刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 中国电子学会第十四届电子元件学术年会隆重召开

    钟彩霞;

    2006年09期 1页 [查看摘要][在线阅读][下载 145K]
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  • 中电元协电子陶瓷及器件分会理事扩大会在新疆召开

    曾革;

    2006年09期 1页 [查看摘要][在线阅读][下载 145K]
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  • 汽车氧传感器ZrO_2基电解质材料的研究进展

    江涛;魏群;杨金平;江丽君;李艳;

    介绍了汽车发动机电子控制燃油喷射系统(EFI)的氧传感器(EGO)ZrO2基电解质材料,用氧化物MOn(n<2)对ZrO2进行掺杂改性;Al2O3、SiO2、MgO等烧结助剂可降低其烧成温度。研究了掺杂物对电解质的电导率、灵敏度、机械强度等参数的影响,探讨了掺杂物改性的机理,展望氧传感器电解质材料的研究方向。

    2006年09期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 348K]
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  • 太阳敏感器的原理与技术发展趋势

    何丽;胡以华;

    姿态控制系统是卫星得以持续正常工作的保证。太阳敏感器是卫星姿态控制系统的重要组成部分,所有的卫星都配备有太阳敏感器。简要介绍了太阳敏感器的基本原理和构成,并借介绍几种典型的产品,说明了当前国外太阳敏感器的发展现状。最后对未来太阳敏感器的发展趋势作了简要分析。

    2006年09期 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 183K]
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  • 低温共烧陶瓷用硼硅酸盐玻璃的研究进展

    贾程棡;钟朝位;周晓华;张树人;李波;

    概述了低温共烧玻璃陶瓷复合材料体系中所采用的硼硅酸盐玻璃的组成、工艺、应用技术参数。比较了锌、铅、钡硼硅酸盐玻璃组成、掺杂量对玻璃陶瓷的烧结特性的影响。指出了不同硼硅酸盐玻璃材料的优缺点和在低温共烧陶瓷技术中的适用范围。

    2006年09期 8-11+15页 [查看摘要][在线阅读][下载 506K]
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  • 纳米Mn-Zn铁氧体制备过程中的元素补偿研究

    于文广;张同来;魏雨;杨利;

    采用回流制备方法,通过对比实验和化学定量分析,研究了Fe2+的催化作用以及对Mn、Zn元素实施补偿的可行性,得出试样中金属元素的摩尔比。实验发现:pH≤9.6时,Fe2+对合成反应具有明显的催化作用。初始pH>7时,Zn元素能进行补偿;初始pH>8.5时,Mn元素才能进行补偿。XRD和TEM研究表明,Mn-Zn铁氧体纳米粒子为球形,平均粒径约为4.35nm。

    2006年09期 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 408K]
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  • 掺SiO_2的WO_3纳米粉体的合成及其NO_2气敏特性

    魏少红;张岩;朱会敏;牛新书;

    采用sol-gel法制备了一系列掺有SiO2的WO3纳米粉体,通过X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,测试了材料的气敏性能,探讨了煅烧温度、掺杂量、工作温度等对材料气敏性能的影响。研究发现:适量SiO2的掺杂有利于提高WO3对NO2气体的灵敏度,其中SiO2掺杂量为3%(质量分数)的气敏元件,在150℃工作温度下,灵敏度达713,响应–恢复时间分别为7s与26s。对WO3的NO2气敏机理也进行了探讨。

    2006年09期 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 113K]
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  • 高性能ZnV Sb系压敏电阻陶瓷的制备

    赵鸣;刘向春;王卫民;高峰;田长生;

    在传统工艺基础上,对V2O5/Sb2O3混合粉体先进行热处理,然后以热处理产物为主要掺杂剂,在950℃合成了显微结构均匀、相对密度98%以上、α大于50的ZnVSb系多元压敏电阻陶瓷材料。并研究了V2O5/Sb2O3预合成粉含量对材料显微结构和性能的影响。结果表明:V2O5/Sb2O3预合成粉含量升高,增大了晶界受主态密度,提高了材料的晶界势垒,使材料在压敏电压升高的同时,非线性系数得到改善。

    2006年09期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 632K]
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  • Gd(Sm)掺杂CeO_2的沉淀法合成与导电性能研究

    吉春艳;徐庆;廖园富;陈文;徐开群;

    采用碳酸盐共沉淀法合成Ce0.8Gd0.2O1.9和Ce0.8Sm0.2O1.9粉体,并用交流阻抗谱法研究其氧离子导电性能。结果表明,在600℃的热处理温度下,可以合成出单一萤石结构的超微细粉体(~200nm),在1400℃烧结后其相对密度达到95%以上。在测试温度为800℃时,Ce0.8Gd0.2O1.9和Ce0.8Sm0.2O1.9的氧离子电导率分别达到7.8×10–1S·cm–1和8.5×10–1S·cm–1。在400~800℃范围内,其氧离子导电活化能分别为0.80eV和0.72eV。

