刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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无源集成技术

  • 低温共烧陶瓷(LTCC)技术新进展

    杨邦朝;付贤民;胡永达;

    介绍了低温共烧陶瓷(LTCC)技术的特点,并详细介绍了LTCC技术在零收缩基板及内埋置材料方面的最新技术,综述了LTCC技术在高密度封装以及微波无源元件领域中的应用。最后介绍了国内外LTCC器件的发展现状,并展望了LTCC技术的未来发展趋势。

    2008年06期 No.196 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 715K]
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  • 基于LTCC技术的X波段接收机前端设计与制作

    钱可伟;曾志毅;

    采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术和三维立体组装技术设计制作了一种适用于X波段接收机的前端模块,并进行了测试。结果表明:设计制作出的接收机前端主要技术指标为:增益大于20 dB、噪声系数小于等于7.8 dB和1 dB压缩点功率大于等于10 dBm,层数为10层。在电气性能相当的情况下,其体积和质量相对于传统PCB组件有较大缩减。

    2008年06期 No.196 6-8+11页 [查看摘要][在线阅读][下载 981K]
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  • LTCC抗EMI滤波器研制

    尉旭波;曾志毅;王浩勤;徐自强;唐伟;

    采用低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics,LTCC)集成技术研制出小型的抗电磁干扰(EMI)滤波器,同时通过在滤波器带外引进一传输零点,增加了滤波器的带外陡度。结果表明:该滤波器的截止频率为84 MHz(3dB),带外抑制≥30 dB(250~2 500 MHz),达到设计要求。其外形尺寸为2.00 mm×1.25 mm×0.80 mm,远小于传统的同类型滤波器。

    2008年06期 No.196 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 829K]
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  • 低温共烧微波带通滤波器的设计

    滕林;丁晓鸿;付贤民;

    为实现移动通信中滤波器的小型化、高品质化的要求,利用Ansoft HFSS软件,采用LTCC湿法工艺,设计和制作了中心频率为2.45 GHz,带宽为100 MHz的叠层带通滤波器。最终加工得到了满足蓝牙模块要求的滤波器样品,与仿真结果比较,二者一致性良好。

    2008年06期 No.196 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 810K]
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  • AlF_3-MgF_2-SiO_2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷性能研究

    王睿;周济;李龙土;李勃;

    制备了AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷材料,用XRD、SEM和阻抗分析仪等分析其烧结特性、显微结构、介电性能以及与Ag电极浆料共烧等性能。结果表明:该材料可以在900℃烧结致密化,烧成后的样品具有低的介电常数(6.2)和介质损耗(<0.002)、较低的热膨胀系数(7.4×10–6/K)、较高的弯曲强度(220 MPa)和热导率[2.4 W/(m.K)],能够与Ag电极浆料共烧,是一种很有应用前景的低温共烧陶瓷基板和无源集成介质材料。

    2008年06期 No.196 15-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 969K]
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  • 低温烧结型银基浆料烧结膜孔洞率的研究

    甘卫平;张海旺;刘妍;张金玲;

    观察了低温烧结型银基浆料烧结膜的表面形貌,比较了有机载体含量对浆料烧结膜孔洞率的影响,分析了单一溶剂及混合溶剂有机载体所配浆料的TGA曲线。结果表明:采用混合溶剂可将浆料烧结膜的孔洞率从49.5%降低到21.6%。随着有机载体含量的增加,浆料烧结膜孔洞率增大。当w(有机载体)为21%时浆料可获得较佳的综合性能。

    2008年06期 No.196 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 990K]
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综合信息

  • 2008年中国电子技术年会在京举行

    <正>2008年4月18日,由工业和信息化部、科技部、中国科学技术协会指导,中国电子学会和中国电子报社共同主办的2008中国电子技术年会在北京召开。中国电子学会理事长吴基传、工业与信息化部副部长娄勤俭,以及工业和信息化部司局、国家奖励办和中国科协有关领导、两院院士、中国电子学会及相关专业分会、中国电子信息产业发展研究院、相关行业协会、科研院所、大专院校和企业界的领导、相关领域的专家学者300余人出席了本次会议。

