刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 无VOC助焊剂的无铅波峰焊工艺探讨

    张冰冰;雷永平;徐冬霞;夏志东;史耀武;

    概述了一种新型绿色助焊剂——无挥发性有机化合物(VOC)助焊剂。该助焊剂有无松香、无卤素、免清洗、无污染、方便储存和运输等优点,已经成为助焊剂领域的发展方向。讨论了此助焊剂在无铅波峰焊中应用时需要注意的问题。结果表明,当电路板的预热温度控制在110~120℃,轨道倾角控制在5°~7°,印制板引线脚与焊料的接触时间3~5 s,焊接温度260℃并采用喷雾涂敷方法时,可达到理想的焊接效果。

    2007年08期 No.186 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 64K]
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  • 新型封装材料与大功率LED封装热管理

    田大垒;关荣锋;王杏;

    高效散热封装材料的合理选择和有效使用是提高大功率LED(发光二极管)封装可靠性的重要环节。在分析封装系统热阻对LED性能的影响及对传统散热封装材料性能进行比较的基础上,阐述了金属芯印刷电路板材料、金属基绝缘板材料、陶瓷基板材料、导热界面材料和金属基复合材料结构特点、导热性能及其封装应用实例。指出了封装材料的研究重点和亟待解决的问题。

    2007年08期 No.186 5-7+19页 [查看摘要][在线阅读][下载 373K]
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  • 低温多晶硅薄膜制备技术应用进展

    杨定宇;蒋孟衡;涂小强;

    系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在实用化中需克服的技术问题。对上述制备方法的应用前景作了评述和展望。

    2007年08期 No.186 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 491K]
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  • 聚苯胺金属纳米复合材料在电子元件中的应用

    孙晋;黄美荣;李新贵;

    综述了聚苯胺与金属纳米所组成的复合材料在各种电子元件,如燃料电池、二次电池、超电容器、传感器和信息存储器件等方面的应用进展。针对该应用领域所存在的问题,提出了可能的解决方法和建议,最后指明了聚苯胺金属纳米复合物在电子元件应用中的发展方向。

    2007年08期 No.186 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 377K]
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综合信息

  • 综合信息

    <正>八月鹏城电子设备及制造业精英大聚会NEPCON/EMT South China搭建方案、信息、业务的全面沟通平台2007年8月28-31日,华南国际电子生产设备暨微电子工业展/华南国际电子制造技术展览会(NEPCON/EMT South China)将于深圳会展中心拉开帷幕,这是电子设备及制造技术行业的一场国际交流盛会。预计将有超过22个国家的逾450家展商前来参加。展会内容涉及表面贴装技术(SMT)、电子制造服务、测试与测量设备、元器件、印刷电路板、ESD及最新的高科技"一站式"创新解决方案,成为寻找/了解产品方案、收集市场信息和建立业务联系的最佳平台。

    2007年08期 No.186 4+23+38+41+45+54+61+70页 [查看摘要][在线阅读][下载 1206K]
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研究与试制

  • 曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应

    张桂林;周勇;周志敏;

    利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l~40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜有较大的提高,纵向和横向最大GMI效应分别为12.2%和–18.6%。

    2007年08期 No.186 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 1564K]
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  • 锌掺杂纳米TiO_2光催化剂制备条件研究

    曹振娟;董帆;赵伟荣;吴忠标;

    采用sol-gel法制备Zn2+掺杂纳米TiO2光催化剂,以气态甲苯为模型污染物,考察了掺杂前驱体、掺杂浓度、焙烧温度及焙烧时间等制备条件对Zn2+-TiO2光催化性能的影响,并通过XRD对其结构进行了表征。结果表明:Zn2+掺杂显著提高了TiO2光催化活性;Zn2+-TiO2的最佳制备条件为硝酸锌为掺杂前驱体r,(Zn:Ti)为0.01,焙烧温度500℃、焙烧时间3.5 h。

    2007年08期 No.186 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 440K]
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  • 无铅焊膏用助焊剂的制备与研究

    李国伟;雷永平;夏志东;史耀武;徐冬霞;

    无铅焊膏用助焊剂需要一定的黏性,选择有机酸和有机胺混合作为活性物质,配合一定量的松香配制出一种助焊剂。通过控制助焊剂中松香的含量,降低不挥发物的含量,减少残留物对元器件的腐蚀。依据标准对所配制的助焊剂进行了性能测试,并与一种松香含量较高的助焊剂比较。结果表明:助焊剂的松香含量降低约10%,在260℃焊接后不挥发物含量降低了近6%,黏度较好,无卤化物,无毒,环保,符合焊膏用助焊剂的要求。

    2007年08期 No.186 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 346K]
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  • 中高压电子铝箔腐蚀系数的研究

    班朝磊;何业东;

