<正>SEMI和国际Techsearch公司共同合作,对全球半导体封装材料市场进行调研,2007年全球半导体封装材料市场达到152.17亿美元。从过去五年封装材料市场数据看,中国仍是全球封装材料生产重镇,而且是投资持续增长的地区之一。
2008年04期 No.194 9页 [查看摘要][在线阅读][下载 474K] [下载次数：114 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：68 ] -
<正>在电子元器件领域,村田的产品广为人知,从片状电容、滤波器、振荡子、传感器到现在的蓝牙模块,都在世界市场有很大的影响力。但很多人不知道,50多年前,村田制作所却仅仅是日本京都的一家普通陶瓷作坊。经过长期不懈的创新,村
2008年04期 No.194 13页 [查看摘要][在线阅读][下载 389K] [下载次数：30 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：50 ] <正>据海关总署3月10日公布的统计数据显示,1～2月,我国进出口总值3659.3亿美元,比去年同期增长23%。其中,出口1969.9亿美元,增长16.8%,较2007年同期减缓24.7个百分点;进口1689.4亿美元,增长30.9%,加快10.3个百分点。累计贸易顺差280.5亿美元,下降29.2%。
2008年04期 No.194 31页 [查看摘要][在线阅读][下载 596K] [下载次数：64 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：46 ] -
<正>2007年我国空调器出口又有较大幅度增长,共有917家企业经营出口空调器(不含经营零件的企业,下同)商品,出口企业比上年同期减少了35家,全年出口3995.71万台,金额为635133.56万美元,分别比上年同期增长18.5%和33.1%,空调器出口金额占全国家用电器商品出口总额的19.94%。
2008年04期 No.194 34页 [查看摘要][在线阅读][下载 572K] [下载次数：55 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：48 ] <正>片式元件特别是片感内资企业,从整个生产技术来说,与日系企业相比,还是相差很多的。这些差别主要体现在生产原材料、生产设备和技术上。所以企业在注重器件小型化的同时一定要注意新技术的开发与应用。日系村田公司在薄膜工艺技术的基础上,独创了一种新的技术,开发出一个新的系列产品LQP系列薄膜电感器。
2008年04期 No.194 37页 [查看摘要][在线阅读][下载 530K] [下载次数：38 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：77 ] -
<正>受国务院委托,国家发改委5日向十一届全国人大一次会议提交了《关于2007年国民经济和社会发展计划执行情况与2008年国民经济和社会发展计划草案的报告》。
2008年04期 No.194 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 517K] [下载次数：38 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：58 ] <正>由《科技日报》社组织,部分院士、多家中央新闻单位参与评选的2007年国内国际十大科技新闻在2007年末正式揭晓。2007年国内十大科技新闻是:1.我自主研制第三代战机歼-l0亮相
2008年04期 No.194 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 526K] [下载次数：22 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：52 ] -
<正>片式敏感元件主要用作各种传感器;IC器件及功率电子器件过载保护器;锂电池、各种开关电源以及汽车直流电机过热、过载保护器;以及电路补偿、环境监测、灾害预报等。随着SMT技术的发展,无源元件片式化、多功能化的浪潮也已席卷到敏感陶瓷领域,敏感陶瓷器件的片式化、多功能化已成为电子陶瓷领域不可阻挡的
2008年04期 No.194 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 545K] [下载次数：72 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：61 ] <正>●国际上正在开展大规模生产阶段所需的实用化技术攻关●红绿蓝三基色激光光源获得了一定的突破激光显示的各个产品化方向,从大屏幕、超大屏幕到手机式投影仪,都得到了全面发展。
2008年04期 No.194 68页 [查看摘要][在线阅读][下载 446K] [下载次数：388 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：54 ]
- 朴林华;王义;刘玉洁;宋佳;张福学;
采用有限元方法,计算了不同温度下敏感元件内的温度场和流场。结果表明:在输入恒定角速度时,敏感元件内的温度场和流场随环境温度发生变化,温度增加,在两个检测热电阻丝处的气流速度之差减小,检测电桥输出电压减小,传感器灵敏度降低;温度下降,在两个检测热电阻丝处的气流速度之差增加,检测电桥输出电压增加,传感器灵敏度增加。当输入角速度为20°/s时,传感器的灵敏度随温度平均变化率为0.0336mV/(°)·s–1·℃–1。