    2006年09期 22-24+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 531K]
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  • 一种新耦合结构的介质滤波器的设计与仿真

    张景;梁飞;吕文中;王晓川;

    设计并研究了一种电容负载型的同轴介质滤波器,它采用新颖的耦合结构,以及高介电常数低损耗的微波陶瓷材料,大大减小了同轴介质滤波器的体积。同时用HFSS软件对其进行仿真,讨论了部分结构参数对滤波器性能的影响,最后设计出性能良好的带通滤波器,其中心频率f0=999MHz,插入损耗Li=1.489dB,3dB带宽B=17MHz,带外抑制在f0±30MHz时>20dB。

    2006年09期 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 228K]
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  • V_2O_5复合电极材料的制备与表征

    刘黎明;林志东;杨培志;

    将sol-gel法与水热法相结合制备了RuO2掺杂的V2O5干凝胶复合材料,ζ(Ru∶V)为1.99%。结构和性能分析结果表明,复合材料主要由V、O、Ru组成;V2O5粒子连接形成薄片,薄片堆积而形成层状结构的干凝胶;RuO2未形成晶态结构,弥散分布在层状结构的间隙处;RuO2的掺杂,导致V2O5晶格畸变。循环伏安法分析表明复合材料具有典型的超级电容行为,其比电容约为20.3F/g,可作为超级电容器的电极材料。

    2006年09期 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 452K]
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  • CAS/SBN50玻璃陶瓷的物相分析

    郑兴华;丁剑;周小红;俞建长;倪维庆;

    对烧结法制备的CaO-Al2O3-SiO2(CAS)/Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN50)玻璃陶瓷的烧结特性、物相演变和介电性能进行了研究。结果表明:SBN50含量(质量分数)达到90%时,则完全形成四方钨青铜SBN相。烧结温度提高,明显加剧CAS玻璃与SBN50陶瓷之间的固溶反应。同时,CAS/SBN50玻璃陶瓷的εr随SBN50含量的增大而增大,10kHz时,从CAS玻璃的5.3显著提高到10%CAS/90%SBN50玻璃陶瓷的750.5。

    2006年09期 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 477K]
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  • 节能灯专用中高压铝电解电容器的工作电解液

    廖振华;陈建军;徐永进;赵方辉;蒋晓华;

    开发了节能灯专用铝电解电容器的高压工作电解液(σ30℃≈1.5×10–3S/cm,Us≥480V)和中压工作电解液(σ30℃≈3×10–3S/cm,Us≥400V),分别应用于400V、15μF(φ12.5mm×20mm)和250V、33μF(φ12.5mm×20mm)电容器中,制得的电容器具有低阻抗、低漏电流、耐高频高纹波,耐高温长寿命,在带负载的耐久性试验中通过了125℃,3000h考核,适用于电子节能灯线路。

    2006年09期 34-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 512K]
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  • 纳米粉体对低温烧结CMS微波介质陶瓷的改性

    王焕平;张启龙;杨辉;

    在低温烧结的CaO-MgO-SiO2(CMS)陶瓷中,引入粒径为50~100nm的Ca0.7Mg0.3SiO3纳米粉体,研究了纳米粉体对陶瓷烧结行为和介电性能的影响。研究发现:添加质量分数为5%的纳米粉体能有效促进陶瓷的烧结,拓宽其烧结温度范围,提高其微波介电性能。在890℃烧结后得到良好的介电性能:εr=9.31,Q·f=22574GHz。通过对电镀前后性能的对比发现,添加适量纳米粉体,可消除陶瓷中的大气孔,有效防止电镀过程中电镀液渗入陶瓷体,从而大大改善电镀后陶瓷的介电性能。

    2006年09期 37-39+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 524K]
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  • 凝胶聚合物电解质双电层电容器的研究

    殷金玲;孟祥利;张宝宏;张光绪;黄震雷;

    为解决凝胶聚合物电解质制成膜的双电层电容器中,电解质与电极真实表面积接触较差的问题,采用内聚合法制备了以活性炭为电极材料,丙烯腈为聚合单体,ζ(碳酸甲乙酯∶碳酸乙烯酯)=1∶1为增塑剂,高氯酸锂为导电盐的凝胶聚合物电解质双电层电容器。测试结果表明,随着丙烯腈含量的降低,其组成的凝胶聚合物电解质的电导率增大,电容器的比容量也随之增大,当w(丙烯腈)为10%时,室温电导率为9.34×10–3S·cm–1,比容量为24.294F/g。

