刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 我国电子级BaCO_3的生产现状

    朱盈权;

    介绍了我国电子级BaCO3的生产方法,包括碳化法、复分解法、转化法、Ba(OH)2法及BaCl2法。重点介绍了反应机理,工艺流程,研究进展,优缺点,主要厂家及其年产量。还述及其技术标准,主要应用领域以及国内市场容量。

    2008年12期 v.27;No.202 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 748K]
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  • 混合集成电路金铝键合退化与控制研究动态

    苏杜煌;何小琦;

    混合集成电路的两种金铝键合系统,有着不完全相同的两种退化模式。综述了相关的退化机理和控制方法的研究状况。金丝与芯片铝膜的Au/Al键合系统,是键合IMC、Kirkendall空洞导致其界面开裂失效;铝丝与厚膜金导体的Al/Au键合系统,除了界面开裂外,还存在键合根部因铝原子向IMC过度迁移而形成铝丝内部空洞导致铝丝断裂。采用铜丝代替金丝,可有效控制Au/Al键合系统的退化;采用过渡垫片或在金浆料中加入少量Pd,同时减少金导体膜厚度,可有效控制铝丝Al/Au键合系统的退化。

    2008年12期 v.27;No.202 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 758K]
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  • 滤波连接器用陶瓷板式阵列电容器

    贾桂荣;

    介绍了采用湿法印刷技术制作的新型抑制EMI滤波元件,即陶瓷板式阵列电容器的结构设计、制造工艺、研究现状及发展方向。该类元件主要用于滤波连接器,其特点是体积小、孔组排列密度高以及机械强度高,可实现电连接器向滤波连接器的直接转换。

    2008年12期 v.27;No.202 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 929K]
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综合信息

  • 金融危机对电子分销业的冲击

    <正>金融危机是否会使经济的"冬天"真的来临?在电子分销业界无疑是一个热点话题。记者通过对活跃在中国市场的部分电子分销商的采访,了解到他们目前大多在业务上较为稳定,从全年来看仍保持着增长的态势,

    2008年12期 v.27;No.202 11页 [查看摘要][在线阅读][下载 533K]
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  • 《电子元件与材料》再次被评为中文核心期刊

    <正>《中文核心期刊要目总览》2008年版(即第五版)是国家社会科学基金项目"学术期刊评价及文献计量学研究"成果。研究人员根据文献计量学的原理和方法,对中文期刊进行了定量评价,并请学科专家对定量评价结果进行了定性评审。本刊被评为核心期刊,编入《中文核心期刊要目总览》2008年版。

    2008年12期 v.27;No.202 21页 [查看摘要][在线阅读][下载 617K]
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  • 超级电容器产业化脚步加快 市场前景广阔

    <正>在超级电容器的产业化方面,美国、日本、俄罗斯、瑞士、韩国、法国的一些公司凭借多年的研究开发和技术积累,目前处于领先地位。如美国的Maxwell,日本的Nec、松下、Tokin和俄罗斯的Econd公司等,这些

    2008年12期 v.27;No.202 32页 [查看摘要][在线阅读][下载 535K]
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  • 《铝电解电容器专辑》(六)诚邀合作

    <正>《铝电解电容器专辑》一至五辑,在过去几年,受到业内人士欢迎,在此特向关心此专辑的读者表示谢意。《铝电解电容器专辑》(六)已在进行组稿,欢迎相关专业作者投稿,相关企业广告投入。联系人:曾革Tel:028-81872522,84391569E-mail:zengge0001@163.com

    2008年12期 v.27;No.202 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 584K]
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  • 出口退税率调整 家电企业信心提升

    <正>美国金融危机向全球蔓延,使我国家电出口受到一定的冲击。11月12日,国务院召开常务会议,决定自2008年12月1日起,进一步提高包括家电产品在内的部分劳动密集型产品、机电产品和其他受影响较大产品的出口退税率。财政部、国家税务总局11月17日发布了《财政部、国家税务总局关于提高劳动密集型产品等

