃下水热反应24h成功制备出氧化铜纳米棒。通过TEM,XRD对其进行了表征。结果表明:所制得的材料为具有单斜晶系的氧化铜纳米棒,其长度为300～500nm,直径为40～50nm。通过静态配气法,对其在不同工作温度下的气敏性能进行了研究。发现:采用p型氧化铜纳米棒所制得的元件在250℃下,对体积分数为50×10–6的氯气有较好的气敏性能,灵敏度为4.5,响应/恢复时间为8s/40s。
2009年05期 v.28;No.207 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 933K] [下载次数：978 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：30 ] |[阅读次数：110 ] - 王发顶;康雪雅;
采用氧化物固相合成法,制备了掺Li2CO3的ZnO压敏陶瓷。研究了掺Li2CO3量对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响。结果表明:当x(Li2CO3)从0增加到0.50%时,压敏电位梯度从529V/mm增大到2170V/mm。XRD测试发现,掺Li2CO3并未出现新相结构。晶界势垒高度揭示,ZnO晶粒尺寸的迅速减小是压敏电位梯度急剧增高的主要原因。Li+置换Zn2+,将会在禁带中价带的顶部形成附加的受主能级,使能带发生畸变。
2009年05期 v.28;No.207 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 930K] [下载次数：165 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：89 ] - 陈海燕;张海燕;黄一帆;郑楚钳;
选择腐蚀性较低的有机酸作为制备无铅电子焊膏活性剂的原料。对五种有机酸进行筛选和复合选取,并进行回流焊接模拟。按国家标准(GB/T9491—2002)对其铺展率、腐蚀性进行了测试。结果表明,选用w(己二酸)为60%和w(丁二酸)为40%的混合酸作为活性剂,具有良好的润湿性和助焊活性,铺展率在87%左右。焊后残留少,腐蚀性弱,焊点饱满光亮,焊层薄而明晰。
2009年05期 v.28;No.207 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 1463K] [下载次数：230 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：96 ] - 宁金叶;刘兴钊;邓新武;
采用MOCVD法在蓝宝石(0001)单晶衬底上生长AlN压电薄膜。用XRD和原子力显微(AFM)技术表征薄膜的微观结构。研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AlN薄膜织构特性的影响,并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化。结果表明:在优化条件下制备的AlN薄膜高度c轴择优取向,(0002)峰摇摆曲线半高宽仅为0.10°,且薄膜表面平整,椭圆偏振法测出其折射率为2.0～2.4。
2009年05期 v.28;No.207 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 829K] [下载次数：303 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：76 ] - 申灏;邰枫;郭福;史耀武;
研究了Cu含量对SnAgCu系钎料合金显微组织及其与化学镀Ni基板钎焊接头力学性能的影响。结果表明:高Cu含量SnAgCu合金会产生较多的(CuxNi1-x)6Sn5金属间化合物,从而减少镀Ni层的消耗,进一步提高钎焊接头的剪切强度。与Sn-3.0Ag-0.3Cu相比,Sn-3.0Ag-1.0Cu钎焊接头剪切强度提高了6.78%。经过150℃时效1000h后,界面Ni3(P,Sn)层的增长率从Sn-3.0Ag-0.3Cu合金的约66%降低到Sn-3.0Ag-1.0Cu合金的约40%。
2009年05期 v.28;No.207 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 2296K] [下载次数：325 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：67 ] - 刘绪磊;周德俭;黄春跃;李永利;
利用ANSYS的APDL参数化编程语言,建立了灌封电路模块的有限元模型。选取挠性印制电路板(FPCB)厚度、上、下灌封体厚度、空气对流系数和环境温度等7个参数作为关键因素,安排正交试验。结果表明:上、下灌封体厚度等因素都对灌封电路模块工作温度有显著影响,其中空气对流系数的影响最为显著。初始设计的灌封电路模块工作温度为460.94K,通过增加灌封体的厚度,选择高热导率的灌封材料,保证良好的通风散热,控制环境温度,可以将模块的工作温度降到329.11K。
2009年05期 v.28;No.207 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 780K] [下载次数：207 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：60 ] - 许贵军;周洪庆;朱海奎;陈栋;刘敏;
