刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 电畴尺寸研究进展

    符春林;潘复生;蔡苇;邓小玲;

    铁电体是一类重要的功能材料,电畴是其物理基础。综述了电畴尺寸的影响因素、晶粒临界尺寸(包括单畴临界尺寸和铁电临界尺寸)、厚度临界尺寸等方面的研究进展,提出了研究中需要解决的问题。

    2008年03期 No.193 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 2054K]
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综合信息

  • MLCC生产形成规范化 核心技术仍待突破

    卢艺森;宋子峰;

    <正>在电子信息产业迅猛发展的今天,我们震惊于各种电子信息产品,如笔记本电脑、手机、液晶电视机、数码相机和摄影机、MP4等给我们生活带来极大便利的同时,更感觉到现在的电器产品较以前越来越小,且功能越来越完备、功耗越来越小,价格越来越便宜。这一切都归功于电器产品核心——半导体元器件和众多的被动贴片元件越来越小型化、高精度、低功耗化,使得家用电器类等信息产品小型化成为可能。

    2008年03期 No.193 4页 [查看摘要][在线阅读][下载 482K]
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  • 高分子PTC产品的技术发展趋势及新的应用

    <正>过流线路防护的元件,从20世纪80年代在技术上实现应用化至今虽然只有二十多年时间,但在技术和应用上已经有了长足的进步和广泛的应用。随着电子线路的复杂化和元器件的密集化,对PPTC元件在技术上也提出了更高的要求,PPTC未来在技术发展上有如下趋势:

    2008年03期 No.193 11页 [查看摘要][在线阅读][下载 551K]
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  • 片式元件小型化低成本方向不变国内企业面临新一轮整合

    <正>我国片式元件发展起步晚,技术水平和生产规模处于行业劣势地位,面临激烈竞争。国内企业纷纷表示要通过增加产品的技术含量扩大发展空间。随着电子产品不断向小型化、轻型化方向发展,带动了全球片式元件的飞速增长。电子元件向片式化方向发展已经成为趋势,业内专家预测,21世纪初期片式元件将在全球元件使用上占有更大的市场份额,

    2008年03期 No.193 50页 [查看摘要][在线阅读][下载 474K]
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  • MLCC行业步入景气上升周期

    <正>片式多层陶瓷电容器(MLCC),属于新型电子元器件,是电子信息产品不可或缺的基本组件之一。作为电容器的一个种类,片式多层陶瓷电容器约占电容器总产值的42%。MLCC成为电容器主流产品电容器是以静电的形式储存和释放电能,其构成原理是在两极导电物质间以介质隔离,并将电能储存其间,其主要作用

    2008年03期 No.193 54页 [查看摘要][在线阅读][下载 487K]
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  • 汽车信息娱乐系统爆炸增长

    <正>iSuppli在去年的CES刚刚结束时就预测,2007年将是汽车产业的分水岭——许多汽车厂商开始推出自己的信息娱乐系统,以利用消费电子产品和内容的爆炸性增长。在2008年CES上,这种预测显然是正确的,但iSuppli永远也不会料到是美国汽车厂

    2008年03期 No.193 57页 [查看摘要][在线阅读][下载 499K]
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  • 欧姆龙关闭芯片制造子公司 适时调整顺应市场

    <正>日本欧姆龙(Omron)正计划收回其独立的半导体芯片子公司Omron Semiconductors Co. Ltd。届时,Omron Semiconductors将解散,公司将出售自动化系统、控制设备、电子元件、运输系统等资产。

    2008年03期 No.193 60页 [查看摘要][在线阅读][下载 541K]
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  • 三洋新一代环保电池正式在中国试销

    <正>世界充电电池厂商日本三洋电机株式会社(以下简称三洋)在北京宣布,其生产的新一代环保电池eneloop(爱乐普)将正式开始在中国市场试销。三洋通过推出优质环保节能产品,不断响应中国政府所提出的建立环境友好型和资源节约型社会的政策号召,树立行业先锋,推动节能环保产品的应用,提高全社会节能意识,为中国环保事业做出微薄之力。

    2008年03期 No.193 71页 [查看摘要][在线阅读][下载 471K]
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  • 顺络电子收购深圳南玻和南方汇通电感