    2008年06期 No.196 5页 [查看摘要][在线阅读][下载 474K]
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  • 引领产业绿色浪潮,共谱和谐发展篇章——中国电子学会与国外电子产业环保组织达成合作协议

    <正>2008年4月1日中国电子学会节能工作推进委员会(CEESC)与国际信息与通讯产业环保组织——绿色地球数字护航计划(CSCI)签署合作备忘录。双方宣布将在节能、环境保护等方面积极开展合作,共享相关技术和信息,共谱产业绿色和谐发展新篇章。中国电子学会秘书长及节能工作推进委员会共同主席刘汝林、计算机世界传媒集团副总裁及节能工作推进委员会秘书长金羽中、英特尔公司高级副总裁兼数字企业事业部总经理帕特.基辛格、英特尔公司销售与市场营销事业部副总裁兼中国大区总经理杨叙、绿色地球数字护航计划组织总裁Lorie Wigle女士等出席了合作签字仪式。

    2008年06期 No.196 33页 [查看摘要][在线阅读][下载 502K]
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  • 国巨4月营收NT$20.55亿元 年成长率12%

    <正>国巨公司近日公布2008年4月合并净营收为NT$20.55亿元,较去年同期成长12%,月成长率为2%,主要受惠于笔记型计算机、手机等终端需求畅旺,欧洲、韩国及大陆市场稳健成长。累计今年一到四月营收为NT$77.55亿元,与去年同期相较成长11%。

    2008年06期 No.196 36页 [查看摘要][在线阅读][下载 501K]
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  • 四川汶川地震对元器件供应的影响

    <正>汶川地震过后,其对电子业供应链的影响已开始明显。成都等地余震不断,已严重地影响了该地区的生产。相关客户正在调整他们的采购计划,而某些器件则开始出现紧缺。

    2008年06期 No.196 68页 [查看摘要][在线阅读][下载 467K]
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  • 分析师预计2008年微传感器市场将增长18.5%

    <正>据BCC Research(Wellesley,Mass.)研究表明,2008年微传感器的全球年度市场总值预计将达32亿美元,比2007年的27亿美元增长18.5%,而2013年更将增长到84亿美元以上,复合年增长率(CAGR)达到21.3%。

    2008年06期 No.196 78页 [查看摘要][在线阅读][下载 551K]
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  • 国务院通过两大集成电路重大专项方案

    <正>国务院总理温家宝近日主持召开国务院常务会议,审议并原则通过两个国家科技重大专项实施方案。会议指出,"核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品"和"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"两个国家科技重大专项,是二十一世纪信息战略高技术的发展重点。要通过专项的实施,逐步实现核心电子器件的国产化,形成具有国际竞争力的高端通用芯片和基础软件研发与产业化体系;掌握具有自主知识产权的集成

    2008年06期 No.196 81页 [查看摘要][在线阅读][下载 501K]
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综述

  • 六方氮化硼的制备方法研究进展

    葛雷;杨建;丘泰;

    介绍了h-BN粉末、纤维、薄膜和陶瓷的制备方法,指出了现有方法的特点以及在制备高质量h-BN时所存在的问题,并对各种制备方法的前景进行了展望。

    2008年06期 No.196 22-25+29页 [查看摘要][在线阅读][下载 752K]
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  • 陶瓷介质加载四臂螺旋天线

    高阳;王德苗;董树荣;金浩;

    微波陶瓷介质加载的四臂螺旋天线,体积显著减小,而性能基本不变,是应用在小型化卫星导航定位设备中的理想天线。在介绍四臂螺旋天线结构组成、工作原理和发展过程的基础上,讨论了陶瓷介质加载四臂螺旋天线的特性和制作方法,并指出了存在问题和今后的研究方向。

    2008年06期 No.196 26-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 822K]
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  • 锆钛酸钡掺杂改性研究进展

    蔡苇;高家诚;符春林;邓小玲;

    综述了锆钛酸钡(BaZrxTi1–xO3,简称BZT)材料的掺杂种类以及掺杂对晶粒尺寸、相变温度、介电非线性和介电弛豫的影响等方面的最新研究进展,提出了研究中在掺杂与结构等方面需要解决的一些问题。