    分析比较了基于矩形凹槽模型、圆孔隧道模型、正立方孔隧道模型计算出的中、高压电子铝箔腐蚀系数与KDK公司(H100)形成箔实际腐蚀系数的关系。结果表明:中、高压电子铝箔真实理论极限腐蚀系数应介于正立方孔-圆孔理论极限腐蚀系数之间。中压电子铝箔(220~485 V)通过电蚀扩面提高化成箔比电容余地还很大,高压电子铝箔(>485 V)的实际腐蚀系数与理论极限腐蚀系数已经很接近,通过电蚀扩面提高比电容的余地较小。

    2007年08期 No.186 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 466K]
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  • 旋转腔内两种研究射流速度方法的比较

    靳映霞;郑永红;刘浪飞;张福学;

    利用任宏超提出的旋转腔体中射流速度、输入角速率(ωi)和入射速度(Vj)关系的公式计算和有限元软件ANSYS-FLOTRAN CFD数值模拟,比较了旋转腔体内射流速度两种研究方法的合理性。结果表明,理想化条件下,计算可定性描述角速度传感器敏感原理。而定量表征敏感原理,需考虑流体能量损失、射流室形状和流体运动状态实际因素的影响。完善敏感机理的方法是用轴向和径向上的速度函数代替公式中的Vj和Coriolis力产生的速度。

    2007年08期 No.186 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 509K]
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  • M型铁氧体BaFeCoTiMnO微波吸收性能研究

    王毓鹏;李筱濛;曹全喜;卫云鸽;黄云霞;

    采用共沉淀–熔盐法制备了M型铁氧体BaFe11.85-2xCoxTixMn0.15O19。运用TGA-DTA、XRD、SEM和矢量网络分析仪,对样品的晶化过程、相组成、显微形貌及微波吸收性能进行了表征。结果表明:Co2+、Ti4+固溶到铁氧体的晶格并取代Fe3+位,有助于提高铁氧体的电、磁损耗。当取代量x为1.2时,微波吸收最强,制得的样品的吸波频率在8.2~12.4 GHz范围内,tanδe、tanδμ的最大值分别为:9.0,6.8。

    2007年08期 No.186 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 508K]
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  • 无铅焊料Sn-Zn-In系列合金的研究

    袁宜耀;孙勇;

    对熔化起始温度和终止温度作线性回归进行合金设计,并对其焊料合金进行了熔点、抗剪切强度及微观组织等研究分析。结果表明:当w(In)(质量分数)为3%~5%,w(Zn)为5%~9%时,焊料的熔化温度在170~200℃,接近于焊料Sn-37Pb的熔化温度183℃;焊料与Cu焊合后形成γ-Cu5Zn8化合物;Sn-Zn-In系焊料的抗剪切强度与焊料Sn-37Pb的剪切强度33.73 MPa相当。

    2007年08期 No.186 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 274K]
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  • V_2O_5(TiO_2)/S复合材料作锂电池正极的性能研究

    马萍;张宝宏;巩桂英;徐宇虹;

    为了改善锂硫电池的循环性能,将单质硫分别与纳米金属氧化物(V2O5,TiO2)机械混合。用XRD对材料的晶体结构进行了表征。通过循环伏安、交流阻抗和电池性能的对比,对材料的电化学性能进行了分析。结果表明:采用V2O5改性的硫材料,首次放电比容量达844.68 mAh.g–1,样品循环容量衰减明显改善,30次后比容量保持在696.71 mAh.g–1。而TiO2/S复合材料,初始放电比容量为578.21 mAh.g–1,30次循环后比容量为347.71 mAh.g–1。

    2007年08期 No.186 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 1540K]
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  • 有机电解液聚苯胺-炭混合电容器性能研究

    丛文博;黄震雷;张宝宏;

    采用化学氧化法合成盐酸掺杂聚苯胺,经NaOH溶液去掺杂后制得本征态聚苯胺(PANI)。以PANI为正极材料,活性炭为负极材料,使用1 mol/L LiPF6/(DMC+EC)有机电解液组装了混合电容器。通过循环伏安、交流阻抗、恒流充放电、循环寿命及漏电流等手段,对混合电容器的电化学性能进行了测试。结果表明,充电截止电压在1.5 V时,电容器比容量最高可达36.0 F/g,1 100次充放电循环后比容量保持在初始容量的94.2%。

    2007年08期 No.186 46-48+51页 [查看摘要][在线阅读][下载 1312K]
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  • 电子节能灯用高压铝电解电容器的研制

    黄远彬;卢忠勇;李基森;

    为了提高电子节能灯用高压铝电解电容器的高温高压稳定性,以及耐大纹波电流冲击的特性,采用γ-丁内酯与乙二醇混合溶剂,1,7-癸二酸铵和1,6-十二双酸铵的双溶质体系的工作电解液,并加入适当的添加剂,优化了生产工艺,研制出的产品通过了105℃整灯过压试验3 000 h考核。

