刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 半导体气敏元件长期稳定性的影响因素

    郭伟;詹自力;马晓建;

    介绍了近年来文献中半导体气敏元件长期稳定性的研究现状。总结了敏感材料制备条件,敏感材料在长期使用过程中的物理和化学性质变化,以及催化剂失活等主要因素对气敏元件长期稳定性的影响。最后讨论了未来提高气敏元件长期稳定性的研究重点(重点要解决敏感材料在制备、使用过程中的团聚问题)和研究方向(采用改变制备方法来优化材料结构,通过掺杂和表面修饰来改变材料性质等)。

    2007年11期 No.189 1-3+7页 [查看摘要][在线阅读][下载 562K]
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研究与试制

  • Cu/Sb掺杂SnO_2纳米晶薄膜的H_2S气敏特性

    龚树萍;邱原;周东祥;

    以SnCl2·2H2O、CuCl2·2H2O、SbCl3和无水乙醇为原料,采用sol-gel浸渍提拉法(sol-geldip-coatingmethod,SGDC)制备了纳米晶气敏薄膜。在多个工作温度和气体浓度下测试了薄膜对H2S的气敏特性。结果表明:r(Cu:Sb:Sn)为1:5:100,工作温度为140℃时,薄膜对H2S有很好的灵敏度和选择性,敏感浓度下限可达0.7×10–6。

    2007年11期 No.189 4-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 603K]
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  • Na~+对WO_3气敏性能的影响

    娄向东;彭传云;吴春来;安娜;张冰;

    分别用钨酸钠或钨酸铵溶液及浓盐酸作原料,用直接沉淀法制备了含Na+和不含Na+的WO3粉体,并用XRD及粒度分布测试仪对其进行了表征。结果表明:产物分别是WO3/Na2W4O13混合氧化物及纯WO3,前者的平均粒径为4.459μm,后者为1.366μm。气敏测试结果表明:含Na+的WO3/Na2W4O13气敏元件对体积分数为50×10–6的H2S的灵敏度是164,恢复时间为35s。纯WO3气敏元件对体积分数为50×10–6的NO2及Cl2的气敏性能较好,其灵敏度分别为468与1635。

    2007年11期 No.189 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 466K]
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  • 活性炭的制备及其在有机超级电容器中的应用

    张治安;赖延清;李劼;刘业翔;

    选择廉价的煤沥青为原料,经预处理和炭化,以KOH和CO2为活化剂在800℃进行物理活化和化学活化,制得活性炭。以1mol/LEt4NBF4/PC为电解液,制备超级电容器单元。测试结果表明,活性炭SBET达2352m2/g,总孔容为1.411cm3/g,平均孔径达2.399nm,振实密度达0.32g/cm3。制备的电容器为2.5V/5F,直流内阻为169m?,交流内阻为38m?,漏电流<2mA。4800次循环后,容量衰减<3%,能在–40~+60℃的宽温度范围内正常工作。

    2007年11期 No.189 12-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 652K]
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  • 二步聚合工艺在固体钽电容器生产中的应用

    贾廷庆;孙红杰;董宁利;

    采用二步聚合工艺,在固体钽电解电容器阳极体上被覆具有高电导率、热稳定性好的导电聚合物PEDT(聚3,4-乙烯二氧噻吩)取代了MnO2阴极层,研究了工艺参数对电容器性能的影响。结果显示:电容器的tanδ和Res随聚合温度增加而增加;低含量的氧化剂(质量分数20%)有较好容量引出效果,高含量的氧化剂(对甲基苯磺酸铁正丁醇溶液)(40%)可以有效增加电容器外层聚合物的沉积。

    2007年11期 No.189 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 682K]
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  • 固相反应烧结法制备CCTO陶瓷

    仲崇成;严顺智;郑兴华;汤德平;

    采用固相反应烧结法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了其烧结性能、结构和介电性能。在1120℃烧结即可获得单相CCTO致密陶瓷,其收缩率高达22.3%。εr随着烧结温度升高而明显增大,且具有明显的频率敏感性,利用复阻抗谱分析了CCTO陶瓷的介电特性。于1120℃,烧结3h制备的CCTO陶瓷的εr为3005(室温,1kHz)。

    2007年11期 No.189 20-21+25页 [查看摘要][在线阅读][下载 575K]
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  • Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09_)O_3陶瓷介电弛豫现象的研究

    宋天秀;丁士华;陈涛;张红霞;杨秀玲;

    采用固相反应法制备了CuO-BaO掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了掺杂量对陶瓷介电性能的影响。结果表明:随着CuO-BaO混合物掺杂量从0.3%增加到1.0%时,Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的斜方-四方相变峰出现介电弛豫现象并且弛豫程度Δtm′从2.9增加到5.5,相变温度从+5℃移动到–21℃,室温εr从2841增加到3372,并且高于四方-立方相变点的εr。电滞回线变窄,矫顽场变小,呈现典型弛豫型铁电体的特征。