    2008年12期 v.27;No.202 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 565K]
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  • 中国大陆半导体产业政策还有改进空间

    <正>当前,世界经济的悲剧正在如火如荼地上演,可以说,全世界的人都站在这个舞台上,都是这出悲剧的演员。我们可以把这出悲剧的序幕命名为《放纵岁月》,在序幕当中,很多银行盲目地发放贷款,却忽视了对贷款方还款能力的评估。悲剧的第一幕叫做《金融风暴》,目前,这第一幕还未落幕,而悲剧的第二幕——《经济衰退》就已经粉墨登场。

    2008年12期 v.27;No.202 50页 [查看摘要][在线阅读][下载 529K]
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  • Vishay推出新型红外发射器

    <正>Vishay宣布推出采用PLCC2封装的新型870nmSMD红外发射器——VSMF4720,拓宽其光电子产品系列。该器件具有业界最低的正向电压及最高的辐射强度。

    2008年12期 v.27;No.202 56页 [查看摘要][在线阅读][下载 567K]
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  • 电子陶瓷:产品门类齐全应用领域拓宽

    <正>压电陶瓷的出现和发展给技术进步、新产业的形成,以及我国的经济和社会的发展带来重大影响。压电陶瓷产品全球年销售量正在按15%左右的速度递增。

    2008年12期 v.27;No.202 69页 [查看摘要][在线阅读][下载 550K]
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  • 电子元件:产业规模跃居世界前列

    <正>30年来,中国电子元件产业规模迅速扩大,产品产量位居世界前列。2007年,中国电子元件总产量已由1978年的21.3亿只增长到9906.36亿只,约占全球总产量的30%,30年来增长了464倍,其中,电容器、电阻器、电子变压器、磁性材料、压电石英晶体、电声器件、微特电机、印制电路的产量已居世界首位。

    2008年12期 v.27;No.202 73页 [查看摘要][在线阅读][下载 564K]
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研究与试制

  • Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3陶瓷的介电弛豫特性

    单丹;曲远方;

    采用固相反应法制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0~0.5)陶瓷,并以Fulcher的居里-外斯定律修正方程为依据,求出各样品的弛豫常数γ,以讨论组分对其介电弛豫特性的影响。结果表明:与纯相BaTiO3陶瓷相比,Ba(ZrxTi1-x)O3陶瓷的εr峰值εm由8000(x=0)上升至15000(x=0.25)以上。该陶瓷在x=0.25附近存在着立方–四方相共存的准同型相界,由于准同型相界的高晶格活性,在弛豫特性上有了较大的提高。

    2008年12期 v.27;No.202 12-14+18页 [查看摘要][在线阅读][下载 1270K]
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  • PNN-PZT陶瓷流延浆料流变性能研究

    李勇君;裘进浩;朱孔军;季宏丽;

    以体积比为7:3的丁酮和无水乙醇为混合溶剂,聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为粘结剂,邻苯二甲酸二丁酯为增塑剂,玉米油为分散剂配制了PNN-PZT陶瓷流延浆料。研究了浆料球磨时间、固相体积分数以及各有机添加剂用量对其流变性能的影响。结果表明:当w(分散剂)为0.75%,w(粘结剂)为4.17%,球磨时间为8h,固相体积分数为75%,ζ(增塑剂:粘结剂)为0.6时,浆料流变性能良好,浆料黏度在2500mPa·s左右。

    2008年12期 v.27;No.202 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 1151K]
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  • Li-Mo共掺杂Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷的介电弛豫

    宋天秀;丁士华;陈涛;杨秀玲;

    采用固相反应法制备了Ba1-xLix(Ti0.91Zr0.09)1-yMoyO3陶瓷,并研究了Li-Mo共掺杂对其相结构和介电性能的影响。结果表明:当x>0,y=0时,陶瓷为单一的四方钙钛矿结构;当x=0,y>0或x=y>0时,陶瓷出现第二相BaMoO4。在–30~+130℃,Li-Mo共掺杂时,陶瓷具有铁电–顺电弥散相变特征,随着频率的增加,介电常数峰值对应的温度tm移向高温,陶瓷由正常铁电体变成弛豫铁电体。

