刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 高介高稳定性BaTiO_3基铁电陶瓷研究进展

    蒲永平;杨公安;王瑾菲;庄永勇;

    针对BaTiO3基铁电陶瓷材料的特点,介绍了提高其介电常数和温度稳定性的途径,综述了高介高稳定性BaTiO3基铁电陶瓷材料的研究现状。指出随着电子整机向着微型化的方向发展,介电瓷粉材料也向着高介电常数、高稳定性的方向发展,并提出了解决此问题的思路。

    2008年11期 No.201 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 686K]
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  • 电子封装热管理的热电冷却技术研究进展

    王长宏;朱冬生;

    电子封装器件中芯片的散热问题一直是制约其发展的瓶颈。综述了芯片的产热特征、散热需求与散热方式。对热电冷却(TEC)技术在芯片散热系统上的应用进行分析,指出了其不足之处与特有的优势。对热电冷却技术在芯片热管理方面应用研究的现状与进展进行了总结评述。

    2008年11期 No.201 4-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 725K]
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  • 纳米氧化物薄膜紫外光照下气敏性能研究进展

    张宏;林志东;艾华;

    介绍了金属氧化物薄膜电极的制备方法与过程,阐述了紫外光作用于金属氧化物半导体的光照机理。基于实际应用和市场需求,就有关光照后金属氧化物薄膜的气敏性能的研究现状进行了探讨,并展望了其今后的应用与研究方向。

    2008年11期 No.201 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 705K]
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研究与试制

  • CaTiO_3的水热制备及其晶粒形貌研究

    王荣;马浩;孟建新;

    以无水CaCl2、TiCl4和NaOH为原料,用一步水热法合成了CaTiO3晶体粉末。研究了反应温度、反应时间和NaOH初始浓度等水热条件对CaTiO3产物结构和形貌的影响。结果表明:100℃下即可水热合成纯相CaTiO3。最佳制备条件为200℃,6h,NaOH初始浓度2.0mol/L。在该条件下获得的CaTiO3粉体结晶性好,晶粒近似立方体形状,尺寸分布均匀,平均粒径约1μm。乙二醇或丙三醇等多元醇分散剂的加入可改变晶粒的形貌,得到"十字架"形的CaTiO3晶体。

    2008年11期 No.201 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1684K]
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  • BST-SiO_2-B_2O_3系铁电微晶玻璃陶瓷的制备和研究

    李建康;张斌;

    采用sol-gel工艺制备了(Ba0.5Sr0.5)TiO3(BST)-SiO2-B2O3系铁电玻璃陶瓷。对其显微结构进行了分析,并通过阻抗分析仪测试其介电温谱(–50~+100℃)。结果表明:SiO2-B2O3系BST铁电玻璃陶瓷的相结构为立方钙钛矿相,显微结构呈微晶结构,当BST相与玻璃相的摩尔比为4:1时,颗粒平均粒径为1.35μm。随着SiO2-B2O3玻璃相含量的增加,εr明显降低,同时居里峰宽化,tC向低温方向移动。

    2008年11期 No.201 15-17+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 942K]
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  • 均匀沉淀法制备SBN50陶瓷及其介电性能研究

    陈国华;刘俊涛;戚冰;唐林江;

    以硝酸盐和NbF5为原料,尿素为沉淀剂,采用均匀沉淀法合成了Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN50)前驱体。对前驱体及SBN50陶瓷的结构及介电性能进行研究。结果表明:前驱体经900℃煅烧可合成纯相SBN50粉体,颗粒平均粒径为100~200nm,较固相法低100~200℃。1400℃烧结制备的陶瓷相对密度达93%,无晶粒异常长大,在60℃附近有一明显弥散介电峰,tanδ峰值温度随频率增加移向高温。室温10kHz下,其εr为1500,tanδ为0.025。

    2008年11期 No.201 18-20+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 2030K]
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  • Ca_(0.125)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.875)TiO_3微波介质陶瓷的低温烧结

    李月明;宋婷婷;张斌;刘维良;

    研究了复合烧结助剂Na2O-CaO-B2O3(NCB)氧化物和Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3(LBSCA)玻璃料的添加量对Ca0.125(Li1/2Sm1/2)0.875TiO3陶瓷相结构、烧结性能及介电性能的影响。当w(NCB)为10%,w(LBSCA)为1%~5%时,该陶瓷为斜方钙钛矿结构。随w(LBSCA)的增加,致密化温度和饱和体积密度降低,εr、Q·f值及τf呈下降趋势。当w(NCB)为10%,w(LBSCA)为2%时,陶瓷可在900℃烧结获得最佳性能:εr为63.00,Q·f为1260GHz,τf为–9.02×10–6℃–1。