    2007年08期 No.186 49-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 315K]
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  • 高纯铝光箔化学成分对直流电侵蚀的影响

    肖仁贵;闫康平;严季新;王建中;

    以Fe、Si、Cu含量不同的四种铝光箔进行直流电侵蚀对比实验,研究了高纯铝光箔中化学成分对其作为电容器用铝箔侵蚀过程产生的影响。通过对侵蚀样品的SEM表面观察、腐蚀形貌定量分析,对光箔中化学成分与样品效果进行了分析讨论。结果表明,Cu能增强表面蚀孔的产生,Cu含量相对较低的(25×10–6)光箔侵蚀后适用于制作中压铝电解电容器;Cu含量相对较高的[(50~60)×10–6]光箔侵蚀后适用于制作高压铝电解电容器。

    2007年08期 No.186 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 89K]
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  • Ba_5(Nb_(1-x)Sb_x)_4O_(15)微波介电陶瓷的低温烧结

    张冲;肖芬;邱虹;熊兆贤;

    添加质量分数为1%的H3BO3为助烧剂。研究了Ba5(Nb1–xSbx)4O15(0≤x≤0.2)陶瓷的烧结特性、显微结构和微波介电性能。结果表明:当x≤0.15时,该类陶瓷可在900℃附近烧结,并伴有少量BaSb2O6和BaB2O4相;随着x从0增加到0.2,εr和τf均有较大幅度下降;Q.f先升后降。在900℃烧成温度下,x为0.15的陶瓷获得较好的微波介电性能:εr为29.21,Q.f为13 266 GHz,τf为11×10–6℃–1,并能与Ag电极很好相容,基本满足LTCC工艺的要求。

    2007年08期 No.186 55-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 660K]
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  • 声像分析在系统级封装和多芯片模块检测中的应用

    汤姆.亚丹斯;

    用反射模式的超声波显微镜对系统级封装SIP和多芯片MCM封装模块的品质进行了研究。探测封装内部的分层、裂纹和气泡等间隙类缺陷。用超声探测转换器把脉冲超声波送入样品,同一个转换器把接收到的回声转换成像点。最大的反射振幅是从固体与气体间的界面产生的。在固体材料内部,分层、孔洞及裂纹会造成最大振幅的回声并可以成像。超声波显微镜可发现SIP和MCM样品内间隙类的缺陷分层裂纹和气泡。

    2007年08期 No.186 59-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 152K]
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  • 中频交流磁控溅射制备AZO薄膜及退火工艺

    齐玉明;梅冰;杨光;

    以锌铝合金为靶材,采用工业生产设备,用中频交流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电薄膜,研究了氩氧比、退火温度、退火时间对薄膜结构、光学和电学性能的影响。结果表明,氩气和氧气体积流量比为3:1时常温下得到薄膜的方阻值最低,400℃真空退火1 h后薄膜可见光平均透过率由84.0%上升到86.7%,方阻值由5 000Ω/□下降到108Ω/□。

    2007年08期 No.186 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 467K]
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  • 电子陶瓷用的几种新型烧结设备

    王石;匡万兵;刘亚红;

    介绍了用于电子陶瓷材料与元件烧结的几种新型间隙式烧结炉和连续式烧结炉。评述了两种型号的钟罩炉以及宽窑腔空气窑和全密封高温氮气氛保护窑的结构特点和性能指标,并对其进一步改进提出了自己的看法。

    2007年08期 No.186 65-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 50K]
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可靠性

  • 片式电阻混合焊点热循环负载可靠性研究

    徐龙会;蒋廷彪;杜超;

    对在不同工艺参数下形成的、并且经过不同周数热循环负载的片式电阻混合焊点、有铅焊点和无铅焊点进行了外观检测和剪切测试。结果显示,在不同工艺参数下形成的混合焊点的剪切力,随热循环周数的变化趋势有所不同,但是在保证片式电阻焊端和焊料充分熔融的情况下,部分混合焊点的平均剪切力比有铅焊点高,热循环1 000周后,为9.1~11.1 N。

    2007年08期 No.186 67-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 459K]
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  • 《电子元件与材料》理事会成立暨中国RoHS实施技术研讨会圆满结束

    钟彩霞;

    <正>《电子元件与材料》理事委员会于2007年6月21-25日在天府之国成都召开第一届会议,并举办了中国RoHS实施技术研讨会。信息产业部经济运行司RoHS专家杨檬,期刊理事会名誉理事长温学礼、副理事长周济,成都宏明电子股份有限公司总经理舒玺、副总经理梁勇,四川大学教授肖定全,广东南方宏明前总经理章士瀛,陕西师范大学教授杨祖培,

    2007年08期 No.186 71-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 564K]
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