刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • (Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能

    尹灵峰;郑兴华;梁柄亮;汤德平;黄爱玉;

    通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0~0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。

    2009年04期 v.28;No.206 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 2582K]
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  • KOH浓度对水热合成Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7纳米粉体的影响

    汪潇;杨留栓;黄金亮;

    以KOH为矿化剂,用水热法合成了Bi1.5ZnNb1.5O7纳米粉体。结合负离子配位多面体生长基元模型,研究了KOH浓度对粉体物相、粒径和形貌的影响。结果表明:采用水热法可合成单相立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7纳米粉体,粉体呈颗粒状。稳定生长基元的形成是影响粉体粒径的主要因素,受KOH浓度影响较大,但粉体形貌并不受KOH浓度的影响。当c(KOH)为1.8mol/L,于220℃水热反应24h,合成粉体粒径最小为51nm,比表面积最大为28.8m2/g。

    2009年04期 v.28;No.206 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 1121K]
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  • 不同工序添加MgO的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷及其性能

    李真;吴昌英;韦高;高峰;

    通过在不同工序添加MgO,研究添加方式对Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)陶瓷微观结构与介电性能的影响。结果表明:在预合成BSTO后加入MgO,样品中有明显的Ba3(VO4)2针状晶粒生成,且随MgO添加量的增多而减少;在预合成BSTO前加入MgO的样品中,该新相极少。MgO添加量相同时,在预合成BSTO前加入,样品的介电常数较低;在预合成BSTO后加入,样品的高频损耗较小,可调性较高,当添加质量分数为15%~25%的MgO,样品在103V/mm电场强度下的可调性均高于20%。

    2009年04期 v.28;No.206 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 2029K]
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  • Nb掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷铁电性能的影响

    黄小丹;冯湘;王华;许积文;杨玲;

    采用固相反应法制备了Bi4Ti3-xNbxO12+x/2(x=0~0.090,BTN)铁电陶瓷,研究了Nb掺杂量对BTN陶瓷铁电性能的影响。结果表明,适量的Nb掺杂可显著提高材料的剩余极化强度Pr,一定程度上降低矫顽场强Ec,并减小BTN陶瓷的平均晶粒尺寸(1~2μm)。当x=0.045时,陶瓷的综合性能较好,即有较高的2Pr(0.27×10–4C/cm2)和较小的2Ec(7.43×104V/cm),其剩余极化强度与未掺Nb的Bi4Ti3O12陶瓷相比,提高了近3.8倍。

    2009年04期 v.28;No.206 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 1195K]
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  • 双轴同轴型微波介质滤波器的仿真与设计

    张丽慧;张火荣;夏永明;陶锋烨;方涛;

    在介绍双轴同轴型谐振微波介质滤波器结构及工作原理基础上,利用理论公式计算与HFSS10.0三维有限元仿真的混合设计方法,设计了满足性能要求(插入损耗为–3dB以上;–3dB带宽为18MHz以上)的微波介质滤波器。滤波器试样实际测试结果表明,该设计方法正确可行,测试结果与仿真结果有很好的一致性,最终设计出的滤波器插入损耗为–2.83dB,–3dB带宽为35MHz。

    2009年04期 v.28;No.206 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 727K]
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  • 抽头式折叠线SIR带通滤波器设计

    宗志峰;覃亚丽;黄文彪;

    提出一种以抽头线方式输入信号的折叠线阶梯阻抗谐振器(SIR),应用低温共烧陶瓷(LTCC)叠层技术实现,可获得大的电容值,缩短谐振腔的长度,实现小型化。分析了输入线抽头的位置对滤波器性能的影响,利用等效的集总电路原理图解释了该结构易在通带右侧出现传输零点的原因。应用二级耦合SIR设计了一个尺寸为2.5mm×2.0mm×0.9mm,中心频率为2.45GHz的带通滤波器,仿真结果显示带内插损小于1.1dB。

    2009年04期 v.28;No.206 18-20+23页 [查看摘要][在线阅读][下载 779K]
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  • 一种新型片式LC谐振器的理论分析

    方萍;刘文涛;冯双久;