    2008年11期 No.201 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1533K]
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  • CoFe_2O_4纳米颗粒的共沉淀法制备及其磁性能

    杨贵进;李玲;

    采用共沉淀法制备了CoFe2O4纳米颗粒,运用XRD、TEM和VSM测试手段,研究了煅烧温度对CoFe2O4的结构、形貌以及磁性能的影响。结果表明:CoFe2O4纳米颗粒的粒径大小均匀;煅烧前与经200℃和600℃煅烧的CoFe2O4纳米颗粒晶粒度分别约为15,20和30nm;CoFe2O4纳米颗粒的粒径、Ms、Mr和Hc随着煅烧温度的升高而增大。当煅烧温度为600℃时,Ms约为67A·m2·kg–1,Hc为4.67×107A·m–1。

    2008年11期 No.201 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 912K]
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  • 纳米添加剂对永磁铁氧体微结构与性能的影响

    朱存福;包宗宏;金鸣林;王占勇;万遥;

    通过高能球磨将添加剂纳米化,研究了其对永磁铁氧体(样品)磁性能和微观结构的影响。结果表明:添加剂的平均粒度从216.448μm减小到65nm时,有效降低了磁体的熔点,提高其致密化。1190℃烧结时磁体的Br和Hcj分别从404mT、366kA·m–1提高到418mT和402kA·m–1。SEM观察样品晶粒平均粒径在1~2μm,晶粒分布更加均匀。取向度从75.2%提高到84.0%。

    2008年11期 No.201 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1063K]
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  • 三种凝胶剂对MnZn铁氧体性能的影响

    席国喜;刘玉民;戚世梅;路迈西;

    以铁、锰和锌的硝酸盐为原料,分别以柠檬酸铵、酒石酸或EDTA为凝胶剂,采用有机物络合sol-gel法制备了MnZn铁氧体。借助XRD、SEM和振动样品磁强计(VSM)等表征手段,研究和比较了三种凝胶剂对所得MnZn铁氧体产品的晶型、晶貌及磁性能的影响。结果表明:以柠檬酸铵为凝胶剂时,所得MnZn铁氧体的磁性能最佳:其Ms达到1.1237×105A/m,而Hc仅为1.6716×103A/m。

    2008年11期 No.201 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 812K]
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  • 电子铝箔电解腐蚀隧道孔极限长度的控制机理

    魏玲玲;何业东;

    通过测试电子铝箔在HCl-AlCl3中阳极极化曲线和电解腐蚀隧道孔的极限长度,发现了隧道孔的极限长度llim与铝箔的点蚀电位与自腐蚀电位的差值ΔE存在相关性,导出了隧道孔生长的动力学公式以及?E与llim的线性关系式,表明通过测试ΔE可以判断llim的变化趋势,为研究新型发孔液提供了一种简便的途径。

    2008年11期 No.201 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 1032K]
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  • 电脑主板用长寿命铝电解电容器的研制

    刘龙春;徐向阳;单标;

    根据电脑主板使用条件,分析了其配件长寿命铝电解电容器的设计原理。通过低比电阻高温稳定性好的工作电解液等关键技术的突破,制得的电容器具有低漏电流、低阻抗、耐高频高纹波和耐高温的特点,在带负载的耐久性试验中通过了105℃,5000h考核,达到电脑主板线路长寿命的工作要求。

    2008年11期 No.201 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 692K]
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  • 射频磁控溅射法制备掺锆氧化锌透明导电薄膜

    刘汉法;张化福;类成新;袁长坤;

    利用射频磁控溅射法在室温下制备出了掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。研究了溅射压强对ZnO∶Zr薄膜表面形貌、结构、光学和电学性能的影响。结果表明:ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向,溅射压强对薄膜电阻率有显著影响,压强为1.5Pa时,电阻率具有最小值1.77×10–3Ω·cm。所制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能,在可见光区平均透过率超过93%。

    2008年11期 No.201 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 1260K]
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  • 无机sol-gel法制备二氧化钒薄膜的研究

