- 张冰冰;雷永平;徐冬霞;李国伟;夏志东;
对无铅钎料免清洗助焊剂用各类活化剂性能及机理进行了分析,通过润湿力研究选择出活化性能较好的丁二酸和戊二酸以及一种羟基酸。以此活化组分为基础配制了两种无挥发性有机化合物(VOC)免清洗助焊剂,并且根据SJ/T 11273—2002《免清洗液态助焊剂》的规定对该助焊剂进行了性能检测。结果表明,两种助焊剂无松香无卤素,固体含量低,润湿力大,腐蚀性小,扩展率达75%,助焊性能良好,可应用到无铅波峰焊中。
2008年01期 No.191 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 787K] [下载次数：534 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：22 ] |[阅读次数：165 ] - 白柳杨;袁方利;胡鹏;李晋林;唐清;
用羰基镍粉为原料,制备微细球形镍粉(包括细化和粗化过程),研究了载气量和加料量对产品镍粉形貌和粒度的影响。结果表明,等离子体处理后产品仍为纯金属镍粉,形状由不规则变为球形,颗粒平均粒径由原料的3～5μm减小至100 nm左右,振实密度由2.44 g/cm3提高到3.72 g/cm3。高频等离子体法是制备电极用高振实密度微细球形粉体的有效技术。
2008年01期 No.191 20-22+57页 [查看摘要][在线阅读][下载 861K] [下载次数：429 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：22 ] |[阅读次数：71 ] - 程卫华;李晓云;丘泰;贾杪蕾;
采用热压烧结工艺制备了AlN-TiC复相微波衰减材料。通过XRD、SEM和网络分析仪,研究了TiC含量对材料的微波衰减性能的影响。结果表明,当w(TiC)低于10%时,材料呈选频衰减且衰减非常小;当w(TiC)为25%~50%时,材料呈现良好的多点选频衰减,且其衰减量随w(TiC)的增加而增加,最大达–18 dB。中心谐振频率有向高频漂移的趋势。初步探讨了AlN-TiC复相材料微波衰减曲线的频谱特性与衰减机理。
2008年01期 No.191 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 873K] [下载次数：184 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：93 ] - 陈智栋;佟卫莉;王文昌;孔泳;光崎尚利;
采用湿消解法,即用氧化性的混酸(3 mL质量分数为15%硝酸、1 mL浓盐酸)溶解电子元器件引脚,以保证样品中铬的价态不变。此样品处理方法简单、分解速度快、不引入其它阳离子且多余的酸易于除去。消除基体干扰后,用分光光度法测定了样品中的六价铬,加标回收率为98.7%~102%。
2008年01期 No.191 26-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 710K] [下载次数：77 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：65 ] - 聂京凯;张冰冰;郭福;夏志东;雷永平;
Sn-Ag共晶钎料中添加Ni颗粒,在钎料内部形成强化相,达到强化效果。研究了Ni颗粒的添加配比对强化效果的影响,并提出了热输入概念,通过调节热输入量控制钎料的强度。结果表明,φ(Ni)为5%是最佳配比,当热输入量为5.07时,其强度值最高,达60.71 MPa。比未添加Ni的钎料提高50%以上。
2008年01期 No.191 29-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 2704K] [下载次数：145 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：105 ] - 张红霞;丁士华;陈涛;宋天秀;张东;
采用固相反应法制备了Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(BZN)微波陶瓷,并借助XRD、SEM及LCR4284测试仪,研究了Sn4+取代Nb5+对BZN陶瓷显微结构和介电性能的影响。结果表明:随着Sn4+替代量的增加,微观形貌中出现棒晶;选取20～80℃,100 kHz时的εr计算,介电常数温度系数由205×10–6/℃逐渐减小到–240×10–6/℃;当替代量x(Sn4+)为0.16时,样品出现介电弛豫现象;随着测试频率的增加,介电弛豫峰向高温移动。
2008年01期 No.191 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 943K] [下载次数：90 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：149 ] - 林培豪;陈旭;成钧;周秀娟;
采用HDDR(氢化–歧化–脱氢–再复合)技术制备NdFeCoB合金磁各向异性磁粉。研究了元素Mn对NdFeCoB合金HDDR磁粉的磁性能和磁各向异性的影响。结果表明:加入x(Mn)为2%以下的Mn元素没有改变NdFeCoB合金的相组成,但可提高NdFeCoB合金各相在氢气中的稳定性:当加入x(Mn)从0增加到2%时,NdFeCoB磁粉的内禀矫顽力Hcj从700 kA/m降低到450 kA/m,而NdFeCoB磁粉的磁各向异性DOA值从0.22增加到0.45。
2008年01期 No.191 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 855K] [下载次数：100 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：156 ] - 王振宇;赵惠玲;沈静;马凤军;
采用空腔模型法设计了以双负材料(ε、μ为负值)为介质衬底的新型微带天线。实物测试表明:新型天线比普通材料微带天线明显展宽带宽。在未对天线贴片作优化处理的情况下,新型天线–10 dB反射系数带宽达1.50 GHz,比普通材料的天线展宽约70%,相对带宽达16.3%,E面辐射方向图较前者偏转了约40°,而H面方向图则与普通材料天线相似。
2008年01期 No.191 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 2876K] [下载次数：336 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：98 ] - 高慧娟;徐建梅;王辉;
以EDTA为络合剂,EG为酯化剂,得到多孔的BaNd2Ti4O12树脂前驱体,在950～1 000℃内预烧,可直接合成BaNd2Ti4O12而不出现中间相。聚合物前驱体法制备BaNd2Ti4O12在1 140～1 180℃的内可以烧结得到致密的陶瓷,较传统固相法烧结温度低200℃左右。1 140℃烧结的样品介电性能良好,εr为87.6,Qf为7 692。
2008年01期 No.191 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 1145K] [下载次数：183 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：117 ] - 郑锦清;赵蕊红;