    2008年06期 No.196 30-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 1233K]
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  • 应力对钙钛矿型锰酸盐化合物影响的研究进展

    张雪峰;李会容;

    综述了应力对钙钛矿型锰酸盐化合物电磁性能的影响,影响大小,如何影响及影响机理的研究进展。建议对Ln1-xAxMnO3薄膜施加大范围连续应力,使应力成为影响其性能的主要因素,从而弄清应力对钙钛矿型锰酸盐化合物性能的影响机理。

    2008年06期 No.196 34-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 706K]
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  • 电子器件用中温钎料的研究进展

    刘志高;杨建;丘泰;

    从中温钎料的基本性能要求出发,综述了中温(400~600℃)钎料的发展历程和近年来中温钎料的最新研究进展。指出由超细焊粉制备的焊膏是今后中温钎料发展的一个重要方向。

    2008年06期 No.196 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 707K]
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研究与试制

  • 国产电子级碳酸钡理化性能的比较研究

    王璟;沈晓东;傅成武;郑秋容;商少明;

    采用粒度分析、数码显微分析以及AAS分析等手段,比较了国产电子级碳酸钡从发展初期至近年,七家具有代表性的生产厂家样品理化性能的演变情况。结果表明:碳酸钡样品的形貌、分散性以及酸根含量的变化情况不容忽视。样品理化性能的波动,特别是比表面积以及硝酸根含量的波动较大,必须引起粉体生产厂家以及用户的高度重视。建议将比表面积以及硝酸根含量增加为产品的理化指标,并对电子级碳酸钡产品的质量加强控制。

    2008年06期 No.196 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 929K]
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  • 固相法制备ZnO纳米粉及其气敏性能研究

    牛新书;王雪丽;赵晓华;魏平涛;李自强;

    以六水合硝酸锌和碳酸氢铵为原料,采用室温固相法制备前驱体碱式碳酸锌,然后在马弗炉中于600℃煅烧,得到ZnO纳米粉体。用XRD,TEM对其形貌、结构进行了表征。结果表明:所制备的ZnO结晶良好,其粒径为20~50 nm。用其制成气敏元件,并用静态配气法测试其气敏性能,发现在工作温度为290℃左右,该气敏元件对体积分数为0.001%的Cl2的灵敏度高达288。

    2008年06期 No.196 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 807K]
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  • 自组装型SnO_2纳米线超低浓度H_2传感器的研制

    王冰;

    采用FESEM及气敏传感器测试系统,研究了用自组装方式制备的SnO2纳米线气敏传感器的氢敏特性。结果表明:在工作温度为200℃时,对于超低浓度[(2~8)×10–6]的氢气具有0.58~1.00的探测灵敏度及3 s的响应时间和10 s的恢复时间。继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米线的优良的比表面特性及其尺度(30~40 nm)低于德拜长度(43 nm)等角度,解释了此传感器对超低浓度氢气具有良好气敏特性的原因。

    2008年06期 No.196 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 1018K]
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  • Ni~(2+)掺杂In_2O_3纳米粉体的制备及其气敏性能研究

    牛新书;魏平涛;王雪丽;茹祥莉;李自强;

    以InCl3.4H2O、Ni(NO3)2.6H2O和柠檬酸为原料,通过sol-gel法制备了Ni2+掺杂的In2O3纳米粉体,并通过XRD、TEM对产物进行了结构、形貌的测量和表征。结果表明:前驱体经650℃热处理后,得到粒径约为30 nm的粉体。将产物制作成气敏元件,采用静态配气法测试其气敏性能,发现在工作电压为4.5 V时对体积分数为50×10–6的乙醇的灵敏度达到117,响应时间达9 s,而且对其它气体有较好的抗干扰性,有望开发成为对乙醇检测的敏感材料。

    2008年06期 No.196 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 901K]
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  • 结构单元对双负材料电磁特性的影响

    杨永祥;冯立新;

