刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • A和B位替代对BaO-Ln_2O_3-TiO_2陶瓷性能的影响

    徐建梅;张德;沈上越;王辉;龚文强;

    介绍了A位、B位及A、B位共同替代对BaO-Ln2O3-TiO2体系微波介质陶瓷性能的影响。指出A位替代和A、B位共同替代能有效改善陶瓷的性能,单纯B位替代不利于陶瓷性能的改善。A、B位替代影响陶瓷的性能与大的溶限因子和电负性差异有关,但其机理和替代前后的固溶体结构还有待进一步研究。

    2006年12期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 409K]
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  • AlN陶瓷厚膜金属化研究进展

    郑洪雷;杨德安;

    简要论述了AlN陶瓷由于自身结构特点而导致的其厚膜金属化的困难、提出了解决的主要方法。阐述了AlN陶瓷厚膜金属化的三种主要结合剂(玻璃结合系;反应结合系;混合结合系)的结合机理,综述了三种主要结合剂以及AlN陶瓷厚膜金属化用金属体系的研究现状及最新进展。

    2006年12期 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 381K]
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  • 多层片式压敏电阻器的最新发展动向

    王兰义;吕呈祥;唐国翌;

    介绍了多层片式压敏电阻器的现状,分析了当前工艺中存在的问题(内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀)和解决的办法,指出了其最新的发展动向。在工艺技术和应用上,多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展;同时还要从环境保护和生产成本角度来考虑,采取水基流延制备工艺和采用新配方或纳米材料来降低压敏陶瓷烧结温度。

    2006年12期 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 315K]
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  • 层状多元复合正极材料的研究进展

    李志刚;康雪雅;王天雕;韩英;

    综述了近期锂离子电池层状多元复合正极材料的研究进展。重点介绍了提高电化学性能的方法,分析了影响电化学性能的因素。进一步预测了该材料的发展前景,认为该材料综合了层状LiNiO2、LiMnO2和LiCoO2等材料的优点,具有广阔的市场前景和开发价值。

    2006年12期 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 176K]
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  • 信息

    2006年12期 15+50+53+56+65+69页 [查看摘要][在线阅读][下载 950K]
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  • 高压电容器用铁电陶瓷

    彭家根;王峰平;游小凤;

    介绍了用于高压电容器的三类陶瓷材料,即BaTiO3基铁电陶瓷、SrTiO3基铁电陶瓷和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(PMN)基铁电陶瓷。对它们各自的特点进行了评述,给出了其组成和性能,并对进一步研究提出了看法。

    2006年12期 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 428K]
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  • 旋转载体驱动硅微机械陀螺的设计和性能检测

    张福学;王宏伟;张伟;毛旭;张楠;

    提出了一种利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺,分析了该陀螺的工作原理,建立了这种陀螺的数学模型,设计了该陀螺的敏感结构,计算了陀螺的结构动力学参数,设计并分析了陀螺的信号检测与处理电路并针对该陀螺的特点设计了性能测试装置。理论研究和性能测试表明,利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺结构原理正确。

    2006年12期 20-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 636K]
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  • 微机电光学电流传感器的设计

    赵本刚;徐静;高翔;刘玉菲;吴亚明;

    提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理,结合工艺条件给出了器件的设计要求,并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明,器件可以测试1~7.2kA的交流电,大电流下的灵敏度可达到0.01dB/A以上。

    2006年12期 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 217K]
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  • 微波加热法制备电极材料活性炭

    宋天秀;丁士华;李胜;梁逵;

    以煤为原料,KOH为活化剂,采用微波辐射加热法和电阻炉加热法制备出双电层电容器用活性炭。对比研究了两种工艺下KOH用量、活化时间对活性炭比电容量的影响,考察了活性炭双电层电容器的充放电特性。结果显示:微波活化时,ζ(KOH∶煤)为3∶1,起电弧时间5min,比电容为283.67F/g;电阻炉活化时,ζ(KOH∶煤)为4∶1,保温时间为1h,比电容为235.55F/g。经过100次循环充放电后,微波法和电阻炉法所得的活性炭的比电容分别保持在98.10%和91.04%。