    <正>据顺络公司公告称,为避免同业竞争,顺络电子拟受让南玻A持有的深圳南玻电子有限公司100%股权。公司与南玻A于2008年1月13日签订《股权转让合同》,南玻A将其持有的南玻电子5000万元股权(占注册资本100%)转让给顺络电子,合同总价1.24亿元。

    2008年03期 No.193 71页 [查看摘要][在线阅读][下载 471K]
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研究与试制

  • 十二烷基苯磺酸掺杂聚苯胺的气敏性能研究

    谢英男;詹自力;张红芹;蒋登高;

    以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法分别在十二烷基苯磺酸(DBSA)和盐酸中合成了聚苯胺(PAn),并用傅里叶红外光谱和TGA-DTA技术对聚苯胺掺杂前后的结构变化和热稳定性进行了分析。研究了不同质子酸掺杂对聚苯胺气敏性能的影响。结果表明:十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺,比普通盐酸掺杂的聚苯胺对目标气体具有更好的灵敏性。当r(S:N)为0.4~0.5时,在室温下其对1000×10-6NH3的灵敏度达到了10.43,响应时间为30s,恢复时间为3min。且与盐酸相比,十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺具有更好的环境稳定性。

    2008年03期 No.193 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 807K]
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  • CdTeO_3纳米颗粒的制备及其气敏性能

    安保礼;张国旺;许鹏程;徐甲强;潘庆谊;

    以CdCl2·2.5H2O和碲粉为主要原料,在水相中反应制备CdTe前驱体,将其于500℃煅烧1h得到CdTeO3纳米颗粒。通过XRD、SEM和TEM对其物相和形貌进行了分析;并将其制成了气敏元件,进行气敏性能测试。结果表明:成功合成了单斜晶相的、平均粒径为100nm的CdTeO3纳米颗粒。以该材料制备的气敏元件对体积分数为50×10-6的乙醇有较高的灵敏度(15.1)和选择性。

    2008年03期 No.193 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 889K]
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  • 介孔SnO_2的制备及气敏性能研究

    王丁;胡平;徐甲强;

    采用CTAB模板法制备了具有介孔结构的SnO2。通过小角X射线衍射,BET法对其进行了表征。采用静态配气法对介孔SnO2的气敏性能进行了研究。结果表明:随着煅烧温度的升高,介孔SnO2的比表面积从105.54m2/g降到38.11m2/g。通过延长陈化时间和进一步水热处理可以增加介孔SnO2材料的比表面积。气敏测试表明:在4.5V加热电压下,气敏元件对体积分数为50×10-6酒精蒸气有较好的气敏性能,灵敏度为9.4,响应-恢复时间均为8s。

    2008年03期 No.193 12-14+18页 [查看摘要][在线阅读][下载 1111K]
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  • 电子组装用高温无铅钎料的研制

    房卫萍;史耀武;夏志东;郭福;雷永平;

    Bi-Ag合金是一种替代高铅钎料的芯片封装无铅焊料。研制了Bi-2.5Ag、Bi-2.5Ag-0.1RE、Bi-5Ag-0.1RE、Bi-7.5Ag-0.1RE、Bi-10Ag、Bi-10Ag-0.1RE钎料。结果表明,该合金系钎料的熔化温度范围随Ag含量的增加而增大,而且其润湿性能良好,润湿角都处于30o~40o。不同Ag含量的Bi-Ag/Cu接头在界面处发生断裂,剪切强度差别不大,都略大于30MPa。Bi-Ag/Cu界面没有金属间化合物形成,结合强度较弱。

    2008年03期 No.193 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 960K]
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  • La_2O_3-SnO_2材料乙醇气敏性能与催化活性间关系

    詹自力;谢英男;潘丽华;郭新勇;蒋登高;

