刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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研究与试制

  • 一种新颖的电流模式双二阶OTA-C滤波器设计

    谭子尤;刘慧;唐圣学;尹新;何怡刚;

    提出了一种新颖OTA-C实现的电流模式双二阶通用滤波器。该滤波器具有三个输入端和一个输出端,通过选择不同的输入信号即能实现低通、高通、带通、带阻和全通五种滤波器功能。电路结构简单、中心频率和品质因数可调,灵敏度低,均为0.5。理论分析和SPICE仿真表明所提电路方案正确可行。

    2007年07期 No.185 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 639K]
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  • 低温制备柔性染料敏化太阳电池TiO_2薄膜电极

    高岩;胡志强;李国;高文元;姜妍彦;

    采用丝网印刷技术在柔性基底ITO/PET上制备TiO2多孔薄膜,经过低温烧结得到TiO2多孔薄膜电极。以D102染料为敏化剂,KI/I2为电解质,Pt电极为对电极,制成电池后测试了电池的光电性能。结果表明:以乙醇作为分散剂添加到P25粉体中,采用丝网印刷技术制膜,100℃低温烧结可以在柔性基底ITO/PET上制备出表面粗糙度良好、具有一定光电性能的TiO2多孔薄膜电极,用其制作的太阳电池转换效率达1.33%。

    2007年07期 No.185 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 758K]
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  • Sr取代量对PMNS-PZT压电陶瓷的影响

    孙华君;刘晓芳;陈文;周静;李波;

    采用铌铁矿先驱体法制备了Pb1–xSrx(Zr0.505Ti0.495)0.95(Mn1/3Nb1/3Sb1/3)0.05O3(PMNS-PZT)四元系陶瓷,考察了Sr取代量对其结构和性能的影响。结果表明:所得PMNS-PZT陶瓷材料为完全的钙钛矿结构,且随着Sr取代量的增加,经历了从四方-三方相共存再到完全三方相的相变过程,其准同型相界区间位于x为0.01~0.03。Sr取代量的变化对样品的显微组织结构影响不大。当Sr2+的取代量x为3%时,kp为0.528,Qm为1587,d33为263pC/N,0Tε33/ε为1411,tanδ为0.35%,能满足大功率超声电机的要求。

    2007年07期 No.185 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 822K]
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  • 微波辐照石油焦制备双电层电容器用活性炭

    杨辉;梁逵;胡军;杨乐之;

    以石油焦为原料,KOH为活化剂,采用微波辐照加热法,制备了石油焦基双电层电容器用活性炭。研究了石油焦与KOH活化剂的比例、微波功率以及微波辐照时间对活性炭孔径分布和比电容量的影响。结果表明:在KOH活化剂与石油焦的质量比为3.5∶1,微波功率800W和辐照时间7min时,制备的活性炭比表面积为2031.96m2/g,比电容量达286.79F/g,以该活性炭作电极的双电层电容器有良好的循环稳定性和充放电性能。

    2007年07期 No.185 11-13+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 734K]
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  • 直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料

    曹胜男;郭志超;王光灿;

    用二次阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板。以AAO为模板,在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积了ZnSe半导体纳米线。SPM、TEM测试表明,模板表面形成模孔大小一致、排列规则的阵列。ZnSe纳米线的直径约为60nm,长度约为0.5μm并与模板的孔径和深度一致。在制备过程中,无需去除AAO的基底,喷金或预镀金属等处理,直接在AAO纳米孔内电沉积,制备纳米线。该方法简单、有效并且容易获得有序的半导体纳米线阵列。

    2007年07期 No.185 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 777K]
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  • 影响高压阳极铝箔隧道孔极限长度的因素

    王玫;何业东;洪涛;

    研究了高压阳极铝箔在HCl-H2SO4腐蚀体系中,H2SO4/HCl浓度比、Al3+浓度、温度和电流密度对隧道孔长度和铝箔芯层厚度的影响规律。结果表明:提高H2SO4/HCl浓度比、Al3+浓度温度和电流密度,均可缩短隧道孔长度和增加芯层厚度。提出隧道孔的生长受Al3+在隧道孔中的扩散和铝箔表面扩散层中的扩散共同控制,可以对上述因素的影响规律做出更合理的解释。

    2007年07期 No.185 17-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 1525K]
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  • ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响

    辛荣生;林钰;

    在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10–4?·cm,可见光透光率达80%以上。

    2007年07期 No.185 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 687K]
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  • 径向玻璃封装型NTC热敏电阻器的研制

    袁国安;

    为制造径向玻璃封装型NTC热敏电阻器(NTCR),采用sol-gel法制备NTCR纳米粉,流延法制作NTCR芯片,合金焊接径向引线和玻璃封装等方法实现了产品的封装,制备出了一种阻值R25为100k?,材料常数B为4200K的径向玻璃封装型NTC热敏电阻器,为径向玻璃封装型NTCR的生产提供了一整套解决方案。

    2007年07期 No.185 24-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 672K]
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  • 废旧锌锰电池制备Cu掺杂Mn-Zn铁氧体

    席国喜;李伟伟;乔祎;