    分析了Bi系铜氧化物的晶体结构特点,提出可以利用此晶体作为LC谐振器。计算了它的振荡频率,发现直径为2mm圆片状晶体的谐振频率在6kHz左右。影响振荡频率的主要因素为εr、结构常数c和晶体ab面面积S。

    2009年04期 v.28;No.206 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 707K]
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  • 热敏电阻的排列对传感器灵敏度的影响

    宋佳;朴林华;刘玉洁;李言杰;张福学;

    采用有限元方法,借建立微机械气流式全方位水平姿态传感器敏感元件的三维模型,计算了热敏电阻在不同排列方式和不同倾斜状态下,敏感元件内温度场和流场的分布。结果表明:当两两相对的检测热敏电阻之间的距离d改变时,温度场和流场都发生变化;两两相对的检测热敏电阻处气流速度之差?v与倾角关系曲线也随d发生变化。其中,d为900μm是热敏电阻的最佳排列方式。

    2009年04期 v.28;No.206 24-26+33页 [查看摘要][在线阅读][下载 1649K]
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  • 金属氧化物-SnO_2材料气敏与催化性能间关系

    詹自力;唐红岩;潘丽华;张燕;张治军;

    通过在SnO2中分别掺杂质量分数3%的MgO、ZnO和La2O3,考察其对SnO2气敏性能和催化性能的影响,讨论了元件的选择性、灵敏度与材料催化活性间的关系。300℃时,掺杂MgO和La2O3分别使乙醇的灵敏度由11.1增加至41.5和55.2,同时乙醇的转化率由84.5%提高至91.5%和100.0%,而对甲烷的灵敏度和催化活性均无影响。表明气体反应强烈影响其灵敏度,乙醇的灵敏度与其反应的耗氧率呈近似线性关系。

    2009年04期 v.28;No.206 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 683K]
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  • BSTO/RO铁电移相材料的介电性能及应用探讨

    徐翔;匡轮;罗辉华;

    采用固相反应法制备了不同组分钛酸锶钡/轻金属或稀土氧化物(BSTO/RO)铁电移相材料。研究了该系材料的介电性能。结果表明:对于Ba0.6Sr0.4TiO3/质量分数为60%RO材料,1MHz下,εr为119,tanδ为0.001;3.37GHz下,εr为110,tanδ为0.004。3×103V/mm偏置场强下,介电调谐率η为12.8%。材料的介电性能基本上达到了相控阵移相器的使用要求。

    2009年04期 v.28;No.206 30-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 833K]
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  • PLD生长Fe_3O_4薄膜的微结构及磁性能研究

    曹林洪;吴卫东;唐永建;葛芳芳;白黎;

    以烧结α-Fe2O3为靶材,采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在Si(100)基片上制备了Fe3O4薄膜。XRD分析表明,所得薄膜为立方尖晶石结构的Fe3O4,而且具有(311)和(440)择优取向;显微激光喇曼(Raman)光谱分析进一步证实薄膜中只出现单相Fe3O4;AFM分析表明,所得Fe3O4薄膜表面平整;采用VSM分析表明,Fe3O4薄膜的饱和磁化强度Ms约为170kA·m–1,而其矫顽力约为412kA·m–1。

    2009年04期 v.28;No.206 34-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 997K]
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  • 绝缘导热浆料制备和性能

    吕勇;陈萌;罗世永;许文才;

    以低熔玻璃粉、金刚石粉及有机载体制备成浆料,丝网印刷在硬铝LY12基材上,烧结后制成导热绝缘层。分析了浆料中的金刚石粉含量对绝缘导热涂层导热参数和与基片附着力的影响,测试分析了浆料的流变性和触变性。结果表明,绝缘导热浆料的最佳配方为:w(有机载体)为18%;w(金刚石粉)为30%;w(低熔玻璃粉)为52%。静止时浆料中形成弱的絮凝,是剪切变稀体,有一定触变性,具有较好的丝网印刷适性。所制备绝缘涂层的热导率最高可达2.47W/(m·K)。

    2009年04期 v.28;No.206 37-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 958K]
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  • 微量Ce对SnAgCu焊料与铜基界面IMC的影响

    栗慧;卢斌;王娟辉;

