刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 无铅喷金材料的发展现状与展望

    戴国水;

    介绍了国内外无铅喷金材料的发展过程和最新研究动向,综述了无铅喷金材料的分类和性能以及最新生产技术。对国内外专利申请和授权情况进行了总结,指出今后的发展方向主要是提高无铅喷金材料的性价比和适应性,同时开发高效节能的生产技术。

    2008年10期 No.200 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 723K]
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  • 无铅过渡时期混合焊点可靠性研究进展

    宁叶香;潘开林;李逆;李鹏;

    在电子产品向无铅化过渡时期,存在前向兼容和后向兼容混合焊点的可靠性问题,对相关的理论和实验研究进行了综述。重点介绍了后向兼容组装中再流温度曲线的设置、焊点合金成分的计算及液相线温度的估算。简要介绍了前向兼容焊点的可靠性,认为一般情况下其可靠性可被接受。

    2008年10期 No.200 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 758K]
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综合信息

研究与试制

  • 核壳型磁性颗粒微波磁导率模拟与实验研究

    王忠友;江建军;张传坤;张韬奇;

    采用有效媒质理论模拟和实验验证的方法,研究了核壳型磁性颗粒的微波磁导率。结果表明:核壳结构有利于提高微波下颗粒的复磁导率,2GHz时,其实部比氧化后的颗粒提高6%~12%,虚部提高15%~30%。片状椭球形核壳结构优于球形核壳结构,2GHz时,20nm壳层厚的片状颗粒的复磁导率为4.85–1.71i,而同壳层厚的球状颗粒为4.55–1.31i。在核壳结构的颗粒中,壳层厚度薄有利于改善磁导率。

    2008年10期 No.200 9-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 1602K]
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  • 玻璃微珠/银核壳纳米复合粒子电性能的研究

    黄征;官建国;

    以硫脲作稳定剂,用原位复合法制备了玻璃微珠/银核壳纳米复合粒子。研究了氨水和硫脲的浓度对合成的核壳复合粒子的形貌与体积电阻率的影响以及核壳粒子的体积分数与其屏蔽性能的关系。结果表明:当氨水和硫脲浓度分别为2.64mol/L和4.2×10–8mol/L时,复合粒子壳层均匀致密,ρv达到最小值2.65×10–5Ω·cm。复合粒子的屏蔽效能随其体积分数的增加而逐渐增大,在30%~35%出现明显的跳跃,屏蔽效能与ρv对数的变化关系与理论预测基本吻合。

    2008年10期 No.200 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 1779K]
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  • 全方位气流式倾角传感器结构及信号处理技术

    张伟;张福学;

    采用热敏电阻作为热源和敏感元件,在密闭腔中使气体产生自然对流,利用硬件电路和软件补偿技术将载体的姿态信号提取并进行处理,从而实现载体在任意偏航方向时与水平面倾斜的全方位姿态测量。研制出测量范围为±45°、非线性度小于0.5%FS、分辨率小于0.01°、响应时间小于50ms的全方位气流式倾角传感器。

    2008年10期 No.200 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 1544K]
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  • 柠檬酸络合法制备La_(1-x)Zn_xMnO_3的研究

    牛新书;陈晓丽;茹祥莉;魏平涛;王雪丽;

    采用柠檬酸络合法制备了La1-xZnxMnO3(x为0,0.02,0.04,0.06和0.08)复合化合物,并利用XRD,TEM和紫外–可见分光光度分析等手段对其进行了表征。通过其对活性艳红X—3B的降解情况,研究其光催化活性。结果表明:所合成复合化合物为钙钛矿型结构,平均粒径为30nm。在A位掺杂Zn2+后,使LaMnO3对染料的降解率显著提高,其中La0.94Zn0.06MnO3对染料的降解率达到89.46%。

    2008年10期 No.200 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 796K]
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  • BaO-Y_2O_3-5TiO_2系微波介质陶瓷预烧温度研究

    陶婷婷;丁佳钰;张其土;