    以硝酸溶解废旧碱性锌锰电池所得的溶液为原料,以酒石酸为凝胶剂,采用sol-gel法制备出一系列Cu掺杂Mn-Zn铁氧体(Mn0.6–x/2Zn0.4–x/2CuxFe2O4,x=0.1,0.2,0.3和0.4)。经XRD、VSM测试,结果表明:Cu掺杂不仅没有改变Mn-Zn铁氧体的相结构,而且有利于尖晶石结构的形成;Cu掺杂后Mn-Zn铁氧体的Ms、Mr和Hc的变化趋势,都是先增大后减小,最适宜的掺杂量x为0.1。此时,Ms为2.66×105A/m,Mr为5.73×104A/m,Hc为1.6/π×104A/m。

    2007年07期 No.185 26-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 656K]
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  • 900MHz独块同轴微波介质滤波器的仿真

    梁飞;吕文中;周东祥;

    采用HFSS软件讨论介质滤波器耦合(包括谐振器间的互耦合以及谐振器与外电路的耦合)性能以及中间谐振器谐振长度与其频率的相互关系,得到滤波器外界品质因数与其输入输出端口大小、滤波器级间耦合系数与其耦合孔直径以及中间谐振器谐振长度与其频率之间相互关系曲线,并以此确定所设计的介质谐振器滤波器结构尺寸。根据讨论结果,最终设计出的滤波器性能指标为:中心频率899.5MHz,带宽14MHz,带内波动0.8dB,通带损耗1.5dB,性能满足移动通讯要求。

    2007年07期 No.185 29-31+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 687K]
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  • sol-gel燃烧合成CLST陶瓷

    李谦;黄永峰;黄金亮;孙道明;徐红雨;

    采用sol-gel法合成了CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)陶瓷粉体。用XRD、TEM等手段对CLST粉体和CLST陶瓷的相结构和形貌进行了表征,同时测试了不同烧结温度的CLST陶瓷的介电性能。结果表明:CLST前驱体在900℃煅烧3h,晶体结构已经完全形成,主晶相为斜方钙钛矿结构,一次粒子粒径约60nm。1150℃烧结3h时,CLST陶瓷表现出优良的介电性能:εr为110,tanδ为0.008,τf为11×10–6/℃。

    2007年07期 No.185 32-33+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 653K]
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  • 低漏电流聚吡咯铝电解电容器的研制

    马海峰;程贤甦;林俊鸿;

    采用化学氧化聚合法在铝箔上原位聚合聚吡咯阴极层,研究了不同氧化剂、4-硝基酞酸加入方式对聚吡咯电容器性能的影响。结果表明:添加4-硝基酞酸明显降低了电容器的漏电流,制备出tanδ为0.012(100Hz),IL小于0.8μA,且具有良好频率特性的固体片式铝电解电容器。

    2007年07期 No.185 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 722K]
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  • 高频电介质新材料Ba_2Ti_3Nb_4O_(18)陶瓷

    童盛;凌志远;郭栋;胡星;

    采用氧化物固相反应法制备了理论密度达96.8%以上的Ba2Ti3Nb4O18高频电介质陶瓷。XRD和SEM分析表明:该陶瓷为两相混合结构,主晶相为单斜Ba2Ti3Nb4O18相,次晶相为六方Ba3Ti4Nb4O21相。1250℃/2h烧结瓷体Ba3Ti4Nb4O21相的体积分数为5%~8%,1MHz下的介电性能为:εr约为38,tanδ约为1.6×10–4,αC约为–8.51×10–6/℃。

    2007年07期 No.185 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 841K]
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  • 缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜材料性能的影响

    沈建兴;李传山;董金美;张雷;武红霞;

    采用丝网印刷的方法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了基板、下电极和PMS-PNN-PZT厚膜层三者之间的高温扩散作用,及SiO2缓冲层对PMS-PNN-PZT压电厚膜的压电性能以及显微结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及压电层的显微结构。结果表明,缓冲层有效地阻止了三者之间的相互扩散,样品的d33、εr等都有所提高,所制得的压电厚膜d33为285pC/N,εr为1210,Qm为1330,kp为0.54。

    2007年07期 No.185 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 881K]
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  • LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4/Li_4Ti_5O_(12)电池体系的性能研究

    牛少军;陈猛;金江敏;孙勇;

    采用高温固相法合成了锂离子电池用正极材料LiNi0.5Mn1.5O4和负极材料Li4Ti5O12。通过XRD和SEM分析,并借恒电流充放电和循环伏安法测试了LiNi0.5Mn1.5O4/Li4Ti5O12电池体系的电化学性能。结果表明:LiNi0.5Mn1.5O4和Li4Ti5O12均为尖晶石结构,LiNi0.5Mn1.5O4/Li4Ti5O12电池具有良好的充放电循环可逆性,以0.5C倍率充放电,首次放电比容量可达124.31mAh·g–1,充放电循环50次后,放电比容量在116mAh·g–1以上,容量保持率为93.32%。

    2007年07期 No.185 49-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 822K]
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  • Co-Mn-Ni-O_2系材料阻温特性与频率关系的研究

    康雪雅;王天雕;T.W.Button;