采用固相反应法制备了TiCN掺杂的(Ba0.85Sr0.11Pb0.04)TiO3 PTC热敏陶瓷。研究了TiCN加入量对其显微结构和PTC性能的影响。结果表明:添加x(TiCN)为0.006时,可使晶粒结构均匀,PTC性能得到改善。所获样品的体积电阻率ρv为31.2Ω.cm,电阻温度系数αR为21%℃–1,升阻比lg(Rmax/Rmin)为5.7,居里温度tC为97℃,耐电压强度Vb为280 V.mm–1。
2008年01期 No.191 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 789K] [下载次数：331 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：120 ] - 林金阳;
根据霍耳效应,用真空镀膜法制备之SnO2厚膜,制备了NO2新型气敏元件,并对其气敏性能进行了测试。结果表明:在一定的温度和湿度下,即使没有加热,元件对体积分数为20×10–6的NO2气体的灵敏度可达5.94,响应时间为36 s,恢复时间为22 s。因此,利用霍耳效应来制作气敏元件是一条可行的新思路。
2008年01期 No.191 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 738K] [下载次数：103 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：97 ] - 梁亚芹;
通过合理选用原材料、正确设计零部件、开发高稳定工作电解液、使用负极贴箔技术,配合极片与导针间接触电阻的控制、芯包铝箔粉尘的清除以及浸渍和装配的特殊工艺措施,研制出耐高温、耐大纹波电流、长寿命(130℃,2 000 h或105℃,8 000 h)铝电解电容器,满足高品质绿色照明用产品的要求。
2008年01期 No.191 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 694K] [下载次数：162 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：83 ] - 桂迪;孙飞;林增健;
分析了在RF电路中采用低损耗因数MLCC的优势,讨论了此类电容器的精度、额定电压、电容量、串联谐振频率、等效串联电阻、品质因数、并联谐振频率和功率负荷等技术指标,介绍了它在RF电路中的有关频率特性。提出了在选取和装配过程中应注意的问题,以提高整机的可靠性,达到最佳的性价比。
2008年01期 No.191 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 1301K] [下载次数：227 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：98 ] - 赵宏生;高廿子;
制备了SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃,并且与AlN液相烧结得到低温共烧玻璃陶瓷。分析了样品的相结构、形貌、介电常数、介质损耗、热导率和热膨胀系数等性能。结果表明:AlN与SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃在950℃能够很好地烧结。该陶瓷的性能取决于烧结体的致密度和玻璃含量,当w(玻璃)为40%~60%时,陶瓷具有较低的ε(r3.5~4.8)和tanδ[(0.13~0.48)×10–2]、较高的λ[5.1~9.3 W/(m.K)]以及与Si相接近的αl[(2.6~2.8)×10–6.K–1],适用于低温共烧基板材料。
2008年01期 No.191 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 2294K] [下载次数：412 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：84 ]
- 苏喜然;杨道国;赵鹏;郭丹;
界面层裂是塑封半导体器件的主要失效模式之一。采用通用有限元软件MSC.MARC,研究了FCOB(基板倒装焊)器件在热循环(–55~+125℃)载荷作用下,底充胶与芯片界面的层裂问题。结果表明:底充胶与芯片界面最易出现分层,分层扩展的位置都在该界面的边缘拐角处;如果分层导致底充胶开裂,开裂的方向大约是35°。
2008年01期 No.191 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 865K] [下载次数：177 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：106 ] - 李长庚;林丹华;周孑民;
对PBGA封装体建立了有限元数值模拟分析模型。模型采用无铅焊点,完全焊点阵列形式。研究了封装体在经历IPC9701标准下的五种不同温度循环加载后,受到的热应力、应变,以及可能的失效形式。结果表明,焊点是封装体结构失效的关键环节,焊点所受应力大小与焊点位置有关。比较了不同温度循环下封装体的疲劳寿命。其结果为提高封装体的可靠性和优化设计提供了理论依据。
2008年01期 No.191 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 1563K] [下载次数：529 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：20 ] |[阅读次数：110 ] - 叶安林;秦连城;康雪晶;
利用MARC软件,通过模拟实验分析了潮湿扩散及湿热应力对叠层封装器件可靠性的影响,对30℃,RH 60%,192 h条件下预置吸潮到后面的无铅回流焊解吸潮过程进行了有限元仿真;对85℃,RH 85%,168 h条件下元件内不同界面的潮湿扩散进行分析,得出潮湿扩散对界面的影响规律。使用一种湿热耦合方法计算湿热合成应力并与单纯热应力进行了对比。结果表明:最大湿热应力和热应力一样总是出现在顶部芯片与隔离片相交的区域,其数值是单纯热应力数值的1.3~1.5倍。
2008年01期 No.191 69-73页 [查看摘要][在线阅读][下载 1823K] [下载次数：359 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：109 ] - 丁亚萍;齐芳娟;孙莉;杨明辉;
研究了三种不同合金钎料回流时间和老化时间对焊点界面行为和剪切性能的影响。结果表明:回流时间和老化对金属间化合物的生长和剪切力有相似的影响;焊后界面处和焊料中均有明显的金属间化合物;随着回流时间和老化时间的延长,金属间化合物生长明显。层厚不断增大;界面形貌从长针状转变成扇贝状,并且齿高减小;合金成分对剪切力影响不明显。在中速应变率下,剪切力减小。Sn-3.5Ag显现出较好的剪切性能,剪切力为77~82 N。
2008年01期 No.191 74-76页 [查看摘要][在线阅读][下载 1194K] [下载次数：220 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：116 ]