    配制了w(Ce)为0.1%和不加Ce的两种Sn-3.5Ag-0.7Cu焊料。在443K恒温时效,研究Ce对焊料与铜基板界面金属间化合物(IMC)的形成与生长行为的影响。结果发现,焊点最初形成的界面IMC为Cu6Sn5,时效5d后,两种焊料界面均发现有Cu3Sn形成。随着时效时间的增加,界面化合物的厚度也不断增加。焊料中添加w为0.1%的Ce后,能抑制等温时效过程中界面IMC的形成与生长,生长速率降低近1/2。并且,界面IMC的形成与生长均由扩散机制控制。

    2009年04期 v.28;No.206 40-42+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 1040K]
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  • CDF型法拉级铝电解电容器的研制

    王德全;宁昆;张学龙;周凡;许恒生;

    采用多片式和插入式引出工艺,29.4MPa高压强冷压焊关键技术,专用高性能工作电解液,正负压交替的含浸工艺和APP新材料等,研制了CDF系列法拉级铝电解电容器。其漏电流、tanδ、尺寸等指标均已达到了日本松下和Nichicon公司同类产品的水平。

    2009年04期 v.28;No.206 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 727K]
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  • 电容式机电转换装置的研究

    李香龙;张炜;井玉梅;

    采用弹力计算和产生弹力的判定方法,研究了圆平行板、球形和圆柱形电容器产生的弹力,结果表明:球形电容器产生的弹力最大,平行板电容器产生的弹力最小。在此基础上,提出了电容器圆锥台极板结构及机电转换装置的优化设计方案。该装置在电容器的两极板间填充高介电常数液体,并采用冲压及化学腐蚀极板的方法来增大电容值,该装置节能、成本低,可在实用化工作电压和小功率的场合替代电磁式机电转换装置。

    2009年04期 v.28;No.206 47-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 761K]
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  • 氧分压对PLD法生长Si(111)基ZnO薄膜性能的影响

    何建廷;曹文田;

    在不同氧分压下用脉冲激光沉积(PLD)法在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜。通过对其进行XRD、傅里叶红外吸收(FTIR)和光致发光谱(PL)的测量,研究了氧分压对PLD法制备的ZnO薄膜的结晶质量和发光性质的影响。XRD显示,氧分压为6.50Pa时可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。PL谱显示,当氧分压由0.13Pa上升至6.50Pa时,位于380nm附近的主发光峰的强度最大。当氧分压进一步上升至13.00Pa时,主发光峰减弱,与氧空位有关的发光峰消失,显示出ZnO薄膜的PL谱和氧分压的大小密切相关。

    2009年04期 v.28;No.206 51-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 748K]
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  • 快速热退火制备多晶硅薄膜的研究

    王红娟;吕晓东;黄义定;仲志国;

    采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅薄膜,然后在快速热退火炉中进行退火。研究了升温速率、降温速率对晶化的影响。结果表明:退火中,升温速率越大,越不利于晶核的形成;降温速率较小时(100℃/60s),形成的晶粒尺寸较小,晶化情况较好,晶化率估算达64.56%。

    2009年04期 v.28;No.206 55-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 903K]
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  • 太阳能电池封装材料固化剂的协同效应

    张艳银;尚红霞;

    利用固化剂聚氧化丙烯二胺(D230)和异佛尔酮二胺(IPDA)的协同效应,以提高太阳能电池封装材料环氧树脂的透明性、抗紫外光老化性和耐热性。热分析和抗紫外光老化实验结果表明:当分别用D230或IPDA单一固化剂时,固化物的玻璃化转变温度θg分别为101和122℃,黄度指数变化值?YI分别为20.48和14.98;而采用D230与IPDA组成的二元固化剂且D230与IPDA的质量比为5:3时,固化物的θg和?YI则分别为138℃和8.44。

    2009年04期 v.28;No.206 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 693K]
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  • 三氧化二铟的制备及其光催化性能

    韦军;周菊英;李政林;林艳;古家虹;