    2007年11期 No.189 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 507K]
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  • 熔盐法合成钛酸铋钾陶瓷粉体

    杨建锋;侯育冬;贾琳;朱满康;严辉;

    以K2CO3,Bi2O3和TiO2为反应物,KCl为熔盐,通过熔盐法在600℃成功合成纯钙钛矿结构K0.5Bi0.5TiO3(KBT)无铅陶瓷粉体。探寻了制备过程中影响粉体颗粒大小和形貌的工艺参数,并对影响机理进行了探讨。结果表明,与传统固相法相比,熔盐法合成温度显著降低且颗粒平均粒径明显减小。固相法合成的粉体平均粒径为115nm,KCl含量5%和20%的熔盐法合成粉体平均粒径为78nm和67nm。此外,实验发现随着熔盐量的增加,易合成各向异性的棒状粉体。

    2007年11期 No.189 26-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 246K]
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  • 氧化钇掺杂NBBT压电陶瓷的介电特性

    周昌荣;刘心宇;单召辉;

    研究了Y2O3掺杂对(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3(NBBT)陶瓷晶体结构、介电性能与介电弛豫行为的影响。XRD分析表明,x(Y2O3)掺杂在0~0.7%范围内陶瓷均能够形成纯钙钛矿固溶体。修正的居里-外斯公式较好地描述了陶瓷弥散相变特征,弥散指数随Y2O3掺杂量的增加先下降后增加。Y2O3掺杂量低于0.3%的陶瓷仅在低温介电反常峰tf附近表现出明显的频率依赖性,Y2O3掺杂量高于0.5%的陶瓷材料在室温和tf之间都表现出明显的频率依赖性。根据宏畴-微畴转变理论探讨了该体系陶瓷介电弛豫特性的机理。

    2007年11期 No.189 29-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 397K]
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  • 基于AOA的多功能n–1阶电流模式滤波器

    李永安;

    提出了一种基于AOA(abjoint Op-Amp)多环反馈电流模式多功能滤波器的系统设计方法。以三阶巴特沃思滤波器为例,进行了理论分析。通过改变输入、输出信号的位置,既可从同一端口分别实现低通、带通和高通滤波,又可从不同端口同时实现多种滤波功能。滤波器参数取决于无源电阻、电容,与温度无关,因而稳定性好;滤波器的理论误差小,精度高。计算机仿真证明该滤波器正确有效。

    2007年11期 No.189 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 214K]
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  • AlN薄膜有源SAW滤波器集成及性能研究

    刘桥;王代强;冯杰;王忠良;

    在AlN压电薄膜上(以SiO2/Si为衬底),使用MOS集成电路工艺制作叉指电极和单元电路,制成中心频率为320MHz的有源SAW滤波器并进行了测试。结果表明,该滤波器的插入损耗低于10dB,带外衰减高于45dB。

    2007年11期 No.189 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 454K]
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  • 新型高Q值U形缺陷地结构带阻滤波器

    田明;张友俊;张胜;张凌;

    提出了一种新型的U形缺陷地结构(DGS)单元,该单元可以用来设计高Q值带阻滤波器。减小U形DGS结构两臂的槽宽及槽之间的距离,或在U形槽内加上贴片,可以增大Q值。最后用三个级联的U型DGS结构设计了一个高Q值的带阻滤波器,实验结果表明所设计的滤波器的Q值为35.3。

    2007年11期 No.189 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 874K]
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  • 室温下制备的ZnO/Ag/ZnO多层膜的性能

    李俊;闫金良;胡振彦;孙学卿;

    采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Ag靶的方法在室温下制备了不同厚度的ZnO/Ag/ZnO多层膜。对样品进行了研究。结果表明:随着Ag层厚度的增加,ZnO(002)衍射峰的强度先增加后减小,Ag(111)衍射峰的强度增强,ZnO/Ag/ZnO多层膜的面电阻先减小后趋于稳定。ZnO膜厚度增加,Ag膜易形成晶状结构,ZnO/Ag/ZnO多层膜的透射峰向长波方向移动。ZnO(60nm)/Ag(11nm)/ZnO(60nm)膜在554nm处的透过率高达92.3%,面电阻为4.2?/□,品质常数?TC最佳,约40×10–3/?。

    2007年11期 No.189 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 361K]
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  • AlN薄膜体声波谐振器性能分析

    胡光;顾豪爽;张凯;胡宽;吴小鹏;

    采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型AlN薄膜体声波谐振器。研究了压电层、上电极及支撑层厚度对谐振器性能的影响。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有(002)择优取向,器件频率特性良好。当上电极、压电层、底电极和支持层的厚度分别为110,2600,110,200nm时,谐振频率为1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。结合Mason等效电路模型模拟分析与实验结果,分析了各层厚度对频率特性的影响机理。