采用XRD、SEM等手段,系统研究了CaO-B2O3-SiO2(CBS)系的玻璃形成范围,利用热分析结果计算了玻璃的析晶参数β。结果表明:纯CBS玻璃形成范围是x(B2O3)为10%～75%,x(SiO2)为0～45%,x(CaO)为25%～55%;整个玻璃形成区比较窄,并向B2O3方向伸展。添加x(Al2O3)为10%可以改善玻璃的失透,提高玻璃体的形成能力,使烧结后εr变化不大,由6.43变为6.31,tanδ显著增加,由0.0009增至0.0020。试样的主要晶相为CaB2O4、α-石英和CaSiO3。
2009年05期 v.28;No.207 47-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 969K] [下载次数：385 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：83 ] - 李飞龙;黄金亮;杨留栓;顾永军;李谦;
通过Li2O-B2O3-SiO(2LBS)玻璃的有效掺杂,低温液相烧结制备了16CaO-9Li2O-12Sm2O3-63TiO(2CLST)陶瓷。研究了LBS掺杂量对其烧结性能、相组成及介电性能的影响。结果表明:通过掺杂LBS,使CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降至1000℃,且无第二相生成。随LBS掺杂量的增加,tanδ显著降低,τf趋近于零。当w(LBS)为10%时,CLST陶瓷在1000℃烧结3h获得最佳介电性能:tanδ为0.0045,τf为4×10–6/℃,虽然εr由105.0降至71.0,但仍属于高εr范围。
2009年05期 v.28;No.207 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 1479K] [下载次数：203 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：21 ] |[阅读次数：93 ] - 陈栋;刘敏;周洪庆;朱海奎;
采用固相反应法在不同烧结温度(1080～1160℃)下制备了CaCu3Ti4+xO12(x=0,0.01,0.03和0.05)陶瓷,研究了烧结温度对富钛陶瓷相结构和电学性能的影响。结果表明:1080～1140℃烧结的样品均为单一的CaCu3Ti4O12相。1120℃和1140℃烧结样品的相对密度相近,约95%,在50Hz～10MHz,介电频谱中均出现tanδ峰,且从1120℃的105Hz变化到1140℃的103Hz处。运用内部阻挡层电容模型和Maxwell-Wagner模型可以解释该现象。
2009年05期 v.28;No.207 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 975K] [下载次数：175 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：83 ] - 迟慧;洪涛;邹道兵;
通过对特高压(Vfe=950V)电容器用电极箔微观形貌的理论计算,采用一次腐蚀控制孔密度和孔长度参数,二次腐蚀控制相应的孔径。研究了700～1100V特高压电极箔的两次电化学腐蚀工艺。使Vfe为950V的特高压电容器用电极箔的参数指标得到了优化:孔密度为0.116个/μm2,孔径为2.02μm,比容达到0.210×10–6F/cm2。
2009年05期 v.28;No.207 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 1064K] [下载次数：240 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：105 ] - 韩恩山;陈佳宁;宋芸聘;王晨旭;
通过化学液相法,用硫脲作为还原剂和高锰酸钾反应制备了无定形MnO2。用XRD和SEM研究了产物的结构和形貌,用恒流充放电和循环伏安测试考察了MnO2的电化学性能。结果表明:在0.5mol/L的Na2SO4溶液中,电位窗口为0～0.8V、电流密度为1×10–3A/cm2时,首次放电比容量为248F/g,,经过100次循环后比容量保持在232F/g。在(3～5)×10–3A/cm2的电流密度下放电比容量分别为198和182F/g,具有良好的电容特性。
2009年05期 v.28;No.207 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 1486K] [下载次数：272 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：139 ] - 赖松林;程树英;彭少朋;
用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270℃的条件下硫化45min。研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响。结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小;但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型。当硫化温度为240℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800nm,薄膜的直接能带间隙为1.46eV,电阻率为25.54Ω·cm。