    通过测量La2O3-SnO2的气敏性能和催化活性,考察了La2O3对SnO2气敏性能和催化性能的影响,同时讨论了该材料对甲烷(CH4)和乙醇(C2H5OH)的灵敏度与其催化氧化反应间的关系。结果表明:300℃时,掺杂w(La2O3)为3%时,可使乙醇的转化率从84.5%提高到100%,对体积分数为1×10-4的乙醇的灵敏度由11.06提高到53.22。说明目标气体的反应活性越高,其灵敏度也越高。掺杂La2O3提高乙醇气体的灵敏度的原因是因为增加了SnO2表面乙醇反应中的耗氧率。

    2008年03期 No.193 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 893K]
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  • 掺铝二氧化锡气敏材料的制备与性能研究

    刘元隆;胡继豹;谢宇;傅毛生;

    用sol-gel法制备了8种掺铝SnO2气敏材料,并用XRD分析其结构和晶粒度,用自组装仪器测定其气敏性能。结果表明:铝的掺入未改变SnO2的四方晶系结构,样品晶粒度为31.46~50.89nm;烧结温度600℃、掺铝量为5%(摩尔分数)的样品对C4H10的灵敏度为22.7;烧结温度600℃、掺x(Al)为1%的样品对H2S比较敏感,灵敏度为87.5;烧结温度700℃、掺x(Al)为5%的样品对C4H10灵敏度为45.5,对H2S灵敏度为100。

    2008年03期 No.193 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 702K]
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  • 芯片贴装用银浆料的热物理与力学性能

    甘卫平;刘妍;张海旺;

    针对集成电路半导体芯片贴装,替代金-硅共熔焊或导电胶类粘结剂,研制了一种由银粉、玻璃粉和有机载体组成的低温烧结型银基浆料,其烧结温度峰值为430℃。研究了浆料的成分配比、工艺及其芯片贴装烧结工艺对浆料烧结体的微观组织、αL、λ、芯片组装的剪切力和热循环对芯片剪切力的影响规律。结果表明,当ζ(银粉:玻璃粉)=7:3,ζ(固体混合粉末:有机载体)=8:2时,芯片贴装后的综合性能最佳,冷热循环500次后其剪切力仅下降15%。

    2008年03期 No.193 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1107K]
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  • 高介电性纳米复合氧化膜的研究

    马立波;张枝苗;高炜斌;朱绪飞;

    首次在溴的丙酮溶液中,以钽作阳极,多孔型氧化铝为阴极,通过直流电沉积方法制备Ta/Al2O3复合氧化膜。结果表明:阳极钽在阴极氧化铝的表面和多孔结构内部均有沉积,并以纳米结构与多孔氧化铝结合生成复合氧化膜。

    2008年03期 No.193 29-31+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 1097K]
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  • 多弧离子镀制备高比电容铝箔的研究

    周青春;潘应君;

    通过控制乙炔与氮气流量比和冷却方式,采用多弧等离子体辅助物理气相沉积法(PVD),制备了不同比电容的TiCN涂层铝箔,借助比容测试仪、发射扫描电镜、X射线衍射分析仪及电子探针等,检测其比电容及显微形貌、晶体结构和化学成分。结果表明,PVD法可以获得高比电容铝箔(1674×10-6F/cm2);采用液氮快速冷却方式可以获得非晶态的TiCN纳米涂层,比电容比随炉冷却的约提高两倍;乙炔和氮气体积流量比为1:1较之1:0.5时,铝箔的比电容提高1.5~2.5倍。

    2008年03期 No.193 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 995K]
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  • 阳极处理改善聚吡咯片式叠层铝电容器漏电流

    程云来;潘德源;王在安;

    分析了聚吡咯固体片式叠层铝电解电容器的结构及制作难点,采用了隔离法、官能团高分子修复法、电解修复法、循环高温处理修复法、钝化法等多种阳极处理方法,研究了降低漏电流的方法,结果显示:经过处理后,规格6.3V,47μF聚吡咯固体片式叠层铝电解电容器的漏电流水平为1μA以下,可靠性达到105℃,1000h。

    2008年03期 No.193 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 725K]
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  • 掺杂对钽丝电性能影响的研究

    万庆峰;王德志;田苗;赵兵;陈林;