    2008年12期 v.27;No.202 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 871K]
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  • 铅系PTCR生产过程中产生斑点的原因浅析

    张宁;邓泰钧;陈少杰;魏海添;

    采用SEM及EDS,观察和分析了PTC热敏陶瓷(PTCR)生产过程中,瓷体表面斑点的微观形貌及微区化学成分。结果表明:异常区域中,w(Pb)较正常区域高0.1%以上,该区域晶粒尺寸为10~20μm,明显大于正常区域晶粒(5~10μm),且其斑点处的室温电阻值大于正常区域。对其形成原因进行分析,并提出了相应的解决措施。

    2008年12期 v.27;No.202 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1664K]
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  • Al掺杂SnO_2材料的NTC热敏特性的研究

    张鸿;彭斌;屈啸;蒋波;李志成;

    利用共沉淀方法制备了Al掺杂SnO2材料。并通过XRD与R-t特性测试仪,研究其相结构与R-t特性。结果表明:600℃煅烧获得了高纯、四方相的Al掺杂SnO2,其晶粒度为9.8nm;且具有良好的NTC效应,材料常数为4484K。利用半导体热力学理论讨论了Al掺杂SnO2材料的NTC特性机理。

    2008年12期 v.27;No.202 25-26+29页 [查看摘要][在线阅读][下载 852K]
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  • 棒状氧化锌的“绿色”水热合成及其气敏性能

    彭超才;刘洪江;徐甲强;李明星;

    以ZnCl2为原料,P123为形貌控制剂,采用水热合成技术制备了棒状氧化锌。通过XRD、SEM和TEM对其物相和形貌进行了分析,并测试了气敏性质。结果表明:重复利用滤液,得到的氧化锌形貌一致,直径约300nm,长度约10μm,且在170℃左右对体积分数为0.001%的乙醇、氨气、丙酮和氢气等还原型气体均有很好的响应,灵敏度也相当。

    2008年12期 v.27;No.202 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 952K]
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  • 电解电容器铝箔横向隧道孔的生长控制

    肖仁贵;闫康平;严季新;王建中;

    在酸性介质中已经产生隧道孔的铝箔表面,继续在中性电解液中采取直流阳极溶解时,隧道孔密度及长度与二次侵蚀时电解质类别相关。在此基础上,通过二次侵蚀前铝箔表面的酸浸泡成膜处理,以及二次侵蚀过程中在中性氯化钠介质中添加复合有机物,达到控制此过程中隧道孔生长方向的目的,使其在原隧道孔的孔壁沿着与铝箔表面平行的方向产生新的隧道孔,这为提高铝箔表面积提出了新的途径,为进一步提高铝电解电容器比容提供了可能性。

    2008年12期 v.27;No.202 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 2366K]
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  • 聚吡咯热稳定性的改善及其在电容器中的应用

    林俊鸿;程贤甦;吴耿云;

    采用化学聚合法合成了聚吡咯(PPy),并以此制作了固体铝电解电容器,研究了对硝基苯酚(p-NPh)的添加量对PPy的电导率及热稳定性的影响,以及与少量聚乙烯醇(PVA)复合后产物的性能变化。结果表明,在x(p-NPh)为0.15mol/L的条件下,聚合产物的电导率约为11.55S/cm,热稳定性最好。含质量分数5%PVA的复合物为絮状颗粒,以其制作的电容器的耐热性有较大改善,初始Res为28.1mΩ,经过150℃/1h处理之后为51.4mΩ。

    2008年12期 v.27;No.202 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 1403K]
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  • 铝基板表面氧化铝层分子自组装活化法镀铜

    陈智栋;于清路;王文昌;么士平;许娟;