    采用传统电子陶瓷工艺制备了BaO-Y2O3-5TiO2系微波介质陶瓷。研究了预烧温度对其烧结性能、相组成、显微结构和微波介电性能的影响。结果表明:合适的预烧温度能优化陶瓷的烧结性能,提高其致密性和介电性能。以不同预烧温度制备的BaO-Y2O3-5TiO2系微波介质陶瓷,其主晶相都是烧绿石结构的Y2Ti2O7。最佳预烧温度为1100℃,在烧结温度为1240℃时,εr为54,tanδ为9×10–4,Q值为3450(4.27GHz)。

    2008年10期 No.200 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 1342K]
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  • PVB/LiClO_4/增塑剂型固体电解质性能研究

    李雅雯;王金伟;何业东;

    以聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为基体,LiClO4为碱金属盐,在r(O∶Li)为8时,加入不同增塑剂,通过物理混合制备聚合物电解质膜。研究了增塑剂的种类对PVB/LiClO4体系导电性能和表面形貌的影响。结果显示:增塑剂聚乙二醇400、丙三醇和N,N-二甲基甲酰胺的加入,使PVB/LiClO4电解质膜的离子导电性能显著增加,而聚乙二醇400对复合物的增塑效果最好,可在电解质膜表面形成均匀的网络状结构,使载流子的活动空间增大,电导率达到2.15×10–6S/cm。

    2008年10期 No.200 26-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1033K]
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  • SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的制备及其电学行为

    何开棘;邱军付;王开明;

    采用高强度机械混合的特殊液相沉淀法,以Sr(NO3)3、(C4H9O)4Ti和Bi(NO3)3·5H2O、为原料,制备了SrBi4Ti4O15纳米粉体。研究了前驱体的煅烧温度,粉体结构、粒度,陶瓷的烧结温度及其电性能。结果表明:制得的纳米级SrBi4Ti4O15粉体分散性好、粒径分布范围窄,显著降低了其烧结温度,较之普通固相法至少降低100℃,且粉体烧结活性较高,瓷体致密化温度在970~1000℃,成瓷效果良好。在100Hz以下,εr和tanδ随频率增加显著变小。

    2008年10期 No.200 29-31+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 2747K]
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  • V_2O_5掺杂MgTiO_3-CaTiO_3陶瓷的介电性能

    杨秀玲;丁士华;宋天秀;张东;

    采用固相反应法制备了V2O5掺杂的MgTiO3-CaTiO3(MCT)介质陶瓷。研究了V2O5掺杂量对陶瓷晶相组成、烧结温度和介电性能的影响。结果表明:V2O5掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,当掺杂量较低时,有第二相CaVO3产生;V2O5掺杂能降低MCT陶瓷的烧结温度并使其介电性能得到改善。当x(V2O5)为1%时,在1250℃烧结2.5h获得最佳性能:εr为20.17,tanδ为2×10–3,αε为4.9×10–5/℃。

    2008年10期 No.200 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 824K]
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  • Bi_2O_3掺杂对NiCuZn/PZT复合材料电磁性能的影响

    陈世钗;贾利军;张怀武;罗俊;况佳;

    先采用sol-gel法制得Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉料,再采用固相反应法制备NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷复合材料。研究了低温烧结助剂Bi2O3掺杂对复合材料显微结构和电磁性能的影响。当w(Bi2O3)为2.5%时,NiCuZn与PZT的质量比为7:3和6:4的两种复合材料在900℃下均可实现低温烧结,其烧结体密度均大于5g/cm3。其中,7:3的μ′达到27,ε′大于34;6:4的μ′达到16,ε′大于50,均有望制作成不同性能指标的电感、电容双功能材料。

    2008年10期 No.200 35-37+40页 [查看摘要][在线阅读][下载 1962K]
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  • (Mg_(1–x)Zn_x)TiO_3系陶瓷微波介电性能的研究

    李亮;沈春英;丘泰;

