刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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综述

  • 锆钛酸钡(BZT)铁电材料研究进展

    符春林;蔡苇;潘复生;

    综述了关于锆钛酸钡(BaZrxTi1–xO3,简称BZT)材料的组成(包括锆含量、掺杂)与结构、介电性能及尺寸效应等方面的最新研究进展,阐释了BZT中存在的弛豫现象,提出了研究中需要解决的一些问题。

    2007年04期 No.182 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 501K]
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研究与试制

  • MgO/TiO_2复合薄膜太阳能电池的性能

    于仙仙;胡志强;王一;李国;高岩;

    用sol-gel法和丝网印刷法制备多孔TiO2薄膜,溶液沉积法制备MgO/TiO2复合薄膜。研究了复合薄膜的表面形貌、断面结构、厚度等性能;组装电池,测定了电池的输出特性曲线。结果表明:MgO/TiO2复合薄膜表面平整,内部具有分布较为均匀的空隙,厚度约14μm;MgO薄膜的复合使染料敏化,敏化太阳能电池的开路电压从0.585V提高到0.659V,短路电流从2.057mA提高到2.348mA,从而使光电转换效率从2.24%提高到3.12%;并分析了MgO薄膜复合提高光电流响应的机理。

    2007年04期 No.182 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 227K]
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  • SrBaNb-SrBaTi复合陶瓷的制备和介电性能研究

    钮效鹍;张家良;王矜奉;李彩玉;吕应刚;

    采用传统固相反应法分别制作了SrxBa1–xNb2O6(x=0.3,0.4,0.5,0.6)和Sr0.6Ba0.4TiO3单相陶瓷以及两相混合的复合陶瓷。结果表明,该制备方法简单,能够精确控制复合陶瓷中SrxBa1–xNb2O6和Sr0.6Ba0.4TiO3的组分含量,其中Sr0.6Ba0.4Nb2O6与Sr0.6Ba0.4TiO3按摩尔比1∶1混合所得复合陶瓷样品的介电温度特性最佳,10kHz下在25~60℃温度范围内αε为3.224×10–7,tanδ小于0.7×10–2。

    2007年04期 No.182 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 407K]
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  • 室温熔盐在碳纳米管电化学电容器中的应用

    陈人杰;吴锋;徐斌;苏岳锋;邱新平;

    将碳纳米管制成薄膜电极,以二(三氟甲基磺酸酰)亚胺锂(LiTFSI)-1,3-氮氧杂环戊-2-酮(OZO)室温熔盐为电解液,装配成模拟电容器。测试结果表明,比电容为20.5F/g,工作电压可达2.0V以上,循环充放电500次后容量损失小于5%。室温熔盐在碳纳米管电化学电容器中表现出良好的电化学兼容性,具有良好的热稳定性,是超级电容器非常有前景的新型电解液。

    2007年04期 No.182 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 501K]
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  • Invar合金电子封装零件的制备及性能

    段柏华;曲选辉;林冰涛;秦明礼;程彤;

    研究了粉末注射成型技术生产Invar合金电子封装零件的工艺。设计一种新型蜡基多聚合物组元粘结剂,其组成:PW,PEG,LDPE,PP,SA的质量分数分别为50%,20%,15%,10%,5%。并依其差热分析结果制定了合理的脱脂工艺。在1350℃氢气烧结时,可制备出性能优良的PIM Invar合金电子封装零件,其致密度、抗拉强度、30~300℃温度内的平均热膨胀系数α30~300℃分别为98.5%、420MPa、4.5×10–6℃–1,其漏气率小于1.4×10–9Pa·m3·s–1。

    2007年04期 No.182 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 478K]
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  • CuO对β-BZT陶瓷结构与介电性能的影响

    康利平;李俊丰;沈波;张良莹;姚熹;

    在三元系单斜焦绿石相微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(简称β-BZT)中添加不同量的CuO,研究其对材料的结构和介电性能的影响。研究发现,添加CuO能降低烧结温度,w(CuO)<0.3%不会导致样品的密度降低和出现第二相,并能很好保持β-BZT的介电性能。w(CuO)为0.1%的样品烧结温度仅为950℃,其微波介电性能参数为:εr约为63,Q约为1191(4.5GHz)。