2008年04期 No.194 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 820K] [下载次数：85 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：65 ] - 张帅谋;曹全喜;
采用固相合成法,研究了SiO2含量和收缩温度对环形SrTiO3压敏元件微观组织、气孔率的影响。结果表明:元件在1050℃时开始收缩;通过SEM分析,发现随着SiO2含量的增加,元件的气孔率有减少趋势;当x(SiO2)为0.05%～0.10%时,可以获得良好的微观组织。通过改进工艺参数制备压敏元件。焊锡并通100mA电流后,压敏电压的变化率ΔV·V–110mA为0.95%～3.60%,电容变化率ΔC·C–1为9.6%～16.4%。
2008年04期 No.194 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 1358K] [下载次数：51 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：76 ] - 郭征新;曹全喜;孟锡俊;
采用sol-gel法制备了复合纳米添加剂。将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。通过粒度测试,分析了复合纳米添加剂的粒径大小;借SEM分析了电阻器的微观形貌,并测试了电阻器的电性能。结果表明:添加剂的粒径集中在100nm以下,用该添加剂制成的电阻器微观结构更均匀,其8/20μs通流能力达2500A,2ms方波能量耐受能力达46J。
2008年04期 No.194 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 980K] [下载次数：244 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：117 ] - 华杰;刘梅;徐仕翀;李海波;
以正硅酸乙酯和硝酸盐为原料,采用sol-gel法制备了Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4/SiO2纳米复合材料。利用TGA/DTA,XRD,TEM和VSM,研究了热处理过程中,干凝胶的变化及样品的结构、晶粒尺寸和磁性。结果表明:由于样品中SiO2在高温下晶化,随着热处理温度的升高,样品的比饱和磁化强度和矫顽力先增大后减小。经900℃热处理后,样品中Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4粒径约为30nm,比饱和磁化强度Ms为50Am2·kg–1,矫顽力Hc为4.22kA·m–1。
2008年04期 No.194 23-24+27页 [查看摘要][在线阅读][下载 998K] [下载次数：203 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：137 ] - 贺文阳;王冬青;邓永和;
在WO3粉体材料中,加入一定量的添加剂(Pt,Pd,PtO2,PdCl2,SnO2,SiO2和Al2O3),于600℃烧结1h,制成旁热式厚膜丁烷气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热功率与元件灵敏度(β)的关系以及添加剂对元件的响应与恢复时间的影响。结果表明:掺入质量分数为0.5%的PdCl2,在加热功率为600mW时,丁烷气敏元件的灵敏度提高约12倍,元件的响应和恢复时间分别缩短约70%和85%。
2008年04期 No.194 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 786K] [下载次数：59 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：73 ] - 黄爱萍;冯则坤;何华辉;谭福清;熊惟皓;
采用传统陶瓷工艺制备了MnZn和NiZn铁氧体材料。研究了贫铁MnZn铁氧体、富铁MnZn铁氧体及NiZn铁氧体的电阻率和阻抗的频率特性。结果表明:CaCO3-SiO2联合掺杂能大幅度提高贫铁MnZn铁氧体材料的电阻率,在最大添加量w(SiO2)为0.005%,w(CaCO3)为0.04%时,有最大电阻率10246Ω·m;贫铁MnZn铁氧体材料综合了富铁MnZn铁氧体材料的低频高阻抗和NiZn铁氧体材料的高频高阻抗特性;Fe2O3、TiO2含量的增加都会提高材料的低频阻抗,降低材料的高频阻抗。
2008年04期 No.194 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 841K] [下载次数：295 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：195 ] - 陈江翠;林健;路顺;
通过在氧化物电极材料中引入适量导电性能优良的金属Ag,降低了氧化物电极的电阻,改善其氧敏响应特性;研究了YSB-Ag复合电极在氧化锆氧传感器中的应用。结果表明:这种复合电极具有较低的电阻值和很好的低温氧敏响应特性,在不使用加热装置条件下,氧传感器的起始工作温度可以降低至450℃左右,池内阻在100Ω以下。