    2006年12期 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 361K]
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  • 一类新型高导热环氧模塑料的制备

    韩艳春;傅仁利;何洪;沈源;宋秀峰;

    采用Si3N4陶瓷作填料,制备了一类新型高导热的环氧模塑料,研究了Si3N4的含量、分布及其形态对复合材料的导热性能及介电性能的影响。结果表明:随着Si3N4粉末体积填充量的增加,复合材料的热导率显著提高,当填充量体积分数为60%时,复合材料的热导率达到2.3W/(m·K),其介电常数随体积填充量的增加亦有所增加,但仍然维持在低水平。采用Agari模型进行理论计算的结果表明,该体系导热性能的提高与Si3N4填料之间热传导网络的形成有关。

    2006年12期 34-36+40页 [查看摘要][在线阅读][下载 428K]
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  • B-Zn复合掺杂的LNT微波介质陶瓷的低温烧结

    喻佑华;尹雪帆;周川钧;艾凡荣;丁银忠;

    研究了烧结助剂B2O3、ZnO对Li0.925Nb0.375Ti0.8O3(LNT)陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:B2O3-ZnO复合掺杂能有效降低烧结温度至900℃。ZnO的添加调节了LNT陶瓷正的频率温度系数,质量分数为1%的B2O3和4%的ZnO是最佳添加量,可得到εr为59.5,Q·f为7840GHz,τf为0×10–6℃–1的微波介质陶瓷材料。

    2006年12期 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 494K]
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  • 恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究

    刘宇;毛旭;岳萍;张福学;

    采用恒温磁力搅拌的方法,在KOH溶液中湿法刻蚀Si。在掩模层为SiO2时,研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明:在110℃、30%的KOH溶液下,刻蚀Si(100)可以得到4.0μm/min的刻蚀速率,Si(100):SiO2的刻蚀速率比为550:1,Si(100):Si(111)的刻蚀速率比为90:1,而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。

    2006年12期 41-43+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 533K]
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  • Mn掺杂对BaSnO_3陶瓷的NTC特性的影响

    王肖燕;周方桥;王正宇;

    以BaCO3和SnO2为主要原料,以Mn为受主掺杂,再掺入其它微量的烧结助剂和施受主杂质,用固相法制备出具有NTC特性的BaSnO3陶瓷。在30~190℃的测试温区内,x(Mn)为1.0%~1.8%的掺杂BaSnO3陶瓷材料,其电阻–温度特性呈现良好的线性关系;B值和电阻随着Mn掺杂量的增加而变大,B值的变化范围为5200~6100K;30℃时样品的电阻率变化范围为1.16×106~1.11×107·cm。

    2006年12期 44-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 405K]
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  • 基于QFP技术的高频集成电路封装设计

    孙海燕;景为平;孙玲;

    通过对标准QFP引线框架的改造,实现了一种高频集成电路芯片的封装设计。介绍了利用电磁场仿真软件进行封装的3D建模,并提取封装结构的模型参数,进行信号完整性分析的方法。实例验证表明,此方法以较低的封装成本,较好地减少了长键合线及框架引脚对高频信号的影响,在现有的封装技术基础上提供了实现高频/高速集成电路封装的新思路。

    2006年12期 47-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 207K]
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  • Bi_2O_3掺入对CLST微波介质陶瓷性能的影响

    黄永峰;李谦;黄金亮;龙永强;

    研究了Bi2O3掺入对CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(简写为CLST)系微波介质陶瓷介电性能的影响。用XRD和SEM研究其晶体结构及微观形貌。结果表明:Bi2O3掺入能显著降低CLST陶瓷的烧结温度,由1300℃降至1200℃,1200℃烧结2h后,仍形成了斜方钙钛矿结构,但原有金红石相消失。掺入5%(质量分数)Bi2O3的CLST陶瓷取得了较好的介电性能:εr为93,tanδ为0.0078,τf为–29×10–6℃–1。

    2006年12期 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 457K]
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  • 掺钛和锆改性的钙硼硅系微晶玻璃之性能

    刘敏;朱海奎;周洪庆;