    2007年04期 No.182 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 828K]
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  • VO_x薄膜的sol-gel法制备

    曾亦可;吴帮军;姜胜林;邓传益;

    通过对工艺条件的研究,解决了钒有机溶胶与基片的亲水性问题,提出了成膜牢固的亲水处理方法,制备出了无裂纹、致密性好的VOx薄膜。测量结果表明,520℃热处理条件下的VOx薄膜样品的平均电阻温度系数达到了3.95%K–1。而470℃热处理下的VOx薄膜样品,其升降温阻温特性一致性很好,可用作高灵敏度红外探测器敏感元材料。

    2007年04期 No.182 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 253K]
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  • SrTiO_3环形压敏电阻器银电极焊接性能研究

    武振华;曹全喜;

    银电极焊接是影响SrTiO3环形压敏电阻器性能的重要因素,不同的银电极浆料成分、烧结温度条件下,其性能差异很大。通过对比实验发现,影响焊接性能的主要原因是银电极与元件之间形成的非欧姆接触以及助焊剂渗入烧结电极时,电极表面产生的气孔。提出烧结电极时,采用掺杂锌粉的银浆可大幅度提高焊接性能;填充氧化锌粉末可有效阻止松香渗入及气孔产生;电极烧结温度在750℃左右焊接性能最佳,V1mA的变化率为8.822%。

    2007年04期 No.182 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 277K]
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  • 温度控制对ATO纳米分散液水热生长的影响

    白凡飞;何云;贺平;贾志杰;

    以SnCl4·5H2O和SbCl3的共沉淀氢氧化物为原料,在水热过程中采用温度控制、分段加热的方法,制备了单分散的ATO纳米分散液。用XRD、TEM、X射线能量散射谱(EDS)和压片测电阻等方法,对ATO纳米粉进行了表征。结果表明:温度控制、分段加热的水热法,可以一步合成粒径为10~15nm,高比表面积、分散性好的ATO纳米晶导电粉体,在低温短时的条件下,同时实现了氧化物的掺杂和分散。并对生长机理做了初步探讨。

    2007年04期 No.182 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 514K]
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  • 锌掺杂量对In_2O_3电导和气敏性能的影响

    李永红;葛秀涛;刘杏芹;

    用化学共沉淀和热处理法于pH11.5~12.5时,用(NH4)2CO3作沉淀剂,制备了Zn2+掺杂的In2O3微粉。研究了Zn2+掺杂量对In2O3气敏元件电导和气敏性能的影响。结果发现,ZnO与In2O3可形成有限固溶体In2-xZnxO3(0≤x≤0.10);In1.95Zn0.05O3气敏元件在223℃工作温度下,对浓度为4.5×10–7mol/L的C2H5OH的灵敏度高达174.4,且选择性也好。

    2007年04期 No.182 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 344K]
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  • 掺氟二氧化锡纳米粉的制备及电性能研究

    何云;白凡飞;贺平;贾志杰;谭铭;

    以SnCl2·2H2O、HF为原料,采用共沉淀法合成了掺氟二氧化锡FTO(SnO2∶F)纳米粉。在氧化的过程中进行掺杂,使F原子更容易取代O原子,在400℃低温下蒸发得到了低电阻率的FTO纳米粉。应用SEM、XRD、EDS和压片测电阻等方法,对所获粉体进行了表征。结果表明,F的掺杂明显降低了SnO2的电阻率。当r(Sn∶F)为10∶3时,FTO纳米粉的电阻率最低,为57.2Ω/cm。

    2007年04期 No.182 34-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 288K]
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  • SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料湿敏特性及介电特性

    胡素梅;陈海波;傅刚;

    采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4对其湿敏性能的影响,测试了材料的电抗特性、电容量特性和响应–恢复特性。结果表明,采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,液相掺杂x(LiZnVO4)为10%时,可使材料具有较好的湿敏性能和响应–恢复特性,响应时间和恢复时间都为55s左右。测试频率对材料的电抗和电容量影响很大。