    采用分子自组装活化法在铝基板表面氧化铝上实施化学镀铜,镀层有很好的剥离强度,通过SEM、EDS和离子色谱对其进行了表征。研究了硅烷化时间与基体表面硅烷修饰量的关系,浸钯时间对基体表面钯含量的影响,硅烷化时间对镀层剥离强度的影响。通过正交试验得到最佳工艺条件:硅烷化处理用3-氨基丙基三乙氧基硅烷,质量分数为0.4%,硅烷化时间12h、温度50℃、浸钯溶液活化时间30min、30℃;得到的镀铜层剥离强度为1.00。

    2008年12期 v.27;No.202 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 999K]
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  • 正交试验研究制备工艺对片状银粉性能的影响

    吴海斌;孟淑媛;唐元勋;

    采用正交试验法,分析了前驱体球状银粉的制备及球磨工艺对最终片状银粉性能的影响。经优选得出的工艺参数组合是:硝酸银初始质量浓度为60g/L,水合联氨初始质量浓度为80g/L,ζ(十二烷基硫酸钠:硝酸银)为0.2%等。该工艺参数组合制备的片状银粉性能很好,比表面积达0.697m2/g,方阻为3.2mΩ/□。

    2008年12期 v.27;No.202 40-42+53页 [查看摘要][在线阅读][下载 787K]
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  • 退火温度对铁基纳米晶带材高频磁导率的影响

    向毅;周勇;雷冲;周志敏;丁文;

    采用单线圈法,利用Agilent E4991A射频阻抗/材料分析仪,研究了退火温度对铁基纳米晶带材的高频磁导率的影响。结果表明:经550℃退火处理的30μm厚样品磁导率实部,随频率增加而减小,在1MHz下为1210,在20MHz下为234,磁导率虚部有类似的变化趋势;比较了30μm厚样品经不同温度退火处理后磁导率的测量结果,得出550℃是一个比较理想的退火温度。

    2008年12期 v.27;No.202 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 1038K]
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  • Fe_3O_4纳米棒的水热法制备及其磁性能研究

    刘献明;刘晶;吉保明;

    以柠檬酸钠作为添加剂,采用水热法制备了Fe3O4纳米棒,用XRD、SEM、TEM、HRTEM和ED等手段,对样品进行了表征,并对Fe3O4纳米棒的形成机理进行了探讨。结果表明:所制备之Fe3O4纳米棒的直径在50~80nm,长度大于2μm。Fe3O4纳米棒具有较高的饱和磁化强度和矫顽力,分别为77.8A·m2·kg–1和39.6kA·m–1。

    2008年12期 v.27;No.202 47-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 2861K]
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  • 图案化铜纳米线阵列的制备

    刘曦;佘希林;宋国君;孙峋;王树龙;

    采用紫外光刻法制得图案化的阳极氧化铝模板。在模板上蒸镀金膜后,采用电化学沉积法制备了铜纳米线,用扫描电子显微镜观察,研究了最佳电化学沉积时间。结果表明,铜纳米线阵列的图案与掩膜的图案完全一致,呈直径约5μm的圆形。铜纳米线的长度随沉积时间的增加而增长,沉积时间20min,即可制得长度约5μm的铜纳米线阵列结构。在此基础上可研制微器件。

    2008年12期 v.27;No.202 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 2108K]
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  • 基于MO-OTA-C的n阶通用电流模式滤波器

    谭子尤;梁平原;唐圣学;向晓燕;

    以OTA-C为基本模块,在其输入端加入一个电流信号,使输出电流受其控制,然后利用多端输出(MO)的OTA-C实现n阶通用电流模式滤波器的设计。该滤波器能实现低通、高通、带通、带阻和全通功能,n阶滤波器仅需要n个OTA和n个电容,便于集成。以三阶Butterworth滤波器为例,进行低通、带通和高通仿真。理论分析与Spice仿真表明,所设计的滤波器结构正确可行。

    2008年12期 v.27;No.202 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 776K]
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  • 硫掺杂纳米金刚石薄膜的图形化生长

    赵庆勋;石利忠;王永杰;刘保亭;葛大勇;