    以MgCO3、ZnO和TiO2为原料,用固相反应法制备了(Mg1–xZnx)TiO3(MZT)系陶瓷。研究了ZnO含量对其微观结构和微波介电性能的影响。结果表明:添加适量ZnO,可有效降低烧结温度,拓宽烧结温度范围。当x(ZnO)为30%,烧结温度为1250℃时,MZT陶瓷具有优良微波介电性能,εr为16~18,Q·f为90000GHz,τc为–5.1×10–7℃–1。

    2008年10期 No.200 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 1271K]
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  • 硅微粉氧化性质研究

    钟根香;尹传强;魏秀琴;周浪;

    考察了硅微粉在空气、水、聚乙二醇(PEG)以及PEG水溶液几种介质中的氧化行为,并分析比较了两种不同切割过程所产生的硅微粉屑的氧化情况。结果显示:200℃下干燥空气中硅微粉不发生明显氧化;在高于80℃的水中放置10d,硅微粉发生明显氧化,形成非晶SiO2。与水及水溶液相比,PEG能在一定程度上阻止硅微粉的氧化。另外,带锯切割中产生的硅微粉屑氧化严重,而多线切割中产生的硅微粉切屑无明显氧化。

    2008年10期 No.200 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 2000K]
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  • 基于缺陷地结构的新型共面波导低通滤波器

    孟庆端;李国毅;张晓玲;孙立功;

    提出了一种结构较独特的共面波导低通滤波器。为了减小通带内波纹、提高高频阻带抑制,叉指电容周期性加载共面波导结构被调整为非周期性结构,同时在共面波导的接地面上蚀刻了长方形缺陷地结构。基于上述方案设计制作了低通滤波器原形器件。仿真和测试结果表明:该滤波器的带外抑制至少增加了15.00dB,带内波纹显著变小(<1.25dB),通带内最大传输损耗为1.10dB。

    2008年10期 No.200 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1033K]
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  • 热应力影响下SCSP器件的界面分层

    李功科;秦连城;易福熙;

    通过有限元方法研究了堆叠芯片尺寸封装(SCSP)器件在回流焊工艺过程中的热应力分布,采用修正J积分方法计算其热应力集中处应变能释放率。结果表明:堆叠封装器件中最大热应力出现在Die3芯片悬置端。J积分最大值出现在位于Die3芯片的上沿与芯片粘结剂结合部,达到1.35×10–2J/mm2,表明该位置的裂纹处于不稳定状态;在Die3芯片下缘的节点18,19和顶层节点27三个连接处的J积分值为负值,说明该三处裂纹相对稳定,而不会开裂处于挤压状态。

    2008年10期 No.200 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 1615K]
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  • SnAgCuLa钎料合金表面Sn晶须的生长研究

    郝虎;李广东;史耀武;夏志东;雷永平;

    在钎料中添加微量稀土可以显著改善钎料合金的综合性能。但添加过量的稀土时,将会出现Sn晶须的快速生长。研究发现,如果将Sn3.8Ag0.7Cu1.0La钎料内部的稀土相暴露于空气中,稀土相将发生氧化而产生体积膨胀,钎料基体对体积膨胀的抑制作用将使稀土相内部产生巨大的压应力从而加速Sn晶须的生长。晶须直径约1μm,长度可达300μm。

    2008年10期 No.200 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 1663K]
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  • 熔盐法制备Bi_4Ti_3O_(12)粉体显微形貌的研究

    宁青菊;李艳杰;武利娜;

    采用熔盐法制备了晶粒取向生长的Bi4Ti3O12粉体。研究了煅烧温度以及盐与原料的质量比等因素对粉体显微形貌的影响。结果表明:随着煅烧温度的升高,晶粒尺寸增大,分散性变好,a-b面内取向生长明显。当盐与原料质量比为1:1,900℃煅烧2h后得到的粉体显微形貌较好,晶粒呈规则的四边形薄片状,尺寸分布均匀,平均粒径约7μm。

    2008年10期 No.200 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 1474K]
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  • 超细铜粉的化学镀锡及其抗氧化性能研究

    王尚军;方晓祖;