    通过显微组织观察、直流漏电流测试,研究了掺杂元素种类(A、B两类)及其掺杂量在不同退火温度下对钽丝微观组织以及直流漏电流的影响。结果表明:随着掺杂量的增加,钽丝的再结晶温度升高,组织晶粒细化,其中掺B比掺A细化效果更加明显;掺A和B的钽丝比仅掺A的钽丝或纯钽丝直流漏电流性能要好,且掺400×10-6(质量分数)的A与掺400×10-6的A、400×10-6的B钽丝的直流漏电流数值在同类钽丝中最低,可达到约0.007×10-6A·cm-2。

    2008年03期 No.193 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 2057K]
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  • 960MHz同轴介质谐振器滤波器的研制

    吴坚强;涂鹏;

    研制了用四个高Q值介质同轴谐振器构成的带通滤波器,谐振器之间的耦合通过陶瓷基片上的电容实现,讨论了影响谐振器插入损耗的主要因素。结果表明,该四级式低损耗介质同轴谐振器滤波器中心频率f0为960MHz,插入损耗小于3.0dB,能满足设计要求。

    2008年03期 No.193 42-43+63页 [查看摘要][在线阅读][下载 841K]
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  • 反射型聚苯胺基柔性电致变色器件的研制

    李晓霞;马超杰;

    采用循环扫描伏安法在Au/Cr/PET复合基底上聚合出聚苯胺(PAN)膜,设计并制备了基于PAN的反射型柔性电致变色器件(ECD)。研究了该ECD反射光谱的电压响应特性。结果显示,所得PAN具有晶体结构,微观上呈直径约60nm的纤维网形态,与Au/Cr/PET基底结合良好;该ECD的反射光谱曲线的波长选择性,在-0.4~+1.8V电压范围内随电压增加而逐渐明显,反射率峰值出现的位置由476nm移至584nm,表现出良好的电致变色响应特性。

    2008年03期 No.193 44-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 940K]
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  • 基于压电材料的振动能量获取技术的研究

    王强;骆英;顾建祖;

    根据压电原理、力学理论及其电学等效模型,设计了能量收集电路,它由四倍压整流电路,3F超级电容器和微型电源管理芯片MAX1811组成。实验表明,电源管理芯片输出电压为4.17V时,PZT压电材料振动产生的电能,可通过该电路将电能储存于锂电池中。

    2008年03期 No.193 47-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 752K]
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  • Sr掺杂锆钛酸铅(PSZT)薄膜的电可调性能研究

    邵起越;董岩;方峰;蒋建清;

    采用sol-gel工艺制备了Sr掺杂Pb(Zr,Ti)O3薄膜(Pb1-xSrxZr0.52Ti0.48O3,PSZT),研究了Sr含量(x=0.2~0.8)对PSZT薄膜的结构和性能的影响。结果表明:随Sr含量增加,PSZT由四方相转变为立方相,相变温度降低,逐渐由铁电相向顺电相转变。薄膜的εr、可调率和tanδ随Sr含量增加逐渐减小,这与Sr含量的增加导致PSZT薄膜晶格收缩有关。当x(Sr)为0.6时,PSZT薄膜具有较好的综合性能(1MHz):可调率为48%,tanδ为0.02,表明PSZT有望成为电可调微波器件的候选材料。

    2008年03期 No.193 51-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 813K]
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  • 碳化硅基骨架炭的制备及其电容特性研究

    王倩;梁逵;杨乐之;杨辉;

    在微波加热条件下,无机碳化物SiC与Cl2反应,通过去除碳化物的非碳原子来制备骨架炭(CDC),采用XRD、SEM、HRTEM等检测方法,对制备的骨架炭进行了表征,研究了其电容特性。结果表明:CDC具有较低的电阻率,较高的振实密度,质量比电容量为170F/g,体积比电容量为110F/cm3,是一种性能优良的双电层电容器的电极材料。

    2008年03期 No.193 55-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 1171K]
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  • Bi_2O_3-Nb_2O_5复合掺杂对NiCuZn铁氧体性能的影响

    冯唐福;许启明;陈涛;