    利用电子增强热丝化学气相沉积(EACVD)技术,以CH4/H2/H2S/Ar为工作气体,SiO2/Si为衬底,制备了硫掺杂金刚石薄膜。研究了利用光刻技术实现薄膜的图形化生长。结果表明:以SiO2作掩模的光刻技术能够使得硫掺杂金刚石薄膜在光滑SiO2/Si基片上很好地图形化生长。Hall效应检测表明硫掺杂金刚石薄膜为n型,给出了n型金刚石/p-Si异质结的反向I-V特性曲线。

    2008年12期 v.27;No.202 57-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 946K]
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  • PLD法生长Al_2O_3基ZnO薄膜的特性

    何建廷;曹文田;李田泽;庄惠照;

    在不同衬底温度下,用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(0001)平面上生长了ZnO薄膜。研究了衬底温度对其结晶质量、电学性质以及发光性质的影响。结果显示:XRD在2θ为34°处出现了唯一的ZnO(0002)衍射峰;ZnO薄膜的电阻率随衬底温度的升高而增大;在衬底温度为500℃时,出现了位于410nm附近的特殊的光致发光(PL)峰。

    2008年12期 v.27;No.202 60-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 910K]
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  • BiFeO_3/Bi_4Ti_3O_(12)多层铁电薄膜的性能研究

    王秀章;晏伯武;刘红日;

    采用sol-gel法在FTO/玻璃底电极上制备了BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜。研究了室温下薄膜的结构,铁电和漏电流性质。结果表明,相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜具有更低的漏电流,表现出较强的铁电性,在4.40×105V/cm的测试电场强度下,剩余极化强度为3.7×10–5C/cm2。在2.00×105V/cm的测试电场强度下,BiFeO3和BiFeO3/Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度分别为10–5和10–7A/cm2。

    2008年12期 v.27;No.202 63-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 1060K]
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  • Sol-gel法制备SrTiO_3薄膜的电阻开关性能研究

    苏朝辉;张婷;王继鹏;张盈;张伟风;

    采用sol-gel法制作了28nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治结构的器件,并研究其物理性能。结果显示:室温下,用直流电压可以使薄膜的电阻在高低阻态间进行转换。最大的电阻变化率约为10309。对I-V特性的分析,发现在高阻态时,有空间电荷限制电流机制(SCLC)和肖特基势垒导电机制存在。应用在高场区有非对称电子陷阱中心的空间电荷限制电流理论,解释了这种电阻开关现象。

    2008年12期 v.27;No.202 66-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 1063K]
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  • 金红石型纳米TiO_2的液相激光烧蚀合成

    刘培生;曾海波;罗向东;景为平;袁丛岭;蔡伟平;

    利用浸入聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)水溶液中的金属钛片为靶材,采用1064nm红外脉冲激光进行液相激光烧蚀制备了金红石型纳米TiO2。应用XRD、TEM、HRTEM和Raman对产物进行表征,并对其形成机理进行了探讨。结果表明:金红石型纳米TiO2可通过液相激光烧蚀法在室温下一步合成,颗粒平均粒径约50nm,尺寸分布比较窄,分散性较好。脉冲激光诱导的瞬间等离子体可能是金红石型纳米TiO2形成的主要原因。

    2008年12期 v.27;No.202 70-73页 [查看摘要][在线阅读][下载 1349K]
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编读通信

  • 下期要目

    <正>★sol-gel法制备镉掺杂铁酸镧气敏材料★Ni掺杂α-Fe2O3纳米材料的制备及气敏性能研究★氧气浓度对ZnO薄膜形貌和结构的影响

    2008年12期 v.27;No.202 59页 [查看摘要][在线阅读][下载 553K]
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  • 《电子元件与材料》征稿简则

    <正>《电子元件与材料》是中国电子学会、中国电子元件行业协会和国营715厂主办的中文科技期刊,国内外公开发行。本刊刊登国内外具有创新性、实用性和较高学术水平的有关混合微电子、敏感元件与传感器、电子

    2008年12期 v.27;No.202 74页 [查看摘要][在线阅读][下载 435K]
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  • 《电子元件与材料》索引 2008年第27卷1~12期

    <正>~~

    2008年12期 v.27;No.202 75-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 503K]
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