    采用S参数提取法、结合HFSS仿真对双负材料电磁特性进行了分析研究,导出了S参数提取技术的相应计算公式。通过调节金属丝和金属谐振环单元的内外环间距、开口间距及覆铜厚度,分析结构单元的变化对双负材料谐振频率、介电常数及磁导率的影响。结果表明:双负材料的谐振频率随内外环间距的增大而迅速降低,随开口间距以及覆铜厚度的增大而缓慢增加。通过改变双负材料的结构单元可以实现对负介电常数和负磁导率频段的调控。

    2008年06期 No.196 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 932K]
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  • 纳米复合(Nd,Pr)FeTiBC永磁合金的结构与磁性能

    李顺;白书欣;张虹;陈柯;肖加余;

    采用熔体快淬法制备了纳米复合(Nd1-xPrx)9.4Fe75.6Ti4B10.5C0.5(x为0,0.2,0.4,0.6,0.8和1.0)合金薄带,研究了Pr对合金薄带结构与磁性能的影响规律。结果表明:Pr降低了合金薄带的晶化温度,使合金薄带晶粒变得粗大,不利于合金矫顽力的提高。Pr对合金薄带磁性能的影响不大,不同Nd和Pr比例的合金薄带在最佳热处理条件下,剩磁Br在0.86 T与0.90 T之间,内禀矫顽力Hcj在1 000 kA/m左右,最大磁能积(BH)max介于130 kJ/m3与136 kJ/m3之间。

    2008年06期 No.196 58-60+64页 [查看摘要][在线阅读][下载 1246K]
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  • NdFeB永磁靶材溅射模拟

    雒哲廷;张敏刚;伍静;罗春云;

    运用SRIM2006软件对Nd2Fe14B靶溅射过程进行了模拟,并就入射离子的入射能量和角度进行了分析,得到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律:1)溅射产额随着入射离子能量的增加而增加,在低能量区域增加很快,到了高能量区域增加变缓;2)溅射产额随着入射离子入射角度的增大逐渐增大,且在70°~80°出现极大值,如当入射离子的入射角度为75°,入射离子能量为7 keV时,溅射产额可达4.398(原子.离子–1);3)溅射原子的摩尔比与靶材原子摩尔比存在一定偏差,导致薄膜成分与靶材成分不一致。

    2008年06期 No.196 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 822K]
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  • 退火工艺对La-Nb共掺杂Bi_4Ti_3O_(12)薄膜结构的影响

    张云峰;王华;任明放;

    采用sol-gel法制备了Si基Bi3.25La0.75Ti2.94Nb0.06O12.03(BLTN)铁电薄膜,研究了退火温度、升温速率和退火时间对BLTN薄膜微观结构的影响。结果表明:制备的BLTN薄膜具有单一的钙钛矿结构,且为随机取向,表面平整致密;退火温度由550℃升高到750℃时,薄膜的衍射峰强度增强,晶粒尺寸由65 nm增大到110 nm;退火升温速率由10℃/min提高为20℃/min时,薄膜的晶化程度降低;退火时间对薄膜的晶相结构影响不大,但时间超过30 min会造成薄膜表面孔洞增多、致密性下降。

    2008年06期 No.196 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 1078K]
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  • 介电层/PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3/介电层模块的高容量电荷存储

    魏同茹;王英龙;褚立志;刘保亭;傅广生;

    基于Landau-Devonshire自由能理论建立了热力学模型,分析了介电/PbZr0.4Ti0.6O3/介电三层结构的临界厚度分数与介电层介电常数的关系,进而得出电荷存储容量。结果表明:当介电层厚度所占比例达到临界值时,具有较高的电荷存储容量。介电层的εr越大,介电层临界厚度分数λm越大,平均介电响应越小,内电场诱导的介电层极化强度越大。对于SiO2/PbZr0.4Ti0.6O3/SiO2其λm约0.37%,介电响应约–2.42×104。

    2008年06期 No.196 69-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 744K]
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  • 高储能密度玻璃-陶瓷电容器内电极的研究

    罗君;杜军;唐群;董桂霞;