2008年04期 No.194 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 779K] [下载次数：114 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：98 ] - 滕林;丁晓鸿;
以Co(NO3)2和NaHCO3为原料制备Co2O3过程中,采用有机试剂乙醇、丙酮、聚乙二醇(PEG—400),以及NaCl、Na2SO4和CH3COONa分别作为添加剂。结果显示,在相同的溶液pH值、zeta电势以及黏度条件下,沉淀物CoCO3在300℃焙烧后得到不同微观形貌的颗粒。通过DLVO理论分析表明,有机试剂的介电常数以及空间位阻效应是影响晶核形成的主要因素。钠盐添加剂实验发现,阴离子会在空间方向上选择性地吸附在CoCO3晶核表面,并最终影响Co2O3的形貌。
2008年04期 No.194 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1276K] [下载次数：533 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：83 ] - 胡文刚;孙凤莲;王丽凤;马鑫;
以Bi为添加剂对低银型Sn-0.3Ag-0.7Cu无铅钎料进行改性,应用SAT—5100型润湿平衡仪对Sn-0.3Ag-0.7Cu-xBi(x=0,1,3和4.5)钎料的润湿性能作了对比分析。结果表明:适量Bi元素的加入可以改善Sn-0.3Ag-0.7Cu钎料合金的润湿性能,且在240℃下Sn-0.3Ag-0.7Cu-3.0Bi无铅钎料具有最佳的润湿性能,在250℃其润湿力达到最大值3.2×10–3N/cm。
2008年04期 No.194 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 809K] [下载次数：513 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：46 ] |[阅读次数：80 ] - 田大垒;关荣锋;赵文卿;王杏;
大功率白光LED目前存在着光取出效率不高的问题。介绍了提高白光LED光取出效率的主要方法与途径,包括光子晶体,表面粗化,倒装芯片,二次光学设计以及荧光粉远离。这些技术不同程度提高了LED的光取出效率,是解决其发光效率不高的有效途径。
2008年04期 No.194 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 738K] [下载次数：495 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：84 ] - 秦俊虎;刘宝权;吕金梅;陈希;
树脂芯助焊剂性能对焊接质量有重要影响,为了解影响其性能的因素,研究了溶剂、活化剂及表面活性剂等的种类和配比对助焊剂性能的影响。结果表明,使用复合溶剂,按w(胺盐)为16.1%,w(有机酸)为2.0%,w(表面活性剂)为0.5%可配制成综合性能优良的助焊剂,其扩展率为80%,w(卤素)为0.07。
2008年04期 No.194 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 745K] [下载次数：212 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：77 ] - 郑敏贵;何新华;黎卓华;廖夷盛;李景志;
采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180～1200℃,在1050～1080℃保温5～15h时,其εr为238～262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11～10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。
2008年04期 No.194 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 1208K] [下载次数：157 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：125 ] - 魏汉光;宋永生;张火光;
采用H3BO3、ZnO、SiO2、Al2O3、Li2CO3和CaCO3等原料,通过高温熔融、淬火等工艺,获得了低熔点玻璃粉,研究了玻璃粉的熔融、力学性能、介电性能及其含量对MLCC瓷料烧结的影响。结果表明:在Ba2Ti9O20主晶相材料中加入质量分数为4%～7%的低熔点玻璃粉,有利于瓷料在910～950℃低温烧结致密,其绝缘电阻率ρ大于1013Ω·cm,tanδ为(1.2～2.0)×10–4,εr为32～38。
2008年04期 No.194 52-54+58页 [查看摘要][在线阅读][下载 887K] [下载次数：309 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：122 ] - 陈涛;芦苇;朱建国;
用横场伊辛模型模拟计算了BaTiO3/LaAlO3铁电超晶格的铁电、介电性能,研究了BaTiO3/LaAlO3铁电超晶格中的耗散因子对极化、居里温度和介电常数的影响,发现随着耗散因子的增加,BTO/LAO超晶格的极化强度和居里温度下降。当耗散因子为2.66时,模拟计算值与实验结果相近。