    2007年11期 No.189 44-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 201K]
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  • 导电石墨浆料的研制

    韩文;张国春;高伟;

    通过选用不同性能的混合溶剂和分散剂,导电载体等组分,改进真空显示器用导电石墨浆料的性能。结果表明,当ζ(玻璃粉:导电载体)为1:1时,有机载体中w(乙基纤维素)为4%~8%,w(分散剂)为10%时,浆料各方面性能达到最佳,其中方阻为110?/□,硬度为12.5N/mm2。

    2007年11期 No.189 47-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 339K]
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  • 微量元素对Sn-0.7Cu无铅钎料抗氧化性能的影响

    李广东;郝虎;史耀武;夏志东;雷永平;

    以Sn-0.7Cu系无铅钎料合金为基础,添加微量的P、Ge、Ga、RE元素,进行了280℃大气环境下氧化试验,通过对含有不同微量元素的无铅钎料表面氧化状况的对比及分析,研究了不同微量元素对Sn-0.7Cu无铅钎料抗氧化性能的影响。发现当P和Ga同时添加时,得到Sn-0.7Cu-(0.001~0.1)P-(0.0001~0.1)Ga无铅钎料的抗氧化性能高于Sn-0.7Cu-(0.001~0.1)P和Sn-0.7Cu-(0.0001~0.1)Ga的抗氧化性能。

    2007年11期 No.189 49-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 324K]
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  • SnAgCu无铅焊点的电迁移行为研究

    何洪文;徐广臣;郝虎;雷永平;郭福;

    电迁移引发的焊点失效已经成为当今高集成度电子封装中的最严重的可靠性问题之一。应用SnAgCu无铅焊膏焊接微米级铜线,进行电迁移实验。结果表明:焊点形貌从原来的光滑平整变得凹凸不平,阴极处出现了裂纹和孔洞,并且在铜基板和Cu6Sn5金属间化合物(IMC)之间出现薄薄的一层Cu3Sn金属间化合物,由ImageJ软件测量其平均厚度约为2.11μm;而在阳极附近没有明显的Cu3Sn金属间化合物形成。

    2007年11期 No.189 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 247K]
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  • 5V正极材料LiCr_(0.5)Mn_(1.5)O_4的电化学性能研究

    巩桂英;徐宇虹;马萍;张宝宏;

    采用柠檬酸络合法,制备了尖晶石结构的LiCr0.5Mn1.5O4正极材料。通过循环伏安、电化学阻抗谱、恒流充放电等方法,测试其电化学性能。结果表明:铬离子的加入不但增加了锰离子的平均化合价,有效抑制了Jahn-Teller效应,而且达到了5V的工作电压,稳定了尖晶石结构。材料存在一个活化过程,最大放电比容量达到了145.85mAh·g–1。经过30次充放电循环之后,放电比容量仍然稳定在121.33mAh·g–1,显示了良好的循环性能,为高电位锂离子电池应用提供了良好的应用前景。

    2007年11期 No.189 56-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 422K]
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  • 保温时间对电场烧结NdFeB合金显微结构的影响

    李兵;杨刚;杨屹;冯可芹;郭尔奇;

    用电场烧结方法制备了NdFeB合金,通过对烧结压坯在保温过程中的收缩量和烧结体的SEM分析,研究了保温时间对烧结试样显微结构的影响。结果表明:随着保温时间的增加,烧结试样的致密性逐渐提高,富Nd相分布逐渐变得均匀和弥散;当保温时间增加到一定程度时,磁体中的富Nd相将会过分集聚长大。当烧结温度为1000℃时,其最佳保温时间约为8min。

    2007年11期 No.189 59-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 937K]
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  • 功率锰锌铁氧体材料的损耗分离

    黄爱萍;何华辉;冯则坤;谭福清;熊惟皓;

    采用传统陶瓷工艺,制备了功率MnZn铁氧体材料。根据磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗与频率的关系,在Bm为50mT和200mT两种典型工作磁通密度下,对JPP—44、JPP—5两种典型低损耗MnZn铁氧体材料进行了损耗分离。结果表明:JPP—5材料的涡流损耗,最低可为JPP—44材料的1/10,而其磁滞损耗相当于甚至超过JPP—44材料,并深入分析了它们损耗组成不同的原因。

    2007年11期 No.189 63-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 447K]
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综合信息

  • 综合信息

    <正>前3季度我国进出口突破1.5万亿美元记者从海关总署获悉,今年前3季度我国外贸进出口总值15708.3亿美元,比去年同期(下同)增长23.5%,增速比前8个月放慢0.5个百分点。其中,出口8782.4亿美元,增长27.1%,比前8个月放慢了0.6个百分点;进口6928.9亿美元,增长19.1%,比前8个月放慢了0.5个百分点。

    2007年11期 No.189 7+19+31+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 744K]
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