    2006年09期 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 416K]
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  • Sn-9Zn合金无铅钎料用助焊剂研究

    吴敏;

    通过测量润湿面积和润湿角,研究不同助焊剂对Sn-9Zn焊料润湿性的影响。结果表明:助焊剂对Sn-9Zn焊料润湿性影响很大,由乳酸、聚乙二醇和SnCl2所构成的助焊剂与Sn-9Zn焊料有很好适应性;同时扫描电镜和能谱分析也表明焊料与Cu基体界面的IMC为Cu5Zn8相,比Sn-37Pb焊料具有更高的剪切强度。

    2006年09期 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 2207K]
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  • 玻璃–氧化硅复合基板材料的制备及性能

    汤涛;张其土;许仲梓;

    以低相对介电常数的硼硅酸盐玻璃粉末和氧化硅粉末为原料,制备了玻璃–氧化硅复合材料。研究了烧结温度和氧化硅含量对复合材料的电学性能和力学性能的影响。结果表明,当氧化硅质量分数为45%时,玻璃–氧化硅复合材料经840℃、2h的烧结后,其εr为3.8,tanδ为4×10–4,ρv为9.8×1011?·cm,抗弯强度σ为30MPa。另外,该复合材料在100~500℃之间的热膨胀系数为(8.0~10.0)×10–6℃–1。

    2006年09期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 1309K]
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  • 工艺对磁控溅射ZAO薄膜光电特性的影响

    辛荣生;林钰;贾晓林;

    在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ZAO透明导电膜,研究了温度、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ZAO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响。实验结果表明,当温度470℃、氧氩比0.5/40、溅射气压0.5Pa和镀膜速率3.6nm/min左右时,可获得薄膜电阻率7.2×10–4?·cm、可见光透过率85%以上的最佳光电特性参数。

    2006年09期 49-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 2886K]
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  • FeSi纳米晶片状微波吸收剂研究

    邓联文;熊惟皓;冯则坤;江建军;何华辉;

    采用气体雾化工艺和高能球磨处理技术制备了纳米晶FeSi扁平状颗粒材料。研究了高能球磨处理和热处理工艺对材料微结构、形貌和微波电磁特性的影响。结果表明:高能球磨处理使雾化粉粒形状扁平化并使其晶粒细化,从而使FeSi微粉的微波磁导率显著提高,介电常数被有效控制;热处理后可以进一步改善其微波电磁性能。对该材料制作的涂层吸波性能的测量表明,在4GHz附近微波段具有良好吸波性能。

    2006年09期 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 3219K]
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  • 苯并噁嗪/钛酸钡复合材料介电性能的研究

    马寒冰;唐安斌;马庆柯;唐超;杨波;王港;

    通过共混法制备了苯并噁嗪/钛酸钡复合材料,探讨了钛酸钡粒径和填充量对复合材料介电性的影响。当?(BaTiO3)=50%时,复合材料介电常数εr达54、介质损耗tanδ为0.027、体积电阻率ρv大于1011?·m、击穿电压Vb大于8×103V/mm的高εr低tanδ绝缘材料。并将其应用于制备内嵌式电容器用玻璃布复合层压板。

    2006年09期 55-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 421K]
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  • 无铅倒装焊封装工艺中的芯片应力及开裂分析

    潘宏明;杨道国;罗海萍;李宇君;

    采用粘塑性Garofalo-Arrhenius模型描述无铅焊料的非弹性力学行为,确定了Sn3.5Ag焊料该模型的材料参数。采用与固化过程相关的粘弹性力学模型描述倒装焊底充胶的力学行为。利用有限元仿真的方法,模拟了无铅倒装封装器件封装的工艺及可靠性测试。结果表明:由于无铅技术在封装中的引入,芯片破裂的可能性随之增加,破裂出现时裂纹的尺寸更小。

    2006年09期 57-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 621K]
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  • PCB镀通孔疲劳寿命对设计参数的灵敏度分析

    孙博;张叔农;谢劲松;张源;

    在PCB镀通孔疲劳寿命评估IPC模型的改进模型基础上,分析了镀通孔疲劳寿命对基板厚度与孔径之比(即厚径比l/r0)、基板厚度与镀层厚度之比(l/t)以及基板作用半径与孔半径之比(R/r0)的灵敏度。结果表明,镀通孔疲劳寿命对(l/r0)的灵敏度随(l/t)增大而减小;对(l/t)的灵敏度随(l/r0)增大而减小;而对(R/r0)的灵敏度则随(l/r0)增大而增大、随(l/t)增大而减小。最后,利用IPC的试验研究结果数据进行了验证。

    2006年09期 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 335K]
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  • 《技术与市场》(4)开始发送

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    2006年09期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 77K]
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  • 第68届电子展新闻报道

    2006年09期 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 131K]
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