    采用Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2体系玻璃-陶瓷作为绝缘介质,以磁控溅射镀膜技术先在玻璃-陶瓷层表面形成金属膜,再用丝网印刷技术在金属膜上涂覆银浆形成组合式内电极,制备出多层结构高储能密度玻璃-陶瓷电容器,对比了单层内电极结构电容器的性能参数。结果表明:多层内电极结构既保证电容器电极面积不会因银浆烧结形成微孔而减小,又能从原理上有效提高电容元件的击穿强度,其储能密度提高到约8 J/cm3。

    2008年06期 No.196 72-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 1032K]
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  • 热处理对活性炭在有机电解液中电容性能的影响

    陈玉峰;魏刚;徐斌;曹高萍;熊蓉春;

    采用BET、XRD和XPS等方法,对惰性气氛中热处理前后的活性炭材料的结构和表面化学状态进行了表征,测试了其在1 mol·L–1 Et4NBF4/PC中的电容性能。结果表明,热处理后活性炭的比表面积和表面含氧量降低,比电容略有减小,但循环性能显著改善,自放电明显下降;800℃热处理后具有较佳的综合性能,比电容为131 F/g,1 000次循环充放电后容量保持率由87.7%提高到92.4%,24 h自放电率由45.2%降至37.2%。

    2008年06期 No.196 75-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 1004K]
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  • 甲酰胺对P_2O_(5-)SiO_2系玻璃导电性能的影响

    于宝刚;

    利用sol-gel法制备了P2O5-SiO2系质子导电玻璃。借助扫描电镜、电导率测试等手段,研究了甲酰胺对玻璃的结构和导电性能的影响。结果表明,甲酰胺能使玻璃形成微孔结构,提高质子电导率。在30℃,RH为50%的条件下,玻璃的电导率为10–3~10–2 S·cm–1。

    2008年06期 No.196 79-81页 [查看摘要][在线阅读][下载 1234K]
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博士论文

  • 复合双性LTCC材料基础研究

    钟慧;张怀武;