2009年05期 v.28;No.207 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 1143K] [下载次数：61 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：81 ]
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<正>于凌宇认为,电子信息产业发展的规律之一是"逐级递增规律"。电子元件技术的每一次创新突破,不仅使电子元件产业本身产生一次跨越式发展,而且推动直接利用新型电子元件的电子整机更新换代,使这些直接相关的电子整机产业实现更大的发展,进而带动国家经济与世界经济走向繁荣。
2009年05期 v.28;No.207 23页 [查看摘要][在线阅读][下载 458K] [下载次数：93 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：70 ] <正>2008年12月,全球最大的多晶硅生产厂家——美国Hemlock公司宣布了将在田纳西州投资12亿美元建设多晶硅工厂的计划。根据该计划,Hemlock在田纳西州的新厂初期产能为1.3万吨/年,未来可将产能提高到2.1万吨/年,而总投资也将增至25亿美元。与此同时,该公司还将在美国密歇根州的工厂追加投资10亿美元,从而将该厂的产能从每年
2009年05期 v.28;No.207 32页 [查看摘要][在线阅读][下载 546K] [下载次数：56 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：46 ] -
<正>调研机构Display Search于近日首次发布关于大尺寸液晶面板厂商生产策略报告,该报告指出韩国厂商2009年的计划出货量将较2008年增加23%,而我国台湾厂商将仅较去年增加12%。根据Display Search分析,2008年韩国大尺寸液晶面板年出货量增加了23%,今年也将跟随去年增长的脚步,加上有部分新生产线
2009年05期 v.28;No.207 53页 [查看摘要][在线阅读][下载 601K] [下载次数：14 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：32 ] <正>据海关统计,今年3月份,我国进出口总值1620.2亿美元,同比下降20.9%。其中,出口902.9亿美元,同比下降17.1%;进口717.3亿美元,同比下降25.1%;当月贸易顺差185.6亿美元,同比增加41.2%。
2009年05期 v.28;No.207 57页 [查看摘要][在线阅读][下载 595K] [下载次数：16 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：22 ] -
<正>表面贴装行业正在经受全球消费开支下降所产生的严重负面影响。中国电子制造行业如何面对全球经济下滑带来的冲击,同时调整扩张计划、生产能力和成本,非常关键。客户向制造商提出更多要求和更高标准。
2009年05期 v.28;No.207 68页 [查看摘要][在线阅读][下载 582K] [下载次数：62 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：74 ] <正>汽车行业IT成熟度在全球来看仅次于金融、电信,属于发展比较完善的行业,IDC预计2011年全球汽车行业总体IT投资规模可达到342.2亿美元,2006～2011年汽车行业IT投资规模平均年复合增长率为4.9%。
2009年05期 v.28;No.207 72页 [查看摘要][在线阅读][下载 495K] [下载次数：42 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：67 ] - 梁红兵;
<正>2009年,4月13日,中国大陆首条第6代TFT-LCD生产线开工仪式在合肥市举行,生产线完全由京东方自主建设。京东方第6代TFT-LCD生产线项目计划总投资175亿元,设计产能为月产90K,玻璃基板尺寸为1500mm×1850mm,包括阵列、彩膜、成盒和模组等四部分全生产工序,产品以37英寸以下电视和
2009年05期 v.28;No.207 76页 [查看摘要][在线阅读][下载 557K] [下载次数：68 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：39 ] <正>2008年12月3日,欧盟委员会在其官方网站上刊登了RoHS指令修订版的草案。企业关注的RoHS指令修订内容主要包括:将医疗器械和控制设备纳入管控范围,进一步限制的优先关注物质和加强市场监督等。虽然修订涉及诸多内容,
2009年05期 v.28;No.207 80页 [查看摘要][在线阅读][下载 584K] [下载次数：62 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：36 ]