    2007年04期 No.182 37-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 399K]
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  • 添加Li~+的硫酸铵电解液超级电容器的研究

    殷金玲;张宝宏;于立娟;

    在电解液(NH4)2SO4中加入Li+添加剂,用以提高二氧化锰/活性炭混合超级电容器以及活性炭电容器的容量。测试结果表明,当在2mol/L的(NH4)2SO4溶液中添加0.37mol/L的Li2CO3时,比容量提高幅度最大。添加剂在混合超级电容器中起的作用比在单纯活性炭超级电容器中大。对于混合超级电容器,加入Li+添加剂后比容量提高了77%,且2000次循环后比容量为30F/g,仅衰减了2.9%。

    2007年04期 No.182 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 549K]
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  • PMMA基凝胶聚合物电解质MnO_2电容器的研究

    于立娟;杨萍;巩桂英;张宝宏;

    以沉淀法制备的MnO2为正极材料,活性炭(AC)为负极材料,甲基丙烯酸甲酯(MMA)作聚合物单体,碳酸二甲酯(DMC)与碳酸乙烯酯(EC)的混合液作增塑剂,高氯酸锂为支持电解质,采用内聚合法制备PMMA基凝胶聚合物电解质MnO2/AC混合电容器。测试结果表明,随着MMA含量的降低,凝胶聚合物电解质的电导率增大,电容器的比容量也随之增大,当MMA的含量为20%时,凝胶聚合物电解质的电导率可达6.1×10–3S/cm,比容量为34.02F/g。

    2007年04期 No.182 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 516K]
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  • PCB制造信息提取与快速3D建模

    刘振宇;

    从PCB格式文件中提取制造信息,通过VBA开发EXCEL实现对制造信息的自动筛选、归类和数据库存储。利用UG的知识熔接功能,建立制造信息转换通道,将处理后的制造信息导入UG,在UG中进行自动快速3D建模。利用UG和ANSYS的接口,可将模型导入ANSYS进行有限元分析。

    2007年04期 No.182 47-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 311K]
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  • 采用氧化物复合底电极的BTO薄膜结构和性能

    尹章;张鹰;朱俊;李言荣;

    用球磨法制备Bi4Ti3O1(2BTO)靶材。用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以三种氧化物SrRuO(3SRO)、LaSrCoO3(LSCO)、LaNiO3(LNO)和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄膜。分析了薄膜的结构和性能。结果表明,这种BTO薄膜的c轴取向得到抑制,其极化强度从0.45×10–6C/cm2提高到0.9×10–6C/cm2;矫顽场强从90×103V/cm下降到50×103V/cm。

    2007年04期 No.182 50-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 370K]
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  • TiO_2压敏陶瓷的显微分析和电学性能

    严继康;甘国友;陈海芳;张小文;孙加林;

    研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷的显微结构、显微成分、势垒结构和电学性能的影响。采用SEM和EDS测试其显微结构和晶粒的化学组成。根据热电子发射理论和电学性能计算了势垒结构。在1350℃烧结的TiO2压敏陶瓷具有均匀而致密的显微结构,其晶粒大小为15μm左右,施主掺杂Nb5+在TiO2晶粒中的固溶度为1.49%;势垒高度?B为0.28eV,势垒宽度xD为48nm;压敏电压V1mA为5.25V/mm,非线性系数α为4.2,εr为1.1×104。

    2007年04期 No.182 53-55+58页 [查看摘要][在线阅读][下载 536K]
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综合信息

  • 电子元器件国内外现状、趋势及关键技术

    <正>1世界现状体积越来越小,电路密度越来越高,传输速度越来越快,新型电子元器件正在向片式化、微型化、高频化、宽频化、高精度化和集成化方向发展。

    2007年04期 No.182 18页 [查看摘要][在线阅读][下载 343K]
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  • 对《废节能灯利用简法》一文的实践与改进

    张蒲萍;

    <正>2006年第40期《电子报》16版刊登了《废节能灯利用简法》一文,谈到利用电容限流的方法点亮串联的发光二极管。

    2007年04期 No.182 36页 [查看摘要][在线阅读][下载 231K]
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  • 2007年度电子发展基金项目申报工作开始