    葛振华;赵昆渝;李智东;吴东;邹平;

    采用无机sol-gel法,以分析纯V2O5为原料,在Si衬底、玻璃衬底上空气中加热制备了V2O5薄膜,在不同温度下真空退火,得到了具有择优取向的VO2薄膜。研究了其制备工艺和显微结构。结果表明:在玻璃衬底和硅衬底上薄膜的最佳真空退火工艺均为480℃/2h。所制备的VO2薄膜具有沿<110>晶向生长的择优取向。薄膜表面形貌良好,颗粒尺寸分布均匀。

    2008年11期 No.201 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 2117K]
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  • P对Sn-Cu无铅钎料性能的影响

    李广东;史耀武;徐广臣;夏志东;雷永平;

    添加了P到Sn-Cu系无铅钎料中,测定了钎料的熔化温度、抗氧化性能和接头蠕变疲劳寿命。结果表明:在Sn0.7Cu中添加微量的P,提高了无铅钎料的抗氧化性能,对熔化温度基本无影响。Sn0.7Cu0.005P无铅钎料合金熔化温度的峰值为226.7℃,在恒定应力为2MPa的蠕变疲劳试验中,钎料接头蠕变疲劳寿命为337.357min。

    2008年11期 No.201 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 1046K]
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  • SnAgCuY钎料表面Sn晶须的旋转生长现象

    郝虎;李广东;史耀武;夏志东;雷永平;

    研究了Sn3.8Ag0.7Cu1.0Y钎料表层上YSn3稀土相表面Sn晶须的生长行为。结果表明:室温时效条件下在YSn3的表面会出现Sn晶须的快速生长现象,生长速度最快可达10–10m/s,长度最长可达200μm。YSn3稀土相氧化的不均匀性是导致Sn晶须在生长时产生各种旋转现象的主要原因。

    2008年11期 No.201 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 1506K]
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  • La对Sn3.5Ag0.5Cu钎料界面组织和性能的影响

    吴敏;

    通过SEM和EDAX等,研究了La添加量对Sn3.5Ag0.5Cu钎料与Cu基体焊合界面IMC微观组织及性能的影响。结果表明:添加不同量的La均对Sn3.5Ag0.5Cu与Cu基体焊合后的组织有细化作用并增强其力学性能。其中以w(La)达到0.05%时最优,剪切强度可提高10.7%。材料热力学理论计算结果表明,La具有"亲Sn"倾向,添加少量La到Sn3.5Ag0.5Cu钎料中,可减小Cu6Sn5/Cu界面Sn的活度,降低IMC的长大驱动力。

    2008年11期 No.201 57-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 780K]
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  • Ni颗粒对SnBi焊点电迁移的抑制作用

    徐广臣;何洪文;聂京凯;郭福;

    为抑制芯片中微小焊点的电迁移,向共晶SnBi钎料中添加微米级Ni颗粒,并在φ0.5mm铜线接头上形成焊点。结果表明:当电流密度为104A/cm2、通电96h后,阳极附近没有出现富Bi层,即电迁移现象得到抑制。这是由于Ni颗粒与Sn形成了IMC,阻挡了Bi沿Sn基体扩散的快速通道,防止了两相分离,提高了焊点可靠性。

    2008年11期 No.201 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 1985K]
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  • 纳米碳纤维作锂离子电池负极材料的嵌锂性能

    刘鸿鹏;乔文明;詹亮;凌立成;

    用化学气相沉积法(CVD)制备了纳米碳纤维,并通过2800℃高温处理得到石墨化纳米碳纤维。采用XRD、SEM和TEM对所制的材料进行微结构分析,并考察其作为锂离子电池负极材料的嵌锂性能。结果表明:纳米碳纤维初次嵌锂容量可达到533mA·h/g,25次循环后可逆容量保持在274mA·h/g,循环效率超过99%;经过石墨化处理以后,材料初次可逆容量达到311mA·h/g,首次循环效率从55%提高到78%,25次循环后可逆容量的保持率为99%以上。

    2008年11期 No.201 64-66+73页 [查看摘要][在线阅读][下载 1365K]
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  • SiO_2基质中包埋纳米晶Si光电性质的模拟计算

    柴跃生;罗春云;张敏刚;