    随着电子技术在自动化、工业控制、医学、航天航空和日常生活等领域的广泛应用,高密度、宽温域、小尺寸、多功能、高品质等特性日益成为其发展的必然趋势,同时这些特性给传统封装技术及工艺带来了巨大的挑战。在众多的封装技术中,低温共烧陶瓷LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)技术成为了国际研究的焦点,因为利用LTCC技术制备的产品不仅能具备高电流密度、小体积,而且还具备高可靠性和优良的电性能、传输特性及密封性。LTCC技术是一种先进的混合电路封装技术。它将四大无源器件,即变压器(T)、电容器(C)、电感器(L)和电阻器(R)集成,配置于多层布线基板中,与有源器件(如:功率MOS、晶体管和IC电路模块等)共同集成为一完整的电路系统。因此LTCC技术又称为混合集成技术,它能有效地提高电路的封装密度及系统的可靠性。笔者围绕LTCC技术中的低温共烧铁氧体LTCF(Low Temperature Co-fired Ferrite)材料,采用理论、实验及应用三位一体的研究模式,开发了一种新型LTCC复合介质材料,不但对该材料的复合机理进行了理论模拟而且对其在LTCC滤波器中的应用展开了研究。笔者在理论模型、材料制备和器件设计上做了一些探索性和创新性的工作,具体内容如下:(1)探索性地建立了针对LTCC陶瓷的低温烧结模型。模型基于液相烧结理论,以液相在晶粒边界引起的毛细管压力及溶解–淀析过程中化学势能的变化为烧结驱动力,将烧结温度、时间与烧结后的最终晶粒大小、相对密度联系起来,模拟出低温烧结动态过程中相对密度的变化趋势。(2)首次提出铁电–铁磁复合材料的复合理论并给予了系统的分析。讨论了复合材料中两相成分的化学结构及电磁性能在理论上对复合可能性的影响,根据材料的微观结构建立了复合模型,模型中假设铁电相均匀分布于铁磁相晶粒表面,并和气孔一起形成非磁性薄层将铁磁晶粒之间隔断,使铁磁颗粒孤立。通过对复合结构中铁磁晶粒内场变化的分析,推导出复合材料铁电/铁磁成分比与复合磁导率的关系方程;另外,利用微观结构中电流流通的等效电路,推导得到不同铁电/铁磁成分比时复合材料复数介电常数与频率的关系表达式。(3)研究了工艺条件对材料电磁性能的影响。按照工艺流程改变工艺参数预烧温度、二次球磨时间、烧结曲线中升温降温速度、烧结温度和保温时间,通过SEM、XRD等分析手段了解改变工艺参数对铁氧体材料微观结构的影响规律,通过对材料介电常数频谱、磁导率频谱及品质因数的测量得知工艺参数对材料电磁性能的影响规律,根据实验数据结果得到最佳铁氧体烧结工艺参数。(4)研究了不同掺杂离子及助熔剂的加入对低温烧结铁氧体LTCF材料的微观结构及电磁性能影响。首先研究了不同MnCO3和CuO含量对NiZn铁氧体烧结特性、微观结构及电磁性能的影响,首次发现了掺杂Mn离子的NiZn铁氧体其电磁性能对烧结温度具有敏感性。其次研究了不同助熔剂Bi2O3、WO3和Nb2O5对NiCuZn铁氧体烧结特性、微观结构及电磁性能的影响,实验揭示W6+对材料微观结构的改善;最后对低温NiCuZn铁氧体进行改性掺杂,研究稀土氧化物CeO2对其微观结构及电磁性能的影响,并给出NiCuZn铁氧体掺杂稀土元素时的磁频谱及介频谱。(5)开发了一新型的基于不同低温烧结NiCuZn铁氧体与高介电常数(BaTiOk+X)钙钛矿的具有电感、电容双性的铁电–铁磁复合材料,研究了不同铁电–铁磁含量对各组复合材料微观结构及电容电感双性的影响。并研究了不同助熔剂Bi2O3、WO3和Nb2O5对其烧结特性、微观结构及电容电感双性的影响。最后对复合材料进行稀土掺杂改性,研究稀土氧化物CeO2对其微观结构及电容电感双性的影响。(6)设计并制作出两种使用LTCC复合双性材料的3G通讯设备用带通滤波器。采用Ansoft HFSS电磁仿真软件对所建立的滤波器模型进行模拟仿真,通过调节滤波器结构参数使滤波器各性能指标达到要求,并实现生产制备。制得带通中心频率3.5 GHz,插损<2.8 dB,带宽>400 MHz,阻带衰减大于35 dB的微带式带通滤波器和带通中心频率1.4 GHz,插损<3 dB,带宽>160 MHz,阻带衰减大于30 dB的LC式带通滤波器。

    2008年06期 No.196 82-83页 [查看摘要][在线阅读][下载 657K]
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  • 低温烧结NiCuZn铁氧体材料及叠层片式电感应用研究

    苏桦;张怀武;