    以水合肼还原法制备出平均粒径约1μm的超细铜粉,并对其进行化学镀锡。研究了镀锡层对复合粉末微观形貌及抗氧化性能的影响。结果表明:镀覆质量分数50%的锡后,复合粉末平均粒径有所减小,但在空气中的氧化起始温度从120℃提高到220℃,与镀银层相比,镀锡层在较低温度区间对铜粉抗氧化具有优势。

    2008年10期 No.200 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 1631K]
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  • 磷化液改性片状FeCoZr合金粉末的电磁性能

    王鲜;龚荣洲;冯则坤;

    采用机械球磨的方法,对气雾化FeCoZr软磁合金粉末进行了扁平化处理,以不同用量的MgBPO系磷化液对获得的片状合金粉末进行表面改性,考察了样品在3.95~12.40GHz时的复介电常数和复磁导率。结果表明:随着改性磷化液体积的增加,样品的复介电常数实部和虚部减小;改性后样品的复磁导率实部增大、虚部减小;计算的反射损耗曲线显示,样品的反射损耗峰相应地移向高频;磷化液用量为16mL时,样品具有最小的反射损耗峰值(–11.42dB)。

    2008年10期 No.200 62-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 1228K]
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  • 电场作用下金属元素对W-Cu合金快速烧结的影响

    柯思璇;冯可芹;杨屹;吴金岭;文敏;

    采用Gleeble—3500D热模拟机,在电场和大热流密度条件下,研究了金属元素(Fe、Co和Ni)对W-20%Cu合金电场快速烧结的影响。结果表明:经800℃烧结3min,可获得晶粒较细小、显微组织较均匀的烧结体;添加金属元素能有效抑制晶粒长大。质量分数为0.35%的Fe、Ni和Co分别使其平均晶粒尺寸由1.0μm减小到0.6,0.6和0.3μm。金属元素的加入,对烧结体的致密化和硬度不利。

    2008年10期 No.200 66-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 1951K]
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  • 镍磷锗对SnAgCuCe系钎料性能及组织的影响

    董文兴;史耀武;雷永平;夏志东;郭福;

    为改善Sn3.0Ag0.5CuCe(SAC305Ce)无铅钎料的性能,向其添加了微量Ni、P及Ge并进行了研究。结果表明,同时添加质量分数为0.10%Ni、0.01%P和0.05%Ge,150℃时效168h后,钎料综合性能最佳。钎料合金组织中共晶组织的分布较为密集,IMC厚度有轻微增加,润湿力约0.48mN,剪切强度约62MPa。

    2008年10期 No.200 70-73页 [查看摘要][在线阅读][下载 2474K]
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  • Fe~(3+)掺杂TiO_2纳米晶溶胶的制备及性能

    宗建娟;申乾宏;黄俊;方锡武;杨辉;

    采用sol-gel法制备了Fe3+掺杂锐钛矿型TiO2纳米晶溶胶。对溶胶的物相结构和粒度分布进行了分析,并考察了薄膜的UV-Vis吸收光谱及溶胶的光催化性能。结果表明:Fe3+掺杂可提供杂质能级抑制电子与空穴的复合,且对TiO2溶胶粒子具有细化作用,因此TiO2溶胶的光催化活性提高,比未掺杂时最大提高了近30%。但Fe3+掺杂过多可能成为电子与空穴复合的中心,导致TiO2溶胶的光催化活性降低。r(Fe:Ti)的最佳范围为0.25~0.50。

    2008年10期 No.200 74-77页 [查看摘要][在线阅读][下载 1766K]
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  • 直接氮化法制备单晶AlN纳米线

    沈龙海;崔启良;成泰民;

    采用直流电弧放电装置,通过金属铝和氮气直接反应,在钼阴极上沉积出大量的AlN纳米线。利用XRD、SEM、TEM和拉曼(Raman)光谱对所制样品的结构、形貌和光学特性进行了表征。结果表明:大部分AlN纳米线沿着[001]方向生长,平均直径为45nm,长度5μm左右;Raman光谱的峰值与单晶体材料AlN的结果一致,说明AlN纳米线结晶质量较好。

    2008年10期 No.200 78-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 909K]
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