    采用第一性原理方法,研究了SiO2基质中包埋纳米晶Si的电子结构及光学性质。结果表明:位于约1.7eV的吸收峰是–0.59eV能级上的电子向由价键畸变产生的1.2eV能级跃迁的结果。纳米Si粒中含不饱和键的Si原子的p轨道对可见光区光的吸收有主要的贡献。同时由于这些缺陷引入的能级使价带、导带在Fermi面发生交叠而表现出导电性。

    2008年11期 No.201 67-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 744K]
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  • 纤维素基电致驱动纸智能特性的研究

    赵立杰;付强;

    利用压电理论中的正压电与逆压电效应,针对纤维素基电致驱动纸(Electro-active paper——EAPap)的智能特性进行了研究。结果表明:同一样品在0.15~0.35V/μm电场强度下,产生了逐步增大的驱动效应;0°,45°以及90°三种样品在0.35V/μm电场强度下,45°样品产生了最大的平面内应变,达到428×10–6m/mm。同时对三种样品的正压电效应进行了测定,45°样品在弹性区和塑性区的压电常数分别为53.2pC/N和504.0pC/N。利用XRD验证了电场激励前后样品的结晶度产生了变化。

    2008年11期 No.201 70-73页 [查看摘要][在线阅读][下载 2908K]
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综合信息

  • 台湾纳米材料融入涂料染料内技术开发成功

    <正>台湾工研院化工所最近成功开发出将纳米材料融入涂料和染料内的技术,不仅能改善胶材质的强韧度,减少汽车防晒处理的烦锁程序,也能增加印刷品和染布颜色的鲜艳持久性,大幅度提高纺织品的价值和获利。

    2008年11期 No.201 27页 [查看摘要][在线阅读][下载 537K]
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  • 中国科大研制成功磁通闭合Ni-Co合金纳米环

    <正>近日,中国科大合肥微尺度物质科学国家实验室俞书宏教授领导的课题组成功制备了手镯状Ni-Co合金磁通闭合纳米环,提出了一条可靠的高产合成磁通闭合纳米环的新途径。此前,该课题组在制备项链状同轴微纳

    2008年11期 No.201 35页 [查看摘要][在线阅读][下载 513K]
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  • 我国科学家研制出性能优异的纳米空心球

    <正>据悉,中科院上海硅酸盐所研究员高濂带领的课题组用一种简单通用的方法,通过控制实验条件,在温和的反应条件下获得了氧化锌纳米棒束、空心球结构,这些材料具有比较均匀的尺寸和良好的发光性能。在纳米

    2008年11期 No.201 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 491K]
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  • 宝钢完成钢铁表面纳米薄膜国标起草工作

    <正>日前,由宝钢股份研究院负责起草的国家标准《辉光放电光谱法定量分析钢铁表面纳米尺度薄膜》,通过了全国微束分析标准化技术委员会

    2008年11期 No.201 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 484K]
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  • 日开发出金刚石纳米管新材料

    <正>据媒体报道,日本东京大学的科学家,最近成功研制出金刚石纳米管材料。因每根细管的直径只有万分之几毫米,因此将其命名为金

    2008年11期 No.201 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 484K]
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  • 我科学家研制出仿生太阳能电池光电转化率接近世界最高水平

    <正>日前从上海市科委获悉,华东师范大学科研人员利用纳米材料在实验室中成功"再造"叶绿体,以极其低廉的成本实现光能发电。此次课题组研制出一种与叶绿体结构相似的新型电池——染料敏化太阳能电池,尝试将光能转化成电能。

    2008年11期 No.201 53页 [查看摘要][在线阅读][下载 522K]
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  • 松下电器全面改进家用燃料电池并计划量产

    <正>松下电器产业2008年4月14日宣布,将开始量产新型家用燃料电池。该电池的特点是:通过提高天然气改质器的效率和工作稳定性、并采用新开发的逆变器等,使最大发电效率提高到了39%(LHV,下同)。松下电

    2008年11期 No.201 53页 [查看摘要][在线阅读][下载 522K]
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  • Cobar:领军无铅焊接材料市场

    <正>RoHS的实施在全球电子制造行业掀起了无铅环保风潮。但其对焊接材材料与工艺提出了许多挑战,Cobar在2007年与BalverZinn公司合并,这种资源互补的并购所造就的规模竞争优势,使该公司能充分利用SN100C合金的授权许可推出可以支持几乎所有主流工艺应用要求,包括焊膏焊条焊丝在内的全系列焊料和助焊剂。