    从模拟向数字、定频向变频、接插件向平面片式化的方向发展是当前电子信息技术变革的主要方向,而叠层片式电感器件及其相关的低温共烧铁氧体材料,则是实现无源接插件向平面片式化发展的技术瓶颈。通过理论分析、材料研制以及器件应用验证三位一体的研究模式,实现了从材料微观、宏观性能的分析到材料研制途径和工艺优化以及片式器件设计及制备的综合调控,为开发高性能的低温烧结NiCuZn铁氧体材料及叠层片式电感器件奠定理论和实践基础。在理论研究方面,首先分析了决定低温烧结NiCuZn铁氧体材料主要磁性能:包括起始磁导率、品质因数、饱和磁感应强度、居里温度和矫顽力等的关键影响因素,为材料研制过程中如何控制和改善这些磁性能提供了重要的理论指导。然后又从物质迁移的角度探讨了促进NiCuZn铁氧体低温烧结和致密化的有效途径。此外,为了实现低温烧结NiCuZn铁氧体能够根据磁导率目标要求进行材料配方的"量身定制",还结合理论推导和数值拟合得到NiCuZn铁氧体磁导率的半经验计算公式,并基于遗传算法建立配方优化设计程序,大大提高了材料研发的效率和速度。在材料实验研究方面,分别采用了三种方法,即氧化物法、sol-gel法以及复合法对低温烧结NiCuZn铁氧体展开研究。在氧化法材料研制过程中,首先明确了NiCuZn铁氧体配方设计的基本原则,并在此基础上详细研究了主配方中CuO含量对材料烧结特性、微观形貌及电磁性能的影响,确定当主配方中x(CuO)为10.2%时,能较好兼顾材料低温烧结和高电磁性能的要求。此后通过对比实验,详细研究了预烧温度、球磨时间以及升温速率等制备工艺参数对材料烧结特性和电磁性能的影响。确定了低温烧结NiCuZn铁氧体最佳的预烧温度为800℃;最佳的二次球磨时间为24 h;最佳的升温速率应≤2.5℃/min。最后研究了不同的掺杂组合模式对材料性能的影响,明确了获得高磁导率的掺杂模式为:加入物的最佳质量分数是1.5%Bi2O3+0.3%WO3;兼顾高磁导率和高品质因数的掺杂模式为:1.5%Bi2O3+0.3%WO3+0.2%Co2O3。在sol-gel法低温烧结NiCuZn铁氧体材料研制过程中,首先对工艺过程中形成的干凝胶、自蔓延燃烧粉末以及最终烧结样品的晶相结构进行了分析。明确了经过自蔓延燃烧后的粉末已经铁氧体化,且粉末颗粒尺寸仅为几十纳米,具有很好的表面自由能。然后将sol-gel法与氧化物法制备样品的烧结特性和电磁性能进行了综合对比,详细分析了两种低温烧结铁氧体制备方法各自的技术优劣。此后,又采用了综合氧化物法和sol-gel法的复合法进行低温烧结NiCuZn铁氧体材料的研制。研究发现,纳米铁氧体微粉掺杂对促进NiCuZn铁氧体的低温烧结效果明显。这是由于具有高活性的纳米微粉均匀混合到氧化物法制备的微米级粉料中,增大了颗粒之间的接触面积及互扩散的缘故。同时,复合法能够避免氧化物法和sol-gel法各自技术上的一些缺陷,因而有望获得更好的材料电磁性能。在片式电感应用研究方面,首先基于有限元计算和电磁场仿真的思想,借助HFSS软件,进行片式电感结构的优化设计及性能的仿真预测。明确了对于0603型片式电感,当采取绕线长边长a=1 200μm,短边长b=500μm,绕线线宽w=100μm,绕线距上下边距μ=150μm时,能获得较好的片式电感性能。同时,通过拟合得到片式电感的感量与叠层匝数之间的指数关系。此后,对片式电感制备工艺流程进行了详细分析,明确了一些工艺控制的关键技术。最后,采用研制的低温烧结NiCuZn铁氧体材料,按照优化的片式电感结构,在电子科大LTCC工艺线上进行了片式电感的实际研制。经验证,实际制备的片式电感的感量比仿真预测值偏低,这主要是由于片式电感磁芯的磁导率与标样环有一定的差异所致,但电感量与叠层绕匝数之间的指数关系与预测值较为吻合。

    2008年06期 No.196 84-85页 [查看摘要][在线阅读][下载 650K]
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  • 专题论坛

    <正>为了深入讨论电子元件和电子材料行业发展中出现的热点和难点技术问题,研究解决这些问题应采取的途径,促进技术成果的转化,本刊将于2008年第六、九、十二期,在"专题论坛"栏中分别论述以下选题。请各位专家学者和广大科技人员积极撰文,论文可以是有独到见解的发展综述,也可以是具有创新、实用价值的科研成果论文。请于各期出版前四个月将文稿用电子邮件发本刊。

    2008年06期 No.196 86页 [查看摘要][在线阅读][下载 693K]
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  • 《电子元件与材料》2008~2009年选题大纲

    <正>近几年来,信息技术更新换代不断加快,产业融合更加深入,不断催生出新的产品门类;整机市场规模迅速扩张,亟需各种新型高端电子元器件与之配套,促使电子元器件产品升级换代速度不断加快。当前绿色制造技术的应用,原材料和生产工艺的无害化已成为社会关注的重大问题,

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