    运用Bi2O3-Nb2O5复合掺杂的陶瓷工艺,制备了NiCuZn铁氧体。从其微观结构出发,采用SEM分析手段,研究了Bi2O3-Nb2O5复合掺杂对NiCuZn铁氧体性能的影响。结果表明:适量的Bi2O3-Nb2O5复合掺杂,既有利于细化晶粒、促进晶粒均匀致密,又提高了品质因数Q,其磁性能明显优于单独掺杂。在掺杂总量的质量分数为0.5%、烧结温度为900℃、ζ(Bi2O3:Nb2O5)为7:3时,铁氧体的密度ρ为5.15g/cm3、起始磁导率μi为820.9、Q值可达110.5。

    2008年03期 No.193 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 1219K]
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可靠性

  • 挠性电路板引脚嵌合部无铅镀层的锡须生长

    陆裕东;何小琦;恩云飞;王歆;庄志强;

    以民用挠性印制电路板(FPC)引脚和连接器嵌合部无铅镀层为对象,通过研究引脚上的Ni/Sn无铅镀层的显微形貌和锡须尺寸,探讨了Ni/Sn无铅镀层的长期可靠性。结果表明,在25℃,RH为45%~55%的条件下,挠性印制电路板引脚和连接器嵌合部无铅镀层上生长的锡须呈现针状、柱状等多种不同的显微形貌,其中大部分是针状锡须,少量针状锡须的长度已超过了50μm临界值,很可能因锡须桥接引起电流泄漏和短路,对FPC互连可靠性产生威胁。抑制少量超长的针状晶须的生长,是防止风险的关键。

    2008年03期 No.193 61-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 1545K]
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  • 基于BP神经网络的模塑封材料疲劳寿命预测

    蔡苗;杨道国;钟礼君;易福熙;

    根据模塑封材料(EMC)疲劳实验,针对BP神经网络[反向传播神经网络(BPNN)]拟合误差与预测误差关系不稳定的应用问题,结合主成分分析法,"主动"改善网络结构,建立了基于BP神经网络的EMC材料疲劳寿命预测模型,进行了分析,并与一般的BP神经网络模型作了比较。结果表明,该方法得到的BP神经网络经过训练后能稳定表征EMC材料的各种参数与疲劳寿命间的内在关系。当网络拓扑结构为2-4-1时,预测结果稳定,预测误差平方和(SSE)为0.5623~0.0271,拟合误差(MSE)为0.0906~0.0278,具有实用性。

    2008年03期 No.193 64-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 742K]
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  • 无VOC免清洗助焊剂焊后残留物的可靠性评价

    徐冬霞;雷永平;张冰冰;周永馨;夏志东;

    为了研究焊后残留物的腐蚀性以及可能对PCB的电气绝缘性能造成的影响,通过表面绝缘电阻(Rs)试验和电化学迁移试验评价了三种不同固体含量的无VOC(挥发性有机物)免清洗助焊剂焊后残留物的可靠性。结果表明,使用w(固体含量)为3.6%的助焊剂,湿热试验后试件的Rs大幅下降,并且PCB表面腐蚀严重;而w(固体含量)为2.3%的助焊剂,则试件具有较高的Rs(6.4×109Ω),并且对PCB腐蚀性小。使用放大30倍的显微镜观察电化学迁移测试后的试件,均没有发现枝晶。

    2008年03期 No.193 68-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 1027K]
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编读通信

  • 专题论坛

    <正>为了深入讨论电子元件和电子材料行业发展中出现的热点和难点技术问题,研究解决这些问题应采取的途径,促进技术成果的转化,本刊将于2008年第六、九、十二期,在

    2008年03期 No.193 72页 [查看摘要][在线阅读][下载 407K]
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  • 《电子元件与材料》2008-2009年选题大纲

    <正>近几年来,信息技术更新换代不断加快,产业融合更加深入,不断催生出新的产品门类;整机市场规模迅速扩张,亟需各种新型高端电子元器件与之配套,促使电子元器件产品升级换代速度不断加快。

    2008年03期 No.193 72页 [查看摘要][在线阅读][下载 407K]
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  • 第十一届西部(成都)电子工业展览会

    <正>(2008年6月5-7日,成都天府博览中心)四川省是中国西部经济实力最强,发展最快的地区、

    2008年03期 No.193 74页 [查看摘要][在线阅读][下载 298K]
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