    2008年11期 No.201 56页 [查看摘要][在线阅读][下载 522K]
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  • 全球首款立体LED诞生

    <正>近日,创图视维率先将立体显像技术与LED(发光二极管)技术巧妙结合,成功研发出世界首台立体LED。据介绍,此次创图视维历经将近—年的研发筹备,在奥运会期间,完成全球首台立体LED的制作,并成功亮相北京中信国安数码港,参与为期半个月的"临场国安数码港,体验立体新科技"三维立体展示月活动。

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  • 瑞士研制出超强度纳米纸

    <正>据海外媒体报道,瑞士科学家伯格伦德成功研制出一种比铸铁还要坚硬的新型纸张,人们可以利用这种新型纸加固传统纸张,生产超强粘带或制造生物组织的合成代替品。伯格伦德和同事们研发了一种能保护纤维的韧性的更加温和的加工过程。这种新方法包括,利用酶分解木

    2008年11期 No.201 59页 [查看摘要][在线阅读][下载 522K]
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  • 日本开发出高效热电转换材料

    <正>据海外媒体报道,日本和美国科研人员合作开发出一种新型热电转换材料,其效率达到常规热电转换材料的约2倍。在两种金属组成的回路中,如果两个接触点之间产生温度差,电子的状态会发生变化形成电流。这种热电转换现象被叫做"塞贝克效应",也称第一热电效应。

    2008年11期 No.201 59页 [查看摘要][在线阅读][下载 522K]
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  • 电子专家于凌宇教授在第十届中国科协年会上的报告获好评

    <正>金秋九月,由中国科协和河南省政府共同主办的第十届中国科协年会,于2008年9月17~19日在郑州举行。中国科协年会是我国科技界为增强自主创新能力而举行的最高规格、最大规模、最具权威的科技盛会。年会期间,共有1万多人参加各种科技交流、科学研讨、科学普及等活动,其中有诺贝尔奖获得者和两院院士100

    2008年11期 No.201 63页 [查看摘要][在线阅读][下载 523K]
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  • 环渤海电子展即将开幕

    <正>即将于2008年11月10-12日在天津举行的环渤海地区电子展(BEW2008)是环渤海地区最重要的国际电子制造展会之一。它覆盖了从元器件、组装技术、质量控制到转包服务的整个产业链。该展会依托天津本土强大的产业配套能力和产业聚集度,辐射大

    2008年11期 No.201 76页 [查看摘要][在线阅读][下载 610K]
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  • 美国制造出效率超过40%的太阳能电池

    <正>据报道,美国波音公司的科学家近日称,他们研制出的太阳能电池超越了具有里程碑意义的40%效率限制,40%效率是所有光电设备所能获得的最高效率。

    2008年11期 No.201 78页 [查看摘要][在线阅读][下载 519K]
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  • 新型碳纳米管超微电极日前在英国面世

    <正>据媒体报道,英国沃里克大学的研究人员使用化学蒸气沉积法和平板印刷术制造出圆盘状单壁碳纳米超微电极,在这种新型超微电极中,纳米管以随机但相对均匀的方式平直地沉积在圆盘表面,形成完全穿过圆盘的

    2008年11期 No.201 78页 [查看摘要][在线阅读][下载 519K]
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可靠性

  • 贴片电容器失效分析

    汪洋;何为;莫云绮;林均秀;徐玉珊;

    采用外观检查、金相切片、SEM和EDS分析等手段,通过对贴片电容器失效实例的分析,介绍了对贴片电容器失效的分析过程与方法,得出了内部电极间的陶瓷介质裂纹存在并联电阻特性,这是导致电容器产生漏电失效的主要原因,该裂纹属制造缺陷。失效分析对贴片电容器制造工艺有质量控制作用。

    2008年11期 No.201 74-76页 [查看摘要][在线阅读][下载 1601K]
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经验点滴

  • 电位器在湿热环境下参数变化原因和解决方法

    王云香;

    高压聚焦电位器在高热潮湿环境下电参数可能会变化,从而影响到电视机的整体性能。经研究发现,电参数变化的原因是电位器内部基片表面在生产时附着的脏污在高热潮湿环境下吸潮造成。用三氯乙烯和酒精对基片进行清洗后,进行了数百次抽检,电参数无一例发生允许值外的变化。

    2008年11期 No.201 77-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 699K]
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