2008年04期 No.194 55-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 798K] [下载次数：134 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：87 ] - 郭栋;凌志远;胡星;
为实现Ba2Ti3Nb4O18(BaO-TiO2-Nb2O5)材料的低温烧结,添加质量分数为5%的ZnO-B2O3玻璃作助熔剂,研究了行星球磨时间对粉料粒径、陶瓷样品的烧结密度、显微结构和介电性能的影响。结果显示:行星球磨6h的粉料粒径适中(约90nm),用该粉料制备的样品可在900℃致密烧结(>95%理论密度),且介电性能优良(1MHz),εr约为36,tanδ小于4×10–4,电容温度系数为(–5～+5)×10–6/℃;微波介电性能如下:εr约为33,Q为2380(5.998GHz)。
2008年04期 No.194 59-61+64页 [查看摘要][在线阅读][下载 2272K] [下载次数：328 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：118 ] - 吴小鹏;陈侃松;顾豪爽;胡宽;熊娟;
以SF6/O2作为刻蚀气体,用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术,对磁控溅射法制备的Pt电极进行了刻蚀。结果表明:Pt的刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率以及刻蚀功率都有一定关系。在相同功率下,R[O2∶(SF6+O2)]=2/6,刻蚀速率达到极大值,功率为120W时,刻蚀速率极大值为12.4nm/min。AFM分析表明,薄膜表面的粗糙度随刻蚀功率增加而变大,均方根粗糙度从120W时的0.164nm增加到160W时的0.285nm。经优化工艺参数刻蚀后的Pt电极图形结构平整,边缘整齐。
2008年04期 No.194 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 1476K] [下载次数：166 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：77 ]
- 唐可;张怀武;
由于记录介质的超顺磁效应,传统的水平磁记录方式已经达到理论极限。为了实现特比(Tb,1Terabit=240bit)级的超高密度存储,各种记录方案正在探索之中,其中图案化介质和热辅助磁记录技术被认为是最有发展潜力的方向,如果将两者结合则记录密度会更高。笔者结合已有的实验数据与前人的理论工作,通过有限差分法求解动力学方程和Monte Carlo随机方法,重点研究了以下几个与图案化介质及热辅助磁化技术有关的问题:(1)针对数值微磁学中矩形网格处理复杂边界时计算精度较低的问题,利用磁体本身的几何对称性和退磁张量的性质,通过在实空间求积分的方法解析地推导了等边三棱柱的退磁张量。根据这一张量表达式,可以得到任意精度的退磁因子,把这一结果应用在微磁学的网格划分当中,可以提高对复杂边界的处理能力。(2)为了能够在数值计算中高效地求出系统中的偶极作用能,解决由于偶极作用长程性带来求和速度收敛缓慢的问题,笔者通过重新定义网格求和方程,并采取分段处理的方法,解决了Lekner求和法中由于对称性降低而导致的奇异性问题,成功地把Lekner求和法从三维周期性边界条件下的库仑作用系统,推广到了二维周期性结构的磁偶极作用系统。应用Lekner求和法,可以高效地处理图案化介质这类规则排列的磁偶极子系统中、偶极作用能的计算问题。(3)为了深入理解偶极作用能对信息位稳定性与信息写入过程的具体影响,为实际设计图案化记录系统时选择合适的图案化介质提供理论指导,笔者通过求解二维系统的动力学方程,研究了有限阵列和周期性边界条件阵列磁性颗粒间偶极作用能对系统静态与动态性质的影响。发现有限阵列的静态磁学性质,诸如剩磁状态、矫顽力等与系统的大小密切相关,而磁化动力学过程则不受系统大小的影响。发现偶极作用能对系统的磁化强度翻转模式有决定性的作用。对于有限阵列来说,在平面各向异性的水平磁化翻转过程中,由偶极作用强度决定了三种翻转模式,即一致转动、成核模式及这两种模式的过渡区域;在垂直各向异性的垂直磁化翻转过程中,由偶极作用强度决定了四种翻转模式,即成核模式、非线性激发、旋卷模式以及成核与旋卷的过渡区域。对于周期性边界条件下的阵列,由磁场脉冲持续时间和偶极作用强度共同决定了中心磁矩翻转类型相图,相图可以分为五种翻转类型,即关联翻转、过冲翻转、下冲翻转、弹道翻转以及未发生翻转区。(4)为了理解偶极作用能对系统热稳定性的影响以及温度不均匀性对热辅助写入过程的具体影响,笔者运用Monte Carlo方法研究了这两个问题。发现偶极作用能的增加,会导致系统闭锁温度的升高,从而提高系统的热稳定性。在高斯分布型的稳定温度场中,发现根据温度场的半高宽,可以把翻转过程分为三类不同的成核模式,即边缘成核而后中心扩展模式、边缘成核而后边缘扩展模式以及两种模式的混合模式,并且翻转弛豫时间的对数与半高宽导数之间成分段的线性关系,其分段点受外场和中心温度的影响。而对于给定半高宽的温度场来说,弛豫时间与温度的关系与经典成核理论描述均匀温度场中弛豫时间与温度的关系相似,只是此时的能量势垒和比例系数都与温度场的半高宽有关。
2008年04期 No.194 73-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 616K] [下载次数：152 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：67 ] 下载本期数据