    耀文;

    <正>信息产业部日前下发通知指出,2007年度电子信息产业发展基金(以下简称电子发展基金)项目申报工作于2月26日开始。

    2007年04期 No.182 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 308K]
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  • 日本组装技术文献

    <正>无掩模布线形成技术的特点及关键问题(6页日文)为提高总体生产效率组装生产线的构建(4页日文)系统封装技术(8页日文)选用无铅焊料的要点(8页日文)无铅焊用回流焊炉(4页日文)2D·全3D浆料印刷检查装置(4页日文)DFM和光掩模技术(6页日文)

    2007年04期 No.182 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 424K]
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  • 集成电路国内外现状、趋势及关键技术

    <正>1世界现状特征线宽130~90nm,芯片的集成度108~109量级,硅晶片尺寸300mm;设计呈现加速发展的态势。2我国现状特征线宽180~130nm,和152.4~203.2mm硅片水平;CPU、DSP仍处在研制水平。

    2007年04期 No.182 52页 [查看摘要][在线阅读][下载 294K]
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  • 日本半导体制造技术文献

    <正>·新工艺半导体制造试验装置(7页日文)·300mm晶片用研磨抛光装置/钻孔系统(3页日文)·扫描分档器(5页日文)·原子层生长(ALD)装置(3页日文)·SiC外延片用CVD装置(4页日文)

    2007年04期 No.182 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 348K]
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设计与仿真

  • 电压模式n阶CCII+低通滤波器的设计

    吴先明;刘慧;齐绍忠;何怡刚;

    提出了一种仅仅用第二代电流传送器(CCII+)实现的高阶电压模式低通滤波器,推导了系统的设计公式。设计了六阶Butterworth低通滤波器,并用PSPICE进行仿真分析。设计和仿真结果表明,该低通滤波器电路设计正确,电路结构简单,所用的元器件数目较少。

    2007年04期 No.182 56-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 381K]
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  • AutoTHERM在MCM热设计中的应用

    孙海燕;景为平;孙玲;

    针对一个基于硅基板的MCM电路建立了两种不同芯片布局的有限元热分析模型。利用热场分析理论并采用AutoTHERM软件,对两种布局条件下的温度场分布进行了仿真与分析。结果表明:不同的芯片布局导致温度场分布不同,两种方案的最高温度之差为6℃;将功率器件直接置于框架角落,而其余器件分布在硅基板上,可有效地减弱热耦合现象并使最高温度显著降低。该MCM在25℃下工作1h,温升小于10℃,满足使用要求。

    2007年04期 No.182 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 572K]
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可靠性

  • 电子元器件失效模式影响分析技术

    黄云;恩云飞;

    在元器件中进行失效模式影响分析(FMEA)技术研究和应用的基础上,论述了适合元器件的失效模式、机理影响分析(FMMEA)技术,在国内首次将FMMEA技术应用到元器件的基础上,研制了FMMEA技术分析软件,为元器件的研制和使用中控制或消除相关的失效模式及机理,提高产品质量和可靠性提供了一个新的方法和思路。

    2007年04期 No.182 65-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 307K]
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经验点滴

编读通信

  • 《电子元件与材料》征稿简则

    <正>《电子元件与材料》是中国电子学会、中国电子元件行业协会和国营715厂主办的中文科技期刊,国内外公开发行。本刊刊登国内外具有创新性、实用性和较高学术水平的有关混合微电子、敏感元件与传感器、电子

    2007年04期 No.182 70页 [查看摘要][在线阅读][下载 260K]
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  • 数控电调带通滤波器的设计与制作

    曹良足;王帅;林程;胡鸿豪;汪用瑜;

    设计了一种新型电调谐带通滤波器,研究了数字信号控制滤波器电调谐的技术。采用数模转换器和高压运放实现数字信号与直流电压的转换;以变容二极管作为调谐元件;带通滤波器采用梳状微带线结构,并给出了结构参数。最后制作了一个由8位二进制编码控制的电调谐带通滤波器,其中心频率在300~1200MHz可调。测试结果与理论设计基本吻合。

    2007年04期 No.182 59-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 414K]
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