    采用液相沉淀法制备纳米In2O3颗粒。以0.33mol/LInCl3与氨水在70℃下制取氢氧化铟胶体,用正丁醇与胶体共沸蒸馏除去表面的水分和羟基以防止颗粒硬团聚,经110℃干燥和1100℃煅烧后制得纳米In2O3颗粒。研究了其光催化性能。结果表明:制备的In2O3为立方晶系,粒子呈球形,粒径为100nm左右。经过6h的光催化降解,苯酚的降解率可达60%。讨论了In2O3纳米粒子光催化降解苯酚的原理,并给出其降解反应方程式。

    2009年04期 v.28;No.206 61-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 822K]
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  • 活性炭-聚吡咯混合电容器的电化学性能

    张爱勤;张林森;王力臻;张勇;

    低温下(0℃)化学氧化合成了盐酸掺杂聚吡咯。分别以聚吡咯和活性炭为电极材料组装成电化学电容器。采用扫描电镜、恒流充放电、循环伏安和交流阻抗测试仪研究了混合电容器的电化学性能。结果表明:低温下合成的聚吡咯呈颗粒状堆积,粒径为100~300nm;电流密度为6×10–3A/cm2时,混合电容器在1mol/LNa2SO4电解液中比电容高达178.6F/g,100次循环后比电容为初始容量的88.4%,漏电流仅为0.16×10–3A/cm2。

    2009年04期 v.28;No.206 64-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 924K]
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综合信息

  • 大容量锂离子电容器走向实用

    <正>锂离子电容器在设计上采用了双电层电容器的原理,同时又在负极添加了锂离子,从而提高了电容器的能量密度。日本旭化成电子公司和FDK公司都曾研制过在电解液中采用锂氧化物的电容器,但都没有实现

    2009年04期 v.28;No.206 17页 [查看摘要][在线阅读][下载 488K]
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  • Vishay Siliconix推出具有低导通电阻的新型P通道MOSFET

    <正>Vishay宣布发布其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装,具备业内最低的导通电阻。

    2009年04期 v.28;No.206 36页 [查看摘要][在线阅读][下载 793K]
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  • 国巨推出全新FM芯片天线,锁定手机内建FM广播新商机

    <正>被动组件领导厂商国巨公司日前推出小型化2405FM芯片天线,不但改善传统低频天线频宽较窄的缺点,将取代传统FM广播天线外接式设计,小型化低频技术再突破,净空区仅需传

    2009年04期 v.28;No.206 50页 [查看摘要][在线阅读][下载 549K]
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  • 《电子认证服务管理办法》等九部规章公布实施

    <正>日前,工业和信息化部修订了《电子认证服务管理办法》、《工业和信息化部行政许可实施办法》、《电信设备抗震性能检测管理办法》、《电信业务经营许可管理办法》、《无线电台执照管理规定》、《建立卫星通信网

    2009年04期 v.28;No.206 54页 [查看摘要][在线阅读][下载 440K]
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  • 中国OLED产业初具规模 前景值得期待

    <正>ICT研究与管理咨询机构赛迪顾问股份有限公司发布《2008~2009年中国OLED产业发展研究年度报告》显示:尽管从出货量和销售金额来看,目前LCD占据着绝对的市场霸主地位,但是具有低功耗优势的OLED

    2009年04期 v.28;No.206 70页 [查看摘要][在线阅读][下载 453K]
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编读通信

综述

  • 尖晶石型磁性纳米材料的制备及研究进展

    张梅梅;刘建安;

    综述了近年来在尖晶石型铁氧体制备领域的一些最新进展,主要介绍了机械合金化法、sol-gel法、水热合成法、微乳液法、化学共沉淀法和燃烧合成法等,并对各种制备方法进行了简要的评价。对其研究前景进行了展望。

    2009年04期 v.28;No.206 67-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 668K]
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  • 磁电复合材料的研究现状及展望

    李涛;贾利军;张怀武;殷水明;陈世钗;

    介绍了国内外磁电复合材料的研究历史和制备方法,如混相法,铁电/铁磁材料层状复合法。探讨了磁电复合材料应用研究中亟待解决的问题,指出了今后的发展趋势是改进复合材料的设计方法、制备工艺和集成器件应用。

    2009年04期 v.28;No.206 71-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 651K]
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