    以TiO2、ZrO2为改性剂,制备CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。对其烧结和介电性能进行了研究,并采用XRD,SEM对微观结构进行了探讨。结果表明:添加适量的TiO2或是混合添加TiO2、ZrO2均能改善CaBSi系微晶玻璃的性能。混合添加比单一添加TiO2更有效。结合材料的烧结性能、介电性能和微观结构,以840℃烧成的添加w(TiO2)为2%、w(ZrO2)为2%的试样性能最佳,其εr为7.1、tanδ为3×10–3,在20~400℃之间的热膨胀系数为7.8×10–6℃–1。

    2006年12期 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 611K]
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  • 锡粒氧化–水热法合成纳米二氧化锡

    高赛男;袁高清;江焕峰;廖世军;

    采用锡粒氧化–水热法,合成了纳米二氧化锡粉体,并用FT-IR,XRD,TEM和DTA等测试手段,对其结构和形貌进行了表征。研究了反应温度、时间、介质及压力对粉体粒度、形貌的影响。结果表明,在180℃水热反应12h,可以得到粒径为4~10nm具有四方相锡石型的二氧化锡粉体;以无水乙醇为反应介质时粒子间的团聚程度明显降低;增大反应压力,颗粒间的团聚程度减小。

    2006年12期 57-59+62页 [查看摘要][在线阅读][下载 391K]
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  • MgO掺杂Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3基电容器陶瓷的研究

    赵晨;黄新友;高春华;

    以通用的陶瓷工艺合成Ba0.7Sr0.3TiO3基电容器陶瓷。通过实验研究MgO掺杂量对材料εr、tanδ和容量温度变化率等性能的影响,探讨了MgO的掺杂改性机理。结果表明:MgO具有减小介电常数温度变化率,降低陶瓷气孔率,细化陶瓷晶粒尺寸的作用。当MgO的质量分数为0.20%时,陶瓷的εr达最大值4528;质量分数为1.00%时,得到εr为4090,tanδ为0.0043,介电常数温度变化率为21.1%的Y5V瓷料。

    2006年12期 60-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 347K]
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  • H2712Qb型多路电源模块的研制

    陈丽华;

    成功研制了H2712Qb型DC/DC变换多路电源模块。通过对+5V和–12V电路的详细讨论,介绍了该产品的电路原理,并对元件选取、厚膜平面化、减小体积、降低纹波、提高可靠性和实现不平衡加载等问题提出了见解和相应的解决方法。该电源模块输出为+15V、+12V、–12V和+5V,功率为30W,预计可靠性达1.17×105h。

    2006年12期 63-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 205K]
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  • LTCC基板用CaBSi玻璃的制备与性能研究

    宁海燕;张树人;周晓华;

    采用sol-gel法制备了CaO-B2O3-SiO2玻璃粉体材料。用TGA-DSC、XRD、SEM对样品进行了表征。分析表明,当钙含量不变时,随着硼含量的增加熔点降低,但是超过一定值后,其性能恶化。当硼含量不变时,随着钙含量的增加玻璃料的析晶趋势增强,熔点升高,热膨胀系数的测试值也接近理论计算值。将CaBSi—3与堇青石和莫来石陶瓷粉末低温共烧后其主要性能指标为:α≈3.5×10–6℃–1,εr<4.9,tanδ<14×10–4,ρ>1013?·cm,σ>160MPa。

    2006年12期 66-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 819K]
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  • 1.8GHz微波陶瓷独块双工器的设计与仿真

    周东祥;潘功寰;赵俊;

    研究了由1/4波长同轴介质谐振器组成的两个电容耦合式带通滤波器,通过阶梯谐振块连接在一起构成了一种新型外阶梯形独块双工器。根据要求的技术指标,讨论了阶梯谐振块对器件性能参数的影响。并用EDA仿真工具进行了仿真,得到了较为满意的结果。TX和RX滤波器的性能分别是:插损为0.3,0.23dB;带内波动为0.002,0.055dB;驻波比为1.3,1.1;带宽为1741~1768MHz,1834~1861MHz。

    2006年12期 70-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 149K]
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  • 《电子元件与材料》2006年第25卷1~12期索引

    <正>~~

    2006年12期 73-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 391K]
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