    通过XRD、SEM分析和变温、变频条件下的lgρ-t测量,对Co-Mn-Ni-O2系热敏材料的lgρ-t特性与频率f的关系进行了研究。结果表明:CoMn1.4Ni0.6O4尖晶石型氧化物热敏电阻材料的阻温特性在0.1~1MHz和–70~+100℃,发生了PTC向NTC的转变,且转变点的温度(–70~–10℃)和f(0.1~1MHz)与材料电阻率ρ有关。根据电导率σ和载流子浓度n、载流子迁移率μ之间的关系,用小极子跳跃导电理论对上述现象作了解释。

    2007年07期 No.185 53-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 1055K]
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  • 薄膜封装型NTC热敏电阻器的研制

    袁国安;熊成勇;

    为适应电子整机产品狭窄空间安装的需要,NTC热敏电阻器(NTCR)要进行超薄设计。采用固相反应法制粉,压锭烧结制作NTCR芯片,焊接引线和薄膜封装等工艺方法实现产品的薄形化封装,研制出了一种阻值R25为10k?,材料常数B为3435K,产品最大厚度仅0.5mm的新型薄膜封装型NTC热敏电阻器,为家电产品和生产设备的轻薄化推出了一种新型NTC热敏电阻器。

    2007年07期 No.185 57-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 1074K]
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  • 一种制备纳米Fe_3O_4的新方法及其磁性能研究

    周菊英;徐柳苏;盘荣俊;

    在正丙醇–水体系中,以NaOH为沉淀剂,用共沉淀法制备了纳米Fe3O4粒子,并用TEM和XRD对其进行了表征。考察了制备过程中工艺参数对Fe3O4颗粒大小的影响,并对影响机理进行了探讨。结果表明:纳米Fe3O4的平均粒径约为15nm;其饱和磁化强度可达73.34Am2/kg,比用水热法(42Am2/kg)和共沉淀法(60Am2/kg)制备的Fe3O4纳米粒子的要高。

    2007年07期 No.185 60-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 683K]
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  • 镁锌铁氧体磁芯的工艺研究

    李爱民;

    针对镁锌铁氧体与镍锌铁氧体磁芯在高频性能和机械强度方面存在的差异,对材料配方,烧结工艺,制料工艺等方面进行了调整。结果表明:起始磁导率μi为50~2000时,镁锌铁氧体磁芯完全可替代镍锌铁氧体磁芯,从而大幅降低原材料成本。

    2007年07期 No.185 63-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 727K]
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  • 宽带大功率限幅器小型化研究

    钟福如;梁斌;

    采用微波混合集成电路设计方法,用并联二极管和检波二极管,在很小的腔体内制作了无源微波限幅器。其电参数为:频率范围2~18GHz;承受功率4W(连续波);限幅电平≤30mW(Pin为4W,连续波);插入损耗为2.5dB以下;驻波系数为2.0以下。外形尺寸为13.5mm×6mm×3mm;输入输出端为50?绝缘子。

    2007年07期 No.185 66-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 744K]
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简报

  • SnO_2对锂铌钛系微波介电陶瓷性能的影响

    喻佑华;丁银忠;艾凡荣;杨俊瑞;王相惠;

    用SnO2作为掺杂剂对LiNb0.6Ti0.5–xSnxO3陶瓷进行改性,研究了SnO2添加量对LiNb0.6Ti0.5O3锂铌钛体系陶瓷的烧结性能,显微结构和微波介电性能的影响。结果表明:随着SnO2添加量的增加,陶瓷体密度和介电常数基本保持不变;而Q·f值随SnO2的加入有所提高,而后随SnO2含量继续增加而快速下降;在1100℃的烧结温度下,当x为0.01时,获得微波介电性能优良的微波陶瓷,其εr为67.8,τf为+4×10–6/℃,Q·f为6780GHz。

    2007年07期 No.185 10页 [查看摘要][在线阅读][下载 672K]
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检测技术

  • DUO-ICP-AES测定铅锡合金焊料中的铅镉铬汞

    翟翠萍;钟志光;萧达辉;郑建国;吴建丽;

    应用微波消解系统,将电子电气产品中铅锡合金焊料样品用1mL浓氢氟酸、5mL浓硝酸和5mL浓过氧化氢加热溶解后,加入10mL4%硼酸掩蔽过量的氟离子。然后用双向视电感耦合等离子体原子发射光谱仪(DUO-ICP-AES)同时测定溶液中的铅、镉、铬和汞。方法的检测限为0.0022~0.015mg·L–1,方法的回收率和精密度分别为94.5%~98.7%和0.34%~3.36%。

    2007年07期 No.185 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 610K]
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  • 综合信息

    <正>等离子反击液晶事件回放等离子液晶首次公开叫板2005年5月23日,等离子阵营与液晶阵营第一次公开激烈争战。在第八届中国北京国际科技产业博览会上,松下声称:"液晶电视企业近期总是宣扬自己是平板电视产业的主导产品,其实,通过现场比较,在画质方面,

    2007年07期 No.185 3+41+45+48+52+56+59+62+65+68页 [查看摘要][在线阅读][下载 752K]
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